JPH0555282A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH0555282A JPH0555282A JP21493591A JP21493591A JPH0555282A JP H0555282 A JPH0555282 A JP H0555282A JP 21493591 A JP21493591 A JP 21493591A JP 21493591 A JP21493591 A JP 21493591A JP H0555282 A JPH0555282 A JP H0555282A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4805—Shape
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】タイバーのないリードフレーム８を突起５のあ
る薄板上に重ね合わせて樹脂封止する。リード２のすき
まに充填される封止樹脂は、耐熱性ゴムでできた突起５
でせき止められる。樹脂封止完了後、リードフレーム８
と薄板を分離する。 【効果】高価なタイバー切断除去用プレス金型が不要に
なり、タイバー切断ずれによる不良を完全になくすこと
ができる。また、タイバー切断除去時のプレスにより衝
撃がなくなり、半導体装置の品質が向上する。
る薄板上に重ね合わせて樹脂封止する。リード２のすき
まに充填される封止樹脂は、耐熱性ゴムでできた突起５
でせき止められる。樹脂封止完了後、リードフレーム８
と薄板を分離する。 【効果】高価なタイバー切断除去用プレス金型が不要に
なり、タイバー切断ずれによる不良を完全になくすこと
ができる。また、タイバー切断除去時のプレスにより衝
撃がなくなり、半導体装置の品質が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、まず、
図５に示すリードフレームの素子搭載部１に半導体素子
を搭載し、半導体素子とリード２の先端とを金属細線で
接続した後、リードフレームを樹脂封止金型で型締め
し、型内に封止樹脂を注入することにより、素子搭載部
に搭載された半導体素子，金属細線，内部リードなどを
樹脂封止する。
図５に示すリードフレームの素子搭載部１に半導体素子
を搭載し、半導体素子とリード２の先端とを金属細線で
接続した後、リードフレームを樹脂封止金型で型締め
し、型内に封止樹脂を注入することにより、素子搭載部
に搭載された半導体素子，金属細線，内部リードなどを
樹脂封止する。
【０００３】この場合、樹脂封止金型の上型と下型に形
成された型の周辺部において、隣り合う複数のリード２
のすきまに充填される樹脂は、型の周囲を所定の間隔で
取り囲んで複数のリード２を連結するタイバー３によっ
てせき止められるようにしているのが一般的である。
成された型の周辺部において、隣り合う複数のリード２
のすきまに充填される樹脂は、型の周囲を所定の間隔で
取り囲んで複数のリード２を連結するタイバー３によっ
てせき止められるようにしているのが一般的である。
【０００４】その後、タイバー３を切断除去し、外部リ
ードに半田めっき等の外装処理を行い、外部リードを所
定の形状に成形して得られる。
ードに半田めっき等の外装処理を行い、外部リードを所
定の形状に成形して得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術で
は、樹脂封止後に複数のリードを連結しているタイバー
を切断除去しなければならない。タイバーは、通常、金
型により切断除去されるが、半導体装置の形状が異なる
ごとに専用の金型を製作しなければならず、多大の費用
がかかると同時に、金型製作に長時間を要するという問
題点がある。
は、樹脂封止後に複数のリードを連結しているタイバー
を切断除去しなければならない。タイバーは、通常、金
型により切断除去されるが、半導体装置の形状が異なる
ごとに専用の金型を製作しなければならず、多大の費用
がかかると同時に、金型製作に長時間を要するという問
題点がある。
【０００６】また、外部リードのピッチが小さくなるに
つれて金型の製造は難しくなり種々の問題が生じてき
た。たとえば、外部リードのピッチが０．４ｍｍで外部
リードの幅が０．２ｍｍの場合には、切断刃の先端の厚
さは、最大でも０．４−０．２＝０．２ｍｍにしかなら
ない。このように薄い切断刃は、かすづまり等の負荷に
より刃先が容易に破損してしまうため、保守に手間がか
かるという問題点もある。
つれて金型の製造は難しくなり種々の問題が生じてき
た。たとえば、外部リードのピッチが０．４ｍｍで外部
リードの幅が０．２ｍｍの場合には、切断刃の先端の厚
さは、最大でも０．４−０．２＝０．２ｍｍにしかなら
ない。このように薄い切断刃は、かすづまり等の負荷に
より刃先が容易に破損してしまうため、保守に手間がか
かるという問題点もある。
【０００７】さらに、金型によりタイバーを切断除去す
るときのリードフレームの位置合わせは、通常、リード
フレームに設けられている位置決め穴に、金型に設けら
れている位置決めピンを挿入することによってなされる
が、リードフレームおよび金型の製作時の誤差により多
少の位置ずれが生じる。外部リードピッチが小さい半導
体装置の場合には、たとえわずかな位置ずれであって
も、切断刃がリードにくいこんでしまい、歩留りを低下
させてしまうという問題点がある。
るときのリードフレームの位置合わせは、通常、リード
フレームに設けられている位置決め穴に、金型に設けら
れている位置決めピンを挿入することによってなされる
が、リードフレームおよび金型の製作時の誤差により多
