JPH07297339A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH07297339A JPH07297339A JP8401195A JP8401195A JPH07297339A JP H07297339 A JPH07297339 A JP H07297339A JP 8401195 A JP8401195 A JP 8401195A JP 8401195 A JP8401195 A JP 8401195A JP H07297339 A JPH07297339 A JP H07297339A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ばり残りの除去工程を廃止できる半導体装置
及びその製造方法を得ることを目的とする。 【構成】 リードフレームに半導体チップを樹脂封止し
た後に切断されるタイバーを有する半導体装置におい
て、樹脂パッケージ７の外側とタイバー３０との距離が
樹脂パッケージの外側とタイバーカットパンチとのクリ
アランスよりもわずかに大きくなるように、タイバー３
０を樹脂パッケージ７に近接させた。 【効果】 タイバーがパッケージに近接しているので、
リード間ばりが大きくならず、タイバーカットを行なう
だけで、リード間ばりの残りが少なくなり、生産性が高
く安価な半導体装置を提供できる。
及びその製造方法を得ることを目的とする。 【構成】 リードフレームに半導体チップを樹脂封止し
た後に切断されるタイバーを有する半導体装置におい
て、樹脂パッケージ７の外側とタイバー３０との距離が
樹脂パッケージの外側とタイバーカットパンチとのクリ
アランスよりもわずかに大きくなるように、タイバー３
０を樹脂パッケージ７に近接させた。 【効果】 タイバーがパッケージに近接しているので、
リード間ばりが大きくならず、タイバーカットを行なう
だけで、リード間ばりの残りが少なくなり、生産性が高
く安価な半導体装置を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置及びその製
造方法の改良に関するものである。
造方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来一般に知られているこの種の装置及
びその製造方法として図６ないし図12に示すものがあっ
た。図において、１はリードフレーム、２及び３はその
枠を構成する一対のリード枠、４はこの一対のリード枠
２および３を連結するタイバー、５はこのタイバー４と
連結される複数本の外部リード、６はこの外部リード５
にタイバー４を介して連結された根元リード、７は半導
体チップを樹脂封止するパッケージで、リード枠２およ
び３とタイバー４で囲まれる位置に成形される。
びその製造方法として図６ないし図12に示すものがあっ
た。図において、１はリードフレーム、２及び３はその
枠を構成する一対のリード枠、４はこの一対のリード枠
２および３を連結するタイバー、５はこのタイバー４と
連結される複数本の外部リード、６はこの外部リード５
にタイバー４を介して連結された根元リード、７は半導
体チップを樹脂封止するパッケージで、リード枠２およ
び３とタイバー４で囲まれる位置に成形される。
【０００３】８はタイバー４と根元リード６とパッケー
ジ７との空間に発生されるリード間ばり、９はこのリー
ド間ばり８を除去するばり取りパンチで、タイバー４と
の間にクリアランスＢ、パッケージ７との間にクリアラ
ンスＣ、根元リード６との間にクリアランスＤを設けて
タイバー４とパッケージ７と根元リード６との間に挿入
される。１０はばり取りパンチ９を抜き取りされた後に
残留するパッケージ７側のばり残り、１１は根元リード
６側のばり残りである。
ジ７との空間に発生されるリード間ばり、９はこのリー
ド間ばり８を除去するばり取りパンチで、タイバー４と
の間にクリアランスＢ、パッケージ７との間にクリアラ
ンスＣ、根元リード６との間にクリアランスＤを設けて
タイバー４とパッケージ７と根元リード６との間に挿入
される。１０はばり取りパンチ９を抜き取りされた後に
残留するパッケージ７側のばり残り、１１は根元リード
６側のばり残りである。
【０００４】上記のように構成されたものにおいては、
モールド（樹脂封止）工程→リード間ばり取り工程→表
面ばり取り工程→リード加工（タイバーカット）工程の
順で加工される。この工程中において、樹脂封止工程後
には、必ずタイバー４と根元リード６とパッケージ７と
の間にリード間ばり８が発生する。このため、図10のよ
うなばり取りパンチ９にてこのリード間ばり８が除去さ
れる。
モールド（樹脂封止）工程→リード間ばり取り工程→表
面ばり取り工程→リード加工（タイバーカット）工程の
順で加工される。この工程中において、樹脂封止工程後
には、必ずタイバー４と根元リード６とパッケージ７と
の間にリード間ばり８が発生する。このため、図10のよ
