JPH05335442A - 半導体装置の樹脂モールド方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂モールド方法Info
- Publication number
- JPH05335442A JPH05335442A JP4134643A JP13464392A JPH05335442A JP H05335442 A JPH05335442 A JP H05335442A JP 4134643 A JP4134643 A JP 4134643A JP 13464392 A JP13464392 A JP 13464392A JP H05335442 A JPH05335442 A JP H05335442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- space
- lead frame
- seal space
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂バリの発生を最小限に止め、また、ボイ
ドの発生を防止することができる半導体装置の樹脂モー
ルド法を提供する。 【構成】 リードフレーム上に半導体素子を載置し、そ
の半導体素子とリード端子とを接続した状態で、その半
導体素子を含む空間を上金型及び下金型を突き合わせる
ことにより形成した後、その樹脂封止空間に樹脂を注入
し、硬化することにより樹脂封止する半導体装置の樹脂
モールド方法において、樹脂封止前に、リードフレーム
上面及び下面に形成すべき金属メッキ層を、樹脂封止空
間及びその樹脂封止空間を超える所定領域における厚さ
よりも、その所定領域から突出した先端領域における厚
さを薄く形成する。
ドの発生を防止することができる半導体装置の樹脂モー
ルド法を提供する。 【構成】 リードフレーム上に半導体素子を載置し、そ
の半導体素子とリード端子とを接続した状態で、その半
導体素子を含む空間を上金型及び下金型を突き合わせる
ことにより形成した後、その樹脂封止空間に樹脂を注入
し、硬化することにより樹脂封止する半導体装置の樹脂
モールド方法において、樹脂封止前に、リードフレーム
上面及び下面に形成すべき金属メッキ層を、樹脂封止空
間及びその樹脂封止空間を超える所定領域における厚さ
よりも、その所定領域から突出した先端領域における厚
さを薄く形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の樹脂モール
ド方法に関し、更に詳しくは、透明樹脂や着色樹脂を用
いて発光ダイオード等の樹脂モールドを行うトランスフ
ァーモールド法に関する。
ド方法に関し、更に詳しくは、透明樹脂や着色樹脂を用
いて発光ダイオード等の樹脂モールドを行うトランスフ
ァーモールド法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来例の模式的断面図、図５はそ
の模式的平面図である。リードフレーム１７上の載置台
（図示せず）に発光ダイオード等の半導体素子（図示せ
ず）を載置し、その半導体素子とリード端子との配線が
施された状態で、樹脂モールドがなされる。まず、上パ
ッケージ１３が形成されている上金型１１および下パッ
ケージ１４が形成されている下金型１２を上記したリー
ドフレーム１７を挟んで合体することにより、樹脂注入
ゲート１６およびモールド樹脂が注入される樹脂封止空
間１９を形成する。また、上パッケージ１３にはエアー
ベント１８が形成されており、このエアーベント１８を
介して、樹脂封止空間１９に注入された樹脂中のガスが
排出されるようになっている。
の模式的平面図である。リードフレーム１７上の載置台
（図示せず）に発光ダイオード等の半導体素子（図示せ
ず）を載置し、その半導体素子とリード端子との配線が
施された状態で、樹脂モールドがなされる。まず、上パ
ッケージ１３が形成されている上金型１１および下パッ
ケージ１４が形成されている下金型１２を上記したリー
ドフレーム１７を挟んで合体することにより、樹脂注入
ゲート１６およびモールド樹脂が注入される樹脂封止空
間１９を形成する。また、上パッケージ１３にはエアー
ベント１８が形成されており、このエアーベント１８を
介して、樹脂封止空間１９に注入された樹脂中のガスが
排出されるようになっている。
【０００３】以上の構造の金型を用いて樹脂封止を行
う。すなわち、樹脂をランナー１５を介して樹脂注入ゲ
ート１６から、樹脂封止空間１９に注入する。この時、
樹脂封止空間１９すなわち、製品部に入った気泡は樹脂
加圧によりエアーベント１８内を通って排出される。こ
のようにして、製品部に気泡が入ることを防止できる。
従来ではこのような方法により、製品内のボイドの発生
を防止し、品質の向上を図っていた。
う。すなわち、樹脂をランナー１５を介して樹脂注入ゲ
ート１６から、樹脂封止空間１９に注入する。この時、
樹脂封止空間１９すなわち、製品部に入った気泡は樹脂
加圧によりエアーベント１８内を通って排出される。こ
のようにして、製品部に気泡が入ることを防止できる。
従来ではこのような方法により、製品内のボイドの発生
を防止し、品質の向上を図っていた。
【０００４】また図６に示すように、リードフレーム１
