JPH03183173A - 光学素子 - Google Patents
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- JPH03183173A JPH03183173A JP1321278A JP32127889A JPH03183173A JP H03183173 A JPH03183173 A JP H03183173A JP 1321278 A JP1321278 A JP 1321278A JP 32127889 A JP32127889 A JP 32127889A JP H03183173 A JPH03183173 A JP H03183173A
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は発光素子に関し、特に光源又は表示に使用され
る発光素子に関する。
る発光素子に関する。
[従来の技術]
シリコン系材料を用いた発光素子の素子構造としては、
シランガス(Sin−)とメタンガス(C)14)との
混合ガスを原料としてECRプラズマCVD法で分解し
て堆積させたa−3iC膜を電荷注入層及び発光層に用
い、PIN構造としたもの(J。
シランガス(Sin−)とメタンガス(C)14)との
混合ガスを原料としてECRプラズマCVD法で分解し
て堆積させたa−3iC膜を電荷注入層及び発光層に用
い、PIN構造としたもの(J。
Non−Crystalline 5olids
97&98(1987)293−296;”Impro
vement of carrier 1nject
ion efffcfencyin a−3iCp
−1−n LED using highly−
conductivewide−gap P、N
Type a−3iCprepared by
ECRCVD”、 D、Kruangan et al
)が既に報告されている。
97&98(1987)293−296;”Impro
vement of carrier 1nject
ion efffcfencyin a−3iCp
−1−n LED using highly−
conductivewide−gap P、N
Type a−3iCprepared by
ECRCVD”、 D、Kruangan et al
)が既に報告されている。
[発明が・解決しようとする課題〕
前記発光素子に用いられる電荷注入層の屈折率が前記発
光層の屈折率よりも大きい場合が多く、光の閉じこめ効
果による発熱で前記発光素子の劣化が促進されるという
問題点があった。
光層の屈折率よりも大きい場合が多く、光の閉じこめ効
果による発熱で前記発光素子の劣化が促進されるという
問題点があった。
更に、前記電荷注入層における局在準位が多いため、電
荷注入効率が低く、それにともなって発光効率が低下す
るという問題点があった。
荷注入効率が低く、それにともなって発光効率が低下す
るという問題点があった。
更に、前記電荷注入層における禁制帯幅が前記発光層の
禁制帯幅よりも小さい場合が多く、注入された電荷の多
(の部分が発光に寄与することなくそのまま発光素子を
通り抜けてしまい、そのため発光効率が低下するという
問題点があった。
禁制帯幅よりも小さい場合が多く、注入された電荷の多
(の部分が発光に寄与することなくそのまま発光素子を
通り抜けてしまい、そのため発光効率が低下するという
問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決することにより
、発光効率が高く、かつ経時的変化の少ない発光素子を
提供することを目的としている。
、発光効率が高く、かつ経時的変化の少ない発光素子を
提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成する本発明の発光素子は、基体と、該
基体上の第一導電層と、該第−導電層上の不純物を含有
する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層と、該第
−電荷注入層上の水素原子を含有し、必要に応じてハロ
ゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された
発光層と、該発光層上の不純物を含有する窒化ガリウム
で構成された第二電荷注入層と、該第二電荷注入層上の
第二導電層とを有している。
基体上の第一導電層と、該第−導電層上の不純物を含有
する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層と、該第
−電荷注入層上の水素原子を含有し、必要に応じてハロ
ゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された
