JPH04320811A - トランスファモールド金型 - Google Patents

トランスファモールド金型

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JPH04320811A
JPH04320811A JP11541891A JP11541891A JPH04320811A JP H04320811 A JPH04320811 A JP H04320811A JP 11541891 A JP11541891 A JP 11541891A JP 11541891 A JP11541891 A JP 11541891A JP H04320811 A JPH04320811 A JP H04320811A
Authority
JP
Japan
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mold
resin
film
transfer
leads
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11541891A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahisa Ishii
石井 高久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
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Publication of JPH04320811A publication Critical patent/JPH04320811A/ja
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等を樹脂封
止するためのトランスファモールド金型に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】TAB(Tape Automated
 Bonding)技術はICチップの実装技術の一つ
であり、他の実装技術に比べて多ピン狭ピッチのリード
形成が可能である。また、フェースアップで高速自動ボ
ンディングを行うことができる。このため、TAB技術
は近年、特に注目されている。図6は従来の上金型の概
略平面図、図7は従来の下金型の概略平面図、図8は従
来の上金型と下金型とを用いてTABテープを挟んだと
きの様子を示す概略断面図である。図8に示すTABテ
ープは、ICチップ132と、フィルム134上にリー
ド136が形成されたフィルムキャリアとを有するもの
である。ICチップ132は図示しないバンプを介して
リード136と接合されている。フィルムキャリアとし
ては二層テープ、すなわち接着剤を用いずに銅箔をフィ
ルム134に直接貼りつけた構成のものを使用している
【0003】トランスファモールド金型は上金型2と下
金型104とを備えて構成される。図6及び図7に示す
上金型2と下金型104には、樹脂注入室であるキャビ
ティ14a,114bと、樹脂をキャビティ14a,1
14bに注入するための注入口であるゲート16a,1
16bとが形成されている。また、上金型2には樹脂の
供給口であるポット12が形成されている。
【0004】ICチップ132の保護のためにICチッ
プ132を樹脂封止するには、主にトランスファモール
ド法が用いられている。トランスファモールド法は、図
8に示すように上金型2と下金型104でICチップ1
32を搭載したTABテープを挟持して、加熱溶融した
樹脂を圧力をかけて上金型2と下金型104のキャビテ
ィ14a,114bに注入し固化する方法である。この
方法は、溶融樹脂を樹脂成形金型に注入する速度を低速
で行えば、ICチップ等の特性を損なうことなく、一定
の品質のものを大量生産することができるという利点が
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フィルムキ
ャリアとして二層テープを使用する場合、フィルム13
4をエッチングで加工し打抜部142等を形成すると、
フィルム134のエッチング断面は傾斜を持つ。したが
って、TABテープに搭載したICチップ132をトラ
ンスファモールド金型で樹脂封止するとき、フィルムの
エッチング断面と下金型とを密着させることができず、
隙間150が生じる。通常、樹脂は50ミクロンの隙間
でも楽に入ることができる。したがって、図8に示す従
来の金型のキャビティ14a,114bに樹脂を注入す
ると、この隙間150からリード間にも樹脂が流れ込み
樹脂バリが生じる。このため、樹脂封止したTABテー
プを打ち抜くときにこのバリによってリードが変形した
り、切れたりするという問題がある。
【0006】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、樹脂封止を行うときにリード間にバリが発生す
るのを防ぐことができるトランスファモールド金型を提
供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、フィルムの表面に接合された半導体素子
を樹脂封止する際に使用されるトランスファモールド金
型において、前記金型の樹脂注入室の端縁が前記半導体
素子を樹脂封止する際に前記フィルムに当接するように
形成されていることを特徴とするものである。
【0008】
【作用】本発明は前記の構成によって、金型の樹脂注入
