JPH03152964A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH03152964A JPH03152964A JP29274189A JP29274189A JPH03152964A JP H03152964 A JPH03152964 A JP H03152964A JP 29274189 A JP29274189 A JP 29274189A JP 29274189 A JP29274189 A JP 29274189A JP H03152964 A JPH03152964 A JP H03152964A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- resin
- tie bar
- lead
- lead frame
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置用リードフレームに関す
る。
る。
従来、樹脂封止型半導体装置は、第４図に示すように、
リードフレームの素子搭載部１に半導体素子２を搭載し
、半導体素子２と内部リード３とを金属細線４で接続し
、素子搭載部１の周囲を封止樹脂５で封止し、その後、
外部リード６を成形して完成するものである。
リードフレームの素子搭載部１に半導体素子２を搭載し
、半導体素子２と内部リード３とを金属細線４で接続し
、素子搭載部１の周囲を封止樹脂５で封止し、その後、
外部リード６を成形して完成するものである。
上述した従来の技術では、内部リードの細いリードフレ
ームを用いて半導体装置を製造する場合に、以下のよう
な問題点がある。
ームを用いて半導体装置を製造する場合に、以下のよう
な問題点がある。
第５図において、半導体素子２の一辺５ＩＩＩｌｌに対
し、接続すべき内部リード３が５０本あるとすれば、内
部リード先端の太さは単純計算で５１５００．１開でな
ければならない。このような細い内部リード３は、樹脂
封止金型によって型締めされたときに、変形してしまう
可能性が高い。すなわち、第６図に示すように、樹脂封
止金型７に肉眼ではわからないほどの微小な封止樹脂等
の異物８が付着している場合であっても、このように細
い内部リード３は影線めされることにより変形してしま
い、第７図に示すように内部リード３同士が接触してし
まうことがある。このような状態で封止樹脂注入のなさ
れた半導体装置は、電気的不良品になってしまう。
し、接続すべき内部リード３が５０本あるとすれば、内
部リード先端の太さは単純計算で５１５００．１開でな
ければならない。このような細い内部リード３は、樹脂
封止金型によって型締めされたときに、変形してしまう
可能性が高い。すなわち、第６図に示すように、樹脂封
止金型７に肉眼ではわからないほどの微小な封止樹脂等
の異物８が付着している場合であっても、このように細
い内部リード３は影線めされることにより変形してしま
い、第７図に示すように内部リード３同士が接触してし
まうことがある。このような状態で封止樹脂注入のなさ
れた半導体装置は、電気的不良品になってしまう。
以上のように、従来技術においては、細い内部リードを
持つ半導体装置を製造する場合に、内部リード間ショー
トによる不良品の発生する危険性がきわめて高いという
問題がある。
持つ半導体装置を製造する場合に、内部リード間ショー
トによる不良品の発生する危険性がきわめて高いという
問題がある。
本発明の目的は、リード間ショートによる不良品の発生
のない樹脂封止型半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。
のない樹脂封止型半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレームは、タ
イバーより内側の内部リードのうちの少なくとも樹脂封
止の際に樹脂封止金型に接触する部分がタイバーの厚さ
よりも薄くなっている。
イバーより内側の内部リードのうちの少なくとも樹脂封
止の際に樹脂封止金型に接触する部分がタイバーの厚さ
よりも薄くなっている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の部分平面図、第２図は
第１図のリードフレームを型締めしているときのＡ−Ａ
′線断面図である。
第１図のリードフレームを型締めしているときのＡ−Ａ
′線断面図である。
第１の実施例は、第１図及び第２図に示すように、タイ
バー９より内側の内部リード３のうち、樹脂封止金型７
に接触する部分の下面にみぞ１０があり、この部分の厚
さはタイバー９よりも薄くなっている。このみぞ１０の
深さは５０μｍであるので、タイバー９の厚さを２５０
μｍとすれば、この薄くなっている部分の内部リード３
の厚さは２００μｍとなる。
バー９より内側の内部リード３のうち、樹脂封止金型７
に接触する部分の下面にみぞ１０があり、この部分の厚
さはタイバー９よりも薄くなっている。このみぞ１０の
深さは５０μｍであるので、タイバー９の厚さを２５０
μｍとすれば、この薄くなっている部分の内部リード３
の厚さは２００μｍとなる。
このようなリードフレームを用いて、半導体装置を製造
する場合には、たとえ、樹脂封止金型７の型締め面に封
止樹脂等の異物が付着していても、型締めの際にタイバ
ー９より内側の内部リード３に加わる力は小さいので、
内部リード３が変形することがない。
する場合には、たとえ、樹脂封止金型７の型締め面に封
止樹脂等の異物が付着していても、型締めの際にタイバ
ー９より内側の内部リード３に加わる力は小さいので、
内部リード３が変形することがない。
第３図は本発明の第２の実施例のリードフレームを型締
めしているときの部分断面図である。
めしているときの部分断面図である。
第２の実施例は、第３図に示すように、第１の実施例と
は異なり、タイバー９より内側のリードのうち、樹脂封
止金型７に接触する部分の下面だけではなく、上面にも
みぞ１０が設けられている。このみぞ１０の深さは、上
面側、下面側いずれも５０μｍであるので、タイバー９
の厚さを２５０μｍとすれば、この薄くなっている部分
の内部リード３の厚さは１５０μｍとなる。