うなばり取りパンチ９にてこのリード間ばり８が除去さ
れる。
【０００５】ところで、ばり取りパンチ９は図10や図11
のように、タイバー４との間にクリアランスＢ、パッケ
ージ７との間にクリアランスＣ、根元リード６との間に
クリアランスＤが設けられており、リードフレーム１の
製作公差や樹脂封止時のパッケージ７の成形公差の夫々
のばらつきを補っている。このため、ばり取りパンチ９
にてリード間ばり８を除去する場合、パッケージ７との
間や、根元リード６との間に夫々ばり残り１０及び１１
が生じることになる。
のように、タイバー４との間にクリアランスＢ、パッケ
ージ７との間にクリアランスＣ、根元リード６との間に
クリアランスＤが設けられており、リードフレーム１の
製作公差や樹脂封止時のパッケージ７の成形公差の夫々
のばらつきを補っている。このため、ばり取りパンチ９
にてリード間ばり８を除去する場合、パッケージ７との
間や、根元リード６との間に夫々ばり残り１０及び１１
が生じることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置及び
その製造方法は以上のようになされているので、タイバ
ーと根元リードとパッケージとの間にばりが生じた場
合、このばりのばり取り工程において、パッケージが樹
脂であるためパッケージとばり取りパンチとのクリアラ
ンスを小さくすることは可能であり、これによりパッケ
ージ側面のばりを小さくすることは比較的容易である
が、根元リードは金属であるためばり取りパンチと根元
リードとのクリアランスを小さくすることは困難であ
り、特に根元リード側面にばり残りが発生し、このばり
残りを手作業にて除去しなければならず、作業工程が増
加するばかりでなく、生産性が著しく低下するという問
題点があった。
その製造方法は以上のようになされているので、タイバ
ーと根元リードとパッケージとの間にばりが生じた場
合、このばりのばり取り工程において、パッケージが樹
脂であるためパッケージとばり取りパンチとのクリアラ
ンスを小さくすることは可能であり、これによりパッケ
ージ側面のばりを小さくすることは比較的容易である
が、根元リードは金属であるためばり取りパンチと根元
リードとのクリアランスを小さくすることは困難であ
り、特に根元リード側面にばり残りが発生し、このばり
残りを手作業にて除去しなければならず、作業工程が増
加するばかりでなく、生産性が著しく低下するという問
題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ばり残りの除去工程を廃止でき
る半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、ばり残りの除去工程を廃止でき
る半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この第１の発明に係る半
導体装置においては、リードフレームに半導体チップを
樹脂封止した後に切断されるタイバーを有する半導体装
置において、上記リードフレームは樹脂パッケージの外
側においてこの樹脂パッケージに上記タイバーを、樹脂
パッケージの外側とタイバーとの距離が樹脂パッケージ
の外側とタイバーカットパンチとのクリアランスよりも
わずかに大きくなるように、近接させたものである。
導体装置においては、リードフレームに半導体チップを
樹脂封止した後に切断されるタイバーを有する半導体装
置において、上記リードフレームは樹脂パッケージの外
側においてこの樹脂パッケージに上記タイバーを、樹脂
パッケージの外側とタイバーとの距離が樹脂パッケージ
の外側とタイバーカットパンチとのクリアランスよりも
わずかに大きくなるように、近接させたものである。
【０００９】この第２の発明に係る半導体装置において
は、第１の発明に係る半導体装置の樹脂パッケージの外
側とタイバーとの距離を０．３ｍｍ以下としたものであ
る。
は、第１の発明に係る半導体装置の樹脂パッケージの外
側とタイバーとの距離を０．３ｍｍ以下としたものであ
る。
【００１０】この第３の発明に係る半導体装置の製造方
法においては、樹脂封止したときに樹脂パッケージの外
側とタイバーとの距離が樹脂パッケージの外側とタイバ
ーカットパンチとのクリアランスよりもわずかに大きく
なるようにタイバーが形成されたリードフレームに半導
体チップを載置し樹脂封止する工程と、樹脂パッケージ
の外側とタイバーとの間のばりとリードフレームのタイ
バーを上記タイバーカットパンチで同時に除去する工程
と、を備えたものである。
法においては、樹脂封止したときに樹脂パッケージの外
側とタイバーとの距離が樹脂パッケージの外側とタイバ
ーカットパンチとのクリアランスよりもわずかに大きく
なるようにタイバーが形成されたリードフレームに半導
体チップを載置し樹脂封止する工程と、樹脂パッケージ
の外側とタイバーとの間のばりとリードフレームのタイ
バーを上記タイバーカットパンチで同時に除去する工程
