JP2000180472A - ベアチップ検査用プローブ基板 - Google Patents
ベアチップ検査用プローブ基板Info
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- JP2000180472A JP2000180472A JP10352945A JP35294598A JP2000180472A JP 2000180472 A JP2000180472 A JP 2000180472A JP 10352945 A JP10352945 A JP 10352945A JP 35294598 A JP35294598 A JP 35294598A JP 2000180472 A JP2000180472 A JP 2000180472A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極同士の位置合わせ性と酸化膜の破壊性を
同時に備えたベアチップ検査用プローブ基板を提供す
る。 【解決手段】 ポリイミドフィルム1に形成された配線
層2の配線3の先端にそれぞれ電極形成個所4を形成
し、この電極形成個所4の上に、中心を通る直線によっ
て円を分割した複数の扇形の突起部6から構成されるチ
ェック用電極5を形成する。
同時に備えたベアチップ検査用プローブ基板を提供す
る。 【解決手段】 ポリイミドフィルム1に形成された配線
層2の配線3の先端にそれぞれ電極形成個所4を形成
し、この電極形成個所4の上に、中心を通る直線によっ
て円を分割した複数の扇形の突起部6から構成されるチ
ェック用電極5を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップ検査用
プローブ基板に関し、特に、半導体チップとの間に良好
な電気的接触を確保することのできるベアチップ検査用
プローブ基板に関する。
プローブ基板に関し、特に、半導体チップとの間に良好
な電気的接触を確保することのできるベアチップ検査用
プローブ基板に関する。
【0002】
【従来の技術】パッケージをしていないベアチップの複
数個を搭載したプリント基板をMCM(Multi C
hip Module)という。このMCMは電子機器
の発展とともに、本質的ニーズである軽薄短小に対応し
た有効な手段として、機器開発の重要な技術として位置
づけられるようになってきた。
数個を搭載したプリント基板をMCM(Multi C
hip Module)という。このMCMは電子機器
の発展とともに、本質的ニーズである軽薄短小に対応し
た有効な手段として、機器開発の重要な技術として位置
づけられるようになってきた。
【0003】しかし、最大の障害は、品質保証されたベ
アチップ(KGD:Known good die)選
別のための非破壊検査方法であり、そのためには、半導
体チップの電極パッドにチェック用電極を接触させ、こ
れによって電気的導通を確認する検査用プローブ基板の
開発がポイントになる。
アチップ(KGD:Known good die)選
別のための非破壊検査方法であり、そのためには、半導
体チップの電極パッドにチェック用電極を接触させ、こ
れによって電気的導通を確認する検査用プローブ基板の
開発がポイントになる。
【0004】従来の検査用プローブ基板としては、タン
グステンの針をチェック用電極として有するものが多用
されているが、半導体チップの小型化と多ピン化による
電極パッドの増加、およびこれに伴うパッドの小ピッチ
化が進むにつれ、小型化に限界があるこの種のプローブ
基板では、対処しきれなくなっている。
グステンの針をチェック用電極として有するものが多用
されているが、半導体チップの小型化と多ピン化による
電極パッドの増加、およびこれに伴うパッドの小ピッチ
化が進むにつれ、小型化に限界があるこの種のプローブ
基板では、対処しきれなくなっている。
【0005】タングステン針を使用した基板に代わる新
しいタイプの検査用プローブ基板として、フォトエッチ
ング技術と微小バンプ形成技術を応用した細密基板が提
案されている。
しいタイプの検査用プローブ基板として、フォトエッチ
ング技術と微小バンプ形成技術を応用した細密基板が提
案されている。
【0006】ポリイミド等の樹脂フィルムに、プローブ
基板として必要な所定のパターンの配線層をフォトエッ
チングにより形成し、配線層の所定の個所にチェック用
電極としての突起部を形成したもので、フォトエッチン
グによる微細配線に基づくこのプローブ基板は、半導体
チップの小型化と多ピン化に対処することのできる有効
な検査用基板として注目されている。
基板として必要な所定のパターンの配線層をフォトエッ