発光層と、該発光層上の不純物を含有する窒化ガリウム
で構成された第二電荷注入層と、該第二電荷注入層上の
第二導電層とを有している。
第1図は本発明の発光素子の概念的模式図である。本発
明の発光素子100は、下部より基体lot、第一導電
層102、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された
第一電荷注入層103、水素原子を含有し、必要に応じ
てハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成
された発光層104、不純物を含有する窒化ガリウムで
構成された第二電荷注入層105、第二導電層106が
順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極107
.109及びリード線108,110が設けられている
。
明の発光素子100は、下部より基体lot、第一導電
層102、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された
第一電荷注入層103、水素原子を含有し、必要に応じ
てハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成
された発光層104、不純物を含有する窒化ガリウムで
構成された第二電荷注入層105、第二導電層106が
順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極107
.109及びリード線108,110が設けられている
。
本発明において使用される基体101としては、導電性
であっても電気絶縁性であっても良い。導電性基体の材
質としては、例えばNi、 Cr。
であっても電気絶縁性であっても良い。導電性基体の材
質としては、例えばNi、 Cr。
Al、 Mo、 Ag、 Au、 Nb、 Ta、 V
、 TL Pt、 Pb等の金属の単体、またはこれら
の合金、例えばステンレス鋼等が挙げられる。
、 TL Pt、 Pb等の金属の単体、またはこれら
の合金、例えばステンレス鋼等が挙げられる。
電気絶縁性基体の材質としては、ポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂、ガラス、セラ
ミック等が挙げられる。
チレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂、ガラス、セラ
ミック等が挙げられる。
基体101の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の板状、
無端ベルト状または円筒状等であることができ、その厚
さは所望の発光素子を形成し得るように適宜決定できる
が、発光素子の製造上及び取り扱い上の機械的強度の点
から、通常は10tL以上とされる。
無端ベルト状または円筒状等であることができ、その厚
さは所望の発光素子を形成し得るように適宜決定できる
が、発光素子の製造上及び取り扱い上の機械的強度の点
から、通常は10tL以上とされる。
また、基体101として、導電性の材質を用いることに
より、該基体101が前記第一導電層102を兼ねるこ
とも可能であり、この際には、該第−導電層102を省
く構造とすることが可能である。
より、該基体101が前記第一導電層102を兼ねるこ
とも可能であり、この際には、該第−導電層102を省
く構造とすることが可能である。
本発明において使用される第一導電層102及び第二導
電層106の材質としては、例えば、Ni、 Cr、
AI、 In、 Sn、 Mo、 Ag、 Au、 N
b、 Ta、 V。
電層106の材質としては、例えば、Ni、 Cr、
AI、 In、 Sn、 Mo、 Ag、 Au、 N
b、 Ta、 V。
Ti、 Pt、 Pb等の金属の単体またはこれらの合
金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばIn
zOs、 ITO(IniOm+5nOa)等が挙げら
れる。
金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばIn
zOs、 ITO(IniOm+5nOa)等が挙げら
れる。
また基体101の材質がガラス、ポリエステル等の透明
なものであり、発光素子によって発光した光を支持体1
01側を透過させて取り出す場合には、第一導電膜10
2として、基体上に真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等の方法を用いて堆積させた上記金属、合金ま
たは酸化物等の透明導電膜を用いれば良い。
なものであり、発光素子によって発光した光を支持体1
