JPH0722561A - 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法

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JPH0722561A
JPH0722561A JP5163457A JP16345793A JPH0722561A JP H0722561 A JPH0722561 A JP H0722561A JP 5163457 A JP5163457 A JP 5163457A JP 16345793 A JP16345793 A JP 16345793A JP H0722561 A JPH0722561 A JP H0722561A
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JP
Japan
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lead frame
resin
semiconductor device
resin injection
frame
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Application number
JP5163457A
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English (en)
Inventor
Takekazu Shiotani
剛和 塩谷
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0722561A publication Critical patent/JPH0722561A/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

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  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止工程においてリードフレームの外枠
の中でモールド金型の樹脂注入経路と接する外縁部分に
樹脂バリが発生するのを防止することができるか、また
はリードフレームの外枠に樹脂バリが発生した場合で
も、リードフレームの外枠に付着した樹脂バリによって
不都合が発生するのを防止可能な半導体装置用リードフ
レームと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 この発明に係る半導体装置用リードフレーム
は、リードフレームの外枠のうち、上記モールド金型の
樹脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の外縁
に、当該樹脂注入方向上流側に向けて厚さが薄くなるよ
うに断面形状が形成された面取りを、樹脂注入経路の幅
よりも広く形成するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型の半導体
装置に使用されるリードフレームとこれを用いた半導体
装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止型半導体装置
は、一般的に、次のようにして製造される。すなわち、
上記樹脂封止型半導体装置は、リードフレームに半導体
素子を取付け、この半導体素子が取付けられたリードフ
レームを樹脂で封止することによって製造される。上記
樹脂封止型の半導体装置１００は、図１０に示すよう
に、リードフレーム１０１のタブ１０２上に半導体素子
１０３を載置した状態で、この半導体素子１０３の各電
極とリード１０４とを、図示しないワイヤボンディング
によって互いに接続する。
【０００３】そして、この半導体素子１０３が取付けら
れたリードフレーム１０１を、図１１に示すように、下
モールド金型１０５と上モールド金型１０６によって挟
持する。その際、上記リードフレーム１０１は、その外
枠１０７を下モールド金型１０５のキャビティ１０８外
周に形成された凹所１０９に嵌合した状態で配置される
が、この凹所１０９は、リードフレーム１０１の外枠１
０７を挟持したときに、上下のモールド金型１０５、１
０６間に隙間が発生するのを防止するため、及びリード
フレーム１０１が浮き上がることなく完全に挟持可能と
するため、その深さＤがリードフレーム１０１の厚さＴ
より浅く設定されている。そのため、上記下モールド金
型１０５、１０６の凹所１０９にリードフレーム１０１
の外枠１０７を嵌合した状態で、リードフレーム１０１
の外枠１０７の外縁１０７’が図１１に示すように下モ
ールド金型１０５のパーテイング面から一部分突出する
ようになっている。
【０００４】このように、半導体素子１０３が取付けら
れたリードフレーム１０１を、上下のモールド金型１０
５、１０６によって挟持した状態で、図１０及び図１１
に示すように、上モールド金型１０６にリードフレーム