チングにより形成し、配線層の所定の個所にチェック用
電極としての突起部を形成したもので、フォトエッチン
グによる微細配線に基づくこのプローブ基板は、半導体
チップの小型化と多ピン化に対処することのできる有効
な検査用基板として注目されている。
【0007】また、このプローブ基板においては、突起
部を小さく形成することによって、半導体チップの電極
パッド面の酸化膜、あるいは電極パッド上に形成された
はんだ層の酸化膜を破壊することが可能であり、従っ
て、チェック用電極を構成する突起部は、できるだけ小
さく形成することが好ましいものとされている。
部を小さく形成することによって、半導体チップの電極
パッド面の酸化膜、あるいは電極パッド上に形成された
はんだ層の酸化膜を破壊することが可能であり、従っ
て、チェック用電極を構成する突起部は、できるだけ小
さく形成することが好ましいものとされている。
【0008】一方、プローブ基板を使用して半導体チッ
プの品質検査を行う際には、チップの電極パッドとのア
ライメントのために特別な精密調整は行われず、通常
は、ベアチップ側を検査治具であるソケットの中に落と
し込む程度のラフな位置合わせをするにすぎないことか
ら、ベアチップの電極とチェック用電極を正しく合致さ
せることが難しく、数10μm程度のずれの発生は常識
とされている。
プの品質検査を行う際には、チップの電極パッドとのア
ライメントのために特別な精密調整は行われず、通常
は、ベアチップ側を検査治具であるソケットの中に落と
し込む程度のラフな位置合わせをするにすぎないことか
ら、ベアチップの電極とチェック用電極を正しく合致さ
せることが難しく、数10μm程度のずれの発生は常識
とされている。
【0009】従って、突起部を小さく形成することは、
ベアチップの電極とプローブ基板のチェック用電極との
非接触状態を招くことを意味し、突起部の微小化には限
界がある。このため通常は、チップの電極とチェック用
電極の位置合わせが優先され、プローブ基板の突起部は
大きめに作られるのが普通である。
ベアチップの電極とプローブ基板のチェック用電極との
非接触状態を招くことを意味し、突起部の微小化には限
界がある。このため通常は、チップの電極とチェック用
電極の位置合わせが優先され、プローブ基板の突起部は
大きめに作られるのが普通である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこのよ
うなプローブ基板によると、突起部による酸化膜破壊が
不充分な場合があり、このため、酸化膜の介入による接
触抵抗増を余儀なくされ、検査遂行に支障をきたすこと
がある。
うなプローブ基板によると、突起部による酸化膜破壊が
不充分な場合があり、このため、酸化膜の介入による接
触抵抗増を余儀なくされ、検査遂行に支障をきたすこと
がある。
【0011】従って、本発明の目的は、電極同士の位置
合わせ性と酸化膜の破壊性を同時に備えたベアチップ検
査用プローブ基板を提供することにある。
合わせ性と酸化膜の破壊性を同時に備えたベアチップ検
査用プローブ基板を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、絶縁性の基板と、前記基板の上に形成さ
れた所定のパターンの配線層と、前記配線層の所定の個
所に形成された電極形成個所と、前記電極形成個所に形
成されて半導体チップの電極と接触させられるチェック
用電極とから構成されるベアチップ検査用プローブ基板
において、前記チェック用電極は、中心を通る直線によ
って円を複数に分割した複数の扇形の突起部として前記
電極形成個所に形成されることを特徴とするベアチップ
検査用プローブ基板を提供するものである。
達成するため、絶縁性の基板と、前記基板の上に形成さ
れた所定のパターンの配線層と、前記配線層の所定の個
所に形成された電極形成個所と、前記電極形成個所に形
成されて半導体チップの電極と接触させられるチェック
用電極とから構成されるベアチップ検査用プローブ基板
において、前記チェック用電極は、中心を通る直線によ
って円を複数に分割した複数の扇形の突起部として前記
電極形成個所に形成されることを特徴とするベアチップ
検査用プローブ基板を提供するものである。
【0013】上記のように、複数の突起部によってチェ
ック用電極を構成する理由は、複数の突起部のそれぞれ
に酸化膜に対する破壊性を持たせるためである。単一構
成の電極と、本発明のような複数構成の電極を比較した
場合、前者は、その大きさから充分な酸化膜破壊性が得
られないのに比べ、後者の場合には、分割された突起部
のそれぞれが酸化膜に対処できることになる。
ック用電極を構成する理由は、複数の突起部のそれぞれ
