JPH04192361A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04192361A JPH04192361A JP31861990A JP31861990A JPH04192361A JP H04192361 A JPH04192361 A JP H04192361A JP 31861990 A JP31861990 A JP 31861990A JP 31861990 A JP31861990 A JP 31861990A JP H04192361 A JPH04192361 A JP H04192361A
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 30
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- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はショットキ・バリア・ダイオードと、拡散抵抗
とを並列接続した半導体装置に関する。
とを並列接続した半導体装置に関する。
〔従来の技術］
第３図は従来のこの種の半導体装置の一例であり、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図であ
る。同図において、Ｐ型シリコン基板１１上にＮ゛型埋
込拡散領域１２、Ｎ型エピタキシャル領域１３を形成し
、かつＰ゛型反転防止領域１４と溝分離領域１５で素子
領域を画成している。また、素子領域にはＮ゛型引出し
拡散領域１６を形成する。そして、表面に絶縁膜１７を
形成し、かつＮ型エピタキシャル領域１３とＮ゛型引出
し拡散領域１６に対応する位置にコンタクト窓１８をあ
けた上で、シリサイド層１９、バリア・メタル２０、配
線電極２１を形成し、ショットキ・バリア・ダイオード
を構成している。
（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図であ
る。同図において、Ｐ型シリコン基板１１上にＮ゛型埋
込拡散領域１２、Ｎ型エピタキシャル領域１３を形成し
、かつＰ゛型反転防止領域１４と溝分離領域１５で素子
領域を画成している。また、素子領域にはＮ゛型引出し
拡散領域１６を形成する。そして、表面に絶縁膜１７を
形成し、かつＮ型エピタキシャル領域１３とＮ゛型引出
し拡散領域１６に対応する位置にコンタクト窓１８をあ
けた上で、シリサイド層１９、バリア・メタル２０、配
線電極２１を形成し、ショットキ・バリア・ダイオード
を構成している。
また、このショットキ・バリア・ダイオードと隣接する
位置には拡散抵抗を構成するＰ−型拡散抵抗領域２３を
形成し、これを前記配線電極２１に接続することで、シ
ョットキ・バリア・ダイオードと並列に拡散抵抗を接続
している。
位置には拡散抵抗を構成するＰ−型拡散抵抗領域２３を
形成し、これを前記配線電極２１に接続することで、シ
ョットキ・バリア・ダイオードと並列に拡散抵抗を接続
している。
なお、Ｎ型エピタキシャル領域１３のリンの不純物濃度
は５Ｘ１０”原子７ｃｍ３以下にて形成される。また、
シリサイド層１９は数百入球の白金シリサイドが、バリ
ア・メタル２０としてチタン・タングステン等が、さら
に配線金属２１としてアルミニウム等が使用されている
。
は５Ｘ１０”原子７ｃｍ３以下にて形成される。また、
シリサイド層１９は数百入球の白金シリサイドが、バリ
ア・メタル２０としてチタン・タングステン等が、さら
に配線金属２１としてアルミニウム等が使用されている
。
〔発明が解決しようとする課Ｂ］
この従来の半導体装置では、ショットキ・バリア・ダイ
オードと拡散抵抗とをシリコン基板上に隣接配置した上
で配線電極により並列接続しているため、全体としての
配置面積が大きくなり、半導体チップの大型化を招くと
いう問題がある。
オードと拡散抵抗とをシリコン基板上に隣接配置した上
で配線電極により並列接続しているため、全体としての
配置面積が大きくなり、半導体チップの大型化を招くと
いう問題がある。
本発明の目的は配置面積を低減してチップの小型化を実
現した半導体装置を提供することにある。
現した半導体装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、ショットキ・バリア・ダイオー
ドのショットキ障壁を形成する半導体基体の一部に、半
