JP2002101047A - 発光ダイオード駆動回路およびそれを用いた光送信モジュール - Google Patents

発光ダイオード駆動回路およびそれを用いた光送信モジュール

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JP2002101047A JP2000291909A JP2000291909A JP2002101047A JP 2002101047 A JP2002101047 A JP 2002101047A JP 2000291909 A JP2000291909 A JP 2000291909A JP 2000291909 A JP2000291909 A JP 2000291909A JP 2002101047 A JP2002101047 A JP 2002101047A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速動作が可能な発光ダイオード駆動回路お
よびそれを用いた光送信モジュールを提供する。 【解決手段】 LED(1)と、このLED(1)と直
列に接続され、入力端子(32)から入力される外部入
力信号により電流をオン/オフさせる第1の電流スイッ
チ回路(2)と、この第1の電流スイッチ回路(2)と
並列に接続され、前記LED(1)から出力される光波
形の立ち上がり部が所望の光波形になるように、前記外
部入力信号のパルス幅より狭いパルス幅を有するパルス
電流を印加するパルス電流発生回路(3)と、前記LE
D(1)と並列に接続され、前記第1の電流スイッチ回
路(2)の電流がオフになったときに前記LED(1)
に蓄積された電荷を急速に放電するディスチャージ回路
(5)とを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
(LED)駆動回路およびそれを用いた光送信モジュー
ルに関し、特に高速の光送信モジュールあるいは光トラ
ンシーバに使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】従来の光出力波形を高速化する発光ダイ
オード(LED)駆動回路は、特開平7−74788
「高速光送信回路」で開示されているように、立ち下が
り時間の高速化回路を使い、さらに立ち上がり部分にも
ピーキングをかける構成となっている。
【0003】図6は、従来技術による発光ダイオード駆
動回路を示している。図6に示すように、入力端子(3
2)には第1の電流スイッチ回路(33)とバッファア
ンプ(34)とインバータ(35)との入力が接続され
ている。バッファアンプ(34)の出力には第1のコン
デンサ(36)が接続され、この第1のコンデンサ(3
6)には第2の電流スイッチ回路(38)が接続されて
いる。インバータ(35)の出力には第2のコンデンサ
(37)が接続され、このコンデンサ(37)には第3
の電流スイッチ回路(39)が接続されている。この第
3の電流スイッチ回路(39)にはPNPトランジスタ
からなるカレントミラー回路(40)が接続され、この
カレントミラー回路(40)にはLED(1)が接続さ
れている。このLED(1)のカソードには第1、第2
の電流スイッチ回路(33)(38)が接続されてい
る。なお、LED(1)のアノードには電源電位Vcc
が供給されている。
【0004】上記従来の駆動回路によれば、第1の電流
スイッチ回路(33)によりLED(1)の駆動電流が
オン/オフされるとともに、バッファアンプ(34)を
通ったデジタル信号が第1のコンデンサ(36)で微分
され、この微分されたデジタル信号の立ち上がりエッジ
がコンパレータ+第2の電流スイッチ(38)で電流信
号に変換されてLED(1)に加えられる。さらに、イ
ンバータ(35)で反転されたデジタル信号が第2のコ
ンデンサ(37)で微分され、この微分されたデジタル
信号の立ち下がりエッジがコンパレータ+電流スイッチ
(39)でパルス電流信号に変換されてカレントミラー
回路(40)に加えられる。そして、このカレントミラ
ー回路(40)の出力信号がLED(1)のカソードに
供給される。
【0005】このような構成にすることにより、立ち上
がり時はLED(1)をオーバードライブし、立ち下が
り時にはLED(1)に蓄積された電荷をディスチャー
ジするため、LED(1)を高速にドライブすることが
できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の駆動回路には、以下に示す三つの問題点がある。
【0007】一つめの問題は、一般にIC内で使用する
ことのできるPNPトランジスタは、遮断周波数の低い
ラテラルタイプのものが多く、高速パルス電流を流すこ
とができない。遮断周波数の比較的高いバーチカルタイ
プのPNPトランジスタも作ることはできるが、NPN
トランジスタほど高速パルス電流を流すことができない
上に、コレクタ−サブストレート間の寄生容量が大きく
100Mbps以上で駆動しようとすると高速性は十分
といえない。したがって、十分な高速動作が困難である
という問題があった。
【0008】二つめの問題は、コンデンサによる微分信
号によりパルス電流を発生させているため、LEDに加
えるパルス電流のパルス幅を所望の値に設計することが
難しい。このため、微分信号により発生されたパルス電
流は、LEDに蓄積された電荷をディスチャージするた
