JPH06317467A - 輝度検出回路 - Google Patents
輝度検出回路Info
- Publication number
- JPH06317467A JPH06317467A JP6000568A JP56894A JPH06317467A JP H06317467 A JPH06317467 A JP H06317467A JP 6000568 A JP6000568 A JP 6000568A JP 56894 A JP56894 A JP 56894A JP H06317467 A JPH06317467 A JP H06317467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- circuit
- node
- transistors
- amplified
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一つの感光デバイスを用いるだけで入射光の
上限を検出すること。 【構成】 入射光が所定輝度よりも大きいか否かを示す
二進電気信号を発生するための輝度検出回路であり、こ
の回路の光検出器は出力が第１のカレントミラーによっ
て増幅されるフォトダイオードである。この回路は基準
電流源を有し、この基準電流源の出力は第２のカレント
ミラーにより増幅される。いずれの電流も共通ノードに
送られ、増幅された入力電流が増幅された基準電流より
も大きくなった時に、この共通ノードの電圧レベルは低
レベルから高レベルに変化する。このノードは二進出力
を発生するＣＭＯＳインバータのゲート入力端に接続さ
れている。
上限を検出すること。 【構成】 入射光が所定輝度よりも大きいか否かを示す
二進電気信号を発生するための輝度検出回路であり、こ
の回路の光検出器は出力が第１のカレントミラーによっ
て増幅されるフォトダイオードである。この回路は基準
電流源を有し、この基準電流源の出力は第２のカレント
ミラーにより増幅される。いずれの電流も共通ノードに
送られ、増幅された入力電流が増幅された基準電流より
も大きくなった時に、この共通ノードの電圧レベルは低
レベルから高レベルに変化する。このノードは二進出力
を発生するＣＭＯＳインバータのゲート入力端に接続さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光学的回路に関
し、より詳細には光源から放射された光が所定の輝度よ
りも大きくなった時を測定するための回路に関する。
し、より詳細には光源から放射された光が所定の輝度よ
りも大きくなった時を測定するための回路に関する。
【０００２】
【従来技術】可視光源のある用途では、光源から放射さ
れた光が所定の輝度よりも大きくなった時を知ることが
望ましいことがある。このような輝度よりも大きくなっ
た時について知れば、制御、例えば光源の調節または遮
断を実施することができる。
れた光が所定の輝度よりも大きくなった時を知ることが
望ましいことがある。このような輝度よりも大きくなっ
た時について知れば、制御、例えば光源の調節または遮
断を実施することができる。
【０００３】光学的な利用は、半導体制御回路と組み合
わされることが多くなってきている。更に、光学的回路
のうちのいくつかは、半導体製造技術により実現でき
る。光電気デバイスを製造するのに、半導体技術を用い
る一例としては、空間光変調器、特に「変形自在なミラ
ーデバイス」または「デジタルマイクロミラーデバイ
ス」として知られている変調器の製造がある。これらデ
バイスは小さい機械的なミラー素子のアレイから成り、
これらミラー素子は少なくとも２つの位置に移動自在で
あり、光を元の位置に戻すことのできるような位置に位
置している場合、光を像フレームに反射させるようにな
っている。これらミラー素子は電極により制御され、別
々にアドレス指定されるようになっている。更にこれら
ミラー素子はアドレス指定回路と同様に一つの半導体基
板上に製造できる。
わされることが多くなってきている。更に、光学的回路
のうちのいくつかは、半導体製造技術により実現でき
る。光電気デバイスを製造するのに、半導体技術を用い
る一例としては、空間光変調器、特に「変形自在なミラ
ーデバイス」または「デジタルマイクロミラーデバイ
ス」として知られている変調器の製造がある。これらデ
バイスは小さい機械的なミラー素子のアレイから成り、
これらミラー素子は少なくとも２つの位置に移動自在で
あり、光を元の位置に戻すことのできるような位置に位
置している場合、光を像フレームに反射させるようにな
っている。これらミラー素子は電極により制御され、別
々にアドレス指定されるようになっている。更にこれら
ミラー素子はアドレス指定回路と同様に一つの半導体基
板上に製造できる。
【０００４】光を検出し、その輝度が所定レベルより大
きければ、ある種の信号を発生する用途に使用できる種
々のタイプの光検出器が入手可能となっている。しかし
ながら、他の回路と共に集積回路として容易に構成でき
るかかる回路を有することが好ましい。この回路が簡単
でかつ小型であるとすれば、大きな光電気デバイス上に
制御用サブ回路として構成できる。
きければ、ある種の信号を発生する用途に使用できる種
々のタイプの光検出器が入手可能となっている。しかし
ながら、他の回路と共に集積回路として容易に構成でき
るかかる回路を有することが好ましい。この回路が簡単
でかつ小型であるとすれば、大きな光電気デバイス上に
制御用サブ回路として構成できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】「光システムおよびデ
バイスの作動を制御するための方法」を発明の名称とす
る米国特許出願第728,925 号は、照度の下限と上限を検
出するために２つのフォトトランジスタを用いる論理回
路について述べている。上限を検出するのに一つの光検
出デバイスしか用いない代替回路が望まれている。
バイスの作動を制御するための方法」を発明の名称とす
る米国特許出願第728,925 号は、照度の下限と上限を検
出するために２つのフォトトランジスタを用いる論理回
路について述べている。上限を検出するのに一つの光検