少の位置ずれが生じる。外部リードピッチが小さい半導
体装置の場合には、たとえわずかな位置ずれであって
も、切断刃がリードにくいこんでしまい、歩留りを低下
させてしまうという問題点がある。
【０００８】本発明の目的は、金型の製作と保守が容易
で、歩留の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
することにある。
で、歩留の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂封止する
工程を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
タイバーのないリードフレームと該リードフレームの隣
り合う複数のリードのすきまと対応する位置に前記すき
まに挟入する突起を有する薄板を前記突起を前記すきま
に挟入して重ね合わせて樹脂封止し、樹脂封止後前期リ
ードフレームと前記薄板とを分離する工程を含む。
工程を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
タイバーのないリードフレームと該リードフレームの隣
り合う複数のリードのすきまと対応する位置に前記すき
まに挟入する突起を有する薄板を前記突起を前記すきま
に挟入して重ね合わせて樹脂封止し、樹脂封止後前期リ
ードフレームと前記薄板とを分離する工程を含む。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は本発明の第１の実施例に用いるリー
ドフレームに半導体素子を搭載した部分平面図、図２は
本発明の第１の実施例に用いる薄板の部分平面図、図３
は図１のリードフレームを図２の薄板上に重ね合わせた
ときの部分平面図である。
ドフレームに半導体素子を搭載した部分平面図、図２は
本発明の第１の実施例に用いる薄板の部分平面図、図３
は図１のリードフレームを図２の薄板上に重ね合わせた
ときの部分平面図である。
【００１２】第１の実施例は、まず、図１に示すリード
２間にタイバーのないリードフレーム８を用い、素子搭
載部１に半導体素子９を搭載し、半導体素子９とリード
２の先端とを金属細線１０で接続し、このリードフレー
ム８を図２に示す薄板上に図３に示すように、突起８を
リード２間のすきまに挟入して重ね合わせる。
２間にタイバーのないリードフレーム８を用い、素子搭
載部１に半導体素子９を搭載し、半導体素子９とリード
２の先端とを金属細線１０で接続し、このリードフレー
ム８を図２に示す薄板上に図３に示すように、突起８を
リード２間のすきまに挟入して重ね合わせる。
【００１３】図２に示すこの薄板の材質は銅であり、樹
脂封止部分には長方形の穴４があいており、その長辺の
周囲には突起５が図１のリードフレーム８の隣り合う複
数のリード２のすきまに対応した位置に設けられてい
る。この突起５は耐熱性ゴムでできており、その厚みは
図１のリードフレーム８の厚みよりも若干大きめになっ
ている。すなわち、リードフレーム８の厚みが２００μ
ｍであるのに対し、突起５の厚みは２２０μｍとする。
脂封止部分には長方形の穴４があいており、その長辺の
周囲には突起５が図１のリードフレーム８の隣り合う複
数のリード２のすきまに対応した位置に設けられてい
る。この突起５は耐熱性ゴムでできており、その厚みは
図１のリードフレーム８の厚みよりも若干大きめになっ
ている。すなわち、リードフレーム８の厚みが２００μ
ｍであるのに対し、突起５の厚みは２２０μｍとする。
【００１４】次に、図３に示す重ね合わされたリードフ
レーム８と薄板を樹脂封止金型の下型に乗せ、下型と上
型で型締めする。耐熱性ゴムでできた突起５は型締めの
圧力により、厚みが２２０μｍからリードフレーム８の
厚みである２００μｍにまで圧縮される。
レーム８と薄板を樹脂封止金型の下型に乗せ、下型と上
型で型締めする。耐熱性ゴムでできた突起５は型締めの
圧力により、厚みが２２０μｍからリードフレーム８の
厚みである２００μｍにまで圧縮される。
【００１５】その後、封止樹脂を金型内に注入して樹脂
封止する。このとき、封止樹脂は、図３に示すように、
複数のリード２間のすきまに位置している耐熱性ゴムで
できた突起５によってせき止められる。封止樹脂が硬化
した後、重ね合わされて樹脂封止されたリードフレーム
８と薄板を金型からとりだしリードフレーム８と薄板を
分離する。
封止する。このとき、封止樹脂は、図３に示すように、
複数のリード２間のすきまに位置している耐熱性ゴムで
できた突起５によってせき止められる。封止樹脂が硬化
した後、重ね合わされて樹脂封止されたリードフレーム
８と薄板を金型からとりだしリードフレーム８と薄板を
分離する。
【００１６】従来技術では樹脂封止後、金型によりタイ
バーを切断除去する必要があったが、本実施例ではその
必要がなくなる。
バーを切断除去する必要があったが、本実施例ではその
必要がなくなる。
【００１７】図４は本発明の第２の実施例を説明するリ
ードフレームと薄板の要部断面図である。
ードフレームと薄板の要部断面図である。
【００１８】第２の実施例は、図４に示すように、第１
の実施例と同様、図１のタイバーのないリードフレーム
８を用いるのであるが、第１の実施例とは異なり、突起
５のある薄板を２枚用いる。すなわち、上側の薄板６と
下側の薄板７でリードフレーム８をはさんで樹脂封止金
型で型締めする。上側の薄板６の突起５および下側の薄
板７の突起５はいずれもリードフレーム８の隣り合う複
数のリード２のすきまに対応して設けられている。ま
た、いずれも材質は耐熱性ゴムであり、厚みは１１０μ
ｍである。
の実施例と同様、図１のタイバーのないリードフレーム
