JPS62281441A - 目合わせずれのチエツクパタ−ンを有した半導体装置 - Google Patents
目合わせずれのチエツクパタ−ンを有した半導体装置Info
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- JPS62281441A JPS62281441A JP12533886A JP12533886A JPS62281441A JP S62281441 A JPS62281441 A JP S62281441A JP 12533886 A JP12533886 A JP 12533886A JP 12533886 A JP12533886 A JP 12533886A JP S62281441 A JPS62281441 A JP S62281441A
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- metal silicide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野］
本発明はマスクパターンとの目合わせずれをチェックす
るチェックパターンを有した半導体装置に関し、特に、
目合わせずれによってコンタクト部において発生する配
線用金属と金属シリサイドの直接接触によるアロイ・ス
パイクを適格に抑制できるようにした目合わせずれのチ
ェックパターンを有した半導体装置に関する。
るチェックパターンを有した半導体装置に関し、特に、
目合わせずれによってコンタクト部において発生する配
線用金属と金属シリサイドの直接接触によるアロイ・ス
パイクを適格に抑制できるようにした目合わせずれのチ
ェックパターンを有した半導体装置に関する。
従来の半導体装置として、例えば、半導体基板の表面に
形成された拡散層上に金属シリサイドを設け、この金属
シリサイドと配線用金属（、ｌ）との間に異種のバリア
金属（Ｔｉ−Ｗ、Ｔｉ−Ｎ）をはさんでコンタクト部を
構成したものがある。
形成された拡散層上に金属シリサイドを設け、この金属
シリサイドと配線用金属（、ｌ）との間に異種のバリア
金属（Ｔｉ−Ｗ、Ｔｉ−Ｎ）をはさんでコンタクト部を
構成したものがある。
この半導体装置の製造過程において、コンタクト開口部
の拡散層上に金属シリサイドを形成し、その表面に一様
にバリア金属を被覆した後、コンタクト開口部の部分だ
けを残して除去し、次いで、所定のパターンの配線用金
属を形成して前述したコンタクト部を構成している。こ
の場合、マスクパターンの目合わせは半導体装置に設け
られた目合わせ用パターンを基準にして自動あるいは手
動で行い、目視でチェックして目合わせ精度が所定のレ
ベルに入るようにしている。
の拡散層上に金属シリサイドを形成し、その表面に一様
にバリア金属を被覆した後、コンタクト開口部の部分だ
けを残して除去し、次いで、所定のパターンの配線用金
属を形成して前述したコンタクト部を構成している。こ
の場合、マスクパターンの目合わせは半導体装置に設け
られた目合わせ用パターンを基準にして自動あるいは手
動で行い、目視でチェックして目合わせ精度が所定のレ
ベルに入るようにしている。
このようにして製造された半導体装置はコンタクト部に
おいて、配線用金属と金属シリサイドの間にバリヤ金属
をはさんでいるため、アロイ・スパイクを抑制すること
ができる。
おいて、配線用金属と金属シリサイドの間にバリヤ金属
をはさんでいるため、アロイ・スパイクを抑制すること
ができる。
しかし、従来の半導体装置によれば、マスクパターンの
目合わせを目視でチェックしているため、露光装置の精
度あるいは作業者の作業レベルによっては目合わせ精度
が所定のレベル以下になってバリア金属のパターンがず
れ、それによって配線用金属と金属シリサイドが直接接
触する恐れがある。
目合わせを目視でチェックしているため、露光装置の精
度あるいは作業者の作業レベルによっては目合わせ精度
が所定のレベル以下になってバリア金属のパターンがず
れ、それによって配線用金属と金属シリサイドが直接接
触する恐れがある。
この直接接触は製造工程における電気試験でチェックす
ることができないため、製品としての使用中にアロイ・
スパイクに進行して故障となることが多く、信頼性の低
下につながる。
ることができないため、製品としての使用中にアロイ・
スパイクに進行して故障となることが多く、信頼性の低
下につながる。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、配線用金属
と拡散層上の金属シリサイドの直接接触を製造工程中に
おいて検出できるようにするため、試験用コンタクト開
口部を設けてその周縁にバリヤ金属と同一プロセスで形
成されるチェックパターンを設け、目合わせずれが所定
の精度より低くなったとき、チェックパターンが試験用
コンタクト開口部内に形成されて金属シリサイドと導通
ずるようにした目合わせずれのチェックパターンを有し
た半導体装置を提供するものである。
と拡散層上の金属シリサイドの直接接触を製造工程中に
おいて検出できるようにするため、試験用コンタクト開
口部を設けてその周縁にバリヤ金属と同一プロセスで形
成されるチェックパターンを設け、目合わせずれが所定
の精度より低くなったとき、チェックパターンが試験用
コンタクト開口部内に形成されて金属シリサイドと導通
ずるようにした目合わせずれのチェックパターンを有し
た半導体装置を提供するものである。
以下、本発明の目合わせずれのチェックパターンを有し
た半導体装置を詳細に説明する。
た半導体装置を詳細に説明する。
第１図（イ）、（ロ）および第２図は本発明の一実施例
を示し、半導体基板１０は表面を絶縁酸化膜６で被われ
、所定の領域に拡散層５が形成されている。絶縁酸化膜
６は拡散層５に通じる開口部６ａ、６ｂを有し、開口部
５ａ、５ｂの領域には金属シリサイド３ａ。
を示し、半導体基板１０は表面を絶縁酸化膜６で被われ
、所定の領域に拡散層５が形成されている。絶縁酸化膜
６は拡散層５に通じる開口部６ａ、６ｂを有し、開口部
５ａ、５ｂの領域には金属シリサイド３ａ。
３ｂが形成されている。開口部６ａの周縁にはＴｉ−Ｗ
、ＴｉＮ等のチェックパターン１ａが形成され、開口部
６ｂにはＴｉ−Ｗ、Ｔｉ−Ｎ等のバリア金属１ｂが形成
されている。チェックパターン１ａおよびバリア金属ｌ
ｂは相互に絶縁された配線用アルミニウム２ａおよび２
ｂに接続され、配線アルミニウム２ａおよび２ｂは所定
のパターンの絶縁膜６で被われ、露出部がアルミニウム
・パッド４ａ、４ｂとなっている。