と、を備えたものである。
【００１１】この第４の発明に係る半導体装置の製造方
法においては、第３の発明に係る半導体装置の製造方法
において樹脂封止したときに樹脂パッケージの外側とタ
イバーとの距離が０．３ｍｍ以下になるようにタイバー
を形成したものである。
法においては、第３の発明に係る半導体装置の製造方法
において樹脂封止したときに樹脂パッケージの外側とタ
イバーとの距離が０．３ｍｍ以下になるようにタイバー
を形成したものである。
【００１２】
【作用】第１の発明のように構成された半導体装置は、
タイバーがパッケージに近接しているので、リード間ば
りが大きくならず、タイバーカットを行なうだけで、リ
ード間ばりの残留が少なくなる。
タイバーがパッケージに近接しているので、リード間ば
りが大きくならず、タイバーカットを行なうだけで、リ
ード間ばりの残留が少なくなる。
【００１３】第２の発明のように構成された半導体装置
は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下に近接して
いるので、タイバーカットを行なうだけで、パッケージ
側面や根元リードに残るばりが極めて少なくなり、外観
が良好になる。
は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下に近接して
いるので、タイバーカットを行なうだけで、パッケージ
側面や根元リードに残るばりが極めて少なくなり、外観
が良好になる。
【００１４】第３の発明のように構成された半導体装置
の製造方法は、タイバーがパッケージに近接しているの
で、リード間ばりが大きくならず、タイバーカットを行
なうだけで、リード間ばりを除去でき、タイバーカット
とばり取り１工程で同時に行なうことができる。
の製造方法は、タイバーがパッケージに近接しているの
で、リード間ばりが大きくならず、タイバーカットを行
なうだけで、リード間ばりを除去でき、タイバーカット
とばり取り１工程で同時に行なうことができる。
【００１５】第４の発明のように構成された半導体装置
の製造方法は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下
に近接しているので、タイバーカットを行なうだけで、
外観の良好なパッケージにすることができる。
の製造方法は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下
に近接しているので、タイバーカットを行なうだけで、
外観の良好なパッケージにすることができる。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１ないし図３
で説明する。図において、20はタイバーカット幅Ｅより
も広い幅寸法の開口幅Ｆで開口する大幅部で、パッケー
ジ７の外側においてパッケージ７に近接した部分のみに
形成され、そのタイバー４側へ厚さＧで形成されてい
る。
で説明する。図において、20はタイバーカット幅Ｅより
も広い幅寸法の開口幅Ｆで開口する大幅部で、パッケー
ジ７の外側においてパッケージ７に近接した部分のみに
形成され、そのタイバー４側へ厚さＧで形成されてい
る。
【００１７】21はこの大幅部20に連続してタイバー４の
位置まで形成された小幅部で、上記タイバー４のカット
幅Ｅよりも狭い開口幅Ｈで開口している。なお、大幅部
20と小幅部21とで開口部22が構成されている。23は大幅
部20と小幅部21とで根元リード６に形成される段部、24
は上記開口部22に形成され段部23に対応した突出寸法Ｊ
の鍔25を生ずるリード間ばりである。
位置まで形成された小幅部で、上記タイバー４のカット
幅Ｅよりも狭い開口幅Ｈで開口している。なお、大幅部
20と小幅部21とで開口部22が構成されている。23は大幅
部20と小幅部21とで根元リード６に形成される段部、24
は上記開口部22に形成され段部23に対応した突出寸法Ｊ
の鍔25を生ずるリード間ばりである。
【００１８】上記のように構成されたものにおいては、
リード間ばり24は、パッケージ７側においてタイバー４
のカット幅Ｅよりも大で、タイバー４側においてタイバ
ー４のカット幅Ｅよりも小に構成されることになり、タ
イバー４のカット時において、タイバーパンチ（図示せ
ず）を大幅部20の位置まで設けることにより、大幅部20
と小幅部21内のリード間ばり24と、タイバー４とが同時
に打抜きされ、根元リード６側面に生じるリード間ばり
24も確実に除去される。
リード間ばり24は、パッケージ７側においてタイバー４
のカット幅Ｅよりも大で、タイバー４側においてタイバ
ー４のカット幅Ｅよりも小に構成されることになり、タ
イバー４のカット時において、タイバーパンチ（図示せ
ず）を大幅部20の位置まで設けることにより、大幅部20
と小幅部21内のリード間ばり24と、タイバー４とが同時
に打抜きされ、根元リード６側面に生じるリード間ばり