めのパルス電流のパルス幅と合わせることが難しい。し
たがって、所望の光出力波形を得るのが難しいという問
題があった。
【0009】三つめの問題は、LEDは、通常の接合容
量に加え、電流を流すとこの電流に比例して増大する1
00乃至200pF程度の遷移時間の容量成分がある。
これにより、電流を印加した場合、この電流はまず遷移
時間の容量成分をチャージするために使われるため、光
出力が所望の値になるまでに10乃至20ns程度の遅
延時間が生じる。さらに、立ち下がり時は、わずかな電
圧降下で電流が流れなくなるため、立ち上がり時に比べ
て遅延時間は短い。したがって、光のパルス幅が入力の
パルス幅と比べてやせてしまうことになり、従来の回路
構造は高速伝送に適さないという問題が生じていた。
【0010】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的とするところは、高速動作が可
能な発光ダイオード駆動回路およびそれを用いた光送信
モジュールを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために以下に示す手段を用いている。
【0012】本発明の発光ダイオード駆動回路は、発光
ダイオードと、この発光ダイオードと直列に接続され、
入力端子から入力される外部入力信号により電流をオン
/オフさせる第1の電流スイッチ回路と、この第1の電
流スイッチ回路と並列に接続され、前記発光ダイオード
から出力される光波形の立ち上がり部が所望の光波形に
なるように、前記外部入力信号のパルス幅より狭いパル
ス幅を有するパルス電流を印加するパルス電流発生回路
と、前記発光ダイオードと並列に接続され、前記第1の
電流スイッチ回路の電流がオフになったときに前記発光
ダイオードに蓄積された電荷を急速に放電するディスチ
ャージ回路とを具備している。
【0013】前記ディスチャージ回路は、前記発光ダイ
オードのアノードにコレクタが接続され、前記発光ダイ
オードのカソードにエミッタが接続されたトランジスタ
と、このトランジスタのべ一スに接続された電圧スイッ
チ回路とを有し、前記第1の電流スイッチ回路がオンの
時には前記トランジスタに電流が流れないように前記電
圧スイッチ回路の出力電圧Vonが設定され、前記第1
の電流スイッチ回路がオフの時には前記発光ダイオード
のジャンクションに蓄積された電荷が放電するように前
記電圧スイッチ回路の電圧Voffが設定されている。
【0014】前記パルス電流発生回路は、前記外部入力
信号を遅延させる第1の遅延回路と、一方の入力が前記
第1の遅延回路出力に接続され他方の入力が前記外部入
力信号に接続されたEXOR回路、一方の入力が前記E
XOR回路の出力に接続され他方の入力が前記外部入力
信号に接続されたAND回路とからなる立ち上がりエッ
ジ検出回路と、この立ち上がりエッジ検出回路の出力に
接続された第2の電流スイッチ回路とを具備し、前記パ
ルス電流発生回路は、前記立ち上がりエッジパルス電流
を発生させる。
【0015】前記パルス電流発生回路は、立ち上がりエ
ッジパルス電流を発生させていない時間領域で、前記第
1の電流スイッチ回路で切りかえる電流値よりも低い値
の定常電流を出力している。
【0016】前記入力端子と前記第1の電流スイッチ回
路との間に、前記外部入力信号のパルス幅を所定の大き
さに広げるパルス整形回路をさらに具備してもよい。こ
こで、前記パルス整形回路は、前記外部入力信号を遅延
させる第2の遅延回路と、一方の入力が前記第2の遅延
回路の出力に接続され、他方の入力が前記外部入力信号
に接続されたOR回路とを有している。
【0017】前記発光ダイオードの動作温度が変化して
順方向の電圧降下が変化した場合、この電圧降下の変動
を追随するように、前記電圧スイッチ回路の出力電圧V
on/Voffを制御する温度補償回路をさらに具備し
てもよい。
【0018】前記トランジスタはMOSトランジスタで
構成され、このMOSトランジスタのゲートには前記電
圧スイッチ回路の出力が接続され、前記MOSトランジ
スタのソースには前記発光ダイオードのアノード又はカ
ソードが接続され、前記MOSトランジスタのドレイン
には前記発光ダイオードのカソード又はアノードが接続
されていてもよい。
【0019】上記本発明の発光ダイオード駆動回路によ
れば、ディスチャージ回路により、発光ダイオードに蓄
積された電荷を急速にディスチャージすることができ、
高速な立ち下がり波形を得ることができる。したがっ
て、PNPトランジスタを用いることなく、高速動作が
可能となる。
【0020】また、パルス電流発生回路により、パルス
幅とピーク電流値とが制御された立ち上がりエッジパル
ス電流を発生させることができる。したがって、この立
ち上がりエッジパルス電流を発光ダイオードに加えるこ
とで、発光ダイオードの立ち上がり時間を短縮すること
ができ、高速動作が可能となる。さらに、パルス電流発
生回路を用いることにより、微分信号を用いてパルス電
流を発生させることなく、パルス電流を発生することが
可能であるため、所望の光出力波形を得ることが可能と
なる。
【0021】また、パルス整形回路を用いて光出力の波
形を調整することにより、発光ダイオードの特性に起因
した光パルス幅の細りを抑制することができる。したが
って、入力パルスと等しい正確なパルス幅を有する光出
力を発生させることが可能となり、高速動作が可能とな
る。
