JPS6373639A - 半導体装置におけるトリミング配線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置における配線トリミング技術に関し
、主として並列拡散抵抗に接続されたＡノ（アルミニウ
ム）配線層を選択的にトリミングする場合のＡＡ溶断技
術を対象とする。

〔従来技術〕

ＩＣ（半導体集積回路装置）の製造において。

第７図に示すように半導体基体表面に異なる抵抗値をも
つ複数の拡散抵抗Ｒ，，Ｒ，，Ｒ，・・・・・・を形成
し、このうち不要とする抵抗（Ｒｔ　＝　Ｒ１・・・）
よりの引出しへ２配線をトリミング（部分的切除）する
ことにより必要とする抵抗（Ｒ１）のみを残すトリミン
グ技術が知られている。

このトリミング手段には、一般忙グローブ検査で各拡散
抵抗の抵抗値を測定しながら、不要とする抵抗の引出し
配線にプローブ針を介して過を流を流す方法があり、こ
の他にレーザを用いて誘電体上の銀合金抵抗等をトリミ
ングする方法（株式％式％ 〜１２４誘電体上の抵抗レーザトリミング）等がある。

このうち、レーザな用いるトリミング方法は、大がかり
なレーザ装置が必要であり、人４配線のトリミングに適
合しないから対象外とし、ここでは主としてプローブ検
査を利用するものに限ることとする。

通常は第８図に示すように、人！配線２に接続される外
部端子（ポンディングパッド）３にプローブ針４を接触
させ、Ａｌ配線２の他端を接地した状態で過電流を流し
、ＡＪｌ配線一部Ｋ、形成した細幅部５で溶断するよう
になっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記トリミング法ではＡ１配線の一部であるパッドに接
触させるプローブ針先端の劣化が速いこと、人！配線が
切れにくいこと等の問題がある。

また人！配線を切断できるよ５に十分な大電流を流すと
、第９図に示すように溶断時にＡ４が飛散して表面保護
用絶縁膜６が破壊されたり、汚染によって他のＡＪ３配
ねと短絡したりするため、ＩＣの信頼度が大幅に低下す
るおそれがあった。

本発明者等は種々検討した結果、上記した問題は人！切
断の際に過大なエネルギを要するために生じることが判
り、これが解決を図った。

したがって本発明の目的とするところは、小さなエネル
ギを用いてＡ！ｌ配線溶断する技術を提供することにあ
る。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は本
明細書の記述及び添付図面からあきらかになろう。

〔問題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、牛導体基体上に形成されたｌ配線に電流を流
して上記Ａｌ配線を特定部位で溶断することによりトリ
ミングするにあたって、上記特定部位のＡ！配り直下に
段差部を設けこの段差部による人！配線膜厚の差を利用
するものである。

〔作　用〕

上記した手段によれば１段差部上でＡ！ｌ配線膜厚が薄
くなり人！断面積が小さくなる結果、小さいエネルギで
溶断が可能となり、トリミング後も半導体装置の信頼度
を保持でき、前記目的を達成できる。

〔実施例〕

第１図乃至第５図は本発明の一実施例を人！配綜形成プ
ロセスの工程断面図及び平面図であられしたものである
。

以下工程順に沿って説明する。

（１）　　半導体（Ｓｔ）基体１上忙熱酸化又はＣｖＤ
（気相化学堆積）法によりＳｉｎ、膜７を形成し、ホト
エツチング技術により段差部を設ける。このうち８は最
も深い段差をもつ段差部とする。これら段差のためのホ
トエツチングは半導体基体への選択拡散（ペース、エミ
ッタ拡散）工程に伴うものであってよい（第１図）。

（２）人１配線形成のために全面にＡ２を蒸着し、ホト
エツチング罠より特定のパターンをもつ、１配腺２とす
る（第２図）。

＋３１ｇ３図はＡ１配線の一つのパターンの例を示す。

３はポンディングパッド、２はＡＪｌ配線ある。

たとえばこの人！配線の他端は図示されない拡散抵抗に
オーミックコンタクトするとともに接地電位に接続され
る。この人１配蔵は前記Ｓｉｎ＠膜７０段差８上を横切
って形成されるものとする。

第４図は人！配線のパターンの他の例を示すものである
。この例では人！配線２が段差８上を横切る部位にｍ幅
部９が形成されている。

鬼４１　　第５図に示すように、バッド３にプローブ針
４を接触させた状態で人！配線２に＊流を流子と、段差
部に過大電流がながれてここ１０が溶断しトリミングが
なされる。

〔効果が得られる理由〕

Ａ４膜は蒸着あるいはスパッタのいずれの手段で形成し
ても段差部においてＡＡの膜厚はう丁くなる。この人１
膜厚は段差が大きいほど５丁く。

その部分でのＡｌ配線断面積は小さくそこへ電流集中し
やすくなる。このため、Ａ１溶断は低エネルギで可能と
なり、したがって人！飛散が少なく、保護膜の破壊や汚
染もなくなり、信頼度の低下、プローブ針の劣化等の問
題がなくなる。その結果トリミングが確実、容易となり
、高付加値のＩＣ。

ＬＳＩが実現できる。

Ａノ瞑の直下に段差を設けるとともに、人ぷ配ｉパター
ンにｍ幅部を形成することにより、Ａ２瞑厚と配線幅と
の相乗効果で人２配球断面積を−そ５小さいものとし、
わずかのエネルギでトリミングが可能である。

以上本発明によってなされた発明を実施例にもとづき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな〜ゝ。

たとえばＡ）膜下の段差は１個所だけでなく第６図に示
すように複数個所の段差上を人！配線が横断することに
より、段差部でのＡｆｆｌの溶断を確実に行ってトリミ
ングを実現することができる。

本願はＩＣ，ＬＳＩ全般に適用することができ、とくに
高密度〜高性能の半導体装置に応用した場合にもっとも
効果が太きい。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。

丁なわち、ＩＣのトリミングを行っても信頼度を維持で
き、グローブの劣化を防げろため多機能のＬＳＩが実現
できろ。さらにそのことにより、外付部品の削減および
無調整化等の高付加価値半導体製品を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図は本発明の一冥施例を示し、このうち
、第１図、第２図、第５図は配諺形成プロセスの工程断
面図である。第３図及び第４図は第２図に対応する平面
図である。 第６図は本発明の応用例を示す一部工程断面図である。 第７図は複数の抵抗を選択的Ｋ　ト！Ｊ　ミンクする場
合の回路図である。 第８図はプローブ検査を利用するトリミングの一形態を
示す半導体チップの一部平面図である。 第９図はトリミング時のＡノの複数の形祁を示す断面図
である。 １・・・基板、２・・・人！配線、３・・・ポンディン
グパッド、４・・・プローブ針、７・・・Ｓｉｎ、ｉｆ
ｆ、８・・・段差、９・・・細幅部、１０・・・溶断部
。 代理人　弁理士　　小　川　勝　男　。 第　　１　　図 第　　３　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基体上の絶縁膜に形成された配線層に電流を
   流して上記配線層の特定部位を溶断される半導体装置に
   おけるトリミング配線であって、上記被トリミング配線
   層の上記特定部位に対応する表面に段差部が形成されて
   上記特定部位の配線層の膜厚が上記特定部以外の配線層
   の膜厚より薄く形成されていることを特徴とする半導体
   装置におけるトリミング配線。 ２、上記段差は上記絶縁膜の段差に起因して形成される
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
   装置におけるトリミング配線。