に酸化膜に対する破壊性を持たせるためである。単一構
成の電極と、本発明のような複数構成の電極を比較した
場合、前者は、その大きさから充分な酸化膜破壊性が得
られないのに比べ、後者の場合には、分割された突起部
のそれぞれが酸化膜に対処できることになる。
【0014】従って、電極の大きさが同じであれば、小
さな突起部を有する後者のほうが高い酸化膜破壊性を示
すことになる。そして、この構成は、複数の小さな突起
部の集合体によって大きなチェック用電極の形成を可能
にし、電極同士の位置合わせも確実化させることにな
る。
さな突起部を有する後者のほうが高い酸化膜破壊性を示
すことになる。そして、この構成は、複数の小さな突起
部の集合体によって大きなチェック用電極の形成を可能
にし、電極同士の位置合わせも確実化させることにな
る。
【0015】本発明が、中心を通る直線によって円を複
数に分割した複数の扇形の突起部によってチェック用電
極を構成する理由は、扇形の形状を利用して突起部同士
を整然と配置し、これによってチェック用電極の接触表
面を均一化するためである。
数に分割した複数の扇形の突起部によってチェック用電
極を構成する理由は、扇形の形状を利用して突起部同士
を整然と配置し、これによってチェック用電極の接触表
面を均一化するためである。
【0016】また、扇形の突起部は、たとえば点状の突
起部に比べると、垂直に切り立った長い縁部が酸化膜を
長く破壊することになり、従って、充分な電気的導通状
態を作り出すことができる。突起部の大きさとしては、
一辺を100μm以下に設定すべきであり、これを超え
ると酸化膜の破壊が難しくなる。
起部に比べると、垂直に切り立った長い縁部が酸化膜を
長く破壊することになり、従って、充分な電気的導通状
態を作り出すことができる。突起部の大きさとしては、
一辺を100μm以下に設定すべきであり、これを超え
ると酸化膜の破壊が難しくなる。
【0017】突起部は、多くの場合、ニッケルめっきに
よって形成されるが、たとえば、表面パラジウム/下地
ニッケル、表面ロジウム/下地ニッケル、表面ニッケル
合金/下地ニッケル、あるいはダイヤモンド、シリカ等
の硬質皮膜とニッケル皮膜の組み合わせによって形成し
てもよい。
よって形成されるが、たとえば、表面パラジウム/下地
ニッケル、表面ロジウム/下地ニッケル、表面ニッケル
合金/下地ニッケル、あるいはダイヤモンド、シリカ等
の硬質皮膜とニッケル皮膜の組み合わせによって形成し
てもよい。
【0018】基板の構成材としては、たとえば、ガラス
繊維で補強したエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の繊
維補強型合成樹脂、あるいはポリイミドフィルム、ポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムが使用される。
繊維で補強したエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の繊
維補強型合成樹脂、あるいはポリイミドフィルム、ポリ
エステルフィルム等の合成樹脂フィルムが使用される。
【0019】基板を樹脂フィルムのような可橈性材料で
構成する場合には、はんだボールのような形成高さにバ
ラツキ(50μm程度)のある電極を有した検査対象の
ときに有利となる。基板の可橈性が、検査対象品の電極
の高さバラツキへの柔軟な対応を可能にし、従って、半
導体チップの電極との間には接触不良が発生せず、高精
度の品質確認が可能となる。
構成する場合には、はんだボールのような形成高さにバ
ラツキ(50μm程度)のある電極を有した検査対象の
ときに有利となる。基板の可橈性が、検査対象品の電極
の高さバラツキへの柔軟な対応を可能にし、従って、半
導体チップの電極との間には接触不良が発生せず、高精
度の品質確認が可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるベアチップ検
査用プローブ基板の実施の形態について説明する。図1
は、本実施形態によるプローブ基板の一部を示したもの
で、1はポリイミドフィルム、2はフィルム1に所定の
パターンで形成された銅箔の配線層、3は配線層2の配
線を示す。
査用プローブ基板の実施の形態について説明する。図1
は、本実施形態によるプローブ基板の一部を示したもの
で、1はポリイミドフィルム、2はフィルム1に所定の
パターンで形成された銅箔の配線層、3は配線層2の配
線を示す。
【0021】4は検査対象となるベアチップの電極パッ
ドの位置に合わせるようにして、配線3の先端に形成さ
れた円形の電極形成個所を示し、この電極形成個所4の
表面には、ニッケルめっきの成長によるチェック用電極