【0022】本発明の発光ダイオード駆動回路を用いた
光送信モジュールは、サブモジュール基板またはリード
フレームと、このサブモジュール基板またはリードフレ
ーム上に搭載された上記発光ダイオード駆動回路を有す
るICおよび発光ダイオードと、前記発光ダイオードと
光学的に結合する光コネクタと、前記ICまたは発光ダ
イオードと電気的に結合するリードと、前記サブモジュ
ール基板またはリードフレームと前記光コネクタと前記
リードとを収容するパッケージとを具備している。
【0023】上記本発明の発光ダイオード駆動回路を用
いた光送信モジュールによれば、上記発光ダイオード駆
動回路を用いることにより、正確なパルス幅を有し、か
つ立ち上がりおよび立ち下がり時間が高速な光出力波形
を得ることができる。このため、本質的に大きな値の接
合容量を持つ発光ダイオードに対しても高速変調が可能
で、かつパルス波形の歪みが小さいため、消費電力が小
さな低電圧電源にも対応可能な光送信モジュールを実現
できる。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。
【0025】[第1の実施形態]図1は、本発明の第1
の実施形態に係る発光ダイオード駆動回路を示してい
る。図1に示すように、入力端子(32)にはパルス電
流発生回路(3)とパルス整形回路(16)との入力が
接続され、このパルス整形回路(16)の出力には第1
の電流スイッチ回路(2)とディスチャージ回路(5)
との入力が接続されている。このディスチャージ回路
(5)の出力にはLED(1)のアノードとカソードと
が接続され、このLED(1)のカソードにはパルス電
流発生回路(3)と第1の電流スイッチ回路(2)との
出力が接続されている。このように、第1の電流スイッ
チ回路(2)はLED(1)と直列に接続され、ディス
チャージ回路(5)はLED(1)と並列に接続され、
パルス電流発生回路(3)は第1の電流スイッチ回路
(2)と並列に接続されている。なお、LED(1)の
アノードには電源電位Vccが供給されている。また、
第1の電流スイッチ回路(2)は、入力端子(32)か
ら入力される外部入力信号により電流をオン/オフさせ
ている。
【0026】上記ディスチャージ回路(5)は、第1の
電流スイッチ回路(2)の電流がオフになったときにL
ED(1)に蓄積された電荷を急速に放電する機能を有
する。このディスチャージ回路(5)は、パルス整形回
路(16)の出力に接続される電圧スイッチ回路(1
0)と、この電圧スイッチ回路(10)に接続されるト
ランジスタ(6)とから構成されている。ここで、トラ
ンジスタ(6)のべ一ス(8)には電圧スイッチ回路
(10)の出力が接続され、コレクタ(7)にはLED
(1)のアノードが接続され、エミッタ(9)にはLE
D(1)のカソードが接続されている。さらに、第1の
電流スイッチ回路(2)がオンの時にはトランジスタ
(6)に電流が流れないように電圧スイッチ回路(2)
の出力電圧Vonが設定され、第1の電流スイッチ回路
(2)がオフの時にはLED(1)のジャンクションに
蓄積された電荷がトランジスタ(6)を通して放電する
ように電圧スイッチ回路(2)の出力電圧Voffが設
定されている。
【0027】このような構成にすることにより、入力信
号の立ち下がり時に、LED(1)に蓄積された電荷を
急速にディスチャージすることができるので、高速な立
ち下がり波形を得ることができる。
【0028】図2は、パルス電流発生回路(3)の回路
構成を示している。パルス電流発生回路(3)は、LE
D(1)から出力される光波形の立ち上がり部が所望の
光波形になるように、外部入力信号のパルス幅より狭い
パルス幅を有するパルス電流を印加する機能を有する。
図2に示すように、パルス電流発生回路(3)は、入力
端子(32)から入力された外部入力信号を遅延させる
ために設けられた第1の遅延回路(12)と、一方の入
力が前記第1の遅延回路の出力に接続され他方の入力が
外部入力信号に接続されたイクスクルーシブOR回路
(以下、EXOR回路と称す)(13)と、一方の入力
が前記EXOR回路(13)の出力に接続され他方の入
力が外部入力信号に接続されたAND回路(14)とか
らなる立ち上がりエッジ検出回路と、この立ち上がりエ
ッジ検出回路の出力に接続された第2の電流スイッチ回
路(15)とで構成される。ここで、第2の電流スイッ
チ回路(15)は、エッジ検出器(立ち上がりエッジ検
出回路)から入力されたパルス幅を保持すると同時に、
ピーク電流値を可変設定できる機能を有する。
【0029】このような構成にすることにより、EXO
R回路(13)の出力には、入力信号の立ち上がり部と
立ち下がり部に相当する部分に第1の遅延回路(12)
で決定される遅延時間の長さを有するパルス信号が得ら
れる。このパルス信号と入力信号とのANDを取ること
で、AND回路(14)の出力には入力信号の立ち上が
り部分に相当するパルス信号が得られる。そして、この
パルス信号により、第2の電流スイッチ回路(15)か
ら立ち上がりエッジパルス電流が発生される。このよう
に、パルス幅とピーク電流値とが制御された立ち上がり
エッジパルス電流をLED(1)に加えることで、LE
D(1)の立ち上がり時間を短縮させ、かつ矩形パルス
に近づけることができる。
【0030】図3は、パルス整形回路(16)の回路構
成を示している。図3に示すように、パルス整形回路
