JPS6247172A - 発光素子 - Google Patents
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- JPS6247172A JPS6247172A JP60187741A JP18774185A JPS6247172A JP S6247172 A JPS6247172 A JP S6247172A JP 60187741 A JP60187741 A JP 60187741A JP 18774185 A JP18774185 A JP 18774185A JP S6247172 A JPS6247172 A JP S6247172A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光源或いは表示に使用される発光素子に関す
る。
る。
従来、発光素子の発光層を構成する材料としては、種々
のものが報告されているが、その中でも例えばAppl
、 Phys、 Lett、 28(+978)、PP
820−622゜J、1.Pankou、D、E、Ca
rlson 、やJpn、J、Appl、Phys、j
j(+982)PP473−475.に、↑akaha
shi他、に記載されている水素原子を含む非単結晶シ
リコン(以後、rnon−9i:旧と記す)は、単結晶
シリコンと同様の゛(′導体l゛学の適用がn1能であ
ること、及び潜在的特性に優れたものがある可能慴があ
ること等の為に汀[1されている材ネ1の1つである。
のものが報告されているが、その中でも例えばAppl
、 Phys、 Lett、 28(+978)、PP
820−622゜J、1.Pankou、D、E、Ca
rlson 、やJpn、J、Appl、Phys、j
j(+982)PP473−475.に、↑akaha
shi他、に記載されている水素原子を含む非単結晶シ
リコン(以後、rnon−9i:旧と記す)は、単結晶
シリコンと同様の゛(′導体l゛学の適用がn1能であ
ること、及び潜在的特性に優れたものがある可能慴があ
ること等の為に汀[1されている材ネ1の1つである。
1−置引用文献に記載されたnon−9i:Hを発光材
ネ1に用いた発光素イの構成は、P型不純物を含有する
P型伝導層(P層)と、P型及びN型のいずれの不純物
も含有しない層(ノンドープ層)と、N型不純物を含有
するN型伝導層(N層)とを積層したホモ接合を有する
。
ネ1に用いた発光素イの構成は、P型不純物を含有する
P型伝導層(P層)と、P型及びN型のいずれの不純物
も含有しない層(ノンドープ層)と、N型不純物を含有
するN型伝導層(N層)とを積層したホモ接合を有する
。
しかしながら、この様な構成の従来報告されている発光
素子では、十分な発光層のM7視光領域の発光が得られ
ておらず、加えて発光強度が弱く、寿命も短い、発光特
性の安定性に欠けると実用的には改良すべき点の多くを
残している。L記改貞案の1つとして、non−8i
:Hに炭素原子を加えて、光学的バンドギャップを拡大
し、0■視波長領域の発光を得る試みもなされているが
、実用的には未だ問題を残しており、光源素子や表示素
子としては、未だ工業化されるには至っていない。
素子では、十分な発光層のM7視光領域の発光が得られ
ておらず、加えて発光強度が弱く、寿命も短い、発光特
性の安定性に欠けると実用的には改良すべき点の多くを
残している。L記改貞案の1つとして、non−8i
:Hに炭素原子を加えて、光学的バンドギャップを拡大
し、0■視波長領域の発光を得る試みもなされているが
、実用的には未だ問題を残しており、光源素子や表示素
子としては、未だ工業化されるには至っていない。
〔[1的〕
本発明は、1.記従来の欠点を改良した発光素子を提供
することを主たる目的とする。
することを主たる目的とする。
本発明の別の目的は、可視波長領域に充分な発光Vを有
し、発光効率と再現性の向−1;をJlった発光素子を
提供することである。
し、発光効率と再現性の向−1;をJlった発光素子を
提供することである。
本発明のもう1つの目的は、発光特性の安定++と寿命
を飛躍的に向[−させた発光素子を提供することである
。
を飛躍的に向[−させた発光素子を提供することである