出デバイスしか用いない代替回路が望まれている。
【０００６】本発明の第１の様相によれば、入射光が所
定レベルの輝度より大きくなったことを検出するのに、
電気信号を発生する回路が提供される。ここでは、フォ
トダイオードが入射光を検出し、入力電流を発生する。
第１のカレントミラーはこの入力電流を受け、かつ増幅
し、増幅した入力電流を中間ノードへ送る。電流源は基
準電流を発生するようになっており、第２カレントミラ
ーはこの基準電流を受け、これを増幅し、この増幅した
基準電流を中間ノードへ送るようになっている。増幅さ
れた入力電流が増幅された基準電流よりも大きくなれ
ば、インバータは中間ノードからのゲート電流を受け、
上記電流の関係に応じて二進出力を発生する。
定レベルの輝度より大きくなったことを検出するのに、
電気信号を発生する回路が提供される。ここでは、フォ
トダイオードが入射光を検出し、入力電流を発生する。
第１のカレントミラーはこの入力電流を受け、かつ増幅
し、増幅した入力電流を中間ノードへ送る。電流源は基
準電流を発生するようになっており、第２カレントミラ
ーはこの基準電流を受け、これを増幅し、この増幅した
基準電流を中間ノードへ送るようになっている。増幅さ
れた入力電流が増幅された基準電流よりも大きくなれ
ば、インバータは中間ノードからのゲート電流を受け、
上記電流の関係に応じて二進出力を発生する。
【０００７】本発明の技術的な利点は、スタンドアロー
ン（自立形）デバイスとして、または他のデバイスのた
めの周辺制御回路として、集積回路状に容易に製造でき
ることである。
ン（自立形）デバイスとして、または他のデバイスのた
めの周辺制御回路として、集積回路状に容易に製造でき
ることである。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明に係わる輝度検出回路１０を
示す。この回路１０はフォトダイオード１２と、６つの
トランジスタ１４ａ〜１４ｆと、電流源１６とを備え
る。これら素子の各々は、ＭＯＳ（金属酸化膜半導体）
製造技術を用いて製造できる。これらの説明ではＭＯＳ
デバイス、特にＭＯＳＦＥＴについて述べているが、バ
イポーラトランジスタデバイスによっても同じ回路１０
を構成することもできると解すべきである。
示す。この回路１０はフォトダイオード１２と、６つの
トランジスタ１４ａ〜１４ｆと、電流源１６とを備え
る。これら素子の各々は、ＭＯＳ（金属酸化膜半導体）
製造技術を用いて製造できる。これらの説明ではＭＯＳ
デバイス、特にＭＯＳＦＥＴについて述べているが、バ
イポーラトランジスタデバイスによっても同じ回路１０
を構成することもできると解すべきである。
【０００９】図１に示すように、共通アース（半導体デ
バイスの基板で構成できる）には、種々の配線がなされ
ている。電源は使用されている特定トランジスタに対し
て適当な標準電源となるように、ＶDDに接続されてい
る。例えば、ＭＯＳデバイスに対しては５Ｖの電源を使
用できる。
バイスの基板で構成できる）には、種々の配線がなされ
ている。電源は使用されている特定トランジスタに対し
て適当な標準電源となるように、ＶDDに接続されてい
る。例えば、ＭＯＳデバイスに対しては５Ｖの電源を使
用できる。
【００１０】一般的に、回路１０はフォトダイオード１
２に入射した光の輝度が所定スレッショルドよりも大き
いか否かに応じて、値が変わる高レベル信号または低レ
ベル信号をノードＣに発生する。このノードＣにおける
信号は、二進コードとして使用でき、このコードは入射
光を遮断するかどうかの判断をするのに使用できるし、
また記録のため単に記憶することもできる。また、上記
のやり方とは異なり、自動制御回路（図１には図示せ
ず）へ二進信号を送ることもできる。
２に入射した光の輝度が所定スレッショルドよりも大き
いか否かに応じて、値が変わる高レベル信号または低レ
ベル信号をノードＣに発生する。このノードＣにおける
信号は、二進コードとして使用でき、このコードは入射
光を遮断するかどうかの判断をするのに使用できるし、
また記録のため単に記憶することもできる。また、上記
のやり方とは異なり、自動制御回路（図１には図示せ
ず）へ二進信号を送ることもできる。
【００１１】フォトダイオード１２は従来のどのような
フォトダイオードデバイスでも使用できる。このダイオ
ードはディスクリートデバイスでもよいし、回路１０の
すべてを含む集積回路の一部として製造してもよい。フ
ォトダイオード１２のアノードは、基板または他の共通
アースに接続される。また、そのカソードはトランジス
タ１４ａ〜１４ｄから成る電流コンパレータに、更にト
ランジスタ１４ｅおよび１４ｆから成るインバータに接
続されている。
フォトダイオードデバイスでも使用できる。このダイオ
ードはディスクリートデバイスでもよいし、回路１０の
すべてを含む集積回路の一部として製造してもよい。フ
ォトダイオード１２のアノードは、基板または他の共通
アースに接続される。また、そのカソードはトランジス
タ１４ａ〜１４ｄから成る電流コンパレータに、更にト
ランジスタ１４ｅおよび１４ｆから成るインバータに接
続されている。
【００１２】トランジスタ１４ａ〜１４ｆのすべてはＭ
ＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ電界効果トランジスタ）である。図
１にはこれらのドレイン、ソースおよびゲートの接続が
示されている。トランジスタ１４ａ、１４ｂおよび１４
ｅはｐチャンネル形のトランジスタであり、トランジス
タ１４ｃ、１４ｄおよび１４ｆはｎチャンネル形のトラ
ンジスタである。図１には示していないが、回路１０が
集積回路の場合、基板への接続はトランジスタのソース
に対してなされる。
ＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ電界効果トランジスタ）である。図
１にはこれらのドレイン、ソースおよびゲートの接続が
示されている。トランジスタ１４ａ、１４ｂおよび１４
ｅはｐチャンネル形のトランジスタであり、トランジス
タ１４ｃ、１４ｄおよび１４ｆはｎチャンネル形のトラ
ンジスタである。図１には示していないが、回路１０が
集積回路の場合、基板への接続はトランジスタのソース