(16)は、入力端子(32)から入力される外部入力
信号を遅延させる第2の遅延回路(17)と、一方の入
力が前記第2の遅延回路(17)の出力に接続され他方
の入力が入力端子(32)に接続されたOR回路(1
8)とで構成されている。
【0031】このような構成にすることにより、入力端
子(32)から入力された外部入力信号は、OR回路
(18)に直接入力されるとともに、第2の遅延回路
(17)に入力される。この第2の遅延回路(17)に
より遅延された遅延信号と外部入力信号とのORを取る
ことにより、OR回路(18)からパルス幅の太いパル
ス信号を発生させることができる。このパルス信号は、
入力端子(32)に信号が入力すると第2の遅延回路
(17)で遅延する時間だけ、パルス幅を太らせること
ができる。このパルス幅の太いパルス信号で第1の電流
スイッチ回路(2)の出力電流をオン/オフすることに
より、LED(1)の光出力がオン/オフされる。以上
のように、パルス整形回路(16)は、外部入力信号の
パルス幅を所定の大きさに広げることができる。したが
って、パルス整形回路(16)を用いて光出力の波形を
調整することにより、光出力のパルス幅がやせることを
防止できる。このため、入力のパルス幅と光出力のパル
ス幅とを同じにすることが可能となり、高速動作が可能
となる。
【0032】上記第1の実施形態によれば、電圧スイッ
チ回路(10)とトランジスタ(6)とからなるディス
チャージ回路(5)が形成され、このディスチャージ回
路(5)の電圧スイッチ回路(10)が所定の出力電圧
に設定されている。これにより、LED(1)に蓄積さ
れた電荷を急速にディスチャージすることができ、高速
な立ち下がり波形を得ることができる。したがって、P
NPトランジスタを用いることなく、高速動作が可能と
なる。
【0033】また、立ち上がりエッジ検出回路と第2の
電流スイッチ回路(15)とからなるパルス電流発生回
路(3)が形成されている。このパルス電流発生回路
(3)により、パルス幅とピーク電流値とが制御された
立ち上がりエッジパルス電流を発生させることができ
る。したがって、この立ち上がりエッジパルス電流をL
ED(1)に加えることで、LED(1)の立ち上がり
時間を短縮することができ、高速動作が可能となる。さ
らに、パルス電流発生回路(3)を用いることにより、
微分信号を用いてパルス電流を発生させることなく、パ
ルス電流を発生することが可能であるため、所望の光出
力波形を得ることが可能となる。
【0034】また、第2の遅延回路(17)とOR回路
(18)とからなるパルス整形回路(16)が形成され
ている。このパルス整形回路(16)を用いて光出力の
波形を調整することにより、LED(1)の特性に起因
した光パルス幅の細りを抑制することができる。したが
って、入力パルスと等しい正確なパルス幅を有する光出
力を発生させることが可能となり、高速動作が可能とな
る。
【0035】なお、前記パルス電流発生回路(3)にお
いて、立ち上がりエッジパルス電流を発生させていない
時間領域で、第1の電流スイッチ回路(2)で切りかえ
る電流値よりも低い値の定常電流を出力するように、パ
ルス電流発生回路(3)の出力電流を設定してもよい。
具体的には、例えば、第2の電流スイッチ回路(15)
に示されるトランジスタのべ一スに加えるロウレベルの
電圧をコントロールするか、或いは第2の電流スイッチ
回路(15)の出力に別の定常電流電源を接続する。こ
のような方法で定常電流を流すことにより、上記第1の
実施形態における効果が得られるだけでなく、パルス整
形回路(16)で調整するパルス幅の補正を小さくでき
るので、素子バラツキによるパルス幅歪のばらつきも小
さくすることができる。
【0036】また、本発明の半導体装置には、LED
(1)の動作温度が変化して順方向の電圧降下が変化し
た場合、この電圧降下の変動を追随するように、電圧ス
イッチ回路(10)の出力電圧Von/Voffが制御
できる温度補償回路をさらに具備してもよい。この場
合、上記第1の実施形態における効果が得られるだけで
なく、さらに、LED(1)の動作温度が変化して順方
向の電圧降下が変化した場合、温度補償回路により電圧
スイッチ回路(10)の出力電圧Von/Voffが制
御できるため、光出力の立ち下がり時間の温度に対する
変化を小さくできるという効果がある。
【0037】[第2の実施形態]第2の実施形態は、第
1の実施形態で示したディスチャージ回路(5)のトラ
ンジスタ(6)をMOSトランジスタに変更した点に特
徴がある。
【0038】図4は、本発明の第2の実施形態に係る発
光ダイオード駆動回路を示している。図4に示すよう
に、第1の実施形態と異なる構造はディスチャージ回路
(5)の構成のみである。このディスチャージ回路
(5)は、パルス整形回路(16)の出力に接続される
電圧スイッチ回路(10)と、この電圧スイッチ回路
(10)に接続されるPチャンネルMOSトランジスタ
(19)とから構成されている。ここで、MOSトラン
ジスタ(19)のゲート(21)には電圧スイッチ回路
(10)の出力が接続され、MOSトランジスタ(1
9)のソース(20)にはLED(1)のアノード又は
カソードが接続され、MOSトランジスタ(19)のド
レイン(22)にはLED(1)のカソード又はアノー
ドが接続されている。上記以外の構造は第1の実施形態
と同様の構造であるため説明は省略する。
【0039】このような構成にすることで、LED