７の上面及び下面にそれぞれ金属メッキ層６０を一様な
厚さに形成し、その金属メッキ層６０上に半導体素子を
載置して、上記と同様に樹脂封止を行う方法も行われて
いる。
７の上面及び下面にそれぞれ金属メッキ層６０を一様な
厚さに形成し、その金属メッキ層６０上に半導体素子を
載置して、上記と同様に樹脂封止を行う方法も行われて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
はボイドの発生を防止する方法としては有効であるが、
樹脂バリの発生を招くという点では問題であった。つま
り、流れにくい樹脂を用いる場合は有効であるが、流れ
やすく、しかも小さい隙間にまで入り込む樹脂を用いる
場合は、樹脂バリが発生しやすいという問題もあった。
さらに、モールド金型が新しい時期には、樹脂バリを十
分防止できても、老朽化に伴い金型の磨耗や金型面圧の
ばらつきが生じるため、樹脂バリが発生し易くなるとい
う問題もある。
はボイドの発生を防止する方法としては有効であるが、
樹脂バリの発生を招くという点では問題であった。つま
り、流れにくい樹脂を用いる場合は有効であるが、流れ
やすく、しかも小さい隙間にまで入り込む樹脂を用いる
場合は、樹脂バリが発生しやすいという問題もあった。
さらに、モールド金型が新しい時期には、樹脂バリを十
分防止できても、老朽化に伴い金型の磨耗や金型面圧の
ばらつきが生じるため、樹脂バリが発生し易くなるとい
う問題もある。
【０００６】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、樹脂バリの発生を最小限に止め、また、ボイド
の発生を防止することができる半導体装置の樹脂モール
ド法を提供することを目的とする。
であり、樹脂バリの発生を最小限に止め、また、ボイド
の発生を防止することができる半導体装置の樹脂モール
ド法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置の樹脂モールド方法では、リ
ードフレーム上に半導体素子を載置し、その半導体素子
とリード端子とを接続した状態で、その半導体素子を含
む空間を上金型及び下金型を突き合わせることにより形
成した後、その樹脂封止空間に樹脂を注入し、硬化する
ことにより樹脂封止する半導体装置の樹脂モールド方法
において、樹脂封止前に、上記リードフレーム上面及び
下面に形成すべき金属メッキ層を、上記樹脂封止空間及
びその樹脂封止空間を超える所定領域における厚さより
も、その所定領域から突出した先端領域における厚さを
薄く形成することによって特徴付けられる。
めに、本発明の半導体装置の樹脂モールド方法では、リ
ードフレーム上に半導体素子を載置し、その半導体素子
とリード端子とを接続した状態で、その半導体素子を含
む空間を上金型及び下金型を突き合わせることにより形
成した後、その樹脂封止空間に樹脂を注入し、硬化する
ことにより樹脂封止する半導体装置の樹脂モールド方法
において、樹脂封止前に、上記リードフレーム上面及び
下面に形成すべき金属メッキ層を、上記樹脂封止空間及
びその樹脂封止空間を超える所定領域における厚さより
も、その所定領域から突出した先端領域における厚さを
薄く形成することによって特徴付けられる。
【０００８】
【作用】樹脂封止される樹脂封止空間を超える外側のリ
ードフレーム上面及び下面の金属メッキ層部分には段差
が形成され、この段差により、金型とリードフレーム間
に隙間が形成される。封止される樹脂から生じるガスは
この隙間から外部に排出される。
ードフレーム上面及び下面の金属メッキ層部分には段差
が形成され、この段差により、金型とリードフレーム間
に隙間が形成される。封止される樹脂から生じるガスは
この隙間から外部に排出される。
【０００９】
【実施例】図１は本発明実施例を説明するための要部断
面図であり、図２は本発明実施例を説明するための平面
図である。また、図３は本発明実施例の方法を説明する
ための断面図で、リードフレームに金属メッキ層が形成
された状態を示す。
面図であり、図２は本発明実施例を説明するための平面
図である。また、図３は本発明実施例の方法を説明する
ための断面図で、リードフレームに金属メッキ層が形成
された状態を示す。
【００１０】これらの図面に基づいて、以下に本発明実
施例を説明する。まず、図３に示すように、リードフレ
ーム７の上面及び下面に金属メッキを施す。この金属メ
ッキは、半導体素子がモールドされる部分を含む樹脂封
止空間５内部及びその外側部分のリードフレーム７の上
面及び下面に厚く施し、またその外側部分のリードフレ
ーム７の上面及び下面に薄く施すことにより、それぞれ
厚メッキ層Ｍ１と、薄メッキ層Ｍ２とが形成される。従
って、この厚メッキ層Ｍ１と、薄メッキ層Ｍ２との境界
は段差が生じた構造が形成される。
施例を説明する。まず、図３に示すように、リードフレ
ーム７の上面及び下面に金属メッキを施す。この金属メ
ッキは、半導体素子がモールドされる部分を含む樹脂封
止空間５内部及びその外側部分のリードフレーム７の上
面及び下面に厚く施し、またその外側部分のリードフレ
ーム７の上面及び下面に薄く施すことにより、それぞれ
厚メッキ層Ｍ１と、薄メッキ層Ｍ２とが形成される。従