、ＴｉＮ等のチェックパターン１ａが形成され、開口部
６ｂにはＴｉ−Ｗ、Ｔｉ−Ｎ等のバリア金属１ｂが形成
されている。チェックパターン１ａおよびバリア金属ｌ
ｂは相互に絶縁された配線用アルミニウム２ａおよび２
ｂに接続され、配線アルミニウム２ａおよび２ｂは所定
のパターンの絶縁膜６で被われ、露出部がアルミニウム
・パッド４ａ、４ｂとなっている。
マスクパターンの目合わせずれが所定の精度内にあると
、第１図（イ）、（ロ）に示すように、チェックパター
ン１ａおよびバリア金属１ｂが所定の位置に形成され、
チェックパターン１ａと金属シリサイド３ａは非導通状
態にあり、配線用アルミニウム２ｂと金属シリサイド３
ｂはバリア金属１ｂによって直接接触を断たれている。
、第１図（イ）、（ロ）に示すように、チェックパター
ン１ａおよびバリア金属１ｂが所定の位置に形成され、
チェックパターン１ａと金属シリサイド３ａは非導通状
態にあり、配線用アルミニウム２ｂと金属シリサイド３
ｂはバリア金属１ｂによって直接接触を断たれている。
ここで、アルミニウム・パッド４ａ、４ｂを試験用端子
として導通試験を行うと非導通の結果が得られ、良品と
して判定する。
として導通試験を行うと非導通の結果が得られ、良品と
して判定する。
一方、マスクパターンの目合わせずれが所定の精度より
低くなると、第２図に示すように、チェックパターン１
ａが開口部６ａの内部に入り込んで形成されて金属シリ
サイド３ａと導通ずる。同時に、バリア金属１ｂがずれ
るため、配線用アルミニウム１ｂが一部において金属シ
リサイド３ｂと直接接触する。
低くなると、第２図に示すように、チェックパターン１
ａが開口部６ａの内部に入り込んで形成されて金属シリ
サイド３ａと導通ずる。同時に、バリア金属１ｂがずれ
るため、配線用アルミニウム１ｂが一部において金属シ
リサイド３ｂと直接接触する。
ここで、アルミニウム・パッド４ａ、４ｂを試験用端子
として導通試験を行うと導通の結果が得られ、不良品と
して判定する。
として導通試験を行うと導通の結果が得られ、不良品と
して判定する。
以上説明した通り、本発明の目合わせずれのチェックパ
ターンを有した半導体装置によれば、試験用コンタクト
開口部を設けてその周縁にバリヤ金属と同一プロセスで
形成されるチェックパターンを設け、目合わせずれが所
定の精度より低くなったときチェックパターンが試験用
コンタクト開口部内に形成されることにより金属シリサ
イドと導通するようにしたため、配線用金属と拡散層上
の金属シリサイドの直接接触を製造工程中において検出
することができる。
ターンを有した半導体装置によれば、試験用コンタクト
開口部を設けてその周縁にバリヤ金属と同一プロセスで
形成されるチェックパターンを設け、目合わせずれが所
定の精度より低くなったときチェックパターンが試験用
コンタクト開口部内に形成されることにより金属シリサ
イドと導通するようにしたため、配線用金属と拡散層上
の金属シリサイドの直接接触を製造工程中において検出
することができる。
第１図（イ）、（ロ）および第２図は本発明の一実施例
を示し、第１図（イ）、（ロ）は良品の断面図及び平面
図である。第２図は不良品の断面図。 符号の説明 １ａ、１ｂ・−・−バリア金属
を示し、第１図（イ）、（ロ）は良品の断面図及び平面
図である。第２図は不良品の断面図。 符号の説明 １ａ、１ｂ・−・−バリア金属
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 配線用金属と拡散層表面の所定の領域に設けられた金属
シリサイドとの間に異種の金属をはさんで構成したコン
タクト部を有する半導体装置において、 前記拡散層表面の他の領域に形成されるコンタクト開口
部に設けられた他の金属シリサイドと、 前記配線用金属と絶縁されている他の配線用金属に接続
されており、マスクパターンとの目合わせずれが所定の
精度内にあるとき前記コンタクト開口部の周縁に形成さ
れて前記他の金属シリサイドとの導通せず、前記目合わ
せずれが所定の精度より低くなったとき前記コンタクト
開口部内に形成されて前記他の金属シリサイドと導通す
る前記異種の金属で形成されるチェックパターンを有す
ることを特徴とする目合わせずれのチェックパターンを
有した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12533886A JPS62281441A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 目合わせずれのチエツクパタ−ンを有した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12533886A JPS62281441A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 目合わせずれのチエツクパタ−ンを有した半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281441A true JPS62281441A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14907642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12533886A Pending JPS62281441A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 目合わせずれのチエツクパタ−ンを有した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100698073B1 (ko) | 2005-10-27 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 패턴이동 측정방법 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12533886A patent/JPS62281441A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100698073B1 (ko) | 2005-10-27 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 패턴이동 측정방법 |
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