JP2616685B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2616685B2 JP2616685B2 JP5338813A JP33881393A JP2616685B2 JP 2616685 B2 JP2616685 B2 JP 2616685B2 JP 5338813 A JP5338813 A JP 5338813A JP 33881393 A JP33881393 A JP 33881393A JP 2616685 B2 JP2616685 B2 JP 2616685B2
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- Japan
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- resin
- lead frame
- semiconductor device
- injection gate
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関し、特にその樹脂封止方法に関する。
の製造方法に関し、特にその樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
方法を図を用いて説明する。図４はリードフレーム
（１）と樹脂封止金型（３）と樹脂注入ゲートランナー
（４）の関係を示す断面図、図５は樹脂封止後のリード
フレームの状態を示す斜視図である。従来の樹脂封止型
半導体装置の樹脂封止方法では、リードフレーム（１）
枠部に沿って樹脂が注入され、樹脂硬化後不要となる樹
脂注入ゲートランナー（４）をリードフレーム（１）か
ら除去していた。このとき樹脂注入ゲートランナー
（４）の位置は、外部リード（６）にかかるとリード間
に樹脂が充填されてしまい、除去が困難となるため、通
常、外部リードフレーム（１）上で外部リード（６）の
位置しない部分（７）に設計されていた。
方法を図を用いて説明する。図４はリードフレーム
（１）と樹脂封止金型（３）と樹脂注入ゲートランナー
（４）の関係を示す断面図、図５は樹脂封止後のリード
フレームの状態を示す斜視図である。従来の樹脂封止型
半導体装置の樹脂封止方法では、リードフレーム（１）
枠部に沿って樹脂が注入され、樹脂硬化後不要となる樹
脂注入ゲートランナー（４）をリードフレーム（１）か
ら除去していた。このとき樹脂注入ゲートランナー
（４）の位置は、外部リード（６）にかかるとリード間
に樹脂が充填されてしまい、除去が困難となるため、通
常、外部リードフレーム（１）上で外部リード（６）の
位置しない部分（７）に設計されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置の製造方法では、樹脂封止後に不用となる樹
脂注入ゲートランナー部の樹脂は、リードフレームとよ
く密着しており、外力を加えて除去する際にリードフレ
ームを変形させ易いという問題点があった。またリード
フレームの代りにチップキャリアテープ、または絶縁板
及び導電箔で形成される回路要素体を用いた半導体装置
の場合では、樹脂注入ゲートランナー部の樹脂と前記チ
ップキャリアテープ、または絶縁板及び導電箔で形成さ
れる回路要素体との密着力はさらに強く、樹脂注入ゲー
トランナー部の樹脂の除去は、極めて困難であった。ま
た樹脂注入ゲートの位置及びサイズは、前述のように外
部リード部をさける必要性から制限が多く、必ずしも樹
脂封止性が最適となるように自由に設計できないという
問題点があった。
半導体装置の製造方法では、樹脂封止後に不用となる樹
脂注入ゲートランナー部の樹脂は、リードフレームとよ
く密着しており、外力を加えて除去する際にリードフレ
ームを変形させ易いという問題点があった。またリード
フレームの代りにチップキャリアテープ、または絶縁板
及び導電箔で形成される回路要素体を用いた半導体装置
の場合では、樹脂注入ゲートランナー部の樹脂と前記チ
ップキャリアテープ、または絶縁板及び導電箔で形成さ
れる回路要素体との密着力はさらに強く、樹脂注入ゲー
トランナー部の樹脂の除去は、極めて困難であった。ま
た樹脂注入ゲートの位置及びサイズは、前述のように外
部リード部をさける必要性から制限が多く、必ずしも樹
脂封止性が最適となるように自由に設計できないという
問題点があった。
【０００４】
【発明を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決しようとするもので、樹脂封止してなる半導体装置に
おいて、所定の樹脂封止領域外縁と同一サイズの枠形状
を有する板状治具を、リードフレームと該リードフレー
ムの外部リード上に設けられた樹脂注入ゲートランナー
を有する樹脂封止金型との間に挟んだ状態で樹脂封止す
る工程と、樹脂硬化後に該治具を該リードフレームから
分離する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法であり、また、チップキャリアテープ
または絶縁板及び導電箔で形成された回路要素体であっ
てもよいもので、前記半導体装置がチップキャリアテー
プまたは絶縁板及び導電箔で形成される回路要素体を用
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。
決しようとするもので、樹脂封止してなる半導体装置に
おいて、所定の樹脂封止領域外縁と同一サイズの枠形状