って、この厚メッキ層Ｍ１と、薄メッキ層Ｍ２との境界
は段差が生じた構造が形成される。
【００１１】次に、この厚メッキ層Ｍ１上にＬＥＤ等の
半導体素子を載置し（図示せず）、その半導体素子とリ
ード端子（図示せず）との内部結線を施す。その後、以
下に説明するように、この状態の半導体素子の樹脂封止
を行う。
半導体素子を載置し（図示せず）、その半導体素子とリ
ード端子（図示せず）との内部結線を施す。その後、以
下に説明するように、この状態の半導体素子の樹脂封止
を行う。
【００１２】まず、図１に示すように、樹脂封止空間５
を形成する上パッケージ３及び下パッケージ４がそれぞ
れ形成された上金型１及び下金型２を、金属メッキ層１
０ａ，１０ｂが形成されたリードフレーム７を挟み込ん
だ状態で突き合わせる。このように両金型１，２を突き
合わせることにより、薄メッキ層Ｍ２と上金型１との
間、薄メッキ層Ｍ２と下金型２との間にはそれぞれ隙間
１０ａ，１０ｂを形成する。この状態で樹脂封止空間５
内に、樹脂をランナー１５を介して樹脂注入ゲート１６
から樹脂を注入し、樹脂封止する。この樹脂封止の際、
樹脂封止空間５内の樹脂は外部のリードフレーム７間の
間隙に滲み出し、フレーム厚樹脂バリ２１が発生する。
一方、この樹脂内のガスは、高い樹脂耐圧によりフレー
ム厚樹脂バリ２１を介し、さらに隙間１０ａ，１０ｂを
通って徐々に排出される。
を形成する上パッケージ３及び下パッケージ４がそれぞ
れ形成された上金型１及び下金型２を、金属メッキ層１
０ａ，１０ｂが形成されたリードフレーム７を挟み込ん
だ状態で突き合わせる。このように両金型１，２を突き
合わせることにより、薄メッキ層Ｍ２と上金型１との
間、薄メッキ層Ｍ２と下金型２との間にはそれぞれ隙間
１０ａ，１０ｂを形成する。この状態で樹脂封止空間５
内に、樹脂をランナー１５を介して樹脂注入ゲート１６
から樹脂を注入し、樹脂封止する。この樹脂封止の際、
樹脂封止空間５内の樹脂は外部のリードフレーム７間の
間隙に滲み出し、フレーム厚樹脂バリ２１が発生する。
一方、この樹脂内のガスは、高い樹脂耐圧によりフレー
ム厚樹脂バリ２１を介し、さらに隙間１０ａ，１０ｂを
通って徐々に排出される。
【００１３】このように、本発明実施例では樹脂バリが
発生するものの、リードフレーム上には発生しないの
で、後工程で行われるバリ除去は容易であり、その際、
製品に傷をつけたりするなどの品質低下を招くこともな
い。
発生するものの、リードフレーム上には発生しないの
で、後工程で行われるバリ除去は容易であり、その際、
製品に傷をつけたりするなどの品質低下を招くこともな
い。
【００１４】また、この実施例で適用される樹脂は透明
樹脂等の流れ性の良い樹脂を用いた樹脂封止に有効であ
るため、特に発光ダイオード、受光素子に応用できる。
樹脂等の流れ性の良い樹脂を用いた樹脂封止に有効であ
るため、特に発光ダイオード、受光素子に応用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂モー
ルド方法によれば、樹脂封止される樹脂封止空間の外部
側の金属メッキ層には段差が形成され、この段差によ
り、金型とリードフレーム間に隙間を形成し、この隙間
を介して樹脂から生じるガスを外部に排出するようにし
たので、樹脂封止の際樹脂がリードフレーム上に滲み出
すことがなく、樹脂バリが大幅に低減できる。従って、
その樹脂バリの除去等の作業が軽減されく、工程を簡略
化することができる。また、樹脂バリが原因の搬送系の
トラブルも回避できる。さらに、金型の製作の際、エア
ベントを設けるための加工工程の必要がないため、その
加工費は削減され、さらに、差厚メッキをリードフレー
ムに施すことにより、リードフレームのコストの低減も
でき、全体として製造コストを低減できる。
ルド方法によれば、樹脂封止される樹脂封止空間の外部
側の金属メッキ層には段差が形成され、この段差によ
り、金型とリードフレーム間に隙間を形成し、この隙間
を介して樹脂から生じるガスを外部に排出するようにし
たので、樹脂封止の際樹脂がリードフレーム上に滲み出
すことがなく、樹脂バリが大幅に低減できる。従って、
その樹脂バリの除去等の作業が軽減されく、工程を簡略
化することができる。また、樹脂バリが原因の搬送系の
トラブルも回避できる。さらに、金型の製作の際、エア
ベントを設けるための加工工程の必要がないため、その
加工費は削減され、さらに、差厚メッキをリードフレー
ムに施すことにより、リードフレームのコストの低減も
でき、全体として製造コストを低減できる。
【図１】本発明実施例を説明するための要部断面図
【図２】本発明実施例を説明するための要部平面図
【図３】本発明実施例に用いるリードフレームに金属メ
ッキ層が形成された状態を示す断面図
ッキ層が形成された状態を示す断面図
【図４】従来例を説明するための要部断面図
【図５】従来例を説明するための要部平面図
【図６】他の従来例を説明するための要部断面図
１・・・・上金型 ２・・・・下金型 ３・・・・上パッケージ ４・・・・下パッケージ ５・・・・樹脂封止空間 ７，９・・・・リードフレーム １０ａ，１０ｂ・・・・金属メッキ層
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレーム上に半導体素子を載置し、