5が形成されている。
ドの位置に合わせるようにして、配線3の先端に形成さ
れた円形の電極形成個所を示し、この電極形成個所4の
表面には、ニッケルめっきの成長によるチェック用電極
5が形成されている。
【0022】チェック用電極5は、中心を通る直線によ
って円を複数に分割した4個の扇形の突起部6から構成
されており、各突起部6の表面には、ベアチップの電極
パッドとの接触抵抗を下げるために金めっきが施されて
いる。図2の(a)、(b)、(c)は、突起部5の形
状例を示したものである。
って円を複数に分割した4個の扇形の突起部6から構成
されており、各突起部6の表面には、ベアチップの電極
パッドとの接触抵抗を下げるために金めっきが施されて
いる。図2の(a)、(b)、(c)は、突起部5の形
状例を示したものである。
【0023】図3(a)は、図1のプローブ基板を製造
するための手順A〜Jを示す。以下、各手順の内容を説
明する。 A:厚さ18μmの銅箔と厚さ25μmのポリイミドフ
ィルム1を厚さ12μmの接着剤によって貼り合わせた
ラミネート材を準備する。 B:銅箔側にフォトレジストを塗布する。 C:フォトレジストに所定のパターンの露光と現像等を
行うことにより、銅箔の所定の部分を露出させたレジス
ト層を形成する。 D:エッチングを施すことによって露出した部分の銅箔
を溶出し、配線3の先端に電極形成個所4を有した所定
のパターンの配線層2を形成する。 E:残存レジスト層を剥離する。図3(b)が、この時
点での製品構造を示す。 F:配線層2の上にフォトレジスト層を20μmの厚さ
に塗布する。この場合のフォトレジストとしては、形成
膜厚が比較的厚いのでドライフィルムレジストの使用が
有効である。 G:フォトレジストに露光と現像等を施すことによっ
て、電極形成個所4の部分のレジストに突起部6に対応
した形状の穴を形成する。 H:全体をニッケル電解液に浸漬し、レジストの穴の部
分の電極形成個所4にニッケルめっきを成長させ、これ
によりレジストの穴を埋める。 I:残存レジストを剥離する。 J:ニッケルめっき液に浸漬して、配線3、電極形成個
所4、突起部6の全面に厚さ約1μmのニッケルめっき
を施し、引き続きこれをシアン系めっき液に浸漬するこ
とによって、ニッケルめっきの上に厚さ約0.3μmの
金めっきを施す。 以上によって得られたプローブ基板を観察したところ、
各突起部6の縁部には垂直方向に角が立ち、酸化膜に対
して有効な破壊機能を有していることが確認された。
するための手順A〜Jを示す。以下、各手順の内容を説
明する。 A:厚さ18μmの銅箔と厚さ25μmのポリイミドフ
ィルム1を厚さ12μmの接着剤によって貼り合わせた
ラミネート材を準備する。 B:銅箔側にフォトレジストを塗布する。 C:フォトレジストに所定のパターンの露光と現像等を
行うことにより、銅箔の所定の部分を露出させたレジス
ト層を形成する。 D:エッチングを施すことによって露出した部分の銅箔
を溶出し、配線3の先端に電極形成個所4を有した所定
のパターンの配線層2を形成する。 E:残存レジスト層を剥離する。図3(b)が、この時
点での製品構造を示す。 F:配線層2の上にフォトレジスト層を20μmの厚さ
に塗布する。この場合のフォトレジストとしては、形成
膜厚が比較的厚いのでドライフィルムレジストの使用が
有効である。 G:フォトレジストに露光と現像等を施すことによっ
て、電極形成個所4の部分のレジストに突起部6に対応
した形状の穴を形成する。 H:全体をニッケル電解液に浸漬し、レジストの穴の部
分の電極形成個所4にニッケルめっきを成長させ、これ
によりレジストの穴を埋める。 I:残存レジストを剥離する。 J:ニッケルめっき液に浸漬して、配線3、電極形成個
所4、突起部6の全面に厚さ約1μmのニッケルめっき
を施し、引き続きこれをシアン系めっき液に浸漬するこ
とによって、ニッケルめっきの上に厚さ約0.3μmの
金めっきを施す。 以上によって得られたプローブ基板を観察したところ、
各突起部6の縁部には垂直方向に角が立ち、酸化膜に対
して有効な破壊機能を有していることが確認された。
【0024】
【発明の効果】以上のように、本発明によるベアチップ
検査用プローブ基板によれば、複数の扇形の突起部を有
しているため、全体として1つの円形電極と見なすこと
ができることから、半導体チップの電極パッド面に確実
に接触する。また、個個の扇形の突起部は直線と弧状の
エッジ部を有するため、半導体チップの電極パッド面の
酸化皮膜を確実に破って接触抵抗を下げることができ
る。
検査用プローブ基板によれば、複数の扇形の突起部を有
しているため、全体として1つの円形電極と見なすこと