(1)の駆動電流をオフにしたときにMOSトランジス
タ(19)をオンにすることにより、LED(1)に蓄
積された電荷を急速にディスチャージすることができ
る。このため、立ち下がり時間を短縮することが可能で
ある。
【0040】上記第2の実施形態によれば、第1の実施
形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第1の
実施形態における駆動回路よりも立ち下がり時間を短縮
することが可能である。
【0041】なお、MOSトランジスタ(19)のソー
ス(20)の電位は、電源電圧Vccの電位よりも若干
低くしてもよい。この場合、上記第2の実施形態と同様
の効果が得られるだけでなく、さらに、立ち下がり時間
の短縮を図ることも可能である。
【0042】[第3の実施形態]第3の実施形態は、上
記第1、第2の実施形態に示したLED駆動回路を用い
た光送信モジュールの例を示している。
【0043】図5は、本発明の第3の実施形態に係わる
光送信モジュールの透視斜視図を示している。図5に示
すように、サブモジュール基板(24)上には、上記第
1、第2の実施形態に示したLED駆動回路が組み込ま
れたIC(23)と、このIC(23)に接続されるL
ED(1)と、IC(23)の動作に付随する容量(3
1)および抵抗(30)とからなるモジュールが一括実
装されている。LED(1)には一括に整形された光コ
ネクタ(25)が光学的に結合されており、この光コネ
クタ(25)にはプラスチック・ファイバーなどの光導
波路(図示せず)が光学的に結合される。モジュール
(IC(23)またはLED(1))の一側端にはリー
ド(26)が電気的に結合されており、このリード(2
6)には外部端子(図示せず)が電気的に結合される。
そして、サブモジュール基板(24)と光コネクタ(2
5)とリード(26)の一部とは一括にモールドされ、
例えばプラスチック・パッケージ(27)により収容さ
れている。
【0044】なお、サブモジュール基板(24)の代わ
りにプラスチック・モールド用のリードフレームを用い
てもよい。
【0045】また、リード(26)はモジュールの一側
端にだけ設けてあるが、リード(26)を設ける箇所は
適宜選択でき、例えばパッケージ(27)の他方の側端
にも設置してもよい。さらに、プリント基板にモジュー
ルを実装する際の機械的強度を確保する目的のリードを
設けてもよい。
【0046】また、送信モジュールと並列して受信モジ
ュールを実装して一体成形したトランシーバー・モジュ
ールとした構造としても、本発明の趣旨を逸脱するもの
ではない。例えば、図5に示すように、受信モジュール
として、光検出器(28)と受信IC(29)とをサブ
モジュール基板(24)上に設けてもよい。
【0047】上記第3の実施形態によれば、上記第1、
第2の実施形態に示したLED駆動回路を用いることに
より、正確なパルス幅を有し、かつ立ち上がりおよび立
ち下がり時間が高速な光出力波形を得ることができる。
このため、本質的に大きな値の接合容量を持つLEDに
対しても高速変調が可能で、かつパルス波形の歪みが小
さいため、消費電力が小さな低電圧電源にも対応可能な
光送信モジュールを実現できる。
【0048】また、単一の電源で動作し、通常の放熱設
計で使用可能な低消費電力でコンパクトな光コネクタ結
合型プラスチック送信モジュールまたは光送受信モジュ
ールが実現できる。
【0049】また、発光素子としてレーザーダイオード
を使わずにLEDを使うことにより、温度に対して安定
で長寿命な光送信モジュールを作ることができる。
【0050】その他、本発明は、その要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
速動作が可能な発光ダイオード駆動回路およびそれを用
いた光送信モジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオード
駆動回路の構成図。
【図2】本発明の第1の実施形態に係るパルス電流発生
回路の構成図。
【図3】本発明の第1の実施形態に係るパルス整形回路
の構成図。
【図4】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオード
駆動回路の構成図。
【図5】本発明の発光ダイオード駆動回路を用いた光送
信モジュールを示す透視斜視図。
【図6】従来技術による発光ダイオード駆動回路の構成
図。
【符号の説明】
1…発光ダイオード(LED)、 2…電流スイッチ回路、 3…パルス電流発生回路、 5…ディスチャージ回路、 6…トランジスタ、 7…コレクタ、 8…ベース、 9…エミッタ、 10…電圧スイッチ回路、 12…第1の遅延回路、 13…EXOR回路、 14…AND回路、 15…第2の電流スイッチ回路、 16…パルス整形回路、 17…第2の遅延回路、 18…OR回路、 19…MOSトランジスタ、 20…ソース、 21…ゲート、 22…ドレイン、 23…IC、 24…サブモジュール基板、 25…光コネクタ、 26…リード、 27…プラスチック・パッケージ、 28…光検出器、 29…受信IC、 30…抵抗、 31…容量。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04B 10/14 10/04 10/06 Fターム(参考) 5F041 AA21 AA24 AA44 BB26 BB27 BB33 FF14 5K002 AA01 BA14 CA01 DA05 FA01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光ダイオードと、 この発光ダイオードと直列に接続され、入力端子から入