24も確実に除去される。
【００１９】また、パッケージ７側面に生じるリード間
ばり24もタイバーパンチとパッケージ７とのクリアラン
スを適宜に設定することにより、小さくでき、タイバー
カット工程においてリード間ばり24も同時に除去できる
ことになる。特に、大幅部20の厚さＧ＝0.3mm、段部23
の突出寸法Ｊ＝0.5mmで良好な結果を得ることができ
た。
ばり24もタイバーパンチとパッケージ７とのクリアラン
スを適宜に設定することにより、小さくでき、タイバー
カット工程においてリード間ばり24も同時に除去できる
ことになる。特に、大幅部20の厚さＧ＝0.3mm、段部23
の突出寸法Ｊ＝0.5mmで良好な結果を得ることができ
た。
【００２０】また、図４ないし図５はこの発明の他の実
施例を示すもので、30はパッケージ７に近づけて設けら
れたタイバー、31はパッケージ７にタイバーカット幅Ｅ
よりも広い幅寸法の開口幅Ｆで開口する開口部、32はこ
の開口部31に形成されるリード間ばりである。
施例を示すもので、30はパッケージ７に近づけて設けら
れたタイバー、31はパッケージ７にタイバーカット幅Ｅ
よりも広い幅寸法の開口幅Ｆで開口する開口部、32はこ
の開口部31に形成されるリード間ばりである。
【００２１】この構成においては、図５のようにタイバ
ーパンチ（図示せず）で開口部31の位置まで打抜くこと
により、タイバーカットと同時にリード間ばり32が除去
され、同様の効果を奏することになる。
ーパンチ（図示せず）で開口部31の位置まで打抜くこと
により、タイバーカットと同時にリード間ばり32が除去
され、同様の効果を奏することになる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、第１の発明のように構成
された半導体装置は、タイバーがパッケージに近接して
いるので、リード間ばりが大きくならず、タイバーカッ
トを行なうだけで、リード間ばりの残りが少なくなり、
生産性が高く安価なものとなる。
された半導体装置は、タイバーがパッケージに近接して
いるので、リード間ばりが大きくならず、タイバーカッ
トを行なうだけで、リード間ばりの残りが少なくなり、
生産性が高く安価なものとなる。
【００２３】第２の発明のように構成された半導体装置
は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下に近接して
いるので、タイバーカットを行なうだけで、パッケージ
側面や根元リードに残るばりが極めて少なくなり、外観
が良好になり、安価で、商品価値の高いものとなる。
は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下に近接して
いるので、タイバーカットを行なうだけで、パッケージ
側面や根元リードに残るばりが極めて少なくなり、外観
が良好になり、安価で、商品価値の高いものとなる。
【００２４】第３の発明のように構成された半導体装置
の製造方法は、タイバーがパッケージに近接しているの
で、リード間ばりが大きくならず、タイバーカットを行
なうだけで、リード間ばりを除去でき、タイバーカット
とばり取り１工程で同時に行なうことができ、製造工程
が削減され、生産性が向上する。
の製造方法は、タイバーがパッケージに近接しているの
で、リード間ばりが大きくならず、タイバーカットを行
なうだけで、リード間ばりを除去でき、タイバーカット
とばり取り１工程で同時に行なうことができ、製造工程
が削減され、生産性が向上する。
【００２５】第４の発明のように構成された半導体装置
の製造方法は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下
に近接しているので、タイバーカットを行なうだけで、
外観の良好なパッケージにすることができ、商品価値を
高めつつ生産性が向上する。
の製造方法は、タイバーがパッケージに０．３ｍｍ以下
に近接しているので、タイバーカットを行なうだけで、
外観の良好なパッケージにすることができ、商品価値を
高めつつ生産性が向上する。
【図１】 この発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】 図１の実施例の要部拡大平面図である。
【図３】 図１の実施例のタイバーカット後の要部拡大
平面図である。
平面図である。
【図４】 この発明の他の実施例を示す平面図である。
【図５】 図４の実施例の要部拡大平面図である。
【図６】 従来のリードフレームを示す平面図である。
【図７】 従来のリードフレームのモールド後の平面図
である。
である。
【図８】 従来のリードフレームの要部拡大平面図であ
る。
る。
【図９】 従来のリードフレームの要部断面図である。
【図１０】 従来のリードフレームのばり取り工程を示
す要部切断図である。
す要部切断図である。
【図１１】 図１０のXI−XI線における断面図である。
【図１２】 従来のリードフレームのばり取り後の要部