を有する板状治具を、リードフレームと該リードフレー
ムの外部リード上に設けられた樹脂注入ゲートランナー
を有する樹脂封止金型との間に挟んだ状態で樹脂封止す
る工程と、樹脂硬化後に該治具を該リードフレームから
分離する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法であり、また、チップキャリアテープ
または絶縁板及び導電箔で形成された回路要素体であっ
てもよいもので、前記半導体装置がチップキャリアテー
プまたは絶縁板及び導電箔で形成される回路要素体を用
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。
【０００５】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、所定の樹脂封止領域外縁と同一サイズの枠形状
を有する治具を、リードフレームと樹脂注入ゲートラン
ナー部を有する樹脂封止金型との間に挟んだ状態で樹脂
封止する工程と、樹脂硬化後に該治具を該リードフレー
ムから分離する工程とを含んでいるもので、樹脂注入ゲ
ートランナー部の樹脂は治具上に形成され、樹脂を除去
するにあたって、リードフレームを変形させるといった
不具合がないものである。
いては、所定の樹脂封止領域外縁と同一サイズの枠形状
を有する治具を、リードフレームと樹脂注入ゲートラン
ナー部を有する樹脂封止金型との間に挟んだ状態で樹脂
封止する工程と、樹脂硬化後に該治具を該リードフレー
ムから分離する工程とを含んでいるもので、樹脂注入ゲ
ートランナー部の樹脂は治具上に形成され、樹脂を除去
するにあたって、リードフレームを変形させるといった
不具合がないものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【実施例１】図１（ａ）は、本発明の一実施例のリード
フレーム（１）と治具（２）の関係を示す斜視図であ
る。尚説明の便宜上、リードフレーム（１）内に構成さ
れている内部リード、半導体素子等は省略している。図
２（ｂ）〜（ｅ）は樹脂封止工程から樹脂注入ゲートラ
ンナーの除去までの工程を順に示した断面図である。こ
の半導体装置の樹脂封止にあたっては、所定の樹脂封止
領域（５）外縁と同一サイズの枠形状を有する板状の治
具（２）を用い、これをリードフレーム（１）と重ね合
わせた状態で樹脂封止を行う（図２（ｂ））。樹脂硬化
後、金形から取り出し（図２（ｃ））、樹脂注入ゲート
ランナー部（４）の樹脂を治具（２）より除去し（図２
（ｄ））、さらに治具（２）をリードフレーム（１）か
らはずして（図２（ｅ））、一連の工程が完了する。
フレーム（１）と治具（２）の関係を示す斜視図であ
る。尚説明の便宜上、リードフレーム（１）内に構成さ
れている内部リード、半導体素子等は省略している。図
２（ｂ）〜（ｅ）は樹脂封止工程から樹脂注入ゲートラ
ンナーの除去までの工程を順に示した断面図である。こ
の半導体装置の樹脂封止にあたっては、所定の樹脂封止
領域（５）外縁と同一サイズの枠形状を有する板状の治
具（２）を用い、これをリードフレーム（１）と重ね合
わせた状態で樹脂封止を行う（図２（ｂ））。樹脂硬化
後、金形から取り出し（図２（ｃ））、樹脂注入ゲート
ランナー部（４）の樹脂を治具（２）より除去し（図２
（ｄ））、さらに治具（２）をリードフレーム（１）か
らはずして（図２（ｅ））、一連の工程が完了する。
【０００７】ここで治具（２）には、封止樹脂との密着
性を低減させるためにＡｇメッキ等の表面処理を施して
おくと良い。そして治具（２）の厚さは、０．１ｍｍ程
度のものが製品の外観を損ねることがない。また治具
（２）は樹脂封止金型（３）の機構部品として装置に組
み込むことで、連続作業が可能であり効果的である。以
上説明した方法は、リードフレームの代りに、チップキ
ャリアテープまたは絶縁板及び導電箔で形成される回路
要素体を用いた場合も同様である。通常、前記チップキ
ャリアテープまたは回路要素体は著しく強度が低いた
め、本発明による効果は顕著である。
性を低減させるためにＡｇメッキ等の表面処理を施して
おくと良い。そして治具（２）の厚さは、０．１ｍｍ程
度のものが製品の外観を損ねることがない。また治具
（２）は樹脂封止金型（３）の機構部品として装置に組
み込むことで、連続作業が可能であり効果的である。以
上説明した方法は、リードフレームの代りに、チップキ
ャリアテープまたは絶縁板及び導電箔で形成される回路
要素体を用いた場合も同様である。通常、前記チップキ
ャリアテープまたは回路要素体は著しく強度が低いた
め、本発明による効果は顕著である。
【０００８】
【実施例２】次に図３は、本発明の第２の実施例の樹脂
封止後の状態を示す斜視図である。本実施例では第１の
実施例と同様に一連の工程を行うが、樹脂注入ゲートラ
ンナー部（４）のサイズを従来よりも大きく設計する。
本実施例では本発明の特徴である樹脂注入ゲートランナ
ー位置が制限されないという利点から、樹脂注入ゲート
ランナー部（４）の大きさや位置の最適設計を行い、樹
脂封止性の最適化を図ることが可能となる。これにより
従来２〜３％の割合で発生していた樹脂封止不良を半減
することができる。
封止後の状態を示す斜視図である。本実施例では第１の
実施例と同様に一連の工程を行うが、樹脂注入ゲートラ
ンナー部（４）のサイズを従来よりも大きく設計する。
本実施例では本発明の特徴である樹脂注入ゲートランナ
ー位置が制限されないという利点から、樹脂注入ゲート