１０１の外枠１０７を越えるように形成されたランナ部
１１０及びゲート部１１１を介して、図１１に示すよう
に、封止用の樹脂１１２を上下のモールド金型１０５、
１０６間に形成されたキャビティ１０８内に注入充填す
る。その際、上記キャビティ１０８内の空気は、上モー
ルド金型１０６に設けられたエアベンド部１１３から外
部に除去され、空気抜きが行われる。次に、樹脂１１２
が硬化した後、上下のモールド金型１０５、１０６を開
いて、リードフレーム１０１と一体化したキャビティ部
１０８の樹脂１１２ａと共にランナ部１１０及びゲート
部１１１の樹脂１１２ｂ、１１２ｃを、モールド金型１
０５、１０６から取り出す。そして、最後に不必要なラ
ンナ部１１０及びゲート部１１１に充填硬化された樹脂
１１２を、図１２に示すように、リードフレーム１０１
の表面から機械的に取り除き、半導体装置１００の樹脂
封止部１１５を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来の樹脂封止型半導体装置１００は、リード
フレーム１０１を上下のモールド金型１０５、１０６に
よって挟持した状態で樹脂封止が行われるが、上下のモ
ールド金型１０５、１０６を開いて樹脂封止されたリー
ドフレーム１０１を取り出す際、リードフレーム１０１
と一体化したキャビティ部１０８の樹脂１１２ａと共
に、モールド金型１０６のランナ部１１０やゲート部１
１１に相当する部分に不必要な硬化樹脂１１２ｂ、１１
２ｃが残る。そのため、このモールド金型１０６のラン
ナ部１１０やゲート部１１１に相当する部分に残った硬
化樹脂１１２ｂ、１１２ｃを機械的に除去する必要があ
るが、モールド金型１０６のランナ部１１０は、図１１
に示すように、リードフレーム１０１の外枠１０７を越
えるように形成されているため、モールド金型１０６の
ランナ部１１０で硬化する樹脂１１２ｂは、リードフレ
ーム１０１の外枠１０７の外縁１０７’に付着した状態
で硬化する。したがって、モールド金型１０６のランナ
部１１０等に残った硬化樹脂１１２ｂを機械的に除去す
る際に、図１２及び図１３に示すように、リードフレー
ム外枠１０７の外縁１０７’のエッジに硬化した樹脂１
１６が引っ掛かり、硬化樹脂１１６がバリとなって残っ
てしまう。
【０００６】ところで、上記樹脂封止後のリードフレー
ム１０１は、図１４に示すように、ガイドレール１２
０、１２１によって保持された状態で、次のリードトリ
ミング及びリードフォーミング工程等に移るが、リード
フレーム１０１の外枠１０７の外縁１０７’は、リード
フレーム１０１の搬送時にガイドレール１２０と接触す
る。そのため、リードフレーム外枠１０７の外縁１０
７’に付着した樹脂バリ１１６は、次工程へリードフレ
ーム１０１を搬送する際に、ガイドレール１２０等と接
触して製造装置内に脱落することがあり、この脱落した
樹脂バリ１１６が例えばトリミング及びフォーミング金
型のパーテイング面に付着して、上下トリミング及びフ
ォーミングモールド金型のクランプ不良やトリミング及
びフォーミング金型の損傷を招いたり、他の部分に付着
してリードフレーム１０１の搬送不良等を発生させると
いう問題点があった。
【０００７】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、樹脂封止工程においてリードフレームの外枠の
中でモールド金型の樹脂注入経路と接する外縁部分に樹
脂バリが発生するのを防止することができるか、または
リードフレームの外枠に樹脂バリが発生した場合でも、
リードフレームの外枠に付着した樹脂バリによって不都
合が発生するのを防止可能な半導体装置用リードフレー
ムと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項第１項
記載の発明は、一対のモールド金型間に挟持されて樹脂
封止される半導体装置用のリードフレームにおいて、こ
のリードフレームの外枠のうち、上記モールド金型の樹
脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の外縁
に、当該樹脂注入方向上流側に向けて厚さが薄くなるよ
うに断面形状が形成された面取りを、樹脂注入経路の幅
よりも広く形成するように構成されている。
【０００９】また、請求項第２項記載の発明は、樹脂注
入経路と、半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビテ
ィと、リードフレームを嵌合状態に配置するためのリー
ドフレームの厚さよりも浅い凹所とをそのパーテイング
面の一方に有する一対のモールド金型を用い、この一対
のモールド金型間にリードフレームを凹所に嵌合した状
態で挟持し、上記樹脂注入経路から半導体装置の樹脂封
止部に対応したキャビティ内に樹脂を注入硬化させて半
導体装置を製造する方法において、上記リードフレーム
の外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接す
る外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方