01側を透過させて取り出す場合には、第一導電膜10
2として、基体上に真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等の方法を用いて堆積させた上記金属、合金ま
たは酸化物等の透明導電膜を用いれば良い。
本発明において使用される第一電荷注入層103及び第
二電荷注入層105は窒化ガリウムで構成され、各々異
なる不純物が添加されており、その結果として電荷注入
機能を有している。
二電荷注入層105は窒化ガリウムで構成され、各々異
なる不純物が添加されており、その結果として電荷注入
機能を有している。
本発明において第一電荷注入層103及び第二電荷注入
層105を構成する窒化ガリウム膜は、膜中の欠陥が極
めて少ないために電荷注入効率が高いという特徴を有し
ている。
層105を構成する窒化ガリウム膜は、膜中の欠陥が極
めて少ないために電荷注入効率が高いという特徴を有し
ている。
また、本発明において第一電荷注入層103及び第二電
荷注入層105を構成する窒化ガリウム膜及び発光層1
04を構成するa−3iC膜の可視光に対する屈折率が
共に2.8〜3.2と近いため、光の閉じ込め効果によ
る発光素子内での発熱が小さく、発光素子の劣化が抑え
られる。
荷注入層105を構成する窒化ガリウム膜及び発光層1
04を構成するa−3iC膜の可視光に対する屈折率が
共に2.8〜3.2と近いため、光の閉じ込め効果によ
る発光素子内での発熱が小さく、発光素子の劣化が抑え
られる。
更に、本発明において発光層104を構成するa−3t
(:膜の禁制帯幅(1,9〜2.3eV)に対して第一
電荷注入層103及び第二電荷注入層105を構成する
窒化ガリウム膜の禁制帯幅(2,3eV)が広いため、
注入された電荷が発光に寄与することなしに発光層を通
り抜けてしまうことを防ぐ効果、いわゆる電荷の閉じ込
め効果によって、発光効率が高められる。
(:膜の禁制帯幅(1,9〜2.3eV)に対して第一
電荷注入層103及び第二電荷注入層105を構成する
窒化ガリウム膜の禁制帯幅(2,3eV)が広いため、
注入された電荷が発光に寄与することなしに発光層を通
り抜けてしまうことを防ぐ効果、いわゆる電荷の閉じ込
め効果によって、発光効率が高められる。
本発明において第一電荷注入層103及び第二電荷注入
層105に導入される不純物としては、ベリリウム原子
(Be) 、マグネシウム原子(Mg )、亜鉛原子(
Zn) 、カドミウム原子(Cd) 、炭素原子(C1
,ケイ素原子(Si) 、ゲルマニウム原子(Ge)、
イオウ原子(S)、セレン原子(Se)等の単独、ある
いはこれらのうちの2種以上を混合したものが挙げられ
る。
層105に導入される不純物としては、ベリリウム原子
(Be) 、マグネシウム原子(Mg )、亜鉛原子(
Zn) 、カドミウム原子(Cd) 、炭素原子(C1
,ケイ素原子(Si) 、ゲルマニウム原子(Ge)、
イオウ原子(S)、セレン原子(Se)等の単独、ある
いはこれらのうちの2種以上を混合したものが挙げられ
る。
本発明において第一電荷注入層103及び第二電荷注入
層105に導入される不純物の量は、通常は1〜100
0原子ppm、好ましくは2〜500原子ppmである
。
層105に導入される不純物の量は、通常は1〜100
0原子ppm、好ましくは2〜500原子ppmである
。
本発明における第一電荷注入層103及び第二電荷注入
層105の層厚は所望の目的に応じて適宜決定されるも
のであるが、通常は40〜6000Å、好ましくは70
〜2000Åである。
層105の層厚は所望の目的に応じて適宜決定されるも
のであるが、通常は40〜6000Å、好ましくは70
〜2000Åである。
本発明において発光層104を構成するa−3iCは水
素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する
非単結晶炭化シリコン(“a−3iC:)I(X)”と
表記する)である。
素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する
非単結晶炭化シリコン(“a−3iC:)I(X)”と
表記する)である。
本発明において発光層104を構成するa−3iC:H
(X)の光学的バンドギャップは、本発明の発光素子の
発光スペクトル、あるいは発光効率に対して大きな影響
を与える重要なパラメータの1つであり、所望の素子特
性に応じて適宜決定されるものである。本発明において
は1発光層104を構成するa−3iC:H(X)の光
学的バンドギャップは好ましくは1.9eV〜2.2e
Vであり、短波長の発光を得る場合には光学的バンドギ
ャップの大きいものを用い、長波長の発光を得る場合に
は光学的バンドギャップの小さいものを用いる。