。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の発光素子は水素原子を含む非単結晶シリコンで
構成された発光層と、該発光層を挟持する−・対の電気
的絶縁層と、これ等の発光層と絶縁層とを挟持し電気的
に接続された少なくとも−・対の電極とを有し、前記発
光層の光学的バンドギャップが2.OeV以−[−で口
つ局在準位密度がミツドギャップで10 ” c「3φ
eV−’以ドである東を4¥徴とする。
構成された発光層と、該発光層を挟持する−・対の電気
的絶縁層と、これ等の発光層と絶縁層とを挟持し電気的
に接続された少なくとも−・対の電極とを有し、前記発
光層の光学的バンドギャップが2.OeV以−[−で口
つ局在準位密度がミツドギャップで10 ” c「3φ
eV−’以ドである東を4¥徴とする。
本発明の発光素子は、ト記の構成とすることによって、
rrf視波長波長領域光ピークをイ1すると共に充分な
発光18−得、発光効率と再現性を高めることが出来、
発光特性の安定性と寿命を飛躍的に向1−コせることが
出来る。
rrf視波長波長領域光ピークをイ1すると共に充分な
発光18−得、発光効率と再現性を高めることが出来、
発光特性の安定性と寿命を飛躍的に向1−コせることが
出来る。
以ド、本発明を図面に従って具体的に説明する。
piTj1図は1本発明の発光素rのtlT’ltな実
施態様例の層構成を示す模式的層構成図である。
施態様例の層構成を示す模式的層構成図である。
第1図に示される発光素子は、基体、101.1−にJ
ぐけられた下部電極102上に、F部電気的絶縁層10
31発光層104及びl一部電気的絶縁層105、該絶
縁層1051−に設けられた1一部電極106とで構成
されている。
ぐけられた下部電極102上に、F部電気的絶縁層10
31発光層104及びl一部電気的絶縁層105、該絶
縁層1051−に設けられた1一部電極106とで構成
されている。
第1図に示す発光素子を面状発光素子として使用する場
合には、電極102又は/及び電極106は発光色の色
までも利用するのであれば、透明であることが必要であ
り、発光層を利用するのであれば、発光する光に対して
透光性であるのが9ましい。電極102側より発光々を
取り出す場合には、基体101は電極102と同様透明
であるか若しくは発光する光に対して透光性であること
が望ましい。
合には、電極102又は/及び電極106は発光色の色
までも利用するのであれば、透明であることが必要であ
り、発光層を利用するのであれば、発光する光に対して
透光性であるのが9ましい。電極102側より発光々を
取り出す場合には、基体101は電極102と同様透明
であるか若しくは発光する光に対して透光性であること
が望ましい。
本発明において、発光層は、non−3i :Hで構成
される。
される。
発光層中に含有される水素原子(H)は、シリコン原子
の自由ダングリングボンドを補償し、その含有υは形成
される層の半導体特性、光学的特性、及び素子の発光特
性を左右する重要因子であって、本発明においては、水
素原子(H)の含有皐はN適にはシリコン原子に対して
0.1〜40原子%、より好適には0.5〜35原子%
、最適には1〜30原子%である。
の自由ダングリングボンドを補償し、その含有υは形成
される層の半導体特性、光学的特性、及び素子の発光特
性を左右する重要因子であって、本発明においては、水
素原子(H)の含有皐はN適にはシリコン原子に対して
0.1〜40原子%、より好適には0.5〜35原子%
、最適には1〜30原子%である。
本発明においては、光CVD法(光エネルギーを反応に
利用した化学的気相法による堆積膜形成法)の採用によ
り前述の構成を与えることが出来るものであり、発光層
を形成する為の原料物質も光CVD法に適合するものを
選択して使用するのが望ましい。
利用した化学的気相法による堆積膜形成法)の採用によ
り前述の構成を与えることが出来るものであり、発光層
を形成する為の原料物質も光CVD法に適合するものを
選択して使用するのが望ましい。
発光層104は、non−3i:Hで構成yれるもので
あるが、好ましくは所謂真性(N型)の半導体重P1を
示す層として作成されるのが望ましい。
あるが、好ましくは所謂真性(N型)の半導体重P1を
示す層として作成されるのが望ましい。
non−Si:Hで構成される層は、その一般的傾向よ
り所謂P型又はN型の不純物を含有1.ない場合には僅
かにN型傾向を示すので、発光層104をN型伝導層と
するには、僅かにP型不純物を含有させる。
り所謂P型又はN型の不純物を含有1.ない場合には僅
かにN型傾向を示すので、発光層104をN型伝導層と
するには、僅かにP型不純物を含有させる。
発光W104は1発光特性は僅かに低下はするが、P型
又はN型の不純物を含有しない所謂ノンドープ層とする
ことも出来る。
又はN型の不純物を含有しない所謂ノンドープ層とする
ことも出来る。
発光層104をN型伝導層とするには、層形成する際に
P型伝導特性なり、えるP型不純物を含有させるか或い
は既にnon−9i:)lで構成された層中に、P型の
不純物をイオンインプランテーションが、等の手段で注
入してやれば良い。
P型伝導特性なり、えるP型不純物を含有させるか或い
は既にnon−9i:)lで構成された層中に、P型の
不純物をイオンインプランテーションが、等の手段で注
入してやれば良い。
P型不純物としては、所謂周期律表第璽族に属する原子
(第璽族原子)、即ちB(硼素)、AM(アルミニウム
)、Ga(ガリウム)、In(イタリウム)、Te(タ
リウム)等があり、殊に好適に用いられるのは、B、G
aである。
(第璽族原子)、即ちB(硼素)、AM(アルミニウム
)、Ga(ガリウム)、In(イタリウム)、Te(タ
リウム)等があり、殊に好適に用いられるのは、B、G
aである。
′電気的絶縁層103,105を構成する材料としては
、′電気的に良好な絶縁特性を有し、発光層104での
発光々を効率良く外部に取り出すのに悪影響をり、オな
いもので、成11りが容易なものであれば大概のものを
採用することが出来る。
、′電気的に良好な絶縁特性を有し、発光層104での
発光々を効率良く外部に取り出すのに悪影響をり、オな
いもので、成11りが容易なものであれば大概のものを
採用することが出来る。
絶縁層103.105のいずれか一方は、発光々を外部
に取り出す為に5発光層に対して透明P)である必要が
ある。絶縁層103,105を構成する材I’lとして
、本発明において、好適lこ使用されるのは具体的には
Y203.S t07 。
に取り出す為に5発光層に対して透明P)である必要が
ある。絶縁層103,105を構成する材I’lとして
、本発明において、好適lこ使用されるのは具体的には
Y203.S t07 。
11品質の酸化シリコ7 (a−5i xoixイ!1
し、0<x<1)、HfO,、Si3 N4.非晶質の
空化シリコン(a−3iyN1−y但し、0<y<1)
、Aす20.、PbTiO3,11品質のBaTiO3
、Ta、、Os等を挙げることが出来る。
し、0<x<1)、HfO,、Si3 N4.非晶質の
空化シリコン(a−3iyN1−y但し、0<y<1)
、Aす20.、PbTiO3,11品質のBaTiO3
、Ta、、Os等を挙げることが出来る。
第2図には、本発明の発光素子の別の好適な実施態様例
が示される。
が示される。
第2図に示す発光素子は、その構造は基本的には第1図
に示す発光素子と同様である。
に示す発光素子と同様である。
第2図に示す発光素子は、ガラス等の透明な基体201
1−に、順に透明電極202.F部絶縁層2032発光
層204 、 l:部絶縁層205.金属電極206が
fA層された層構造を有し、電極202及び金属電極2
06には夫々パルス状の又は鋸歯状の高周波高電界を印
加する為の電源207の接続端子が電気的に接続されて
いる。
1−に、順に透明電極202.F部絶縁層2032発光
層204 、 l:部絶縁層205.金属電極206が
fA層された層構造を有し、電極202及び金属電極2
06には夫々パルス状の又は鋸歯状の高周波高電界を印
加する為の電源207の接続端子が電気的に接続されて
いる。
第2図に示す発光素子の場合、高周波電源207によっ
て高周波電界が印加されると1発光層204より発光が
起こり、発光した光は絶縁層203、透明電極202.
基体201を透過して外部へ放出される。
て高周波電界が印加されると1発光層204より発光が
起こり、発光した光は絶縁層203、透明電極202.
基体201を透過して外部へ放出される。
未発明の発光素子は、可視域の発光波長を得る為に、発
光層の光学的バンドギャップEgoptは、2.OeV
以I−とyれる。
光層の光学的バンドギャップEgoptは、2.OeV
以I−とyれる。
又1発光層の光学的バンドギャップの中心(ミツドギャ
ップ)での局在準位密!■は、 10 l6cts−
”・eV−’以F、好適には10”cab−3eel−
’とされる。
ップ)での局在準位密!■は、 10 l6cts−
”・eV−’以F、好適には10”cab−3eel−
’とされる。
この様に、発光層の物性値を制御することによって、再
結合の効率を飛躍的に向上させることが出来、従って発
光効率の向1−を計ることが出来る。
結合の効率を飛躍的に向上させることが出来、従って発
光効率の向1−を計ることが出来る。
又、発光層の外部Mf−効率を10−4%以1−になる
様に再結合の準位の分2Ijを制御することによって、
高い強度の発光を示す発光素子を得ることが出来る。
様に再結合の準位の分2Ijを制御することによって、
高い強度の発光を示す発光素子を得ることが出来る。
1−述した様な特性を有する発光素イは、前記した様に
光CVD法によって後述の条件で作成されるのが望まし
い。本発明の発光素子の作成法は、本発明の目的が達成
されるのであれば、光CVD法に限定されるものではな
く、適宜所望の条件に設定して1例えばHOMOCVD
法、プラズマCV D 91:等によって成されても良
い。
光CVD法によって後述の条件で作成されるのが望まし
い。本発明の発光素子の作成法は、本発明の目的が達成
されるのであれば、光CVD法に限定されるものではな
く、適宜所望の条件に設定して1例えばHOMOCVD
法、プラズマCV D 91:等によって成されても良
い。
本発明の発光素イを構成する基体を構成する材ネ;1と
しては、通常発光素子分野において使用されている材料
の殆んどを挙げることが出来る。
しては、通常発光素子分野において使用されている材料
の殆んどを挙げることが出来る。
基体としては、導電性でも電気絶縁性であっても良いが
、比較的耐熱性に優れているのが望ましい。
、比較的耐熱性に優れているのが望ましい。
導電M基体の場合には、基体と発光層との間に設けられ
る電極!±、必ずしも設ける必要はない。
る電極!±、必ずしも設ける必要はない。
導電性基体としては、NiCr、ステンレス。
AM、Cr、Mo、Au、Nb、Ta、V、Ti等を挙
げることが出来る。
げることが出来る。
’ilt気絶縁気絶体性基体は、ポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーボネイト、ポリアミド、等々の合成樹
脂のフィルム、又はシート、或いはガラス、セラミック
ス、h4々を挙げることが出来る。
チレン、ポリカーボネイト、ポリアミド、等々の合成樹
脂のフィルム、又はシート、或いはガラス、セラミック
ス、h4々を挙げることが出来る。
基体として電気絶縁性のものを採用する場合には、発光
層との間の電極として、その表面が導電処理される。
層との間の電極として、その表面が導電処理される。
例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、Af
l、Cr、Mo、Au、Ir。
l、Cr、Mo、Au、Ir。
Nb、Ta、V、Ti、Pt、Pd、IrzO3S n
07 、ITO(I n2 o:t +5n02 )等
から成る薄膜を設けることによって導電性が付ケSれ、
或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、NiCr、AQ、Ag。
07 、ITO(I n2 o:t +5n02 )等
から成る薄膜を設けることによって導電性が付ケSれ、
或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、NiCr、AQ、Ag。
Pb、Zn、Ni 、Au、Cr、Mo、Ir。
Nb、Ta、V、Ti 、Pt等の金属の薄膜を真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設
け、又は前記金属でその表面をラミネーI・処理して、
その表面に導電P1が付与−される。
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設
け、又は前記金属でその表面をラミネーI・処理して、
その表面に導電P1が付与−される。
次に本発明の発光素子を作成する場合の例を第3図の光
CVD装置を以って説明する。
CVD装置を以って説明する。
光CVD法の場合に使用される発光層を形成するための
原料ガスとしては、−・般式5inH2n(n = 3
、4 、5、−−−−)で表わされる環状水素化ケイ
素化合物、S r nH7n+2 (n=2 。
原料ガスとしては、−・般式5inH2n(n = 3
、4 、5、−−−−)で表わされる環状水素化ケイ
素化合物、S r nH7n+2 (n=2 。
−−−一)で表わされる直鎖状又は分岐を有する鎖状水
素化ケイ素化合物などが挙げられる。
素化ケイ素化合物などが挙げられる。
また、前記一般式の原料化合物は、2種類以にを併用し
てもよいが、この場合、各化合物によって期待される膜
特性を平均化した程度の特性、ないしは相乗的に改良さ
れた特性が得られる。
てもよいが、この場合、各化合物によって期待される膜
特性を平均化した程度の特性、ないしは相乗的に改良さ
れた特性が得られる。
また、通常は1.記の原ネ1ガス番ご水素ガスを昂釈用
カスとして混合して使用しても差支えない。
カスとして混合して使用しても差支えない。
前記一般式のケイ素化合物は、光エネルギー又は比較的
低い熱エネルギーの付与により容桔に化学反応を起こし
7て良質なシリコン堆積膜を形成することができ、また
これに際し、ツ(体温度も比較的低い温度とすることが
できる。また、励起エネルギーは基体近傍に到達した原
ネ1ガスに−・様に或いは選択的制御的に付すされるが
、適宜の光学系を用いて基体の全体に照射してt4i結
膜を形成することもできるし、或いは所望部分のみに選
択的制御的に照射して部分的に堆積膜を形成することも
でき、またレジスト等を使用して所定の図形部分のみに
照射し堆積膜を形成できるなどの便利Sを看している。
低い熱エネルギーの付与により容桔に化学反応を起こし
7て良質なシリコン堆積膜を形成することができ、また
これに際し、ツ(体温度も比較的低い温度とすることが
できる。また、励起エネルギーは基体近傍に到達した原
ネ1ガスに−・様に或いは選択的制御的に付すされるが
、適宜の光学系を用いて基体の全体に照射してt4i結
膜を形成することもできるし、或いは所望部分のみに選
択的制御的に照射して部分的に堆積膜を形成することも
でき、またレジスト等を使用して所定の図形部分のみに
照射し堆積膜を形成できるなどの便利Sを看している。
第3図中、1は堆積室であり、内部の基体支持台2Lに
所望の基体3が載置される。
所望の基体3が載置される。
4は基体加熱用のヒータであり、導vi5を介して給電
され、発熱する。基体温度は特に制限されないが、 ・
般に発光層の光学的バンド・ギャップを大きくして可視
の発光を得るためには、2000C以ドであることが望
ましい。
され、発熱する。基体温度は特に制限されないが、 ・
般に発光層の光学的バンド・ギャップを大きくして可視
の発光を得るためには、2000C以ドであることが望
ましい。
6〜9は、ガス供給源であり、前記一般式で示される鎖
状水素化ケイ素化合物のうち液状のものを使用する場合
には、適宜の気化装−を具備させる。気化装置には、加
熱沸騰を利用するタイプ、液体原料中にキャリアガスを
通過させるタイプ等があり、いずれでもよい。ガス供給
源の個数は4個に限定されず、使用する前記−・般式の
水素化ケイ素化合物の種類の数、希釈ガス等を使用する
場合において、原料ガスである前記一般式の化合物との
予備混合の有無等に応じて適宜選択される。
状水素化ケイ素化合物のうち液状のものを使用する場合
には、適宜の気化装−を具備させる。気化装置には、加
熱沸騰を利用するタイプ、液体原料中にキャリアガスを
通過させるタイプ等があり、いずれでもよい。ガス供給
源の個数は4個に限定されず、使用する前記−・般式の
水素化ケイ素化合物の種類の数、希釈ガス等を使用する
場合において、原料ガスである前記一般式の化合物との
予備混合の有無等に応じて適宜選択される。
図中、ガス供給源6〜9の符合に、aを付したのは分岐
管、bを付したのは流量計、Cを付したのは各流量計の
高圧側の圧力を計測する圧力計、dyはeを伺したのは
各基体流の開閉及び流線の調整をするためのバルブであ
る。
管、bを付したのは流量計、Cを付したのは各流量計の
高圧側の圧力を計測する圧力計、dyはeを伺したのは
各基体流の開閉及び流線の調整をするためのバルブであ
る。
各ガス供給源から供給される原料ガス等は、ガス導入管
10の途中で混合され、図示しない換気装置に付勢され
て、室1内に導入される。又は、名カス供給源から交q
に室l内に導入される。
10の途中で混合され、図示しない換気装置に付勢され
て、室1内に導入される。又は、名カス供給源から交q
に室l内に導入される。
11は、室l内に導入されるガスの圧力を計測するため
の圧力計である。また、12はガス排気管であり、堆積
室1内を減圧したり、導入ガスを強制排気するための図
示しない排気装置と接続されている。
の圧力計である。また、12はガス排気管であり、堆積
室1内を減圧したり、導入ガスを強制排気するための図
示しない排気装置と接続されている。
13はレギュレータ・バルブである。原料ガス等を導入
する前に、室l内を排気し、減圧状態とする場合、室内
の気圧は、好ましくは5×1O−Torr以下、より好
ましくはI X 10−6Torr以下である。また、
原ネ1ガス等を導入した状態において、室1内の圧力は
、好ましくはlXl0−2〜100Torr、より好ま
しくは5×10−2〜10TOrrである。
する前に、室l内を排気し、減圧状態とする場合、室内
の気圧は、好ましくは5×1O−Torr以下、より好
ましくはI X 10−6Torr以下である。また、
原ネ1ガス等を導入した状態において、室1内の圧力は
、好ましくはlXl0−2〜100Torr、より好ま
しくは5×10−2〜10TOrrである。
本発明で使用する励起エネルギー供給源の一例として、
14は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラン
プ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザ、アルゴンイオン
レーザ、エキシマレーザ等が用いられる。なお、本発明
で用いる光エネルギーは紫外線エネルギーに限定されず
、原料ガスに化学反応を起こさせ堆積膜を形成すること
ができるものであれば、波長域を問うものではない。
14は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラン
プ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザ、アルゴンイオン
レーザ、エキシマレーザ等が用いられる。なお、本発明
で用いる光エネルギーは紫外線エネルギーに限定されず
、原料ガスに化学反応を起こさせ堆積膜を形成すること
ができるものであれば、波長域を問うものではない。
光エネルキー発生装置14から適宜の光学系を用いてノ
、(体全体或いは基体の所望部分に向けられた光15は
、矢印16の向きに波れている原車1ガス等に照射され
、励起・分解又は重合を起こして基体3I−の全体或い
は所望部分にnon−9i :Hの堆積膜を形成する。
、(体全体或いは基体の所望部分に向けられた光15は
、矢印16の向きに波れている原車1ガス等に照射され
、励起・分解又は重合を起こして基体3I−の全体或い
は所望部分にnon−9i :Hの堆積膜を形成する。
このとき、発光層の厚さは500A〜3000人程度と
することが望ましい。
することが望ましい。
この後に、発光層の−1−から前記材料と同様な絶縁層
を市ねる。そして最後にアルミニウム、金などの金属電
極を蒸着する。
を市ねる。そして最後にアルミニウム、金などの金属電
極を蒸着する。
その他の作成、)1法としては、反応管中に流す反応ガ
スを外部の電気炉で加熱分解し、ガス温度よりも低い温
度に保たれた基体I−に堆積させるH OM OCV
Dという方法がある( B、A、5cott 、R。
スを外部の電気炉で加熱分解し、ガス温度よりも低い温
度に保たれた基体I−に堆積させるH OM OCV
Dという方法がある( B、A、5cott 、R。
M、Plecenick、and E、E、Simon
yi、Appl、Phys、Lett、。
yi、Appl、Phys、Lett、。
vol、39(198N)p、73)。
本発明の発光層として用いるnon−9i:Hを堆積さ
せる際にこの方法を用いても、光学的バンド・ギャップ
が大きく、局在準位密度の低い膜を作ることができる。
せる際にこの方法を用いても、光学的バンド・ギャップ
が大きく、局在準位密度の低い膜を作ることができる。
!、記した第3図に示す光CVD!+置を用い、1記の
・「順と条!1によって、以ドの様にして第2図に示す
構造の発光素r−を作成し、′市原207によりパルス
状の高周波高電界を印加して、特性試験を行った。
・「順と条!1によって、以ドの様にして第2図に示す
構造の発光素r−を作成し、′市原207によりパルス
状の高周波高電界を印加して、特性試験を行った。
絶縁層203,205としては3000人厚のY2O3
薄膜を用い、発光層は、原料ガスとして5i7H,、ガ
スを使用して、基体温度50℃で成膜を行った。電極2
02としては、ITO透明電極、電極206としてはA
g、電極を用いた。この様にして作成した発光素イに1
00VIKHzのパルス状高周波高電界を印加したとこ
ろ、30ft−Lのifr視光域に発光ピークがある発
光が1!Iられた。これは、これまでに実現された非単
結晶シリコンを用いた発光素イの発光に比べて1桁以1
−大きい値であり、発光効率の改善がなされていること
か判った。更に、1−記の高周波電界を連続して長時間
印加し、発光特にtの安定性と耐久性を試験したところ
、−1,記の従来例に較べて安定性において約5倍、耐
久性において1.5桁優れていることが結果として得ら
れた。
薄膜を用い、発光層は、原料ガスとして5i7H,、ガ
スを使用して、基体温度50℃で成膜を行った。電極2
02としては、ITO透明電極、電極206としてはA
g、電極を用いた。この様にして作成した発光素イに1
00VIKHzのパルス状高周波高電界を印加したとこ
ろ、30ft−Lのifr視光域に発光ピークがある発
光が1!Iられた。これは、これまでに実現された非単
結晶シリコンを用いた発光素イの発光に比べて1桁以1
−大きい値であり、発光効率の改善がなされていること
か判った。更に、1−記の高周波電界を連続して長時間
印加し、発光特にtの安定性と耐久性を試験したところ
、−1,記の従来例に較べて安定性において約5倍、耐
久性において1.5桁優れていることが結果として得ら
れた。
〔効 果〕
−1,述した様に、本発明の発光素子は、可視波長領域
に発光ピークを有すると共に、充分な発光層をa+、発
光効率と再現性を高めることが出来、発光特性の安定性
と寿命を飛翔的に高めることが出来る。
に発光ピークを有すると共に、充分な発光層をa+、発
光効率と再現性を高めることが出来、発光特性の安定性
と寿命を飛翔的に高めることが出来る。
第1図及び第2図は、本発明の発光素子の好適な実施態
様例の層構成を示す模式図、第3図は本発明の発光素子
を作成する為の装置の一例を示す゛模式図である。
様例の層構成を示す模式図、第3図は本発明の発光素子
を作成する為の装置の一例を示す゛模式図である。
Claims (1)
- 水素原子を含む非単結晶シリコンで構成された発光層と
、該発光層を挟持する一対の電気的絶縁層と、これ等の
発光層と絶縁層とを挟持し電気的に接続された少なくと
も一対の電極とを有し、前記発光層の光学的バンドギャ
ップが2.0eV以上で且つ局在準位密度がミツドギヤ
ツプで10^1^6cm^−^3・eV^−^1以下で
ある事を特徴とする発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60187741A JPS6247172A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 発光素子 |
US07/406,182 US4920387A (en) | 1985-08-26 | 1989-09-13 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60187741A JPS6247172A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6247172A true JPS6247172A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16211381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60187741A Pending JPS6247172A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-27 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6247172A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5608114A (en) * | 1993-12-28 | 1997-03-04 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Disproportionating method of trimethylamine |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP60187741A patent/JPS6247172A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5608114A (en) * | 1993-12-28 | 1997-03-04 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Disproportionating method of trimethylamine |
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