    力される外部入力信号により電流をオン/オフさせる第
    1の電流スイッチ回路と、 この第1の電流スイッチ回路と並列に接続され、前記発
    光ダイオードから出力される光波形の立ち上がり部が所
    望の光波形になるように、前記外部入力信号のパルス幅
    より狭いパルス幅を有するパルス電流を印加するパルス
    電流発生回路と、 前記発光ダイオードと並列に接続され、前記第1の電流
    スイッチ回路の電流がオフになったときに前記発光ダイ
    オードに蓄積された電荷を急速に放電するディスチャー
    ジ回路とを具備することを特徴とする発光ダイオード駆
    動回路。
  2. 【請求項2】 前記ディスチャージ回路は、 前記発光ダイオードのアノードにコレクタが接続され、
    前記発光ダイオードのカソードにエミッタが接続された
    トランジスタと、 このトランジスタのべ一スに接続された電圧スイッチ回
    路とを有し、 前記第1の電流スイッチ回路がオンの時には前記トラン
    ジスタに電流が流れないように前記電圧スイッチ回路の
    出力電圧Vonが設定され、前記第1の電流スイッチ回
    路がオフの時には前記発光ダイオードのジャンクション
    に蓄積された電荷が放電するように前記電圧スイッチ回
    路の電圧Voffが設定されていることを特徴とする請
    求項1記載の発光ダイオード駆動回路。
  3. 【請求項3】 前記パルス電流発生回路は、 前記外部入力信号を遅延させる第1の遅延回路と、一方
    の入力が前記第1の遅延回路出力に接続され他方の入力
    が前記外部入力信号に接続されたEXOR回路、一方の
    入力が前記EXOR回路の出力に接続され他方の入力が
    前記外部入力信号に接続されたAND回路とからなる立
    ち上がりエッジ検出回路と、 この立ち上がりエッジ検出回路の出力に接続された第2
    の電流スイッチ回路とを具備し、 前記パルス電流発生回路は、前記立ち上がりエッジパル
    ス電流を発生させることを特徴とする請求項1乃至2記
    載の発光ダイオード駆動回路。
  4. 【請求項4】 前記パルス電流発生回路は、立ち上がり
    エッジパルス電流を発生させていない時間領域で、前記
    第1の電流スイッチ回路で切りかえる電流値よりも低い
    値の定常電流を出力していることを特徴とする請求項1
    乃至3記載の発光ダイオード駆動回路。
  5. 【請求項5】 前記入力端子と前記第1の電流スイッチ
    回路との間に、前記外部入力信号のパルス幅を所定の大
    きさに広げるパルス整形回路をさらに具備することを特
    徴とする請求項1乃至4記載の発光ダイオード駆動回
    路。
  6. 【請求項6】 前記パルス整形回路は、 前記外部入力信号を遅延させる第2の遅延回路と、 一方の入力が前記第2の遅延回路の出力に接続され、他
    方の入力が前記外部入力信号に接続されたOR回路とを
    有することを特徴とする請求項5記載の発光ダイオード
    駆動回路。
  7. 【請求項7】 前記発光ダイオードの動作温度が変化し
    て順方向の電圧降下が変化した場合、この電圧降下の変
    動を追随するように、前記電圧スイッチ回路の出力電圧
    Von/Voffを制御する温度補償回路をさらに具備
    することを特徴とする請求項2乃至6記載の発光ダイオ
    ード駆動回路。
  8. 【請求項8】 前記トランジスタはMOSトランジスタ
    で構成され、 このMOSトランジスタのゲートには前記電圧スイッチ
    回路の出力が接続され、前記MOSトランジスタのソー
    スには前記発光ダイオードのアノード又はカソードが接
    続され、前記MOSトランジスタのドレインには前記発
    光ダイオードのカソード又はアノードが接続されている
    ことを特徴とする請求項2乃至7記載の発光ダイオード
    駆動回路。
  9. 【請求項9】 サブモジュール基板またはリードフレー
    ムと、 このサブモジュール基板またはリードフレーム上に搭載
    された請求項1乃至8記載の発光ダイオード駆動回路の
    いずれか1つを有するICおよび発光ダイオードと、 前記発光ダイオードと光学的に結合する光コネクタと、 前記ICまたは発光ダイオードと電気的に結合するリー
    ドと、 前記サブモジュール基板またはリードフレームと前記光
    コネクタと前記リードとを収容するパッケージとを具備
    することを特徴とする発光ダイオード駆動回路を用いた
    光送信モジュール。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100774884B1 (ko) 2006-02-22 2007-11-09 성호전자(주) 펄스 폭 변조에 의한 엘이디 구동장치
US7542684B2 (en) 2004-10-28 2009-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode driving device and optical transmission device including the same
