JPH03222460A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関し、特にレーザートリ
ミング用アライメントチェックパターンに関する。

〔従来の技術〕

従来の半導体集積回路装置において、レーザービームで
所定のヒユーズを切断するレーザートリミング時のヒユ
ーズのアライメントチェックは、通常実際のヒユーズ方
向に応じて一方向のみで行われ、またレーザートリミン
グ後もヒユーズが適切な状態で切断されているかどうか
を検出する為のチェックパターンは存在していなかった
。通常は切断すべきヒユーズそのものを使用してアライ
メントを行っていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のアライメント方式では、実際のヒユーズ
が全て同一の方向である場合には、はとんど問題となら
ないが、マスクレイアウト上の都合などの為にヒユーズ
の向きが、２方向混在した場合は、ヒユーズを切断する
時の照準合わせが十分に行なえないという欠点がある。

また、ヒユーズの切断は、照準以外にも、レーザーのビ
ーム径とパワーによっても左右されるが、従来は、トリ
ミング後に実際にヒユーズが切断されているかどうかを
チェックする為のチェックパターンが存在していなかっ
た。従って従来の冗長回路を有する半導体集積回路装置
ではトリミング結果の適否のチェックが困難となるとい
う欠点があり、ひいては歩留りにも大きな影響を及ぼし
ていた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、冗長回路用のヒユーズを有する半導体集積回
路装置において、前記ヒユーズと材質が同一で線幅が高
々同一の十字状配線の先端に導通チェック用のパッドを
有してなるレーザートリミング用アライメントチェック
パターンを備えているというものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例１を示す平面図である。

１１はヒユーズと材質及び線幅が同一の十字状配線で、
−ｍにポリシリコンもしくはシリサイドによって構成さ
れる。１２ａ〜１２ｄは十字状配線の先端の導通チェッ
ク用のパッドで、ＡＩＩもしくはＡｆｉ系合金によって
構成される。１３ａ〜１３ｄは十字状配線１１とパッド
１２ａ〜１２ｄをそれぞれ接続する為のコンタクトホー
ルである。１４ａ〜１４ｄはパッド部及び十字状配線中
央部上のカバー絶縁膜の穴（カバーホール）を示す。十
字状配線１１の十字の中心はアライメント用の照準とな
るとともにファーストヒユーズ（−番最初に切断するヒ
ユーズ）として使用する。十字の中心部が適切に切断さ
れていれば、４つのパッドは互いに導通しなくなるので
、それを実際のヒユーズカット後に確認することができ
る。

なお、十字状配線の線幅は、照準としての精度を十分に
確保するため高々冗長回路用のヒユーズの幅と同じにし
ておく。

第２図は本発明の実施例２を示す平面図である。

この実施例では、十字状配線２１の中央部をくびれさせ
であるため、より中心に照準を合わせやずくなっている
という利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、十字状のレーザーアライ
メント用チェックパターンを設けることにより、正確な
アライメントと同時に、アライメント後のヒユーズカッ
トチェックができるので、冗長回路のトリミングが正確
に行え、歩留向上に寄与するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明の実施例１及び２を
示す平面図である。 １１．２１・・・十字状配線、１２ａ〜１２ｄ。 ２２　ａ　〜２２　ｄ−・・パッド、１３ａ　〜１３ｄ
、２３ａ〜２３ｄ、、、コンタクトホール、１４ａ〜１
４ｄ。 ２４ａ〜２４ｄ・・・カバーホール。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 冗長回路用のヒューズを有する半導体集積回路装置にお
   いて、前記ヒューズと材質が同一で線幅が高々同一の十
   字状配線の先端に導通チェック用のパッドを有してなる
   レーザートリミング用アライメントチェックパターンを
   備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。