に対してなされる。
【００１３】フォトダイオード１２からの電流は、トラ
ンジスタ１４ａおよび１４ｂから成るカレントミラーに
流れ込む。
ンジスタ１４ａおよび１４ｂから成るカレントミラーに
流れ込む。
【００１４】従来のＭＯＳＦＥＴカレントミラーの場合
のように、トランジスタ１４ｂにより入力電流に比例し
て出力される電流量はトランジスタ１４ａおよび１４ｂ
の相対的大きさすなわちそれらの相対的チャンネル幅お
よびチャンネル長さによって決まる。こうしてトランジ
スタ１４ｂは増幅された入力電流をノードＢに与える。
のように、トランジスタ１４ｂにより入力電流に比例し
て出力される電流量はトランジスタ１４ａおよび１４ｂ
の相対的大きさすなわちそれらの相対的チャンネル幅お
よびチャンネル長さによって決まる。こうしてトランジ
スタ１４ｂは増幅された入力電流をノードＢに与える。
【００１５】電流源１６は電流ＩRef を発生する。この
電流源１６によって発生される電流の量は以下に説明す
るように増幅された入力電流の所望のスレッショルドに
おいて、ノードＢの電圧レベルの転換がある。理想的に
は、この電流源１６を調節可能にして、回路１０を異な
ったスレッショルドに設定できるようにするとよい。基
準電流源１６は回路１０の一部として集積化してもよい
し、または外部の入力回路として設けてもよい。
電流源１６によって発生される電流の量は以下に説明す
るように増幅された入力電流の所望のスレッショルドに
おいて、ノードＢの電圧レベルの転換がある。理想的に
は、この電流源１６を調節可能にして、回路１０を異な
ったスレッショルドに設定できるようにするとよい。基
準電流源１６は回路１０の一部として集積化してもよい
し、または外部の入力回路として設けてもよい。
【００１６】電流源１６からの電流はトランジスタ１４
ｃおよび１４ｄから成るカレントミラーに取り込まれ、
トランジスタ１４ｃによって増幅された基準電流をノー
ドＢに与える。
ｃおよび１４ｄから成るカレントミラーに取り込まれ、
トランジスタ１４ｃによって増幅された基準電流をノー
ドＢに与える。
【００１７】トランジスタ１４ｅおよび１４ｆのゲート
入力電流はノードＢにおける電圧によって決まる。これ
らトランジスタによってＣＭＯＳインバータが構成さ
れ、その結果、ノードＢが高レベル電圧の時はノードＣ
は低レベル電圧となり、ノードＢが低レベル電圧の時は
ノードＣは高レベル電圧となる。
入力電流はノードＢにおける電圧によって決まる。これ
らトランジスタによってＣＭＯＳインバータが構成さ
れ、その結果、ノードＢが高レベル電圧の時はノードＣ
は低レベル電圧となり、ノードＢが低レベル電圧の時は
ノードＣは高レベル電圧となる。
【００１８】作動について説明すると、入射光ＬI は回
路１０の表面を照射される。すべてのデバイスは、フォ
トダイオード１２を除き、光からシールドされている。
このシールドは金属膜形成段階（ｍｅｔａｌ ｆａｂｒ
ｉｃａｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ）を用いて行うことができ
る。フォトダイオード１２はこの入射光を受け、これに
応答して電流ＩP を発生し、この電流はトランジスタ１
４ｂにより増幅されノードＢに供給される。電流源１６
からの基準電流ＩRef は、トランジスタ１４ｃにより増
幅されノードＢに供給される。トランジスタ１４ｂから
の電流がトランジスタ１４ｃからの電流よりも大きくな
ると、ノードＢにおける電圧レベルは高レベルとなる。
これにより、トランジスタ１４ｅおよび１４ｆにより形
成されているインバータへのゲート入力電流が発生す
る。このゲート入力電流に応答してノードＣにおける出
力は高レベルから低レベルへ変化する。
路１０の表面を照射される。すべてのデバイスは、フォ
トダイオード１２を除き、光からシールドされている。
このシールドは金属膜形成段階（ｍｅｔａｌ ｆａｂｒ
ｉｃａｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ）を用いて行うことができ
る。フォトダイオード１２はこの入射光を受け、これに
応答して電流ＩP を発生し、この電流はトランジスタ１
４ｂにより増幅されノードＢに供給される。電流源１６
からの基準電流ＩRef は、トランジスタ１４ｃにより増
幅されノードＢに供給される。トランジスタ１４ｂから
の電流がトランジスタ１４ｃからの電流よりも大きくな
ると、ノードＢにおける電圧レベルは高レベルとなる。
これにより、トランジスタ１４ｅおよび１４ｆにより形
成されているインバータへのゲート入力電流が発生す
る。このゲート入力電流に応答してノードＣにおける出
力は高レベルから低レベルへ変化する。
【００１９】回路１０を使った例として、ＬI の輝度レ
ベルが２０００ルーメンより大きくなったことを示すの
に、回路１０を用いることが望ましい。１７平方ミクロ
ンの特定のフォトダイオード１２の寸法および他の特性
は、この輝度レベルに達すると約５マイクロアンペアの
ＩP が発生することを示している。このような概算値は
特定ダイオード１２の量子効率に従って変わり得るが、
公知の技術を用いて予測しまたは実験で得ることができ
る。カレントミラー比および電流源１６の電流発生容量
は、ＩP が５マイクロアンペアよりも大きくなると、ト
ランジスタ１４ｂからの電流がノードＢにおけるトラン
ジスタ１４ｃからの電流よりも大きくなるように選択さ
れている。この結果、ノードＢにおける電圧は高レベル
となり、ノードＣにおける二進出力は低レベルとなる。
ベルが２０００ルーメンより大きくなったことを示すの
に、回路１０を用いることが望ましい。１７平方ミクロ
ンの特定のフォトダイオード１２の寸法および他の特性
は、この輝度レベルに達すると約５マイクロアンペアの
ＩP が発生することを示している。このような概算値は
特定ダイオード１２の量子効率に従って変わり得るが、
公知の技術を用いて予測しまたは実験で得ることができ
る。カレントミラー比および電流源１６の電流発生容量
は、ＩP が５マイクロアンペアよりも大きくなると、ト
ランジスタ１４ｂからの電流がノードＢにおけるトラン
ジスタ１４ｃからの電流よりも大きくなるように選択さ