向上流側に向けて厚さが薄くなるように断面形状が形成
された面取りを、樹脂注入経路の幅よりも広く形成した
リードフレームを用い、このリードフレームを一対のモ
ールド金型間に挟持した状態で樹脂封止を行った後、当
該樹脂封止されたリードフレームを一対のモールド金型
から取り出した状態で、モールド金型の樹脂注入経路内
で硬化した樹脂を、リードフレームの外枠の外縁に形成
された面取りによって、当該リードフレームの外枠の外
縁に残すことなく一体的に除去可能としたことを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
【００１０】さらに、請求項第３項記載の発明は、一対
のモールド金型間に挟持されて樹脂封止される半導体装
置用のリードフレームにおいて、このリードフレームの
外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する
外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向
の下流側に向けた切り欠きを樹脂注入経路の幅よりも広
く形成したことを特徴とする半導体装置用リードフレー
ムである。
【００１１】また、請求項第４項記載の発明は、樹脂注
入経路と、半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビテ
ィと、リードフレームを嵌合状態に配置するためのリー
ドフレームの厚さよりも浅い凹所とをそのパーテイング
面の一方に有する一対のモールド金型を用い、この一対
のモールド金型間にリードフレームを凹所に嵌合した状
態で挟持し、上記樹脂注入経路から半導体装置の樹脂封
止部に対応したキャビティ内に樹脂を注入硬化させて半
導体装置を製造する方法において、上記リードフレーム
の外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接す
る外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方
向の下流側に向けた切り欠きを樹脂注入経路の幅よりも
広く形成したリードフレームを用い、このリードフレー
ムを一対のモールド金型間に挟持した状態で樹脂封止を
行った後、当該樹脂封止されたリードフレームを一対の
モールド金型から取り出した状態で、モールド金型の樹
脂注入経路内で硬化した樹脂を除去する際に、リードフ
レームの外枠の外縁に形成された切り欠きに硬化樹脂が
残るようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
【００１２】
【作用】この発明の請求項第１項記載の半導体装置用リ
ードフレームにおいては、リードフレームの外枠のう
ち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する外枠の樹
脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向上流側に
向けて厚さが薄くなるように断面形状が形成された面取
りを、樹脂注入経路の幅よりも広く形成するように構成
されているので、このリードフレームを一対のモールド
金型間に挟持した状態で樹脂封止を行った後、当該樹脂
封止されたリードフレームを一対のモールド金型から取
り出した状態で、モールド金型の樹脂注入経路内で硬化
した樹脂を、リードフレームの外枠の外縁に形成された
面取りによって、当該リードフレームの外枠の外縁に残
すことなく一体的に除去することができる。
【００１３】また、この発明の請求項第３項記載の半導
体装置用リードフレームにおいては、リードフレームの
外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する
外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向
の下流側に向けた切り欠きを樹脂注入経路の幅よりも広
く形成するように構成されているので、このリードフレ
ームを一対のモールド金型間に挟持した状態で樹脂封止
を行った後、当該樹脂封止されたリードフレームを一対
のモールド金型から取り出した状態で、モールド金型の
樹脂注入経路内で硬化した樹脂を除去する際に、リード
フレームの外枠の外縁に形成された切り欠きに硬化樹脂
が残るが、この切り欠きは、リードフレームの外枠のう
ち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する外枠の樹
脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向の下流側
に向けて形成されているので、当該切り欠きに残った硬
化樹脂は、リードフレームを搬送するためのガイドレー
ル等と接触することがなく、リードフレームの外枠に付
着した樹脂バリによって不都合が発生するのを防止する
ことができる。
【００１４】
【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。