ランナー部（４）の大きさや位置の最適設計を行い、樹
脂封止性の最適化を図ることが可能となる。これにより
従来２〜３％の割合で発生していた樹脂封止不良を半減
することができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂封止領域外縁と同一サイズの枠形状を有する治具
を、リードフレームと重ねて樹脂封止する工程としたの
で、樹脂注入ゲートランナー部の樹脂は治具上に形成さ
れ、樹脂を除去するにあたって、リードフレームを変形
させるといった不具合がない。特にリードフレームの代
りに、強度が著しく低いチップキャリアテープまたは絶
縁板及び導電箔で形成される回路要素体を用いた場合
に、その効果は著しく高い。また本発明では、樹脂注入
ゲートランナーの位置及びサイズを自由に設計できるた
め、樹脂封止性の最適化が図れるという効果も有する。
これらを通じて、従来樹脂封止工程及び樹脂注入ゲート
ランナー部の樹脂の樹脂の除去工程において生じていた
数％の不良率を半減することが可能である等の効果を奏
するものである。
樹脂封止領域外縁と同一サイズの枠形状を有する治具
を、リードフレームと重ねて樹脂封止する工程としたの
で、樹脂注入ゲートランナー部の樹脂は治具上に形成さ
れ、樹脂を除去するにあたって、リードフレームを変形
させるといった不具合がない。特にリードフレームの代
りに、強度が著しく低いチップキャリアテープまたは絶
縁板及び導電箔で形成される回路要素体を用いた場合
に、その効果は著しく高い。また本発明では、樹脂注入
ゲートランナーの位置及びサイズを自由に設計できるた
め、樹脂封止性の最適化が図れるという効果も有する。
これらを通じて、従来樹脂封止工程及び樹脂注入ゲート
ランナー部の樹脂の樹脂の除去工程において生じていた
数％の不良率を半減することが可能である等の効果を奏
するものである。
【図１】 （ａ）本発明の１実施例のリードフレームと
治具の関係を示す斜視図。
治具の関係を示す斜視図。
【図２】 （ｂ）〜（ｅ）樹脂封止から樹脂注入ゲート
ランナー部の除去までの工程を示す断面図。
ランナー部の除去までの工程を示す断面図。
【図３】 本発明の第２実施例の樹脂封止後の状態をリ
ードフレーム裏面から見た斜視図。
ードフレーム裏面から見た斜視図。
【図４】 従来の樹脂封止方法で、リードフレームと樹
脂封止金型と樹脂注入ゲートランナーの関係を示す断面
図。
脂封止金型と樹脂注入ゲートランナーの関係を示す断面
図。
【図５】 従来の樹脂封止方法で、樹脂封止後の状態を
リードフレーム裏面から見た斜視図。
リードフレーム裏面から見た斜視図。
１、リードフレーム ２、治具 ３、樹脂封止金型 ４、樹脂注入ゲートランナー ５、樹脂封止領域 ６、外部リード
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂封止してなる半導体装置において、
所定の樹脂封止領域外縁と同一サイズの枠形状を有する
板状治具を、リードフレームと該リードフレームの外部
リード上に設けられた樹脂注入ゲートランナーを有する
樹脂封止金型との間に挟んだ状態で樹脂封止する工程
と、樹脂硬化後に該治具を該リードフレームから分離す
る工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体装置は、チップキャリアテー
プまたは絶縁板及び導電箔で形成される回路要素体を用
いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5338813A JP2616685B2 (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5338813A JP2616685B2 (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161748A JPH07161748A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2616685B2 true JP2616685B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=18321702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5338813A Expired - Lifetime JP2616685B2 (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616685B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138724A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のモールド方法および装置 |
-
1993
- 1993-12-02 JP JP5338813A patent/JP2616685B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138724A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07161748A (ja) | 1995-06-23 |
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