(X)の光学的バンドギャップは、本発明の発光素子の
発光スペクトル、あるいは発光効率に対して大きな影響
を与える重要なパラメータの1つであり、所望の素子特
性に応じて適宜決定されるものである。本発明において
は1発光層104を構成するa−3iC:H(X)の光
学的バンドギャップは好ましくは1.9eV〜2.2e
Vであり、短波長の発光を得る場合には光学的バンドギ
ャップの大きいものを用い、長波長の発光を得る場合に
は光学的バンドギャップの小さいものを用いる。
本発明において発光層104の層厚は、目的に応じて適
宜決定されるものであるが、好ましくは0.1μrm〜
1μmとされ、より好ましくは0.2μI11〜0.6
μmとされる。該発光層104の層厚が0.1LLm未
満であると、該発光層が薄いために、発光強度が低いも
のとなる。また、該発光層104の層厚が1μmを越え
ると発光層自体での発光の吸収が増加し、発生した熱に
よって発光素子が劣化すると共に、外部に取り出される
実質的な発光強度が低下するので好ましくない。
宜決定されるものであるが、好ましくは0.1μrm〜
1μmとされ、より好ましくは0.2μI11〜0.6
μmとされる。該発光層104の層厚が0.1LLm未
満であると、該発光層が薄いために、発光強度が低いも
のとなる。また、該発光層104の層厚が1μmを越え
ると発光層自体での発光の吸収が増加し、発生した熱に
よって発光素子が劣化すると共に、外部に取り出される
実質的な発光強度が低下するので好ましくない。
本発明の発光素子の作製方法を、以下に概略的に説明す
る。
る。
第2図は本発明の発光素子の製造に用いられる堆積膜形
成装置の断面を表す概略的模式図である。本発明の発光
素子の製造に用いられる堆積膜形成装置は、図示しない
真空ポンプによって減圧にし得る反応容器20!、アル
ミナセラミックス製のマイクロ波導入窓202、図示し
ないマイクロ波電源装置によって発生したマイクロ波を
該反応容器201に導くマイクロ波導波路203、排気
管204、基体205を加熱する基体加熱用ヒーター2
06を内蔵した基体ホルダー207、堆積膜形成用原料
ガス導入管(側面ガス管)208、装置の他の部分と電
気的に絶縁されている堆積膜形成用原料ガス導入管(中
央ガス管)209、ガス導入管209にDCあるいはA
Cのバイアス電圧を印加するためのバイアス電源210
によって構成されている。ガス導入管208及び2O9
は、図示しない原料ガスボンベとマスフローコントロー
ラーを介して接続されている。
成装置の断面を表す概略的模式図である。本発明の発光
素子の製造に用いられる堆積膜形成装置は、図示しない
真空ポンプによって減圧にし得る反応容器20!、アル
ミナセラミックス製のマイクロ波導入窓202、図示し
ないマイクロ波電源装置によって発生したマイクロ波を
該反応容器201に導くマイクロ波導波路203、排気
管204、基体205を加熱する基体加熱用ヒーター2
06を内蔵した基体ホルダー207、堆積膜形成用原料
ガス導入管(側面ガス管)208、装置の他の部分と電
気的に絶縁されている堆積膜形成用原料ガス導入管(中
央ガス管)209、ガス導入管209にDCあるいはA
Cのバイアス電圧を印加するためのバイアス電源210
によって構成されている。ガス導入管208及び2O9
は、図示しない原料ガスボンベとマスフローコントロー
ラーを介して接続されている。
本発明の発光素子は、上記の堆積膜形成装置を用いて、
以下のような手順に従って作製される。
以下のような手順に従って作製される。
反応容器201内の基体ホルダー207に、第一導電層
の堆積されている基体205を設置し。
の堆積されている基体205を設置し。
不図示の真空ポンプを作動させ、排気管204を介して
反応容器201内を10− ’Torr以下の真空度に
排気する。基体加熱用ヒーター206に通電し、基体2
05を所望の温度に加熱、保持する。
反応容器201内を10− ’Torr以下の真空度に
排気する。基体加熱用ヒーター206に通電し、基体2
05を所望の温度に加熱、保持する。
基体205が所定の温度に達した後、電荷注入層形成用
ガスを、ガス導入管208及び209を介して反応容器
201内に導入する0次に反応容器201内の圧力をO
,1Torr以下の所定の値に調整する。圧力が安定し
た後、図示しないマイクロ波電源を作動させ、マイクロ
波導波路203、マイクロ波導入窓202を介してマイ
クロ波を反応容器201内に導入する。この時のマイク
ロ波のエネルギーは、堆積膜形成用ガスの全流量に対し
て30 W / sccm以上の値を持つように定めら
れる。
ガスを、ガス導入管208及び209を介して反応容器
201内に導入する0次に反応容器201内の圧力をO
,1Torr以下の所定の値に調整する。圧力が安定し