導体基体と同じ導電型の高濃度領域を形成し、ている。
ドのショットキ障壁を形成する半導体基体の一部に、半
導体基体と同じ導電型の高濃度領域を形成し、ている。
〔作用］
本発明によれば、高濃度令頁域によってショットキ障壁
の一部にオーミック接合が構成され、ショットキ・バリ
ア・ダイオードを形成した半導体基体の一部を拡散抵抗
として構成でき、ショットキ、バリア・ダイオードと拡
散抵抗との並列回路が構成される。
の一部にオーミック接合が構成され、ショットキ・バリ
ア・ダイオードを形成した半導体基体の一部を拡散抵抗
として構成でき、ショットキ、バリア・ダイオードと拡
散抵抗との並列回路が構成される。
（実施例）
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示しており、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。図において、Ｐ型シリコン基板１１上にＮ゛型埋込
拡散領域１２、Ｎ型エピタキシャル領域１３を形成し、
Ｐ゛型反転防止領域１４と溝分離領域１５で素子領域を
画成している。
は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。図において、Ｐ型シリコン基板１１上にＮ゛型埋込
拡散領域１２、Ｎ型エピタキシャル領域１３を形成し、
Ｐ゛型反転防止領域１４と溝分離領域１５で素子領域を
画成している。
また、素子領域にはＮ゛型引出し拡散領域１６を形成し
ている。そして、表面に絶縁膜１７を形成し、前記Ｎ型
エピタキシャル領域１３とＮ゛型引出し拡散領域１６に
それぞれ対応する位置にコンタクト窓１８を開設してい
る。このコンタクト窓１８には白金シリサイド１１１９
、チタン・タングステンのバリア・メタル２０、アルミ
ニウムの配線電極２１を形成している。さらに、前記Ｎ
型エピタキシャル領域１３に形成したシリサイド層１９
の一部の直下には、Ｎ゛型拡散領域２２を形成している
。
ている。そして、表面に絶縁膜１７を形成し、前記Ｎ型
エピタキシャル領域１３とＮ゛型引出し拡散領域１６に
それぞれ対応する位置にコンタクト窓１８を開設してい
る。このコンタクト窓１８には白金シリサイド１１１９
、チタン・タングステンのバリア・メタル２０、アルミ
ニウムの配線電極２１を形成している。さらに、前記Ｎ
型エピタキシャル領域１３に形成したシリサイド層１９
の一部の直下には、Ｎ゛型拡散領域２２を形成している
。
、： のＮ”型拡散領域２２は、１０１ｅ〜１０”原子
／ｃｍ３のリンネ鈍物をイオン注入法を用いて深さ０．
２〜０．３μｍに形成している。
／ｃｍ３のリンネ鈍物をイオン注入法を用いて深さ０．
２〜０．３μｍに形成している。
したがって、この構成によれば、Ｎ型エピタキシセル領
域１３とシリサイド層１９とでショットキ障壁が構成さ
れ、ンヨットキ・バリア・ダイオードが形成される。し
かしながら、このシリサイド層１９の一部には、Ｎ゛型
拡散領域２２によってオーミック接触が構成されるため
、この一部とＮ゛型引出し拡散領域１６との間はＮ型エ
ピタキシャル領域１３を抵抗素子とする拡散抵抗が構成
されることになる。したがって、この構成のみでショッ
トキ・バリア・ダイオードと拡散抵抗との並列回路が構
成され、回路全体の配置面積を低減することが可能とな
る。
域１３とシリサイド層１９とでショットキ障壁が構成さ
れ、ンヨットキ・バリア・ダイオードが形成される。し
かしながら、このシリサイド層１９の一部には、Ｎ゛型
拡散領域２２によってオーミック接触が構成されるため
、この一部とＮ゛型引出し拡散領域１６との間はＮ型エ
ピタキシャル領域１３を抵抗素子とする拡散抵抗が構成
されることになる。したがって、この構成のみでショッ
トキ・バリア・ダイオードと拡散抵抗との並列回路が構
成され、回路全体の配置面積を低減することが可能とな
る。
次に製造方法について説明する。
まず、Ｐ型シリコン基板１１上に選択的にＮ゛型埋込拡
散領域１２を形成した後、減圧成長法を用いて厚さ１μ
ｍ程度、不純物濃度１０”〜１０１６原子／ｃｍ３のＮ
型エピタキシセル領域１３を形成する。
散領域１２を形成した後、減圧成長法を用いて厚さ１μ
ｍ程度、不純物濃度１０”〜１０１６原子／ｃｍ３のＮ
型エピタキシセル領域１３を形成する。
次に、素子分離を行うため幅１μｍ、深さ数μｍの溝を
形成し、イオン注入法を用いてＰ゛型反転防止領域１４
を形成する。