れている。この結果、ノードＢにおける電圧は高レベル
となり、ノードＣにおける二進出力は低レベルとなる。
【００２０】図２は変形可能なミラーデバイス（ＤＭ
Ｄ）２０のサブ回路としての回路１０を示す。基板２４
上にはピクセル素子アレイおよびそのアドレス指定回路
２２が製造されている。同じ基板２４上には回路１０も
周辺制御回路として製造されている。作動について説明
すると、回路１０はピクセル素子アレイ２２が受けるの
と同じ入射光ＬI を受ける。反射光ＬR は所定スレッシ
ョルドより低く留まることが望ましい。ＬI とＬR との
関係はピクセル素子アレイ２２の量子効率に応じたある
比となっている。従って、ＬI を所定の値にすればその
結果ＬR は所定の値となることが予想できる。更に、回
路１０はＬI の値の結果、ＬR がスレッショルドよりも
高くなるかを判断するのに使用できる。
Ｄ）２０のサブ回路としての回路１０を示す。基板２４
上にはピクセル素子アレイおよびそのアドレス指定回路
２２が製造されている。同じ基板２４上には回路１０も
周辺制御回路として製造されている。作動について説明
すると、回路１０はピクセル素子アレイ２２が受けるの
と同じ入射光ＬI を受ける。反射光ＬR は所定スレッシ
ョルドより低く留まることが望ましい。ＬI とＬR との
関係はピクセル素子アレイ２２の量子効率に応じたある
比となっている。従って、ＬI を所定の値にすればその
結果ＬR は所定の値となることが予想できる。更に、回
路１０はＬI の値の結果、ＬR がスレッショルドよりも
高くなるかを判断するのに使用できる。
【００２１】ＤＭＤ２０から反射される光がスレッショ
ルドを越えると、ノードＣにおける電圧は図１を参照し
て説明したように高レベルとなる。この信号は制御回路
２８に送ることができ、ＤＭＤ２０の作動を停止させる
のに使用できる。例えば制御回路２８は回路１０からの
信号によって作動を停止できるマスタークロックを含む
ことができる。
ルドを越えると、ノードＣにおける電圧は図１を参照し
て説明したように高レベルとなる。この信号は制御回路
２８に送ることができ、ＤＭＤ２０の作動を停止させる
のに使用できる。例えば制御回路２８は回路１０からの
信号によって作動を停止できるマスタークロックを含む
ことができる。
【００２２】以上で特定の実施例を参照して本発明につ
いて説明したが、この実施例の説明は限定を意味するも
のではない。当業者には代替実施例と同じように、開示
した実施例について種々の変形例が明らかであろう。従
って添付した請求項は本発明の真の範囲内に入るすべて
の変形例をカバーするものである。
いて説明したが、この実施例の説明は限定を意味するも
のではない。当業者には代替実施例と同じように、開示
した実施例について種々の変形例が明らかであろう。従
って添付した請求項は本発明の真の範囲内に入るすべて
の変形例をカバーするものである。
【００２３】以上の説明に関して、更に以下の項を開示
する。
する。
【００２４】（１）入射光が所定レベルの輝度よりも大
きいか、または小さいかを示す電気信号を発生するため
の回路であって、入射光を検出し、かつ入力電流を発生
するためのフォトダイオードと、前記入力電流を受け、
かつこれを増幅し、増幅した入力電流を中間ノードへ送
るための第１のカレントミラーと、基準電流を発生する
ための電流源と、前記基準電流を受け、かつこれを増幅
し、増幅した基準電流を前記中間ノードへ送るための第
２のカレントミラーと、前記中間ノードからの電流を受
け、前記増幅された入力電流が前記増幅された基準電流
よりも大きくなった時に、出力端におけるステートを変
更するためのインバータとを備えた電気信号発生回路。
きいか、または小さいかを示す電気信号を発生するため
の回路であって、入射光を検出し、かつ入力電流を発生
するためのフォトダイオードと、前記入力電流を受け、
かつこれを増幅し、増幅した入力電流を中間ノードへ送
るための第１のカレントミラーと、基準電流を発生する
ための電流源と、前記基準電流を受け、かつこれを増幅
し、増幅した基準電流を前記中間ノードへ送るための第
２のカレントミラーと、前記中間ノードからの電流を受
け、前記増幅された入力電流が前記増幅された基準電流
よりも大きくなった時に、出力端におけるステートを変
更するためのインバータとを備えた電気信号発生回路。
【００２５】（２）前記カレントミラーの少なくとも一
つが、前記入力電流への共通ゲート接続部を有する一対
のトランジスタを備えた第１項記載の回路。
つが、前記入力電流への共通ゲート接続部を有する一対
のトランジスタを備えた第１項記載の回路。
【００２６】（３）前記トランジスタは電界効果トラン
ジスタである第２項記載の回路。
ジスタである第２項記載の回路。
【００２７】（４）前記インバータは前記基準電流への
共通ゲート接続部を有する一対のトランジスタを備えた
第１項記載の回路。
共通ゲート接続部を有する一対のトランジスタを備えた
第１項記載の回路。
【００２８】（５）前記トランジスタは電界効果トラン
ジスタである第４項記載の回路。
ジスタである第４項記載の回路。
【００２９】（６）前記カレントミラーおよび前記イン
バータはＭＯＳ電界効果トランジスタを備える第１項記
載の回路。
バータはＭＯＳ電界効果トランジスタを備える第１項記
載の回路。
【００３０】（７）前記電流源は調節自在である第１項
記載の回路。
記載の回路。
【００３１】（８）前記カレントミラーおよび前記イン
バータは集積回路として製造されている第１項記載の回
路。
バータは集積回路として製造されている第１項記載の回
路。
【００３２】（９）輝度出力が自動的に所定輝度に限定
される変形自在なミラーデバイスであって、マイクロ機
械ミラー素子のアレイと、前記ミラー素子の各々を別々
にアドレス指定するためのアドレス指定回路と、遮断回
路とを備え、前記遮断回路は前記ミラー素子に入射する
光を受け、入力電流を発生するためのフォトダイオード
と、中間ノードへの前記入力電流を増幅するための第１
のカレントミラーと、基準電流を発生するための電流源
と、中間ノードへの前記基準電流を増幅するための第２
のカレントミラーと、前記中間ノードからの電流を受