【００１５】図２はこの発明に係る半導体装置用リード
フレームを適用した樹脂封止型の半導体装置の一実施例
を示すものである。
【００１６】図２において、１は半導体装置を示すもの
であり、この半導体装置１は、半導体素子２が取付けら
れたリードフレーム３を、合成樹脂４で封止することに
よって構成されている。上記リードフレーム３として
は、複数の半導体装置１を一連に製造可能なように、複
数の半導体装置１に対応した複数のリードフレーム３を
帯状に連設したものが使用されている。
【００１７】上記リードフレーム３は、図１に示すよう
に、その両側に互いに平行に配置された幅の広い外枠
５、５と、これらの外枠５、５間を互いに連結して１つ
の半導体装置１に相当する領域を区画するダム６、６
と、中央に配置された半導体素子２を載置するための平
面正方形状のタブ７と、半導体素子２の電極と図示しな
いワイヤボンディングによって互いに接続される複数本
のリード８とを、一体的に備えている。
【００１８】このリードフレーム３は、その中央部に形
成されたタブ７上に半導体素子２が載置され、この半導
体素子２は、その電極がリードフレーム３のタブ７の周
囲にまで延在された複数本のリード８と、図示しないワ
イヤボンディングによって互いに接続される。
【００１９】このように、半導体素子２が取付けられた
リードフレーム３は、図３に示すように、下モールド金
型１０と上モールド金型１１によって挟持され、上下の
モールド金型１０、１１間に形成されるキャビティ１２
に、上モールド金型１１に設けられた樹脂注入経路とし
てのランナ部１３及びゲート部１４を介して、封止用の
合成樹脂１５を注入して硬化させることによって、樹脂
封止部１６が形成される。
【００２０】ところで、この実施例では、上記リードフ
レームの外枠の外側端であって、上モールド金型の樹脂
注入経路に面した部分に、リードフレームの外側に向け
て薄くなるような面取り部を、モールド金型のランナ部
よりも幅広く形成するように構成されている。
【００２１】すなわち、上記リードフレーム３の外枠５
の外側端５’には、図１及び図４に示すように、上モー
ルド金型１１のランナ部１３に面した部分に面取り部２
０が設けられている。この面取り部２０は、リードフレ
ーム３の外側に向けて薄くなるように形成されており、
しかもその幅ｂがモールド金型１１のランナ部１３の幅
ａよりも広く形成されている。上記面取り部２０は、リ
ードフレーム３を製造する際のエッチング処理や、プレ
ス加工等によって形成される。
【００２２】以上の構成において、この実施例に係る樹
脂封止型の半導体装置は、上記の如く構成されたリード
フレームを用いて、次のようにして製造される。まず、
半導体素子２が取付けられたリードフレーム３は、図３
に示すように、下モールド金型１０の内部に配置された
状態で、下モールド金型１０と上モールド金型１１によ
って挟持される。その際、上記リードフレーム３は、そ
の外枠５を下モールド金型１０のキャビティ１２外周に
形成された凹所２２に嵌合した状態で配置される。この
凹所２２は、リードフレーム３の外枠５を挟持したとき
に、上下のモールド金型１０、１１間に隙間が発生する
のを防止するため、及びリードフレーム３が浮き上がる
ことなく完全に挟持可能とするため、その深さがリード
フレーム３の厚さより僅かに浅く設定されている。その
ため、上記下モールド金型１０の凹所２２にリードフレ
ーム３の外枠５を嵌合した状態で、リードフレーム３の
外枠５の外縁５’が図３に示すように一部下モールド金
型１０のパーテイング面から突出するようになってい
る。
【００２３】そして、上記の如く半導体素子２が取付け
られたリードフレーム３は、上下のモールド金型１０、
１１によって挟持した状態で配置され、上下のモールド
金型１０、１１間に形成されたキャビティ１２内には、
図３に示すように、上モールド金型１１にリードフレー
ム３の外枠５を越えるように形成されたランナ部１３及
びゲート部１４を介して、封止用の合成樹脂１５が注入
充填される。その際、上記キャビティ１２内の空気は、
上モールド金型１１に設けられたエアベンド部２３から
外部除去され、空気抜きが行われる。次に、樹脂１５が
硬化した後、上下のモールド金型１０、１１を開いて、
リードフレーム３と一体化したキャビティ部１２の樹脂
１５ａ、ランナ部１３及びゲート部１４の樹脂１５ｂ、
１５ｃを、モールド金型１０、１１から取り出す。そし
て、最後に不必要なランナ部１３やゲート部１４に充填
硬化された樹脂１５ｂ、１５ｃを、図５及び図６に示す
ように、リードフレーム３の表面から機械的に取り除
き、図２に示すように、半導体装置１の樹脂部１６を形
成する。
【００２４】その際、上記リードフレーム３の外枠５の
外側端５’には、図４に示すように、上モールド金型１
１のランナ部１３に面した部分に面取り部２０が設けら
れている。そのため、上記モールド金型１１のランナ部
１３等に相当する部分に残った硬化樹脂１５ｂ、１５ｃ
を機械的に除去するときに、リードフレーム３の外枠５