た後、図示しないマイクロ波電源を作動させ、マイクロ
波導波路203、マイクロ波導入窓202を介してマイ
クロ波を反応容器201内に導入する。この時のマイク
ロ波のエネルギーは、堆積膜形成用ガスの全流量に対し
て30 W / sccm以上の値を持つように定めら
れる。
更に、必要に応じて、ガス導入管209にバイアス電源
210によってDCあるいはACのバイアス電圧を印加
する。
210によってDCあるいはACのバイアス電圧を印加
する。
この状態を所定の時間維持することにより、第一導電層
102の堆積されていた基体上に第一電荷注入層103
が形成される。
102の堆積されていた基体上に第一電荷注入層103
が形成される。
第一電荷注入層103及び第二電荷注入層105の堆積
に用いられる原料ガスとしては、GatHa。
に用いられる原料ガスとしては、GatHa。
GaFm、 GaC15,N*、NHs、 NO+t、
NFs等のガス状態のまたはガス化しやすい化合物が
挙げられる。
NFs等のガス状態のまたはガス化しやすい化合物が
挙げられる。
また、不純物導入用の原料ガス・とじては、SiH4゜
5IJa、 5tF4. GeH4,GeF4+ 5F
41 SF$15C1i。
5IJa、 5tF4. GeH4,GeF4+ 5F
41 SF$15C1i。
5aBri、 HaS、 5eF4. 5eFs、
SeH*、Be(CHs)t。
SeH*、Be(CHs)t。
Be(CJJa、 MgCHmCl、 Zn(CHm)
a、 Zn(CxHs)*。
a、 Zn(CxHs)*。
Cd(CHm)z、 Cd(CJs)*、Cd(CsH
y)z、 Hg、 Hg(C)Is)z。
y)z、 Hg、 Hg(C)Is)z。
C)!、、ClH8,C2F[、、C,旧等のガス状態
のまたはガス化しやすい化合物が挙げられる。
のまたはガス化しやすい化合物が挙げられる。
上述の方法で第一電荷注入層を形成した後、同一装置内
で引続き以下の方法で、発光層104の形成を行う。
で引続き以下の方法で、発光層104の形成を行う。
発光層の形成の際には、ガス導入バイブ209からは炭
素含有ガスを主に導入し、ガス導入管208からはシリ
コン含有ガス、水素ガスを導入することが好ましい。炭
素含有ガスはプラズマ内で長時間プラズマにさらされる
ことなく、なるべく短い時間で支持体上に堆積させた方
が良い。なぜなら、プラズマ内で炭素含有ガスの分解が
進み、炭素原子が存在するようになると、炭素原子は非
常に反応性が高いために、未分解の炭素含有ガスと反応
したり堆積した炭素原子と反応して、堆積膜中にグラフ
ァイト構造を持ち込みやすいと考えられるからである。
素含有ガスを主に導入し、ガス導入管208からはシリ
コン含有ガス、水素ガスを導入することが好ましい。炭
素含有ガスはプラズマ内で長時間プラズマにさらされる
ことなく、なるべく短い時間で支持体上に堆積させた方
が良い。なぜなら、プラズマ内で炭素含有ガスの分解が
進み、炭素原子が存在するようになると、炭素原子は非
常に反応性が高いために、未分解の炭素含有ガスと反応
したり堆積した炭素原子と反応して、堆積膜中にグラフ
ァイト構造を持ち込みやすいと考えられるからである。
また、更に堆積膜の欠陥を減少させ、電気的特性を向上
させるために、水素の添加が必要となる。水素はH2と
いう形ではあまり特性向上には役に立たず、水素ラジカ
ルになった場合に特性向上に役立つ。そして、水素ラジ
カルはできるだけ多く存在した方が特性が向上する。
させるために、水素の添加が必要となる。水素はH2と
いう形ではあまり特性向上には役に立たず、水素ラジカ
ルになった場合に特性向上に役立つ。そして、水素ラジ
カルはできるだけ多く存在した方が特性が向上する。
反応容器201内を10−’Torr以下の真空度に排
気した後、上記のようにしてガスを導入して1反応容器
201内の圧力を0. ITorr以下の所定の圧力に
調整する0反応容器201内の圧力が安定した後、図示
しないマイクロ波電源からマイクロ波導波路203、マ
イクロ波導入窓202を介して反応容器201内にマイ
クロ波を導入する。該マイクロ波のエネルギーは発光層
形成用原料ガスの全流量に対して20 W / sec
m以上の値を持つように設定する。更に、必要に応じて
、バイアス電源210によってガス導入管209にDC
あるいはACのバイアス電圧を印加する。
気した後、上記のようにしてガスを導入して1反応容器
201内の圧力を0. ITorr以下の所定の圧力に
調整する0反応容器201内の圧力が安定した後、図示
しないマイクロ波電源からマイクロ波導波路203、マ
イクロ波導入窓202を介して反応容器201内にマイ
クロ波を導入する。該マイクロ波のエネルギーは発光層
形成用原料ガスの全流量に対して20 W / sec