JP2016535443A (ja) * 2013-10-25 2016-11-10 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 回路装置、発光ダイオードアセンブリ、および、オプトエレクトロニクス部品の作動方法
WO2021019933A1 (ja) * 2019-07-30 2021-02-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 レーザ駆動装置、センシングモジュール、タイミング調整方法
US11996675B2 (en) 2018-07-10 2024-05-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Laser drive circuit and sensor apparatus

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7071762B2 (en) * 2001-01-31 2006-07-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Supply assembly for a led lighting module
JP4177022B2 (ja) * 2002-05-07 2008-11-05 ローム株式会社 発光素子駆動装置、及び発光素子を備えた電子機器
US6954415B2 (en) * 2002-07-03 2005-10-11 Ricoh Company, Ltd. Light source drive, optical information recording apparatus, and optical information recording method
KR20040014014A (ko) * 2002-08-09 2004-02-14 주식회사 케이이씨 광 송신용 집적회로
JP4170963B2 (ja) * 2004-07-22 2008-10-22 浜松ホトニクス株式会社 Led駆動回路
JP4564363B2 (ja) * 2005-01-13 2010-10-20 パナソニック株式会社 Led駆動用半導体装置及びled駆動装置
US8183824B2 (en) * 2005-06-10 2012-05-22 Integrated Memory Logic, Inc. Adaptive mode change for power unit
US7714515B2 (en) * 2005-06-10 2010-05-11 Integrated Memory Logic, Inc. LED driver system and method
US20070039119A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 The Scott Fetzer Company Vacuum cleaner with headlamp
US8013663B2 (en) * 2006-03-01 2011-09-06 Integrated Memory Logic, Inc. Preventing reverse input current in a driver system
US7746300B2 (en) * 2006-05-05 2010-06-29 Linear Technology Corporation Circuit and methodology for supplying pulsed current to a load, such as a light emitting diode
CN101507360A (zh) 2006-08-17 2009-08-12 Tir科技公司 在发光元件中用于减小热应力的方法和设备
KR100873707B1 (ko) * 2007-07-27 2008-12-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
CN102842579B (zh) * 2012-09-25 2015-02-18 杭州士兰集成电路有限公司 低漏电的低压二极管芯片及其制备方法
TWI691947B (zh) * 2019-03-28 2020-04-21 大陸商北京集創北方科技股份有限公司 Led顯示器驅動電路及led顯示器

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59135939A (ja) * 1983-01-25 1984-08-04 Canon Inc 光通信方式
JPS6159885A (ja) * 1984-08-31 1986-03-27 Hitachi Ltd 発光ダイオ−ドの駆動回路
US4818896A (en) * 1987-08-28 1989-04-04 Hewlett-Packard Company Optical transmitter driver with current peaking
CA2040626C (en) * 1990-08-02 1995-05-23 Shigeo Hayashi Light emitting element drive circuit