拡大平面図である。
拡大平面図である。
１ リードフレーム、 ４ タイバー、 ５ 外部
リード、 ６ 根元リード、 ７ パッケージ、
２２ 開口部、 ２４ リード間ばり、３０ タイ
バー。
リード、 ６ 根元リード、 ７ パッケージ、
２２ 開口部、 ２４ リード間ばり、３０ タイ
バー。
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームに半導体チップを樹脂封
止した後に切断されるタイバーを有する半導体装置にお
いて、上記リードフレームは樹脂パッケージの外側にお
いてこの樹脂パッケージに上記タイバーを、樹脂パッケ
ージの外側とタイバーとの距離が樹脂パッケージの外側
とタイバーカットパンチとのクリアランスよりもわずか
に大きくなるように、近接させたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 上記樹脂パッケージの外側とタイバーと
の距離が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 樹脂封止したときに樹脂パッケージの外
側とタイバーとの距離が樹脂パッケージの外側とタイバ
ーカットパンチとのクリアランスよりもわずかに大きく
なるようにタイバーが形成されたリードフレームに半導
体チップを載置し樹脂封止する工程と、 樹脂パッケージの外側とタイバーとの間のばりとリード
フレームのタイバーを上記タイバーカットパンチで同時
に除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記樹脂封止したときに樹脂パッケージ
の外側とタイバーとの距離が０．３ｍｍ以下になるよう
にタイバーが形成されたことを特徴とする請求項３記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084011A JP2603814B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084011A JP2603814B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220245A Division JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297339A true JPH07297339A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2603814B2 JP2603814B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=13818656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7084011A Expired - Lifetime JP2603814B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603814B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8048718B2 (en) | 2006-08-07 | 2011-11-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60161646A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS6117750U (ja) * | 1984-07-04 | 1986-02-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置用フレ−ム |
-
1995
- 1995-04-10 JP JP7084011A patent/JP2603814B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60161646A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS6117750U (ja) * | 1984-07-04 | 1986-02-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置用フレ−ム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8048718B2 (en) | 2006-08-07 | 2011-11-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2603814B2 (ja) | 1997-04-23 |
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