m以上の値を持つように設定する。更に、必要に応じて
、バイアス電源210によってガス導入管209にDC
あるいはACのバイアス電圧を印加する。
良質なa−SiC:H(X)WAを堆積させるためには
反応容器201内の圧力は0.3mTorrx 100
mTorrとする。
反応容器201内の圧力は0.3mTorrx 100
mTorrとする。
良質なa−3iC:H(X)膜を堆積するに適する原料
ガスとしては次のようなものがある。
ガスとしては次のようなものがある。
シリコン系の原料ガスとしては、SL)+4.5iJs
。
。
SiJ□・・・、 SiF4.5iJs、・・・等のシ
ラン系のガスが利用される。
ラン系のガスが利用される。
炭素系の原料ガスとしては、CH4,C,H,、C,H
,。
,。
、CxH4,C5Ha、 ・ ・ ・ 、C,H,、
・ ・ ・C,H,、CF4.・・・等のガスが利用さ
れる。
・ ・ ・C,H,、CF4.・・・等のガスが利用さ
れる。
また、シリコンと炭素とを共に含む原料ガスとしては、
(CHs)4St、 ・・・等のガスが利用できる。
(CHs)4St、 ・・・等のガスが利用できる。
上記シリコン系原料ガスと炭素系原料ガスの混合比(重
量比)は、所望の発光素子の特性に応じて適宜決定され
るものであるが、好ましくは2:1〜100:1、より
好ましくは5:1〜20:1である。
量比)は、所望の発光素子の特性に応じて適宜決定され
るものであるが、好ましくは2:1〜100:1、より
好ましくは5:1〜20:1である。
上記各種原料ガスは、複数種混合して用いることもでき
る。
る。
上述の方法で発光層を形成した後、同一装置内で引き続
き第二電荷注入層105の形成を行う。
き第二電荷注入層105の形成を行う。
その方法は、前記第一電荷注入層とは不純物導入用の原
料ガスを変えるだけで、前記第一電荷注入層の形成法と
同様である。
料ガスを変えるだけで、前記第一電荷注入層の形成法と
同様である。
上述の方法で第二電荷注入層を形成した後、この上に第
二導電層を形成する。本発明において使用される第二導
電層は、基体101側に光を放出する場合には透光性で
あっても、非透光性であってもよい。第二導電層側に光
を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望
ましい。
二導電層を形成する。本発明において使用される第二導
電層は、基体101側に光を放出する場合には透光性で
あっても、非透光性であってもよい。第二導電層側に光
を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望
ましい。
本発明において使用されるコンタクト電極は、リード線
と、第一または第二導電層との間の電気的導通性をよく
する材料が望ましい。その様な材料として、Ag、 P
t、 AI等が挙げられる。コンタクト電極は、第一ま
たは第二の導電層上にマスクを置いてこれらの金属を蒸
着させることによって形成することが可能である。
と、第一または第二導電層との間の電気的導通性をよく
する材料が望ましい。その様な材料として、Ag、 P
t、 AI等が挙げられる。コンタクト電極は、第一ま
たは第二の導電層上にマスクを置いてこれらの金属を蒸
着させることによって形成することが可能である。
[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明を更に具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
第2図に示すようなマイクロ波プラズマCVD装置を用
いて、上述した手順にしたがって、第1表に示すような
堆積膜形成条件下で発光素子を形成した。
いて、上述した手順にしたがって、第1表に示すような
堆積膜形成条件下で発光素子を形成した。
該発光素子は、コーニング社製7059ガラス基板上に
形成した。該発光素子の構造は、コーニング社製705
9ガラス基板上にCr電極をエレクトロンビーム蒸着法
により形成し、この上に第一電荷注入層として不純物S
を含む500λの窒化ガリウム、発光層として5000
人のa−3iC:)1層、第二電荷注入層として不純物
SLを含む500人の窒化ガリウム、透明電極としてI
TOを順次積層した構造である。
形成した。該発光素子の構造は、コーニング社製705
9ガラス基板上にCr電極をエレクトロンビーム蒸着法
により形成し、この上に第一電荷注入層として不純物S
を含む500λの窒化ガリウム、発光層として5000
人のa−3iC:)1層、第二電荷注入層として不純物
SLを含む500人の窒化ガリウム、透明電極としてI
TOを順次積層した構造である。
このようにして作製した発光素子の評価を、第3図に示
す評価装置を用いて行った。