け、前記中間ノードにおける電圧に応じて二進出力を発
生するためのインバータとを備えた変形自在なミラーデ
バイス。
される変形自在なミラーデバイスであって、マイクロ機
械ミラー素子のアレイと、前記ミラー素子の各々を別々
にアドレス指定するためのアドレス指定回路と、遮断回
路とを備え、前記遮断回路は前記ミラー素子に入射する
光を受け、入力電流を発生するためのフォトダイオード
と、中間ノードへの前記入力電流を増幅するための第１
のカレントミラーと、基準電流を発生するための電流源
と、中間ノードへの前記基準電流を増幅するための第２
のカレントミラーと、前記中間ノードからの電流を受
け、前記中間ノードにおける電圧に応じて二進出力を発
生するためのインバータとを備えた変形自在なミラーデ
バイス。
【００３３】（１０）前記遮断回路は前記アドレス指定
回路と同じ基板上に製造されている第９項記載のデバイ
ス。
回路と同じ基板上に製造されている第９項記載のデバイ
ス。
【００３４】（１１）前記カレントミラーの少なくとも
一つが、前記入力電流への共通ゲート接続部を有する一
対のトランジスタを備えた第９項記載のデバイス。
一つが、前記入力電流への共通ゲート接続部を有する一
対のトランジスタを備えた第９項記載のデバイス。
【００３５】（１２）前記トランジスタは電界効果トラ
ンジスタである第１１項記載のデバイス。
ンジスタである第１１項記載のデバイス。
【００３６】（１３）前記インバータは前記基準電流へ
の共通ゲート接続部を有する一対のトランジスタを備え
た第９項記載のデバイス。
の共通ゲート接続部を有する一対のトランジスタを備え
た第９項記載のデバイス。
【００３７】（１４）前記トランジスタは電界効果トラ
ンジスタである第１３項記載のデバイス。
ンジスタである第１３項記載のデバイス。
【００３８】（１５）前記カレントミラーおよび前記イ
ンバータはＭＯＳ電界効果トランジスタを備える第９項
記載のデバイス。
ンバータはＭＯＳ電界効果トランジスタを備える第９項
記載のデバイス。
【００３９】（１６）前記電流源は調節自在である第９
項記載のデバイス。
項記載のデバイス。
【００４０】（１７）入射光が所定輝度よりも大きいか
否かを示す二進電気信号を発生するための輝度検出回路
であり、この回路の光検出器は出力が第１のカレントミ
ラーによって増幅されるフォトダイオードである。この
回路は基準電流源を有し、この基準電流源の出力は第２
のカレントミラーにより増幅される。いずれの電流も共
通ノードに送られ、増幅された入力電流が増幅された基
準電流よりも大きくなった時に、この共通ノードの電圧
レベルは低レベルから高レベルに変化する。このノード
は二進出力を発生するＣＭＯＳインバータのゲート入力
端に接続されている。
否かを示す二進電気信号を発生するための輝度検出回路
であり、この回路の光検出器は出力が第１のカレントミ
ラーによって増幅されるフォトダイオードである。この
回路は基準電流源を有し、この基準電流源の出力は第２
のカレントミラーにより増幅される。いずれの電流も共
通ノードに送られ、増幅された入力電流が増幅された基
準電流よりも大きくなった時に、この共通ノードの電圧
レベルは低レベルから高レベルに変化する。このノード
は二進出力を発生するＣＭＯＳインバータのゲート入力
端に接続されている。
【図１】本発明に係わる輝度検出回路を示す。
【図２】図１の輝度検出回路を含む変形自在なミラーデ
バイスを示す。
バイスを示す。
１０ 回路 １２ フォトダイオード １４ａ〜１４ｆ トランジスタ １６ 電流源
Claims (1)
- 【請求項１】 入射光が所定レベルの輝度よりも大きい
か、または小さいかを示す電気信号を発生するための回
路であって、 入射光を検出し、かつ入力電流を発生するためのフォト
ダイオードと、 前記入力電流を受け、かつこれを増幅し、増幅した入力
電流を中間ノードへ送るための第１のカレントミラー
と、 基準電流を発生するための電流源と、 前記基準電流を受け、かつこれを増幅し、増幅した基準
電流を前記中間ノードへ送るための第２のカレントミラ
ーと、 前記中間ノードからの電流を受け、前記増幅され入力電
流が前記増幅された基準電流よりも大きくなった時に、
出力端におけるステートを変更するためのインバータと
を備えた電気信号発生回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US231093A | 1993-01-08 | 1993-01-08 | |
| US002310 | 1993-01-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317467A true JPH06317467A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=21700186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6000568A Pending JPH06317467A (ja) | 1993-01-08 | 1994-01-07 | 輝度検出回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5481118A (ja) |
| JP (1) | JPH06317467A (ja) |
| AU (1) | AU5306494A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005221688A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
| CN116191831A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-05-30 | 苏州锴威特半导体股份有限公司 | 开关管电流检测电路和桥式驱动电路 |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
| US5841579A (en) | 1995-06-07 | 1998-11-24 | Silicon Light Machines | Flat diffraction grating light valve |