の外縁５’で硬化した樹脂１５ｂは、この外枠５の外縁
５’に引っ掛かることがなく、面取り部２０からランナ
部１３で硬化した樹脂１５ｂと一体的に除去されるの
で、リードフレーム３の外枠５の外縁５’に硬化樹脂１
５ｂがバリとなって残るのを確実に防止することができ
る。
【００２５】ところで、上記樹脂封止後のリードフレー
ム５は、図７に示すように、ガイドレール３０、３１に
よって保持された状態で、次のリードトリミング及びフ
ォーミング工程等へと搬送されるが、リードフレーム３
の外枠５の外縁５’には、樹脂バリが付着することがな
い。そのため、リードフレーム外枠５の外縁５’に付着
した樹脂バリが、次工程へリードフレーム３を搬送する
際に、ガイドレール３０等と接触して製造装置内に脱落
し、この脱落した樹脂バリが例えば上下トリミング及び
フォーミング金型のパーテイング面に付着して、上下ト
リミング及びフォーミング金型のクランプ不良やトリミ
ング及びフォーミング金型の損傷を招いたり、他の部分
に付着してリードフレーム３の搬送不良等を発生させる
のを確実に防止することができる。
【００２６】このように、上記実施例に係る半導体装置
用リードフレームにおいては、リードフレームの外枠の
うち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する外枠の
樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向上流側
に向けて厚さが薄くなるように断面形状が形成された面
取りを設けるように構成されているので、このリードフ
レームを一対のモールド金型間に挟持した状態で樹脂封
止を行った後、当該樹脂封止されたリードフレームを一
対のモールド金型から取り出した状態で、モールド金型
の樹脂注入経路内で硬化した樹脂を、リードフレームの
外枠の外縁に形成された面取りによって、当該リードフ
レームの外枠の外縁に残すことなく一体的に除去するこ
とができる。
【００２７】図８はこの発明の他の実施例を示すもので
あり、前記実施例と同一の部分には同一の符号を付して
説明すると、この実施例では、リードフレームの外枠の
外側端であって、上モールド金型の樹脂注入経路に面し
た部分に、リードフレームの内側に向けた切り欠き部
を、モールド金型のランナ部よりも幅広く形成し、この
切り欠き部の外側端にリードフレームの外側に向けて薄
くなるような面取り部を形成するように構成されてい
る。
【００２８】すなわち、上記リードフレーム３の外枠５
の外側端５’には、図８に示すように、上モールド金型
１１のランナ部１３に面した部分に切り欠き部４０が設
けられており、この切り欠き部４０は、その幅ｂがモー
ルド金型１１のランナ部１３の幅ａよりも広く形成され
ている。また、上記切り欠き部４０は、上モールド金型
のランナ部１３の樹脂注入方向に対して傾斜するように
形成されている。さらに、この切り欠き部４０の外側端
５’には、図４に示すように、面取り部２０が設けられ
ている。この面取り部２０は、リードフレーム３の外側
に向けて薄くなるように形成されている。上記切り欠き
部４０及び面取り部２０は、リードフレーム３を製造す
る際のエッチング処理や、プレス加工等によって形成さ
れる。
【００２９】そして、このように構成されるリードフレ
ーム３を用いて半導体装置を製造する際に、次のように
して、上モールド金型のランナ部１３に相当する部分に
樹脂バリが発生するのが防止される。
【００３０】すなわち、上記上モールド金型１１のラン
ナ部１３で硬化した樹脂１５ｂを、リードフレーム３の
表面から機械的に取り除く際、リードフレーム３の外枠
５の外側端５’には、図８に示すように、上モールド金
型１１のランナ部１３に面した部分に切り欠き部４０及
び面取り部２０が設けられている。そのため、上記モー
ルド金型１１のランナ部１３等に相当する部分に残った
硬化樹脂１５ｂ、１５ｃを機械的に除去するときに、リ
ードフレーム３の外枠５の外縁５’で硬化した樹脂１５
ｂは、この外枠５の外縁５’に引っ掛かることがなく、
面取り部２０からランナ部１３で硬化した樹脂１５ｂと
一体的に除去されるのは勿論のこと、この面取り部２０
は、ランナ部１３に対して傾斜するように設けられた切
り欠き部４０の外側端に形成されている。したがって、
上記リードフレーム３の外枠５の外縁５’で硬化した樹
脂１５ｂは、ランナ部１３に対して傾斜する切り欠き部
４０の外側端側から徐々に剥離されるので、リードフレ
ーム３の外枠５の外縁５’に硬化樹脂１５ｂがバリとな
って残るのを一層確実に防止することができる。
【００３１】その他の構成及び作用は、前記実施例と同
様であるので、その説明を省略する。
【００３２】図９はこの発明の請求項第 項に記載の発
明の一実施例を示すものであり、前記発明の実施例と同
一の部分には同一の符号を付して説明すると、この発明
の実施例では、リードフレームの外枠の外側端であっ
て、上モールド金型の樹脂注入経路に面した部分に、リ
ードフレームの内側に向けた切り欠き部を、モールド金
型のランナ部よりも幅広く形成するように構成されてい
る。
【００３３】すなわち、上記リードフレーム３の外枠５
の外側端５’には、図９に示すように、上モールド金型
１１のランナ部１３に面した部分に切り欠き部４０が設
けられており、この切り欠き部４０は、その幅ｂがモー
ルド金型１１のランナ部１３の幅ａよりも広く形成され
ている。また、上記切り欠き部４０は、上モールド金型
のランナ部１３の樹脂注入方向に対して直交するように
形成されている。さらに、この切り欠き部４０とリード
フレーム３の外枠５と角部４０ａは、切り欠き部４０が
ガイドレール３０等に引っ掛かるのを防止するため、リ
ードフレーム３の外枠５から切り欠き部４０側へ向けて
更に切り欠かれている。上記切り欠き部４０は、リード
フレーム３を製造する際のエッチング処理や、プレス加
工等によって形成される。
【００３４】そして、このように構成されるリードフレ
ーム３を用いて半導体装置を製造する際に、次のように
して、上モールド金型のランナ部１３に相当する部分に
発生した樹脂バリが次工程でトラブルを発生させるのが
防止される。
【００３５】すなわち、上記上モールド金型１１のラン
ナ部１３で硬化した樹脂１５ｂを、リードフレーム３の
表面から機械的に取り除く際、リードフレーム３の外枠
５の外側端５’には、図９に示すように、上モールド金
型１１のランナ部１３に面した部分に切り欠き部４０が
設けられている。そのため、上記モールド金型１１のラ
ンナ部１３等に相当する部分に残った硬化樹脂１５ｂ、
１５ｃを機械的に除去するときに、リードフレーム３の
外枠５の外縁５’で硬化した樹脂１５ｂは、切り欠き部
４０の外縁４０’に引っ掛かり、硬化樹脂１５ｂがバリ
となって残ってしまう。
【００３６】ところで、上記樹脂封止後のリードフレー
ム３は、図７に示すように、ガイドレール３０、３１に
よって保持された状態で、次のリードトリミング及びフ
ォーミング工程等に移るが、リードフレーム３の外枠５
の外縁５’は、リードフレーム３の搬送時にガイドレー
ル３０と接触するが、樹脂バリ１５ｂが付着した切り欠
き部４０は、リードフレーム３の外枠５の外縁５’より
も凹んでいる。そのため、切り欠き部４０に付着した樹
脂バリ１５ｂは、次工程でリードフレーム３を搬送する
際に、ガイドレール３０等と接触する虞れがなく、樹脂
バリ１５ｂが製造装置内に脱落することはない。したが
って、リードフレーム３の切り欠き部４０に樹脂バリ１
５ｂが付着しても、この樹脂バリ１５ｂが例えば上下ト
リミング及びフォーミング金型のパーテイング面等に脱
落して付着することがないので、上下トリミング及びフ
ォーミング金型のクランプ不良やトリミング及びフォー
ミング金型の損傷を招いたり、他の部分に付着してリー
ドフレーム３の搬送不良等を発生するのを防止すること
ができる。
【００３７】その他の構成及び作用は、前記実施例と同
様であるので、その説明を省略する。
【００３８】
【発明の効果】この発明は以上の構成及び作用よりなる
もので、樹脂封止工程においてリードフレームの外枠の
中でモールド金型の樹脂注入経路と接する外縁部分に樹
脂バリが発生するのを防止することができるか、または
リードフレームの外枠に樹脂バリが発生した場合でも、
リードフレームの外枠に付着した樹脂バリによって不都
合が発生するのを防止可能な半導体装置用リードフレー
ムと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１はこの発明に係る半導体装置用のリード
フレームの一実施例を示す平面構成図である。
【図２】 図２は半導体装置を示す断面構成図である。
【図３】 図３は半導体装置を製造するためのモールド
金型を示す断面構成図である。
【図４】 図４はこの実施例に係るリードフレームの要
部を示す断面図である。
【図５】 図５は樹脂封止後のリードフレームを示す断
面図である。
【図６】 図６は樹脂封止後のリードフレームから樹脂
バリを除去する状態を示す説明図である。
【図７】 図７は樹脂封止されたリードフレームの搬送
状態を示す構成図である。
【図８】 図８はこの発明に係る半導体装置用のリード
フレームの他の実施例を示す平面構成図である。
【図９】 図９はこの発明に係る半導体装置用のリード
フレームの更に他の実施例を示す平面構成図である。
【図１０】 図１０は従来の半導体装置用リードフレー
ムを示す平面構成図である。
【図１１】 図１１は半導体装置を製造するためのモー
ルド金型を示す断面構成図である。
【図１２】 図１２は樹脂封止後のリードフレームから
樹脂バリを除去する状態を示す断面構成図である。
【図１３】 図１３は同じく樹脂封止後のリードフレー
ムから樹脂バリを除去する状態を示す説明図である。
【図１４】 図１４は樹脂封止されたリードフレームの
搬送状態を示す構成図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置、３ リードフレーム、５ 外枠、１
０、１１ 上下のモールド金型、１２ キャビティ、１
３ ランナ部、１４ ゲート部、１５ 樹脂、２０ 面
取り部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対のモールド金型間に挟持されて樹脂
    封止される半導体装置用のリードフレームにおいて、こ
    のリードフレームの外枠のうち、上記モールド金型の樹
    脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の外縁
    に、当該樹脂注入方向上流側に向けて厚さが薄くなるよ
    うに断面形状が形成された面取りを、樹脂注入経路の幅
    よりも広く形成したことを特徴とする半導体装置用リー
    ドフレーム。
  2. 【請求項２】 樹脂注入経路と、半導体装置の樹脂封止
    部に対応したキャビティと、リードフレームを嵌合状態
    に配置するためのリードフレームの厚さよりも浅い凹所
    とをそのパーテイング面の一方に有する一対のモールド
    金型を用い、この一対のモールド金型間にリードフレー
    ムを凹所に嵌合した状態で挟持し、上記樹脂注入経路か
    ら半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビティ内に樹
    脂を注入硬化させて半導体装置を製造する方法におい
    て、上記リードフレームの外枠のうち、上記モールド金
    型の樹脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の
    外縁に、当該樹脂注入方向上流側に向けて厚さが薄くな
    るように断面形状が形成された面取りを、樹脂注入経路
    の幅よりも広く形成したリードフレームを用い、このリ
    ードフレームを一対のモールド金型間に挟持した状態で
    樹脂封止を行った後、当該樹脂封止されたリードフレー
    ムを一対のモールド金型から取り出した状態で、モール
    ド金型の樹脂注入経路内で硬化した樹脂を、リードフレ
    ームの外枠の外縁に形成された面取りによって、当該リ
    ードフレームの外枠の外縁に残すことなく一体的に除去
    可能としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 一対のモールド金型間に挟持されて樹脂
    封止される半導体装置用のリードフレームにおいて、こ
    のリードフレームの外枠のうち、上記モールド金型の樹
    脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の外縁
    に、当該樹脂注入方向の下流側に向けた切り欠きを樹脂
    注入経路の幅よりも広く形成したことを特徴とする半導
    体装置用リードフレーム。
  4. 【請求項４】 樹脂注入経路と、半導体装置の樹脂封止
    部に対応したキャビティと、リードフレームを嵌合状態
    に配置するためのリードフレームの厚さよりも浅い凹所
    とをそのパーテイング面の一方に有する一対のモールド
    金型を用い、この一対のモールド金型間にリードフレー
    ムを凹所に嵌合した状態で挟持し、上記樹脂注入経路か
    ら半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビティ内に樹
    脂を注入硬化させて半導体装置を製造する方法におい
    て、上記リードフレームの外枠のうち、上記モールド金
    型の樹脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の
    外縁に、当該樹脂注入方向の下流側に向けた切り欠きを
    樹脂注入経路の幅よりも広く形成したリードフレームを
    用い、このリードフレームを一対のモールド金型間に挟
    持した状態で樹脂封止を行った後、当該樹脂封止された
    リードフレームを一対のモールド金型から取り出した状
    態で、モールド金型の樹脂注入経路内で硬化した樹脂を
    除去する際に、リードフレームの外枠の外縁に形成され
    た切り欠きに硬化樹脂が残るようにしたことを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
JP5163457A 1993-07-01 1993-07-01 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 Pending JPH0722561A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013021227A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Toyota Motor Corp リードフレーム、半導体装置及び製造方法
CN111293043A (zh) * 2018-12-07 2020-06-16 富士电机株式会社 半导体装置的制造方法及半导体装置

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