す評価装置を用いて行った。
第3図に概略的模式図で示した評価装置は、外面に外部
からの光を遮断するためのアルミニウム膜302が設け
られ且つ内面に完全反射面としての酸化マグネシウム膜
303が設けられたガラス製チャンバー301、発光素
子307を固定しこれに通電する発光素子ホルダー30
5、及びすりガラス304で隔てられた光電管306か
ら構成されている。
からの光を遮断するためのアルミニウム膜302が設け
られ且つ内面に完全反射面としての酸化マグネシウム膜
303が設けられたガラス製チャンバー301、発光素
子307を固定しこれに通電する発光素子ホルダー30
5、及びすりガラス304で隔てられた光電管306か
ら構成されている。
実施例1において作製した発光素子の発光強度と発光寿
命を前記評価装置を用い、DC,IOVの電圧をかけて
評価した。その結果を第1表に示す。但し、発光強度及
び発光寿命の値は、次の比較例における発光素子によっ
て得られた値を1として規格化されている。
命を前記評価装置を用い、DC,IOVの電圧をかけて
評価した。その結果を第1表に示す。但し、発光強度及
び発光寿命の値は、次の比較例における発光素子によっ
て得られた値を1として規格化されている。
(比較例)
第−及び第二電荷注入層として窒化ガリウムの代わりに
a−3iCを用いて実施例1と同様にして発光素子を作
製し、これを比較例とした。
a−3iCを用いて実施例1と同様にして発光素子を作
製し、これを比較例とした。
(実施例2)
第2表に示すような堆積膜形成条件を採用して、実施例
1と同様な方法で発光素子を作製した。
1と同様な方法で発光素子を作製した。
該発光素子は、コーニング社製7059ガラス基板上に
透明電極としてITOをスパッタ蒸着にて形成し、その
上に第一電荷注入層として不純物Sを含む500人の窒
化ガリウム、発光層として4000人のa−3iC:)
l 、第二電荷注入層として不純物SLを含む500人
の窒化ガリウム、C「電極を順次積層した構造を有する
。このように作製した発光素子に対し、実施例1と同様
に比較例との相対評価を行い、その結果を第2表に示す
。
透明電極としてITOをスパッタ蒸着にて形成し、その
上に第一電荷注入層として不純物Sを含む500人の窒
化ガリウム、発光層として4000人のa−3iC:)
l 、第二電荷注入層として不純物SLを含む500人
の窒化ガリウム、C「電極を順次積層した構造を有する
。このように作製した発光素子に対し、実施例1と同様
に比較例との相対評価を行い、その結果を第2表に示す
。
(実施例3)
第3表に示すような堆積膜形成条件を採用して、実施例
1と同様な方法で発光素子を作製した。
1と同様な方法で発光素子を作製した。
該発光素子は、コーニング社製7059ガラス基板上に
透明電極としてITOをスパッタ蒸着にて形成し、その
上に第一電荷注入層として不純物Stを含む500人の
窒化ガリウム、発光層として4000人のa−3iC:
H(F)、第二電荷注入層として不純物SLを含む50
0人の窒化ガリウム、Cr電極を順次積層した構造を有
する。このように作製した発光素子に対し、実施例1と
同様!;比較例との相対評価を行い、その結果を第3表
に示す。
透明電極としてITOをスパッタ蒸着にて形成し、その
上に第一電荷注入層として不純物Stを含む500人の
窒化ガリウム、発光層として4000人のa−3iC:
H(F)、第二電荷注入層として不純物SLを含む50
0人の窒化ガリウム、Cr電極を順次積層した構造を有
する。このように作製した発光素子に対し、実施例1と
同様!;比較例との相対評価を行い、その結果を第3表
に示す。
(実施例4)
実施例1の方法において発光層の膜厚だけを第4表に示
すように変えて発光素子を作製し、実施例1と同様の評
価を行い、その結果を第4表に示す。
すように変えて発光素子を作製し、実施例1と同様の評
価を行い、その結果を第4表に示す。
(実施例5)
実施例1の方法において第一電荷注入層の膜厚だけを第
5表に示すように変えて発光素子を作製し、実施例1と
同様の評価を行い、その結果を第5表に示す。
5表に示すように変えて発光素子を作製し、実施例1と
同様の評価を行い、その結果を第5表に示す。
(実施例6)
実施例1の方法において第二電荷注入層の含まれる不純
物の量だけを第6表に示すように変えて発光素子を作製
し、実施例1と同様の評価を行い、その結果を第6表に
示す。
物の量だけを第6表に示すように変えて発光素子を作製
し、実施例1と同様の評価を行い、その結果を第6表に
示す。
第4表
第5表
第6表
[発明の効果]
本発明の発光素子においてa−3iC:H(X)からな
る発光層を挟持する電荷注入層に禁制帯幅がa−3iC
よりも広く、屈折率がa−3iCにほぼ等しく、かつ膜