| US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
| US6188427B1 (en) * | 1997-04-23 | 2001-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Illumination system having an intensity calibration system |
| US6088102A (en) | 1997-10-31 | 2000-07-11 | Silicon Light Machines | Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system |
| JP3787449B2 (ja) * | 1998-01-14 | 2006-06-21 | キヤノン株式会社 | アナログ信号処理回路 |
| US6271808B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-08-07 | Silicon Light Machines | Stereo head mounted display using a single display device |
| US6101036A (en) | 1998-06-23 | 2000-08-08 | Silicon Light Machines | Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display |
| US6130770A (en) | 1998-06-23 | 2000-10-10 | Silicon Light Machines | Electron gun activated grating light valve |
| US6215579B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-04-10 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image |
| US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
| DE60107041T2 (de) | 2000-12-28 | 2005-10-20 | Texas Instruments Inc., Dallas | Verfahren und Vorrichtung zum Ausschalten eines räumlichen Lichtmodulators |
| US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6785001B2 (en) * | 2001-08-21 | 2004-08-31 | Silicon Light Machines, Inc. | Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal |
| US6794630B2 (en) * | 2001-12-17 | 2004-09-21 | Intel Corporation | Method and apparatus for adjusting the threshold of a CMOS radiation-measuring circuit |
| US7116459B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-10-03 | Texas Instruments Incorporated | Field diode detection of excess light conditions for spatial light modulator |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6878920B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-04-12 | Intel Corporation | Optical receiver circuit, method, and system |
| US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
| US6930300B1 (en) | 2002-07-30 | 2005-08-16 | Finisar Corporation | Method and apparatus for monitoring a photo-detector in an optical transceiver |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US7057795B2 (en) * | 2002-08-20 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-structures with individually addressable ribbon pairs |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US6888123B2 (en) * | 2003-05-09 | 2005-05-03 | Finisar Corporation | Method and apparatus for monitoring a photo-detector |
| US7253391B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus |
| CN100477240C (zh) * | 2003-10-06 | 2009-04-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件以及制造该器件的方法 |
| JP3691050B2 (ja) | 2003-10-30 | 2005-08-31 | 総吉 廣津 | 半導体撮像素子 |