その半導体素子とリード端子とを接続した状態で、その
半導体素子を含む空間を上金型及び下金型を突き合わせ
ることにより形成した後、その樹脂封止空間に樹脂を注
入し、硬化することにより樹脂封止する半導体装置の樹
脂モールド方法において、樹脂封止前に、上記リードフ
レーム上面及び下面に形成すべき金属メッキ層を、上記
樹脂封止空間及びその樹脂封止空間を超える所定領域に
おける厚さよりも、その所定領域から突出した先端領域
における厚さを薄く形成することを特徴とする半導体装
置の樹脂モールド方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4134643A JPH05335442A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 半導体装置の樹脂モールド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4134643A JPH05335442A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 半導体装置の樹脂モールド方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335442A true JPH05335442A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15133164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4134643A Pending JPH05335442A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 半導体装置の樹脂モールド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335442A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943433B2 (en) | 2002-03-06 | 2005-09-13 | Nichia Corporation | Semiconductor device and manufacturing method for same |
| CN111031674A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-17 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
| JP2020088228A (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 日亜化学工業株式会社 | 多列型リードフレーム、多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにｌｅｄパッケージの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118661A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-11 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP4134643A patent/JPH05335442A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55118661A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-11 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943433B2 (en) | 2002-03-06 | 2005-09-13 | Nichia Corporation | Semiconductor device and manufacturing method for same |
| JP2020088228A (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 日亜化学工業株式会社 | 多列型リードフレーム、多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにｌｅｄパッケージの製造方法 |
| CN111031674A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-17 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
| CN111031674B (zh) * | 2019-11-21 | 2023-04-21 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
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