ができることから、半導体チップの電極パッド面に確実
に接触する。また、個個の扇形の突起部は直線と弧状の
エッジ部を有するため、半導体チップの電極パッド面の
酸化皮膜を確実に破って接触抵抗を下げることができ
る。
【図1】本発明によるベアチップ検査用プローブ基板の
実施の形態を示す説明図。
実施の形態を示す説明図。
【図2】本発明によるベアチップ検査用プローブ基板の
(a),(b),(C)の3種の突起の形状を示す説明
図。
(a),(b),(C)の3種の突起の形状を示す説明
図。
【図3】図1のプローブ基板の製造方法を示す説明図で
あり、(a)は製造手順のフローチャート、(b)は製
造途上における製品構造を示す。
あり、(a)は製造手順のフローチャート、(b)は製
造途上における製品構造を示す。
1 ポリイミドフィルム 2 配線層 3 配線 4 電極形成個所 5 チェック用電極 6 突起部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G003 AA00 AG03 AG12 2G011 AA16 AA21 AB06 AB07 AB08 AC14 AE03 4M106 AA02 BA01 DD01
Claims (3)
- 【請求項1】絶縁性の基板と、前記基板の上に形成され
た所定のパターンの配線層と、前記配線層の所定の個所
に形成された電極形成個所と、前記電極形成個所に形成
されて半導体チップの電極に接触させられるチェック用
電極から構成されるベアチップ検査用プローブ基板にお
いて、 前記チェック用電極は、中心を通る直線によって円を複
数に分割した複数の扇形の突起部として前記電極形成個
所に形成されることを特徴とするベアチップ検査用プロ
ーブ基板。 - 【請求項2】前記複数の突起部は、それぞれ一辺の長さ
が100μm以下に形成されることを特徴とする請求項
第1項記載のベアチップ検査用プローブ基板。 - 【請求項3】前記基板は、可橈性材料によって構成され
ることを特徴とする請求項第1項記載のベアチップ検査
用プローブ基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10352945A JP2000180472A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ベアチップ検査用プローブ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10352945A JP2000180472A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ベアチップ検査用プローブ基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000180472A true JP2000180472A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18427535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10352945A Pending JP2000180472A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ベアチップ検査用プローブ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000180472A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004086062A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Jsr Corporation | 電気抵抗測定用コネクター、電気抵抗測定用コネクター装置およびその製造方法並びに回路基板の電気抵抗測定装置および測定方法 |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP10352945A patent/JP2000180472A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004086062A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Jsr Corporation | 電気抵抗測定用コネクター、電気抵抗測定用コネクター装置およびその製造方法並びに回路基板の電気抵抗測定装置および測定方法 |
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