形成し、イオン注入法を用いてＰ゛型反転防止領域１４
を形成する。
次に溝埋設のため、酸化膜系の絶縁物を堆積させ、工・
ノチングパツク法により平坦化を行い、溝分離領域１５
を形成する。
ノチングパツク法により平坦化を行い、溝分離領域１５
を形成する。
、 次に厚さ０．３μｍ程度の絶縁膜１７を形成した後
、選択的にＮ゛型引出し拡散領域１６を形成する。
、選択的にＮ゛型引出し拡散領域１６を形成する。
その後、各電極形成のため各コンタクト窓１８を開設し
、一方のコンタクト窓内に部分的にｔｏ”〜１０２０原
子／ｃｍ３のリンネ鈍物をイオン注入法を用いて深さ０
．２〜０．３μｍのＮ゛型拡散領域２２を形成する。
、一方のコンタクト窓内に部分的にｔｏ”〜１０２０原
子／ｃｍ３のリンネ鈍物をイオン注入法を用いて深さ０
．２〜０．３μｍのＮ゛型拡散領域２２を形成する。
つぎに白金（Ｐｔ）を被着し、５００°Ｃ程度の温度で
熱処理を行う。Ｎ型シリコンの露出したコンタクト窓内
には白金ソリサイド層（Ｐ ｔ Ｓ ｉＮ９が形成され
る。
熱処理を行う。Ｎ型シリコンの露出したコンタクト窓内
には白金ソリサイド層（Ｐ ｔ Ｓ ｉＮ９が形成され
る。
次に、チタン・タングステン等のバリア・メタル２０を
形成し、その後アルミニウムで配線電極２１を形成する
。
形成し、その後アルミニウムで配線電極２１を形成する
。
第２図は本発明の第２実施例を示しており、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。構
成は第１実施例とほぼ同一であり、同一部分には同一符
号を付して詳細な説明は省略する。
は平面図、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。構
成は第１実施例とほぼ同一であり、同一部分には同一符
号を付して詳細な説明は省略する。
ただし、この実施例では、オーミック接続を得るための
Ｎ゛型拡散領域２２Ａは、白金シリサイド層１９の周辺
部に形成している。通常、このようなシリサイド層１９
の周辺領域では曲率半径が小さく電界集中が大きく、耐
圧低下やリーク電流が大きくなる領域であるが、この領
域にＮ゛型拡散領域２２Ａを設けてオーミック領域とす
ることで、ショットキ障壁におけるこれらの問題を解消
する。
Ｎ゛型拡散領域２２Ａは、白金シリサイド層１９の周辺
部に形成している。通常、このようなシリサイド層１９
の周辺領域では曲率半径が小さく電界集中が大きく、耐
圧低下やリーク電流が大きくなる領域であるが、この領
域にＮ゛型拡散領域２２Ａを設けてオーミック領域とす
ることで、ショットキ障壁におけるこれらの問題を解消
する。
以上説明したように本発明は、ショットキ障壁の一部に
半導体基体と同じ導電型の高濃度領域を形成しているの
で、この高濃度領域においてオーミック接合が構成され
、これにより半導体基体の一部を拡散抵抗として利用で
き、ショットキ・バリア・ダイオードと拡散抵抗との並
列回路が構成される。したがって、ショットキ・バリア
・ダイオードに隣接して拡散抵抗を配置する必要がなく
、全体の配置面積を約１／２に低減し１、チップの小型
化が実現できる。
半導体基体と同じ導電型の高濃度領域を形成しているの
で、この高濃度領域においてオーミック接合が構成され
、これにより半導体基体の一部を拡散抵抗として利用で
き、ショットキ・バリア・ダイオードと拡散抵抗との並
列回路が構成される。したがって、ショットキ・バリア
・ダイオードに隣接して拡散抵抗を配置する必要がなく
、全体の配置面積を約１／２に低減し１、チップの小型
化が実現できる。
第１図は本発明の第１実施例を示し、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）はそのＡ −、Ａ線に沿う断面図、第２
図は本発明の第２実施例を示し、同図（ａ）は平面図、
同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３図は従来
の半導体装置を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
はそのＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 １１・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・Ｎ゛型埋込拡
散領域、１３・・・Ｎ型エピタキシャル領域、１４・・