室の端縁のうち、フィルムに対向する部分が半導体素子
を樹脂封止する際に当接するように形状されているので
、たとえばTABテープに搭載された半導体素子を樹脂
封止する場合に、フィルムと金型の端縁とを密着させる
ことができ、したがって封止樹脂がリード間から漏れ出
るのを防止することができる。
【0009】
【実施例】以下に本発明の第1実施例を図1乃至図3を
参照して説明する。図1は本発明の第1実施例であるト
ランスファモールド金型の下金型の概略平面図、図2は
TABテープの概略平面図、図3は図1に示すトランス
ファモールド金型の下金型を用いてTABテープを挟ん
だときの様子を示すA−A矢視概略断面図である。
【0010】図2に示すTABテープは、ICチップ3
2と、フィルム(テープ)34上にリード36が形成さ
れたフィルムキャリアとを備えるものである。ICチッ
プ32やリード36はTABテープの片面(この面をT
ABテープ又はフィルムの表面と称する。)にだけ設け
てある。フィルム34には、デバイスホール(図2にお
いてICチップ32の下側に形成されている。)と、2
種類の打抜部42,44とが形成されている。フィルム
34の材料には、耐熱性及び耐伸縮性が良好なポリイミ
ドを用いる。また、リード36は、ICチップ毎に4つ
のリード群36a,36b,36c,36dに分けられ
、4方向(図2の上下左右方向)に引き出されている。 打抜部42は一点鎖線Lで囲まれた樹脂封止領域内に形
成され、打抜部44は樹脂封止領域外に形成されたもの
である。
【0011】フィルムキャリアには二層テープを用いて
いる。すなわち、接着剤を用いずに銅箔をフィルム34
に直接貼りつけた構成としている。二層テープを製造す
るには、まず、銅箔とフィルム34を貼り合わせ、フォ
トレジストパターンを用いてリード36を電解メッキで
形成する。その後、ポリイミドをウェットエッチングし
てデバイスホールや打抜部42,44を形成する。
【0012】第1実施例のトランスファモールド金型は
、TABテープの表面を上から押さえる上金型(従来と
して説明した図6の上金型)2と、TABテープの裏面
を下から押さえる下金型4とを備えて構成される。上金
型2は、図6に示すように、樹脂の供給口であるポット
12と、樹脂注入室であるキャビティ14aと、樹脂を
キャビティ14aに注入するための注入口であるゲート
16aとが形成され、また樹脂成形品を金型から取り出
すためのエジェクタピン18aが設けられている。
【0013】同様に、図1に示す下金型4にも、キャビ
ティ14bと、ゲート16bとが形成され、またエジェ
クタピン18bが設けられている。また、下金型4には
樹脂を注入する際にキャビティ14a,14b内の空気
及びガスを外部に排出するためのエアベント22がキャ
ビティ14bの3つのコーナーに形成されている。ポッ
トを一つしか設けていないのは、上下に供給口を設ける
と、二つの方向から入った樹脂が合流したときに樹脂の
合わせ目ができ、その跡が樹脂成形後に残ってしまうか
らである。更に、本実施例においては下金型4のキャビ
ティ14bの端縁のうち、フィルム34のエッチング断
面に対向する部分が、樹脂封止の際にフィルム34のエ
ッチング断面に当接するように傾斜して形成されている
。尚、下金型の全ての端縁を傾斜して形成してもよいが
、リード群36a,36b,36c,36dが引き出さ
れていないコーナーの部分(打抜部42が形成されてい
ない部分)に対応する端縁については、リード間の樹脂
漏れを考慮する必要がないので、傾斜させなくてもよい
【0014】次に、ICチップ32を樹脂封止する手順
について説明する。樹脂封止されるTABテープの領域
は、図2に示す一点鎖線Lで囲まれた部分である。この
一点鎖線Lは打抜部44の端縁に沿って引かれたもので
ある。トランスファモールド法では、まず、上金型2と
下金型4との間にTABテープを配置し、両金型でTA
Bテープを挟持する。このとき、下金型4のキャビティ
14bの端縁は、図3に示すようにフィルム34のエッ
チング断面に当接するように傾斜して形成されているの
で、両金型を押圧するとフィルム34の打抜部44の端
縁と下金型4のキャビティ14bの端縁とは密着する。 次に、溶融した熱硬化性樹脂をポット12から流し込み
、ゲート16a,16bを通してキャビティ14a,1
4b内に圧入する。そして、硬化を進行させるために数
分間加圧したまま保持した後、エジェクタピン18a,
18bを押し出すことにより樹脂成形したTABテープ
を金型から取り出して、樹脂封止作業が完了する。 尚、樹脂封止を行ったICチップ32を打ち抜く場合に
は、打抜部44の略中間部においてリード36が切断さ
れる。
【0015】第1実施例のトランスファモールド金型で
は、下金型のキャビティの端縁がフィルムのエッチング
断面に当接するように傾斜して形成されているので、樹
脂封止する際にこのエッチング断面と下金型のキャビテ
ィの端縁とを密着させることができる。このため、従来
のトランスファモールド金型ではフィルムのエッチング
断面と下金型の端縁との間に隙間が生じていたが、本実
施例によれば、このような隙間は生じない。したがって
、かかる隙間を通ってリード間に樹脂が流れ込むのを防
止することができる。
【0016】このように第1実施例のトランスファモー
ルド金型を用いてICチップの樹脂封止を行うことによ
り、上述のようにリード間にバリが発生するのを防ぐこ
とができるので、本実施例のトランスファモールド金型
を用いて樹脂封止したTABテープは、ICチップを打
