JPS62217627A - 半導体素子の探針装置 - Google Patents
半導体素子の探針装置Info
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- JPS62217627A JPS62217627A JP6205786A JP6205786A JPS62217627A JP S62217627 A JPS62217627 A JP S62217627A JP 6205786 A JP6205786 A JP 6205786A JP 6205786 A JP6205786 A JP 6205786A JP S62217627 A JPS62217627 A JP S62217627A
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- electrodes
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子の探針装置に関するものである
。
。
第2図(n)〜(e)は従来の半導体素子の探針装置を
示す平面図および第2図(−)のB−B′線における断
面図である。これらの図において、1は絶縁基板、2は
前記絶縁基板゛1と試験装置(図示せず)との電気的接
続を行うための接続端子、3は半導体素子上の電極と接
触をとる探針で、例えばタングステンなどのように強度
があり、かつ導電性の良好な材質で構成される。4は前
記探針3と接続端子2とを接続するための配線が設けら
れた接続領域である。
示す平面図および第2図(−)のB−B′線における断
面図である。これらの図において、1は絶縁基板、2は
前記絶縁基板゛1と試験装置(図示せず)との電気的接
続を行うための接続端子、3は半導体素子上の電極と接
触をとる探針で、例えばタングステンなどのように強度
があり、かつ導電性の良好な材質で構成される。4は前
記探針3と接続端子2とを接続するための配線が設けら
れた接続領域である。
次に動作について説明する。
このような探針装置は、ウニへ状態での試験時に接続端
子2を介して半導体試験装置に取り付けられる。探針3
は半導体素子上に設けられた電極に対応して設けられて
お抄、探針3と半導体試験装置とは、接続端子2および
接続領域4に設けられた導電材料による配線により所定
の関係で接続される。
子2を介して半導体試験装置に取り付けられる。探針3
は半導体素子上に設けられた電極に対応して設けられて
お抄、探針3と半導体試験装置とは、接続端子2および
接続領域4に設けられた導電材料による配線により所定
の関係で接続される。
すなわち、試験時には第2図(c)に示すように、半導
体素子S上の電極と探針装置の探針3とが接続され、半
導体試験装置はこの探針装置を介して電気的に接続され
る。そして、半導体素子5の試験のための条件、データ
また半導体素子5の応答は、探針装置を介して導かれる
。
体素子S上の電極と探針装置の探針3とが接続され、半
導体試験装置はこの探針装置を介して電気的に接続され
る。そして、半導体素子5の試験のための条件、データ
また半導体素子5の応答は、探針装置を介して導かれる
。
上記のような従来の半導体素子5の探針装置は、試験時
に探針3を半導体素子5の電極に対応させて位置固定を
しなければならず、製造に際してはその精度の保証が容
易でなく、半導体素子試験における信頼性を低下させる
という問題点があった。
に探針3を半導体素子5の電極に対応させて位置固定を
しなければならず、製造に際してはその精度の保証が容
易でなく、半導体素子試験における信頼性を低下させる
という問題点があった。
また多入出力素子の開発、半導体素子製造技術の向上に
伴う電極数の増加、電極寸法の縮小が進むにつれ十分な
精度を保ちながら多数端子の探針の設置が困難になると
いう問題点があった。
伴う電極数の増加、電極寸法の縮小が進むにつれ十分な
精度を保ちながら多数端子の探針の設置が困難になると
いう問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、位置固定精度を向上し、いかなる電極数および電
極寸法の半導体素子にも適用できる半導体素子の探針装
置を得ることを目的とする。
ので、位置固定精度を向上し、いかなる電極数および電
極寸法の半導体素子にも適用できる半導体素子の探針装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体素子の探針装置は、探針として突
起状の電極を試験を行う半導体素子の電極に対応させて
絶縁基板上に形成したものである。
起状の電極を試験を行う半導体素子の電極に対応させて
絶縁基板上に形成したものである。
この発明においては、探針が半導体素子の電極に対応す
るため、あらゆる半導体素子に適用できる。
るため、あらゆる半導体素子に適用できる。
第1図(a)、(b)はこの発明の半導体素子の探針装
置の一実施例を示す平面図および第1図(a)のA−A
’線における断面図である。これらの図において、第2
図(a)〜(C)と同一符号は同一部分を示し、11は
導電材料により設けられた伝送Ii路、12は半導体素
子の四隅に対応する位置に設けられた位置調整用マーク
、13は試験時に半導体試験装置(図示せず)に固定す
るための取付は穴、14は半導体素子に形成された電極
に対応して絶縁基板1上に形成した探針となる突起状の
電極で、電極板1daとこのTi極板14a上に金属球
を溶着することにより形成した突起部14bとからなっ
ている。
置の一実施例を示す平面図および第1図(a)のA−A
’線における断面図である。これらの図において、第2
図(a)〜(C)と同一符号は同一部分を示し、11は
導電材料により設けられた伝送Ii路、12は半導体素
子の四隅に対応する位置に設けられた位置調整用マーク
、13は試験時に半導体試験装置(図示せず)に固定す
るための取付は穴、14は半導体素子に形成された電極
に対応して絶縁基板1上に形成した探針となる突起状の
電極で、電極板1daとこのTi極板14a上に金属球
を溶着することにより形成した突起部14bとからなっ
ている。
なお、これらの図においては、半導体素子および電極の
寸法を構成が理解し易いように実際よりはるかに大きな
ものとして示している。
寸法を構成が理解し易いように実際よりはるかに大きな
ものとして示している。
この発明の半導体素子の探針装置は、絶縁基板1上に設
けた電極板14aとこの電極板lda上に設けた突起部
14bとからなる突起状の電極14により、半導体素子
上の電極部と接触をとる乙とが可能となり、従来の探針
装置と同様の効果が得られる。そして、このような突起
状の電極14お、よび伝送線路11ば、通常の半導体素
子製造技術、すなわち写真製版技術および成膜技術等を
用いることにより、半導体素子上のTi極間隔、電極寸