は異なり、タイバー９より内側のリードのうち、樹脂封
止金型７に接触する部分の下面だけではなく、上面にも
みぞ１０が設けられている。このみぞ１０の深さは、上
面側、下面側いずれも５０μｍであるので、タイバー９
の厚さを２５０μｍとすれば、この薄くなっている部分
の内部リード３の厚さは１５０μｍとなる。
このようにすると、樹脂封止金型７の下金型だけでなく
、上金型の型締め面に異物が付着している場合にも内部
リード３の変形をより効果的に防止できるという利点が
ある。
、上金型の型締め面に異物が付着している場合にも内部
リード３の変形をより効果的に防止できるという利点が
ある。
以上説明したように本発明は、タイバーより内側の内部
リードのうち、樹脂封止の際に少くとも樹脂封止金型と
接触する部分をタイバーの厚さより薄くすることにより
内部リードの変形による電気的ショートの発生を減少さ
せることができ、歩留りの向上がはかれるという効果が
ある。
リードのうち、樹脂封止の際に少くとも樹脂封止金型と
接触する部分をタイバーの厚さより薄くすることにより
内部リードの変形による電気的ショートの発生を減少さ
せることができ、歩留りの向上がはかれるという効果が
ある。
また、樹脂封止金型の型締め面に多少の異物が付着して
いても、内部リードの変形が起こらないので、従来に比
べ、封止金型の清掃を簡略化することができ、作業性が
向上するという効果もある。
いても、内部リードの変形が起こらないので、従来に比
べ、封止金型の清掃を簡略化することができ、作業性が
向上するという効果もある。
第１図は本発明の第１の実施例の部分断面図、第２図は
第１図のリードフレームを型締めしているときのｌ−Ａ
′線断面図、第３図は本発明の第２の実施例のリードフ
レームを型締めしているときの部分断面図、第４図は従
来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図、第５図は従
来の内部リードの問題点を説明するための部分平面図、
第６図は従来のリードフレームを型締めしているときの
問題点を説明するための部分断面図、第７図は従来の内
部リードの変形の一例を説明するための部分平面図であ
る。 １・・・素子搭載部、２・・・半導体素子、３・・・内
部リード、４・・・金属細線、５・・・封止樹脂、６・
・・外部リード、７・・・樹脂封止金型、８・・・異物
、９・・・タイバ１０・・・みぞ。
第１図のリードフレームを型締めしているときのｌ−Ａ
′線断面図、第３図は本発明の第２の実施例のリードフ
レームを型締めしているときの部分断面図、第４図は従
来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図、第５図は従
来の内部リードの問題点を説明するための部分平面図、
第６図は従来のリードフレームを型締めしているときの
問題点を説明するための部分断面図、第７図は従来の内
部リードの変形の一例を説明するための部分平面図であ
る。 １・・・素子搭載部、２・・・半導体素子、３・・・内
部リード、４・・・金属細線、５・・・封止樹脂、６・
・・外部リード、７・・・樹脂封止金型、８・・・異物
、９・・・タイバ１０・・・みぞ。
Claims (1)
- タイバーより内側の内部リードのうちの少なくとも樹
脂封止の際に樹脂封止金型に接触する部分がタイバーの
厚さよりも薄くなっていることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29274189A JPH03152964A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29274189A JPH03152964A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152964A true JPH03152964A (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=17785726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29274189A Pending JPH03152964A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03152964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645792B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device |
| EP3451378A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-03-06 | NXP USA, Inc. | Packaged semiconductor device and method for forming |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP29274189A patent/JPH03152964A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645792B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device |
| EP3451378A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-03-06 | NXP USA, Inc. | Packaged semiconductor device and method for forming |
| US10242935B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-03-26 | Nxp Usa, Inc. | Packaged semiconductor device and method for forming |
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