ち抜く際にバリによってリードが変形したり、切れたり
することはない。
【0017】次に、本発明の第2実施例を図4を参照し
て説明する。図4は本発明の第2実施例であるトランス
ファモールド金型を用いてTABテープを挟んだときの
様子を示す概略断面図である。ここで以下の第2実施例
及び第3実施例において上記第1実施例と同一の機能を
有するものには同一の符号を付すことにより、その詳細
な説明を省略する。第2実施例のトランスファモールド
金型が第1実施例のものと異なる点は、下金型4aのキ
ャビティ14bの傾斜させた端縁の内側に、フィルム3
4の厚さより若干小さい高さの段差部24を形成したこ
とである。
【0018】第2実施例では、樹脂成形する際に、下金
型のキャビティに沿った端縁の段差部にフィルムを噛み
合わせる。このため、金型を押圧すると、一般的にフィ
ルムはリードに比べて柔らかいので、リード間にフィル
ムが食い込んで、リード間の隙間が小さくなる。しかも
、下金型のキャビティの端縁は第1実施例と同様にフィ
ルムのエッチング断面の形状に合わせて傾斜して形成さ
れているので、フィルムのエッチング断面と下金型のキ
ャビティの端縁とを密着させることができる。したがっ
て、樹脂封止の際には、第1実施例のトランスファモー
ルド金型を用いた場合に比べて樹脂がリード間により入
り込みにくくなるので、リード間に樹脂バリが生ずるの
をより確実に防止することができる。
【0019】次に、本発明の第3実施例を図5を参照し
て説明する。図5は本発明の第3実施例であるトランス
ファモールド金型を用いてTABテープを挟んだときの
様子を示す概略部分断面図である。第3実施例のトラン
スファモールド金型が第1実施例のものと異なる点は、
下金型4bのキャビティ14bの端縁のうち、フィルム
34のエッチング断面に対向する部分に、フィルム34
の厚さより若干小さい高さの段差部240を形成し、該
段差部240の角240aに金線ワイヤ50を装着した
ことである。
【0020】本実施例によれば、TABテープを樹脂封
止する際に、下金型4bの金線ワイヤ50がフィルム3
4のエッチング断面に当接して押圧するので、第1実施
例と同様に樹脂がリード間に漏れ出るのを防止すること
ができる。その他の作用・効果は第1実施例と同様であ
る。尚、詰め部材としては金線ワイヤの代わりに、樹脂
等を用いてもよい。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
型の樹脂注入室の端縁が、半導体素子を樹脂封止する際
にフィルムに当接するように形成されたことにより、た
とえばTABテープに搭載した半導体素子を樹脂封止す
る際に、テープのエッチング断面と金型とを密着させる
ことができるので、リード間に樹脂バリが生じるのを防
ぐことができ、したがってTABテープをICチップ毎
に打ち抜く際にバリによってリードが変形したり、切れ
たりするのを防止することができるトランスファモール
ド金型を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例であるトランスファモール
ド金型の下金型の概略平面図である。
【図2】TABテープの概略平面図である。
【図3】図1に示すトランスファモールド金型の下金型
を用いてTABテープを挟んだときの様子を示すA−A
矢視概略断面図である。
【図4】本発明の第2実施例であるトランスファモール
ド金型の下金型を用いてTABテープを挟んだときの様
子を示す概略断面図である。
【図5】本発明の第3実施例であるトランスファモール
ド金型の下金型を用いてTABテープを挟んだときの様
子を示す概略部分断面図である。
【図6】従来の上金型の概略平面図である。
【図7】従来の下金型の概略平面図である。
【図8】従来の上金型と下金型とを用いてTABテープ
を挟んだときの様子を示す概略断面図である。
【符号の説明】
2    上金型 4    下金型 12    ポット 14    キャビティ 16    ゲート 18    エジェクトピン 22    エアベント 24    段差部 32    ICチップ 34    フィルム 36    リード 42,44    打抜部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  フィルムの表面に接合された半導体素
    子を樹脂封止する際に使用されるトランスファモールド
    金型において、前記金型の樹脂注入室の端縁が前記半導
    体素子を樹脂封止する際に前記フィルムに当接するよう
    に形成されていることを特徴とするトランスファモール
    ド金型。
  2. 【請求項2】  前記端縁のうち前記フィルムに対向す
    る部分を前記フィルムの形状に合わせたことを特徴とす
    る請求項1記載のトランスファモールド金型。
  3. 【請求項3】  前記端縁のうち前記フィルムに対向す
    る部分に段差部を形成し、該段差部の角に詰め部材を装
    着したことを特徴とする請求項1又は2記載のトランス
    ファモールド金型。
JP11541891A 1991-04-19 1991-04-19 トランスファモールド金型 Withdrawn JPH04320811A (ja)

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Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19980711