法に対応して形成することができる。また成膜技術によ
り形成した伝送線@11の保護も容易に行うことができ
る。
けた電極板14aとこの電極板lda上に設けた突起部
14bとからなる突起状の電極14により、半導体素子
上の電極部と接触をとる乙とが可能となり、従来の探針
装置と同様の効果が得られる。そして、このような突起
状の電極14お、よび伝送線路11ば、通常の半導体素
子製造技術、すなわち写真製版技術および成膜技術等を
用いることにより、半導体素子上のTi極間隔、電極寸
法に対応して形成することができる。また成膜技術によ
り形成した伝送線@11の保護も容易に行うことができ
る。
なお、上記実施例では、試験を行う半導体素子1素子で
ある場合を例にとって説明したが、この他、2素子、3
素子を対象とする探針装置を構成することも可能である
。
ある場合を例にとって説明したが、この他、2素子、3
素子を対象とする探針装置を構成することも可能である
。
また絶縁基板1として透明な基板、例えばガラス基板を
用い、半導体素子の電極部のみでなく、半導体素子の四
隅に位置調整用マーク12を形成することにより、半導
体素子との位置調整を容易に、かつ正確に行うことがで
きる。
用い、半導体素子の電極部のみでなく、半導体素子の四
隅に位置調整用マーク12を形成することにより、半導
体素子との位置調整を容易に、かつ正確に行うことがで
きる。
さらに、上記実施例では、金属球の溶着により突起状の
電極14を形成したが、この方法以外に金属を堆積させ
て形成してもよい。
電極14を形成したが、この方法以外に金属を堆積させ
て形成してもよい。
この発明は以上説明したとおり、探針として突起状の電
極を試験を行う半導体素子の電極に対応させて絶縁基板
上に形成したので、いかなる電極数および電極寸法の半
導体素子にも適用できるという効果がある。
極を試験を行う半導体素子の電極に対応させて絶縁基板
上に形成したので、いかなる電極数および電極寸法の半
導体素子にも適用できるという効果がある。
第1図(a)、(b)は乙の発明の半導体素子の探針装
置の一実施例を示す平面図および第1図(n)のA−A
’線における断面図、第2図(a)〜(e)は従来の半
導体素子の探針装置を示す平面図、第2図(a)のB−
B’線における断面図よび試験時の探針を示す断面図で
ある。 図において、1は絶縁基板、2は接続端子、1は伝送線
路、12は位置調整用マーク、13取付は穴、14は突
起状の電極、14aば電極、14bは突起部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 (a)
置の一実施例を示す平面図および第1図(n)のA−A
’線における断面図、第2図(a)〜(e)は従来の半
導体素子の探針装置を示す平面図、第2図(a)のB−
B’線における断面図よび試験時の探針を示す断面図で
ある。 図において、1は絶縁基板、2は接続端子、1は伝送線
路、12は位置調整用マーク、13取付は穴、14は突
起状の電極、14aば電極、14bは突起部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 (a)
Claims (3)
- (1)探針を有し半導体素子の試験時に前記半導体素子
上の電極との接触をとるために半導体試験装置に取り付
けられる半導体素子の探針装置であって、前記探針とし
て突起状の電極を試験を行う半導体素子の電極に対応さ
せて絶縁基板上に形成したことを特徴とする半導体素子
の探針装置。 - (2)絶縁基板が透明で半導体素子の位置調整用マーク
を有することを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
載の半導体素子の探針装置。 - (3)突起状の電極が金属球の溶着によって形成された
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項または第(
2)項記載の半導体素子の探針装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6205786A JPS62217627A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体素子の探針装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6205786A JPS62217627A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体素子の探針装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62217627A true JPS62217627A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13189129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6205786A Pending JPS62217627A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体素子の探針装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62217627A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62259453A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Nec Corp | プロープカード |
JPS63207146A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-26 | Nec Corp | プロ−ブカ−ド |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP6205786A patent/JPS62217627A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62259453A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Nec Corp | プロープカード |
JPS63207146A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-26 | Nec Corp | プロ−ブカ−ド |
JPH0638440B2 (ja) * | 1987-02-23 | 1994-05-18 | 日本電気株式会社 | プロ−ブカ−ド |
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