内の局在準位が少ない窒化ガリウムを用いることによっ
て、発生した光の閉じ込め効果をなくし、かつ電荷の閉
じ込め効果を得ることが可能となり、電荷注入効率及び
発熱等が改善され1発光効率及び発光寿命を大きく向上
することが可能となった。
る発光層を挟持する電荷注入層に禁制帯幅がa−3iC
よりも広く、屈折率がa−3iCにほぼ等しく、かつ膜
内の局在準位が少ない窒化ガリウムを用いることによっ
て、発生した光の閉じ込め効果をなくし、かつ電荷の閉
じ込め効果を得ることが可能となり、電荷注入効率及び
発熱等が改善され1発光効率及び発光寿命を大きく向上
することが可能となった。
第1図は、本発明の発光素子の概略的模式図である。
第2図は、本発明の発光素子の作製に使用したマイクロ
波プラズマCVD装置の概略的模式図である。 第3図は、本発明の発光素子の評価に用いた発光強度測
定機の概略的模式図である。 第1図において、101は基体、102は第一導電層、
103は第一の電荷注入層、104は発光層、105は
第二の電荷注入層、106は第二の導電層、107.1
09はコンタクト電極、108.110はリード線であ
る。 第2図において201は反応容器、202はマイクロ波
導入窓、203はマイクロ波導波路、204は排気管、
205は基体、206は基体加熱用ヒーター、207は
基体ホルダー、208は堆積膜形成用原料ガス導入管(
側面ガス管)、209は堆積膜形成用原料ガス導入管(
中央ガス管)、210はバイアス電源である。 第3図において301はガラス製チャンバー302はア
ルミニウム膜、303は酸化マグネシウム膜、304は
すりガラス、305は発光素子ホルダー、306は光電
管、307は発光素子である。
波プラズマCVD装置の概略的模式図である。 第3図は、本発明の発光素子の評価に用いた発光強度測
定機の概略的模式図である。 第1図において、101は基体、102は第一導電層、
103は第一の電荷注入層、104は発光層、105は
第二の電荷注入層、106は第二の導電層、107.1
09はコンタクト電極、108.110はリード線であ
る。 第2図において201は反応容器、202はマイクロ波
導入窓、203はマイクロ波導波路、204は排気管、
205は基体、206は基体加熱用ヒーター、207は
基体ホルダー、208は堆積膜形成用原料ガス導入管(
側面ガス管)、209は堆積膜形成用原料ガス導入管(
中央ガス管)、210はバイアス電源である。 第3図において301はガラス製チャンバー302はア
ルミニウム膜、303は酸化マグネシウム膜、304は
すりガラス、305は発光素子ホルダー、306は光電
管、307は発光素子である。
Claims (1)
- 発光層及び該発光層の両面上に形成された電荷注入層
を有する発光素子において、該発光層が水素原子を含む
非単結晶炭化シリコンで構成されており、該電荷注入層
が不純物を含有する窒化ガリウムで構成されていること
を特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1321278A JPH03183173A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1321278A JPH03183173A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03183173A true JPH03183173A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18130786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1321278A Pending JPH03183173A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03183173A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291621A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料 |
JPH0878728A (ja) * | 1994-08-22 | 1996-03-22 | Korea Res Inst Of Chem Technol | 青色発光窒化ガリウムのヘテロエピタキシャル成長方法 |
USRE36747E (en) * | 1992-07-23 | 2000-06-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
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