JPH057144A (ja) * 1990-08-02 1993-01-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子駆動回路
JPH05121783A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Nec Corp 発光素子駆動回路
JPH0774788A (ja) * 1993-09-02 1995-03-17 Toshiba Corp 高速光送信回路
US5804997A (en) * 1995-09-19 1998-09-08 Fujitsu Limited Current-to-voltage converting device and light receiver
US6282352B1 (en) * 1997-04-08 2001-08-28 Hitachi, Ltd. Optical module, method for manufacturing optical module and optical communication apparatus
JP3578596B2 (ja) * 1997-06-26 2004-10-20 日本オプネクスト株式会社 発光素子駆動回路およびそれを用いた光送信器
JP3350404B2 (ja) 1997-07-18 2002-11-25 シャープ株式会社 発光ダイオード駆動回路
JP4116133B2 (ja) 1997-07-31 2008-07-09 株式会社東芝 温度依存型定電流発生回路およびこれを用いた光半導体素子の駆動回路
JP3729993B2 (ja) * 1997-09-18 2005-12-21 シャープ株式会社 ピークホールド回路およびそれを備える赤外線通信装置
JP3732345B2 (ja) * 1998-02-10 2006-01-05 株式会社沖データ 駆動回路、ledヘッド及びプリンタ
JP3668612B2 (ja) 1998-06-29 2005-07-06 株式会社東芝 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール
CA2242720C (en) * 1998-07-09 2000-05-16 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Programmable led driver
US6127784A (en) * 1998-08-31 2000-10-03 Dialight Corporation LED driving circuitry with variable load to control output light intensity of an LED
JP3637228B2 (ja) * 1999-02-09 2005-04-13 住友電気工業株式会社 光送受信モジュール
JP4116198B2 (ja) 1999-06-29 2008-07-09 株式会社東芝 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール
AU2001229632A1 (en) * 2000-01-14 2001-07-24 Design Rite Llc Circuit for driving light-emitting diodes

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7542684B2 (en) 2004-10-28 2009-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode driving device and optical transmission device including the same
DE102005051825B4 (de) * 2004-10-28 2016-02-18 Sharp K.K. Treiberschaltung für eine Licht emittierende Diode und damit ausgerüstete Übertragungseinrichtung
KR100774884B1 (ko) 2006-02-22 2007-11-09 성호전자(주) 펄스 폭 변조에 의한 엘이디 구동장치
JP2016535443A (ja) * 2013-10-25 2016-11-10 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 回路装置、発光ダイオードアセンブリ、および、オプトエレクトロニクス部品の作動方法
US11996675B2 (en) 2018-07-10 2024-05-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Laser drive circuit and sensor apparatus
WO2021019933A1 (ja) * 2019-07-30 2021-02-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 レーザ駆動装置、センシングモジュール、タイミング調整方法

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