JP2008060193A - リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体素子を複数個搭載して樹脂により一括封止する樹脂封止型の半導体装置の製造に用いられるリードフレームであって、樹脂により封止する際の金型のゲート5とキャビティ(封止樹脂部3の部分)との接合部の位置に一端部が一致し、幅wを介した他端部が封止樹脂部3側に位置するスリット1bまたは凹部が、位置決め孔1aとは別に設けられている。
【選択図】 図1
Description
程度で、ゲート5の厚さも0.1mm程度と非常に薄いため、ゲート5を除去する際に、
ゲート5部だけを完全に除去することはできず、図5(c)に示されるように、一部が残存してゲート残り5aが生じたり、図5(d)に示されるように、封止樹脂部3の一部が欠けて樹脂欠け5bが生じたりすることがある。
ことなく、封止樹脂部に欠けなどを生じさせないで、ゲートの部分だけをゲート残りが無いように完全に除去することができる構造のリードフレームおよびそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
、たとえば2〜6mm程度に形成され、その幅w(封止樹脂部3の端部から封止樹脂部3の内部側に形成し得る長さ)は、通常0.2〜1mm程度に形成される。長さLは、ゲー
ト5の幅と合っていなくても良いが、極端に短いとゲート残りや封止樹脂部3の欠けが生じやすいので、十分な密着性が得られる範囲でゲート幅以下とするのが好ましい。また、スリット1bの幅wは、大きくなるとリードフレームの幅を大きくする必要が出てくるため、前述程度の幅で形成される。なお、このスリット1bの位置は、ゲートの位置に合せて形成され、半導体素子の種類が変り、半導体素子のピッチが異なる場合でも、このスリット1bの位置はモールド用金型に対して、常に同じ位置に形成される。そうすることにより、異なる種類の半導体装置を樹脂モールドする場合でも、同じモールド金型を使用することができ、常にゲート残りや封止樹脂部の欠けを生じさせることなく、ゲートだけを確実に除去することができる。なお、このスリット1bは、リードフレームを形成する際のパンチングまたはエッチングの際に同時に形成することができるため、工数増を招くことなく形成することができる。
される幅Fが30〜50mm程度で、長さが100〜200mm程度のものが用いられ、両側にフレーム枠(サイドレール)1dが設けられ、そのフレーム枠1dには、インデックス孔1eが設けられている。そして、複数個形成されている製品エリア領域1fのそれぞれの中心部に、図示されていないが半導体素子をボンディングすることができるようにダイパッドが設けられ、その周囲にリード端子1cが設けられることにより形成されている。このようなリードフレーム1は、パンチングやエッチングなどにより一括して形成される。しかし、リードフレーム1は、このような構造には限定されず、種々の構造のリードフレームを用いることができる。
、ゲート5の厚さは0.1mm程度と非常に薄いが、封止樹脂部3の端部のスリット1b
に流れ込んでおり、リードフレーム1の厚さは、前述のように0.2mm程度あるため、
ゲート5との接続部では非常に堅固になる。その結果、ゲート5をリードフレーム1から引き離すと、ゲート5だけを確実に除去することができ、封止樹脂部3に欠けが生じることはない。すなわち、ゲート5と封止樹脂部3との境界部にスリットのフレーム枠1d側の端部が設けられているため、ゲート5だけが薄くリードフレーム1上に密着した状態で、封止樹脂部3の端部はスリット1b内に埋め込まれた樹脂と一体になっているため、ゲート5だけを容易に除去することができる。
るため、図4に示されるように、その半分ぐらいの深さの凹部1gでも、同様に封止樹脂部3のゲート5との接続部をしっかりとリードフレーム1と結合することができる。従って、前述のスリット1bに代えて、リードフレーム1の厚さの途中まで凹みを形成した凹部1gでも同様の効果がある。なお、凹部1gの長さおよび幅は、前述のスリット1bと同様の構造に形成することができる。このような凹部1bは、リードフレームをエッチングにより形成する際に、裏面側からのエッチングを抑制するため、フィルムレジスト等によりマスキングすることによりこの部分だけ途中までエッチングすることができ、リード端子などと同時に形成することができる。このようなハーフエッチングによる凹部1gとすることにより、リードフレーム1の機械的強度が向上し、金型に挟み込む際に安定性が向上するというメリットがある。
1a 位置決め孔
1b スリット
1c リード端子
1d フレーム枠
1f 製品エリア
1g 凹部
2 バックテープ
3 封止樹脂部
5 ゲート
6 ランナー
7 カル部
Claims (2)
- 半導体素子を複数個搭載して樹脂により一括封止する樹脂封止型の半導体装置の製造に用いられるリードフレームであって、前記樹脂により封止する際の金型のキャビティと樹脂注入用ゲートとの接合部に一端部が位置し、該接合部から前記キャビティ内に幅を有するスリットまたは凹部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
- 半導体素子を複数個搭載して樹脂により一括封止する樹脂封止型の半導体装置の製造方法であって、
複数のダイパッド部、リード部およびこれらを支持するフレーム枠部が形成されると共に、樹脂封止されたときのゲートと封止樹脂部との境界に一端部を有し、該封止樹脂部内に幅を有するスリットまたは凹部が形成されるリードフレームを準備し、
該リードフレームに半導体素子を搭載した後、前記スリットまたは凹部の一端部がゲートとキャビティの接合部にほぼ一致し、かつ、他端部が前記キャビティ内に位置するように封止金型で前記リードフレームを挟持し、
該キャビティ内に封止用の樹脂を注入し、一括封止する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012221963A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Apic Yamada Corp | Ledパッケージ用基板 |
JP2015133363A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 株式会社カネカ | 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS614234A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Michio Osada | 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム |
JPH0637129A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-10 | Fujitsu Ltd | モールド金型、リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
JPH06252217A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Apic Yamada Kk | Tabテープまたはリードフレーム、および樹脂封止金型 |
JPH08227960A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
JPH09121014A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-05-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
JPH09289222A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-11-04 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | 熱放散兼支持構造体並びに半導体電子デバイス用のプラスチックパッケージおよびその製造方法 |
JP2005085832A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS614234A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Michio Osada | 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム |
JPH0637129A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-10 | Fujitsu Ltd | モールド金型、リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
JPH06252217A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Apic Yamada Kk | Tabテープまたはリードフレーム、および樹脂封止金型 |
JPH08227960A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
JPH09121014A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-05-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
JPH09289222A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-11-04 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | 熱放散兼支持構造体並びに半導体電子デバイス用のプラスチックパッケージおよびその製造方法 |
JP2005085832A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012221963A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Apic Yamada Corp | Ledパッケージ用基板 |
JP2015133363A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 株式会社カネカ | 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置 |
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