| US6950217B2 (en) * | 2004-01-02 | 2005-09-27 | Reflectivity, Inc. | Spatial light modulators having photo-detectors for use in display systems |
| JP4817636B2 (ja) | 2004-10-04 | 2011-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR101285051B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2013-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광검출 장치, 그를 이용한 액정표시장치 및 그의 구동방법 |
| US8058675B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device using the same |
| EP1986238A3 (en) * | 2007-04-27 | 2010-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Resin molded optical semiconductor device and corresponding fabrication method |
| CN113711222B (zh) | 2020-08-07 | 2022-06-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 用于芯片的激光注入攻击检测电路和安全芯片 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4038555A (en) * | 1974-08-28 | 1977-07-26 | Gilford Instrument Laboratories, Inc. | Photometric measuring system |
| US4015117A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-29 | Opcon, Inc. | Unbiased modulated photo sensing systems |
| JPS5510569A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-25 | Minolta Camera Co Ltd | Method and apparatus for photometry |
| US4230265A (en) * | 1979-05-07 | 1980-10-28 | Transaction Technology, Inc. | Adaptive threshold optical reader |
| US4663521A (en) * | 1985-02-15 | 1987-05-05 | Rca Corporation | Infrared radiation controlled switch with a visible light detector |
| US5004901A (en) * | 1987-06-04 | 1991-04-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Current mirror amplifier for use in an optical data medium driving apparatus and servo-circuit |
| US4764682A (en) * | 1986-09-16 | 1988-08-16 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Photosensitive pixel sized and shaped to optimize packing density and eliminate optical cross-talk |
| US4719405A (en) * | 1986-12-22 | 1988-01-12 | Emerson Electric Co. | High voltage current regulator |
| JPH02308575A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Nissan Motor Co Ltd | 光検出セル |
| US5055669A (en) * | 1989-06-29 | 1991-10-08 | Multipoint Control Systems | Constant-current light-sensing system |
| US5327210A (en) * | 1989-07-11 | 1994-07-05 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Light measurement device |
| US5233180A (en) * | 1990-08-30 | 1993-08-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Light sensor having an integration circuit |
| US5126721A (en) * | 1990-10-23 | 1992-06-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Flame quality monitor system for fixed firing rate oil burners |
| US5179274A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for controlling operation of optical systems and devices |
-
1994
- 1994-01-06 AU AU53064/94A patent/AU5306494A/en not_active Abandoned
- 1994-01-07 JP JP6000568A patent/JPH06317467A/ja active Pending
-
1995
- 1995-01-26 US US08/378,915 patent/US5481118A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005221688A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
| CN116191831A (zh) * | 2023-05-04 | 2023-05-30 | 苏州锴威特半导体股份有限公司 | 开关管电流检测电路和桥式驱动电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5481118A (en) | 1996-01-02 |
| AU5306494A (en) | 1994-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06317467A (ja) | 輝度検出回路 | |
| US7186964B2 (en) | Dark current reduction circuitry for CMOS active pixel sensors | |
| CN111526306A (zh) | 具有单光子雪崩二极管像素的半导体器件 | |
| JP4654046B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサのクランプ回路 | |
| WO2019223329A1 (zh) | 像素电路、显示面板、显示设备以及像素电路的控制方法 | |
| JP2002101047A (ja) | 発光ダイオード駆動回路およびそれを用いた光送信モジュール | |
| US8003930B2 (en) | Ambient light sensor | |
| KR100436074B1 (ko) | 안정한 저전압동작이 가능한 증폭형 고체촬상장치용출력회로 | |
| US20040109074A1 (en) | Image sensor and optical pointing system using the same | |
| JP3601053B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6680468B1 (en) | Electrical-supply-free MOS integrated circuit | |
| WO2020189137A1 (ja) | 電流生成回路および測距システム | |
| US6356065B1 (en) | Current-voltage converter with changeable threshold based on peak inputted current | |
| US7067785B2 (en) | Solid-state image pickup device used as a photoelectric conversion device with improved dynamic range | |
| WO2020237624A1 (zh) | 一种激光器二极管驱动电路、方法及激光扫描装置 | |
| KR100666697B1 (ko) | 광센서 회로 | |
| US7227119B2 (en) | Current voltage converter circuit | |
| JPS62250719A (ja) | 半導体リレ−回路 | |
| JP4611255B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| CN110198166B (zh) | 一种像素电路及相应运行方法 | |
| JP2003174596A (ja) | 固体撮像装置用出力回路 | |
| KR100724254B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| JP2738607B2 (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| JPH07239490A (ja) | 光受信器を参照するための装置と方法 | |
| KR20040093908A (ko) | 씨모스 이미지 센서의 단위화소 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20031209 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20031212 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040309 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040416 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040716 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040727 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041018 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050404 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050509 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050527 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060901 |