・Ｐ゛型反転防止領域、１５・・・溝分離領域、１６・
・・Ｎ゛型引出し拡散領域、１７・・・絶縁膜、１８・
・・コンタクト窓、１９・・・白金９９９４１層、２０
・・・バリアメタル、２１・・・配線電極、２２．２２
Ａ・・・Ｎ゛型拡散領域、２３・・・拡散抵抗。 第１図 （ａ） （ｂ） Ｖ１２Ａ”’ｊＪ＋、！’Ｍ孤負ｙ＋ＰＡ ＺＩｐ
’、、ｊ・７’ｚＪＪ塔ヌε第２図 （ａ） （ｂ） ＋２ ’１１ 第３図 （ａ） （ｂ） １２ ゝ１１
図、同図（ｂ）はそのＡ −、Ａ線に沿う断面図、第２
図は本発明の第２実施例を示し、同図（ａ）は平面図、
同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３図は従来
の半導体装置を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）
はそのＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 １１・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・Ｎ゛型埋込拡
散領域、１３・・・Ｎ型エピタキシャル領域、１４・・
・Ｐ゛型反転防止領域、１５・・・溝分離領域、１６・
・・Ｎ゛型引出し拡散領域、１７・・・絶縁膜、１８・
・・コンタクト窓、１９・・・白金９９９４１層、２０
・・・バリアメタル、２１・・・配線電極、２２．２２
Ａ・・・Ｎ゛型拡散領域、２３・・・拡散抵抗。 第１図 （ａ） （ｂ） Ｖ１２Ａ”’ｊＪ＋、！’Ｍ孤負ｙ＋ＰＡ ＺＩｐ
’、、ｊ・７’ｚＪＪ塔ヌε第２図 （ａ） （ｂ） ＋２ ’１１ 第３図 （ａ） （ｂ） １２ ゝ１１
Claims (1)
- １、一導電型の半導体基体にショットキ障壁を形成して
ショットキ・バリア・ダイオードを構成し、かつこのシ
ョットキ・バリア・ダイオードと並列に拡散抵抗を接続
してなる半導体装置において、前記ショットキ障壁を構
成する半導体基体の一部に一導電型の高濃度領域を形成
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318619A JP2682231B2 (ja) | 1990-11-24 | 1990-11-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318619A JP2682231B2 (ja) | 1990-11-24 | 1990-11-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192361A true JPH04192361A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2682231B2 JP2682231B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=18101159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318619A Expired - Fee Related JP2682231B2 (ja) | 1990-11-24 | 1990-11-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682231B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432671A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor storage device |
-
1990
- 1990-11-24 JP JP2318619A patent/JP2682231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432671A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor storage device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2682231B2 (ja) | 1997-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |