JPH03113744A - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
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- JPH03113744A JPH03113744A JP1246992A JP24699289A JPH03113744A JP H03113744 A JPH03113744 A JP H03113744A JP 1246992 A JP1246992 A JP 1246992A JP 24699289 A JP24699289 A JP 24699289A JP H03113744 A JPH03113744 A JP H03113744A
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- adhesive layer
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
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- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に情報の記録、再生または消去が行わ
れる各種光ディスクや光磁気ディスク、或いは光カード
等に適用される光メモリ素子に関するものである。
れる各種光ディスクや光磁気ディスク、或いは光カード
等に適用される光メモリ素子に関するものである。
近年、光メモリ素子は、高密度および大容量のメモリ素
子として情報化社会における必要性が益々高まっている
。それに伴い、情報メディアとして高信頬性を有する光
メモリ素子の研究開発が急務となっている。
子として情報化社会における必要性が益々高まっている
。それに伴い、情報メディアとして高信頬性を有する光
メモリ素子の研究開発が急務となっている。
上記光メモリ素子において、いわゆる両面タイプの光メ
モリ素子は、高密度および大容量であって、ガラス又は
ポリカーボネイト樹脂等の合成樹脂からなる透光性基板
に光メモリ媒体を形成し、この光メモリ媒体同士が向か
い合う状態に貼り合わされた構成のものである。
モリ素子は、高密度および大容量であって、ガラス又は
ポリカーボネイト樹脂等の合成樹脂からなる透光性基板
に光メモリ媒体を形成し、この光メモリ媒体同士が向か
い合う状態に貼り合わされた構成のものである。
そこで、書き換え可能な光メモリ素子を備えた両面タイ
プの光磁気ディスクを例にとって、第３図に基づいて以
下に説明する。
プの光磁気ディスクを例にとって、第３図に基づいて以
下に説明する。
透光性基板５の一方の面には、情報の書き込み及び読み
出しに必要なディスク上のプリフォーマット部に形成さ
れたビットやレーザー光をトラッキングするためのグル
ープなどが形成されており、これらが形成された面上に
、誘電帯膜、磁性膜、及び反射膜からなる光メモリ媒体
６が、スパッタリング又は蒸着等の手法により形成され
ている。上記磁性膜は、膜面に対して垂直な方向に磁化
容易軸を有し、レーザー光による情報の記録、再生、及
び消去は、この磁性膜にて行われる。また、上記誘電帯
膜および反射膜は、磁性膜を保護すると共に磁気光学効
果の増大を図る役目を担っている。
出しに必要なディスク上のプリフォーマット部に形成さ
れたビットやレーザー光をトラッキングするためのグル
ープなどが形成されており、これらが形成された面上に
、誘電帯膜、磁性膜、及び反射膜からなる光メモリ媒体
６が、スパッタリング又は蒸着等の手法により形成され
ている。上記磁性膜は、膜面に対して垂直な方向に磁化
容易軸を有し、レーザー光による情報の記録、再生、及
び消去は、この磁性膜にて行われる。また、上記誘電帯
膜および反射膜は、磁性膜を保護すると共に磁気光学効
果の増大を図る役目を担っている。
光磁気ディスクは、透光性基板５に光メモリ媒体６が形
成されたものを２枚備え、光メモリ媒体６・６同士が対
峙するように接着剤層７を介して互いに貼り合わされた
構成となっている。なお、接着剤層７と光メモリ媒体６
・６との間にハードコート層が設けられることもある。
成されたものを２枚備え、光メモリ媒体６・６同士が対
峙するように接着剤層７を介して互いに貼り合わされた
構成となっている。なお、接着剤層７と光メモリ媒体６
・６との間にハードコート層が設けられることもある。
上記接着剤層７を形成する接着剤としては、従来より、
紫外線硬化型接着剤またはホットメルト接着剤が使用さ
れている。
紫外線硬化型接着剤またはホットメルト接着剤が使用さ
れている。
このような両面タイプの光磁気ディスクにおいて、例え
ば情報の記録を行う場合には、予め一方向に磁化をそろ
えた磁性膜に、外部磁石１０によって反対方向の磁場を
与えておき、透光性基板５の外側から対物レンズ９で集
光されたレーザー光８を照射させる。上記磁性膜は、レ
ーザー光８の照射された箇所が局所的に温度が上昇し、
磁化が消失するキュリー温度近傍まで温度が上昇すると
外部磁場の同きに磁化反転を起こす。このようにして、
レーザー光による記録に際しては、直径数μｍ程度のス
ポット磁区が容易に得られ、記録ピット密度が約１０
’ ｂｉｔ／ｍｍ２という高密度での情報の記録がなさ
れることになる。
ば情報の記録を行う場合には、予め一方向に磁化をそろ
えた磁性膜に、外部磁石１０によって反対方向の磁場を
与えておき、透光性基板５の外側から対物レンズ９で集
光されたレーザー光８を照射させる。上記磁性膜は、レ
ーザー光８の照射された箇所が局所的に温度が上昇し、
磁化が消失するキュリー温度近傍まで温度が上昇すると
外部磁場の同きに磁化反転を起こす。このようにして、
レーザー光による記録に際しては、直径数μｍ程度のス
ポット磁区が容易に得られ、記録ピット密度が約１０
’ ｂｉｔ／ｍｍ２という高密度での情報の記録がなさ
れることになる。
ところが、上記のような光メモリ素子を備えた光磁気デ
ィスクでは、サブミリオーダの欠陥が発生すると一度に
多量の情報が不良になってしまい、光磁気ディスクに記
録されている多量の情報が再生できなくなったり、信号
品質の低下を招来するという問題を有している。上記の
ようなサブミリオーダの欠陥は、光磁気ディスクを長期
にわたり使用するのに伴ってピンホール等の形態で発生
しがちなものである。したがって、たとえ光磁気ディス
クを長期にわたり使用してもピンホール等の欠陥を発生
することのないように、光メモリ素子の長寿命化および
高信頼性を得ることが、当業界において大きな課題とな
っている。
ィスクでは、サブミリオーダの欠陥が発生すると一度に
多量の情報が不良になってしまい、光磁気ディスクに記
録されている多量の情報が再生できなくなったり、信号
品質の低下を招来するという問題を有している。上記の
ようなサブミリオーダの欠陥は、光磁気ディスクを長期
にわたり使用するのに伴ってピンホール等の形態で発生
しがちなものである。したがって、たとえ光磁気ディス
クを長期にわたり使用してもピンホール等の欠陥を発生
することのないように、光メモリ素子の長寿命化および
高信頼性を得ることが、当業界において大きな課題とな
っている。
そこで、本願発明者らは、光メモリ素子における長寿命
化および高信頼性を得ることについて多くの研究を重ね
た結果、光メモリ素子における長寿命化および高信頼性
については、光メモリ媒体６・６同士の間に形成された
接着剤層７の種類が大きく関与していることを究明した
。すなわち、接着剤層７を形成している従来の接着剤、
具体的には紫外線硬化型接着剤またはホットメルト接着
剤では、光メモリ媒体６・６と透光性基板５・５との密
着性に著しく悪影響を与えるものであって、そのことが
主因となって、光メモリ素子に長寿命化および高信頼性
が得られないことが判明したのである。
化および高信頼性を得ることについて多くの研究を重ね
た結果、光メモリ素子における長寿命化および高信頼性
については、光メモリ媒体６・６同士の間に形成された
接着剤層７の種類が大きく関与していることを究明した
。すなわち、接着剤層７を形成している従来の接着剤、
具体的には紫外線硬化型接着剤またはホットメルト接着
剤では、光メモリ媒体６・６と透光性基板５・５との密
着性に著しく悪影響を与えるものであって、そのことが
主因となって、光メモリ素子に長寿命化および高信頼性
が得られないことが判明したのである。
本発明に係る請求項第１項の光メモリ素子は、上記の課
題を解決するために、光メモリ媒体の形成された透光性
基板が、上記光メモリ媒体同士が接着剤層を介して互い
に対峙するように貼り合わされた両面タイプの光メモリ
素子において、シリコーンゴムを接着剤として上記接着
剤層が形成されていることを特徴としている。
題を解決するために、光メモリ媒体の形成された透光性
基板が、上記光メモリ媒体同士が接着剤層を介して互い
に対峙するように貼り合わされた両面タイプの光メモリ
素子において、シリコーンゴムを接着剤として上記接着
剤層が形成されていることを特徴としている。
本発明に係る請求項第２項の光メモリ素子は、上記の課
題を解決するために、光メモリ媒体の形成された透光性
基板が、上記光メモリ媒体同士が接着剤層を介して互い
に対峙するように貼り合わされた両面タイプの光メモリ
素子において、上記両光メモリ媒体と接着剤層との間に
それぞれハードコート層が形成され、かつ、シリコーン
ゴムを接着剤として上記接着剤層が形成されていること
を特徴としている。
題を解決するために、光メモリ媒体の形成された透光性
基板が、上記光メモリ媒体同士が接着剤層を介して互い
に対峙するように貼り合わされた両面タイプの光メモリ
素子において、上記両光メモリ媒体と接着剤層との間に
それぞれハードコート層が形成され、かつ、シリコーン
ゴムを接着剤として上記接着剤層が形成されていること
を特徴としている。
上記のように、両面タイプの光メモリ素子において、シ
リコーンゴムにて接着剤層が形成されているので、光メ
モリ媒体と透光性基板との密着性が著しく向上し、光メ
モリ素子の長寿命化および高信鎖性が得られることにな
る。
リコーンゴムにて接着剤層が形成されているので、光メ
モリ媒体と透光性基板との密着性が著しく向上し、光メ
モリ素子の長寿命化および高信鎖性が得られることにな
る。
すなわち、上記光メモリ素子を備えた例えば光磁気ディ
スクを高温高湿度の環境下において長時間にわたり放置
したり、あるいは温湿度をサイクル変化させて行う信頼
性試験を実施した結果によれば、光磁気ディスクにピン
ホールが極く僅か発生した以外には外観変化が認められ
ず、従来の光メモリ素子に比べてはるかに長寿命化およ
び高信顛性を得ることができたのである。
スクを高温高湿度の環境下において長時間にわたり放置
したり、あるいは温湿度をサイクル変化させて行う信頼
性試験を実施した結果によれば、光磁気ディスクにピン
ホールが極く僅か発生した以外には外観変化が認められ
ず、従来の光メモリ素子に比べてはるかに長寿命化およ
び高信顛性を得ることができたのである。
また、両光メモリ媒体と、シリコーンゴムからなる接着
剤層との間にそれぞれハードコート層が形成されている
ので、上記シリコーンゴムを用いて行う接着工程やその
硬化工程において、シリコーンゴムからなる接着剤が光
メモリ媒体に対して悪影響を与える虞れをなくすととも
に、シリコーンゴムが透湿性を有することに起因して経
時的に光メモリ媒体へ湿気が浸入する虞れをなくすこと
ができる。したがって、光メモリ素子における長寿命化
および高信鯨性をさらに向上させることが可能となる。
剤層との間にそれぞれハードコート層が形成されている
ので、上記シリコーンゴムを用いて行う接着工程やその
硬化工程において、シリコーンゴムからなる接着剤が光
メモリ媒体に対して悪影響を与える虞れをなくすととも
に、シリコーンゴムが透湿性を有することに起因して経
時的に光メモリ媒体へ湿気が浸入する虞れをなくすこと
ができる。したがって、光メモリ素子における長寿命化
および高信鯨性をさらに向上させることが可能となる。
本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
第１図に示すように、ポリカーボネイト樹脂等からなる
透光性基板１の一方の表面に、誘電帯膜、磁性膜、およ
び反射膜からなる光メモリ媒体２が、スパッタリング等
の手法を用いて積層して形成されている。この光メモリ
媒体２における透光性基板１とは反対側の表面には、ア
クリル系ハードコート剤を塗布し紫外線を照射して硬化
させることにより形成されたハードコートＮ３が成膜さ
れている。さらに、上記透光性基板１と光メモリ媒体２
とハードコート層３とが順に積層されてなる積石体は、
２枚備えられ、ハードコート層３・３同士が互いに対峙
するように一液性の室温硬化型シリコーンゴムからなる
接着剤層４によって貼り合わされ、高温多湿な環境下で
接着剤層４を硬化させることにより一体形成されている
。すなわち、透光性基板１、光メモリ媒体２、ハードコ
ート層３、接着剤層４、ハードコート層３、光メモリ媒
体２、透光性基ｔｆｆＥ １の順に積層されており、こ
れによって両面タイプの光メモリ素子が構成されている
。
透光性基板１の一方の表面に、誘電帯膜、磁性膜、およ
び反射膜からなる光メモリ媒体２が、スパッタリング等
の手法を用いて積層して形成されている。この光メモリ
媒体２における透光性基板１とは反対側の表面には、ア
クリル系ハードコート剤を塗布し紫外線を照射して硬化
させることにより形成されたハードコートＮ３が成膜さ
れている。さらに、上記透光性基板１と光メモリ媒体２
とハードコート層３とが順に積層されてなる積石体は、
２枚備えられ、ハードコート層３・３同士が互いに対峙
するように一液性の室温硬化型シリコーンゴムからなる
接着剤層４によって貼り合わされ、高温多湿な環境下で
接着剤層４を硬化させることにより一体形成されている
。すなわち、透光性基板１、光メモリ媒体２、ハードコ
ート層３、接着剤層４、ハードコート層３、光メモリ媒
体２、透光性基ｔｆｆＥ １の順に積層されており、こ
れによって両面タイプの光メモリ素子が構成されている
。
上記接着剤Ｎ４を構成するシリコーンゴムからなる接着
剤は、−液性の室温硬化型に限るものではなく、例えば
、下記に示すような他の種類のシリコーンゴムを用いて
もよい。シリコーンゴムの種類としては、−液性と二液
性等があり、また硬化温度に基づく種別として室温硬化
型、加熱硬化型、ＵＶ硬化型等がある。また、反応形態
に基づく種別としては、脱オキシム型、脱酢酸型、脱ア
ルコール型、付加型等がある。上記脱オキシム型、脱酢
酸型、脱アルコール型は縮合型であり、−液性では湿気
硬化となる。上記付加型は加熱硬化であり、副生成物を
生じない。なお、脱オキシム型と脱酢酸型は、シリコー
ンゴムの硬化時に光メモリ媒体２を侵す虞れがあるので
、これらを用いるときは光メモリ素子の構造またはその
製造方法について考慮する必要がある。
剤は、−液性の室温硬化型に限るものではなく、例えば
、下記に示すような他の種類のシリコーンゴムを用いて
もよい。シリコーンゴムの種類としては、−液性と二液
性等があり、また硬化温度に基づく種別として室温硬化
型、加熱硬化型、ＵＶ硬化型等がある。また、反応形態
に基づく種別としては、脱オキシム型、脱酢酸型、脱ア
ルコール型、付加型等がある。上記脱オキシム型、脱酢
酸型、脱アルコール型は縮合型であり、−液性では湿気
硬化となる。上記付加型は加熱硬化であり、副生成物を
生じない。なお、脱オキシム型と脱酢酸型は、シリコー
ンゴムの硬化時に光メモリ媒体２を侵す虞れがあるので
、これらを用いるときは光メモリ素子の構造またはその
製造方法について考慮する必要がある。
以上に説明した光メモリ素子は、光メモリ媒体２と接着
剤層４との間にハードコート層３を形成した両面タイプ
のものである。上記ハードコートＮ３は、シリコーンゴ
ムからなる接着剤を塗布する接着工程やその硬化工程に
おいて、シリコーンゴムからなる接着剤が光メモリ媒体
２に対して悪影響を与える虞れをなくすとともに、シリ
コーンゴムが透湿性を有することに起因して経時的たと
えば長期保存中に光メモリ媒体２へ湿気が浸入する虞れ
をなくすためのものである。
剤層４との間にハードコート層３を形成した両面タイプ
のものである。上記ハードコートＮ３は、シリコーンゴ
ムからなる接着剤を塗布する接着工程やその硬化工程に
おいて、シリコーンゴムからなる接着剤が光メモリ媒体
２に対して悪影響を与える虞れをなくすとともに、シリ
コーンゴムが透湿性を有することに起因して経時的たと
えば長期保存中に光メモリ媒体２へ湿気が浸入する虞れ
をなくすためのものである。
それゆえ、接着剤としてのシリコーンゴムが光メモリ媒
体２に対して悪影響を与える虞れがないか、若しくは光
メモリ媒体２に対する悪影響が許容できる程度のもので
ある場合には、上記ハードコート層３は形成しなくても
よい。すなわち、本発明の光メモリ素子は、接着剤層４
を構成するシリコーンゴムや光メモリ媒体２の種類、さ
らにはユーザーの要求等に応じて、上記ハードコート層
３を光メモリ媒体２と接着剤層４との間に介在させる構
成と、介在させない構成とを有するものである。
体２に対して悪影響を与える虞れがないか、若しくは光
メモリ媒体２に対する悪影響が許容できる程度のもので
ある場合には、上記ハードコート層３は形成しなくても
よい。すなわち、本発明の光メモリ素子は、接着剤層４
を構成するシリコーンゴムや光メモリ媒体２の種類、さ
らにはユーザーの要求等に応じて、上記ハードコート層
３を光メモリ媒体２と接着剤層４との間に介在させる構
成と、介在させない構成とを有するものである。
第１図の実施例で示した光メモリ素子を備えた光磁気デ
ィスクを試料として、特定環境下に長時間にわたり放置
して行う二種類の信頼性試験を行った結果は、第１表に
示した通りである。
ィスクを試料として、特定環境下に長時間にわたり放置
して行う二種類の信頼性試験を行った結果は、第１表に
示した通りである。
第１の信軌性試験では、温度８０′Ｃ１相対湿度９０％
ＲＨの環境下に、２４０時間放置した後、上記試料の外
観を検査した。
ＲＨの環境下に、２４０時間放置した後、上記試料の外
観を検査した。
第２の信頼性試験では、第２図に示すような温湿度変化
を１サイクル（所要６時間）とする環境下に、４８サイ
クル（所要２８８時間）を経過するまで放置し、第１の
試験と同様に試料の外観検査を行った。１サイクルの環
境条件としては、−２５°Ｃの温度を２時間保持し、そ
の後、１時間後に温度７０’Ｃ１相対湿度９０％ＲＨと
なるように上昇させた後、この環境条件すなわち温度７
０″Ｃ１相対湿度９０％ＲＨを２時間にわたり保持し、
その後、１時間後に再度−２５°Ｃとなるように冷却す
るというものである。
を１サイクル（所要６時間）とする環境下に、４８サイ
クル（所要２８８時間）を経過するまで放置し、第１の
試験と同様に試料の外観検査を行った。１サイクルの環
境条件としては、−２５°Ｃの温度を２時間保持し、そ
の後、１時間後に温度７０’Ｃ１相対湿度９０％ＲＨと
なるように上昇させた後、この環境条件すなわち温度７
０″Ｃ１相対湿度９０％ＲＨを２時間にわたり保持し、
その後、１時間後に再度−２５°Ｃとなるように冷却す
るというものである。
本実施例では、接着剤として一液性の室温硬化型シリコ
ーンゴムを使用したが、第１表中の比較例１では上記接
着剤としてシリコーンゴムに代えてアクリル系紫外線硬
化型接着剤を用い、また、比較例２では上記接着剤とし
てホントメルト接着剤を用いた。これら比較例１および
比較例２に示した試料における接着剤の種類を除く他の
構成は、第１図に示した本実施例の構造と同じである。
ーンゴムを使用したが、第１表中の比較例１では上記接
着剤としてシリコーンゴムに代えてアクリル系紫外線硬
化型接着剤を用い、また、比較例２では上記接着剤とし
てホントメルト接着剤を用いた。これら比較例１および
比較例２に示した試料における接着剤の種類を除く他の
構成は、第１図に示した本実施例の構造と同じである。
本実施例および比較例１．２における試料について、そ
れぞれ信頼性試験を実施した後に外観検査を行った結果
は、第１表に示す通りである。
れぞれ信頼性試験を実施した後に外観検査を行った結果
は、第１表に示す通りである。
（以下余白）
第
表
上記第１表から明らかなように、アクリル系紫外線硬化
型接着剤やホントメルト接着剤を使用した光メモリ素子
においては、光メモリ媒体２が透光性基Ｆｉ１から剥離
したり、亀裂が発生し、これに伴って多数のピンホール
を生じた。一方、−液性の室温硬化型シリコーンゴムを
使用した本発明の光メモリ素子では、１〜２個程度のピ
ンホールを生じた以外には外観変化が認められず、長寿
命化および高信頬性を得ていることが認められた。
型接着剤やホントメルト接着剤を使用した光メモリ素子
においては、光メモリ媒体２が透光性基Ｆｉ１から剥離
したり、亀裂が発生し、これに伴って多数のピンホール
を生じた。一方、−液性の室温硬化型シリコーンゴムを
使用した本発明の光メモリ素子では、１〜２個程度のピ
ンホールを生じた以外には外観変化が認められず、長寿
命化および高信頬性を得ていることが認められた。
本発明に係る請求項第１項の光メモリ素子は、以上のよ
うに、光メモリ媒体の形成された透光性基板が、上記光
メモリ媒体同士が接着剤層を介して互いに対峙するよう
に貼り合わされた両面タイプの光メモリ素子において、
シリコーンゴムを接着剤として上記接着剤層が形成され
ている構成である。
うに、光メモリ媒体の形成された透光性基板が、上記光
メモリ媒体同士が接着剤層を介して互いに対峙するよう
に貼り合わされた両面タイプの光メモリ素子において、
シリコーンゴムを接着剤として上記接着剤層が形成され
ている構成である。
このように、両面タイプの光メモリ素子において、シリ
コーンゴムにて接着剤層が形成されているので、光メモ
リ媒体と透光性基板との密着性が著しく向上し、温湿度
変化に晒されても光メモリ媒体が透光性基板から剥離し
たり亀裂を生じることはなくなり、ピンホールの発生も
極く僅かなので、信号品質が飛躍的に向上し、光メモリ
素子の長寿命化および高信頼性が得られるという効果を
奏する。
コーンゴムにて接着剤層が形成されているので、光メモ
リ媒体と透光性基板との密着性が著しく向上し、温湿度
変化に晒されても光メモリ媒体が透光性基板から剥離し
たり亀裂を生じることはなくなり、ピンホールの発生も
極く僅かなので、信号品質が飛躍的に向上し、光メモリ
素子の長寿命化および高信頼性が得られるという効果を
奏する。
また、本発明に係る請求項第２項の光メモリ素子は、以
上のように、光メモリ媒体の形成された透光性基板が、
上記光メモリ媒体同士が接着剤層を介して互いに対峙す
るように貼り合わされた両面タイプの光メモリ素子にお
いて、上記両光メモリ媒体と接着剤層との間にそれぞれ
ハードコート層が形成され、かつ、シリコーンゴムを接
着剤として上記接着剤層が形成されている構成である。
上のように、光メモリ媒体の形成された透光性基板が、
上記光メモリ媒体同士が接着剤層を介して互いに対峙す
るように貼り合わされた両面タイプの光メモリ素子にお
いて、上記両光メモリ媒体と接着剤層との間にそれぞれ
ハードコート層が形成され、かつ、シリコーンゴムを接
着剤として上記接着剤層が形成されている構成である。
このように、両光メモリ媒体と、シリコーンゴムからな
る接着剤層との間にそれぞれハードコート層が形成され
ているので、上記シリコーンゴムを用いて行う接着工程
やその硬化工程において、シリコーンゴムからなる接着
剤が光メモリ媒体に対して悪影響を与える虞れがなくな
るとともに、シリコーンゴムが透湿性を有することに起
因して経時的に光メモリ媒体へ湿気が侵入する虞れをな
くすことができる。
る接着剤層との間にそれぞれハードコート層が形成され
ているので、上記シリコーンゴムを用いて行う接着工程
やその硬化工程において、シリコーンゴムからなる接着
剤が光メモリ媒体に対して悪影響を与える虞れがなくな
るとともに、シリコーンゴムが透湿性を有することに起
因して経時的に光メモリ媒体へ湿気が侵入する虞れをな
くすことができる。
したがって、光メモリ素子における長寿命化および高信
頼性をさらに向上させることができるという効果を奏す
る。
頼性をさらに向上させることができるという効果を奏す
る。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示すものである
。 第１図は光メモリ素子の要部縦断面図である。 第２図は光メモリ素子の信顛性試験における環境条件を
示す説明図である。 第３図は従来例を示すものであって、光メモリ素子を備
えた光磁気ディスクに情報の記録等を行っている状態を
示す説明図である。 １は透光性基板、２は光メモリ媒体、３はハードコート
層、４は接着剤層である。
。 第１図は光メモリ素子の要部縦断面図である。 第２図は光メモリ素子の信顛性試験における環境条件を
示す説明図である。 第３図は従来例を示すものであって、光メモリ素子を備
えた光磁気ディスクに情報の記録等を行っている状態を
示す説明図である。 １は透光性基板、２は光メモリ媒体、３はハードコート
層、４は接着剤層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光メモリ媒体の形成された透光性基板が、上記光メ
モリ媒体同士が接着剤層を介して互いに対峙するように
貼り合わされた両面タイプの光メモリ素子において、 シリコーンゴムを接着剤として上記接着剤層が形成され
ていることを特徴とする光メモリ素子。 ２、光メモリ媒体の形成された透光性基板が、上記光メ
モリ媒体同士が接着剤層を介して互いに対峙するように
貼り合わされた両面タイプの光メモリ素子において、 上記両光メモリ媒体と接着剤層との間にそれぞれハード
コート層が形成され、かつ、シリコーンゴムを接着剤と
して上記接着剤層が形成されていることを特徴とする光
メモリ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246992A JP2656985B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 光メモリ素子 |
| CA002025884A CA2025884C (en) | 1989-09-22 | 1990-09-20 | Optical memory device |
| DE69029354T DE69029354T2 (de) | 1989-09-22 | 1990-09-21 | Optischer Speicher |
| EP90310400A EP0419295B1 (en) | 1989-09-22 | 1990-09-21 | Optical memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1246992A JP2656985B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03113744A true JPH03113744A (ja) | 1991-05-15 |
| JP2656985B2 JP2656985B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=17156767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1246992A Expired - Fee Related JP2656985B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 光メモリ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0419295B1 (ja) |
| JP (1) | JP2656985B2 (ja) |
| CA (1) | CA2025884C (ja) |
| DE (1) | DE69029354T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0429885A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-01-31 | Pioneer Electron Corp | 情報記録媒体 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1006518B1 (en) * | 1994-09-27 | 2004-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of optical information recording medium and production apparatus thereof |
| EP0706179B1 (en) * | 1994-09-27 | 2002-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of optical information recording medium and production apparatus therefor |
| JPH108022A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-13 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 光メモリ素子用シリコーン系接着剤、光メモリ素子、および光メモリ素子の製造方法 |
| JPH10149578A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光記録媒体 |
| GB2326014A (en) * | 1997-05-16 | 1998-12-09 | Jan Robert Coyle | A two-sided digital disc |
| JP2002157782A (ja) | 2000-09-05 | 2002-05-31 | Tdk Corp | 光情報媒体およびその試験方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57133532A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Fujitsu Ltd | Optical recording medium |
| JPS60243835A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学用記録担体 |
| JPS61255542A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
| JPH0644355B2 (ja) * | 1985-05-23 | 1994-06-08 | 株式会社東芝 | 光デイスク |
| US5053288A (en) * | 1987-11-20 | 1991-10-01 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| JP2656785B2 (ja) * | 1988-02-24 | 1997-09-24 | 日東電工株式会社 | 光デイスク |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP1246992A patent/JP2656985B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-20 CA CA002025884A patent/CA2025884C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-21 DE DE69029354T patent/DE69029354T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-21 EP EP90310400A patent/EP0419295B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0429885A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-01-31 | Pioneer Electron Corp | 情報記録媒体 |
| JP2518954B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1996-07-31 | パイオニア株式会社 | 情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0419295A2 (en) | 1991-03-27 |
| CA2025884C (en) | 1995-10-24 |
| EP0419295B1 (en) | 1996-12-11 |
| DE69029354D1 (de) | 1997-01-23 |
| JP2656985B2 (ja) | 1997-09-24 |
| CA2025884A1 (en) | 1991-03-23 |
| DE69029354T2 (de) | 1997-04-30 |
| EP0419295A3 (en) | 1992-08-12 |
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Legal Events
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