８を用いるのであるが、第１の実施例とは異なり、突起
５のある薄板を２枚用いる。すなわち、上側の薄板６と
下側の薄板７でリードフレーム８をはさんで樹脂封止金
型で型締めする。上側の薄板６の突起５および下側の薄
板７の突起５はいずれもリードフレーム８の隣り合う複
数のリード２のすきまに対応して設けられている。ま
た、いずれも材質は耐熱性ゴムであり、厚みは１１０μ
ｍである。
【００１９】上側，下側それぞれの薄板に設けられた突
起の厚みの和は、１１０＋１１０＝２２０μｍである
が、型締めの圧力によりリードフレームの厚みである２
２０μｍにまで圧縮される。
起の厚みの和は、１１０＋１１０＝２２０μｍである
が、型締めの圧力によりリードフレームの厚みである２
２０μｍにまで圧縮される。
【００２０】樹脂封止後には、上側の薄板６，リードフ
レーム８，下側の薄板７を分離する。
レーム８，下側の薄板７を分離する。
【００２１】このようにすると、第１の実施例よりも封
止樹脂を効果的にせきとめることができ、封止樹脂がは
み出して外部リードに付着することを防止できるという
利点がある。
止樹脂を効果的にせきとめることができ、封止樹脂がは
み出して外部リードに付着することを防止できるという
利点がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、タイバー
のないリードフレームとリードフレームの隣り合う複数
のリードのすきまに対応する位置に突起の設けられてい
る薄板を重ね合わせて樹脂封止することにより、半導体
装置の形状が異なるごとに製作する必要のあった高価な
タイバー切断除去用プレス金型を不要にすることができ
るという効果がある。
のないリードフレームとリードフレームの隣り合う複数
のリードのすきまに対応する位置に突起の設けられてい
る薄板を重ね合わせて樹脂封止することにより、半導体
装置の形状が異なるごとに製作する必要のあった高価な
タイバー切断除去用プレス金型を不要にすることができ
るという効果がある。
【００２３】また、リード間ピッチが小さくなるにつれ
てタイバー切断ずれによる不良が増加する傾向にあった
が、タイバー切断ずれによる不良を完全になくすことが
でき、安定したリード形状を得ることができるという効
果がある。
てタイバー切断ずれによる不良が増加する傾向にあった
が、タイバー切断ずれによる不良を完全になくすことが
でき、安定したリード形状を得ることができるという効
果がある。
【００２４】また、タイバー切断除去時にプレスによる
衝撃が生じたが、衝撃は全くなくなり、半導体装置の品
質向上がはかれるという効果がある。
衝撃が生じたが、衝撃は全くなくなり、半導体装置の品
質向上がはかれるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例に用いるリードフレーム
に半導体素子を搭載した部分平面図である。
に半導体素子を搭載した部分平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に用いる薄板の部分平面
図である。
図である。
【図３】図１のリードフレームを図２の薄板上に重ね合
わせたときの部分平面図である。
わせたときの部分平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例を説明するリードフレー
ムと薄板の要部断面図である。
ムと薄板の要部断面図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明
するリードフレームの一例の部分平面図である。
するリードフレームの一例の部分平面図である。
１ 素子搭載部 ２ リード ３ タイバー ４ 穴 ５ 突起 ６ 上側の薄板 ７ 下側の薄板 ８ リードフレーム ９ 半導体素子 １０ 金属細線
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂封止する工程を含む樹脂封止型半導
体装置の製造方法において、タイバーのないリードフレ
ームと該リードフレームの隣り合う複数のリードのすき
まと対応する位置に前記すきまに挟入する突起を有する
薄板を前記突起を前記すきまに挟入して重ね合わせて樹
脂封止し、樹脂封止後前期リードフレームと前記薄板と
を分離する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21493591A JPH0555282A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21493591A JPH0555282A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555282A true JPH0555282A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16664013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21493591A Pending JPH0555282A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555282A (ja) |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21493591A patent/JPH0555282A/ja active Pending
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