JP2003303444A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents

光ディスクおよびその製造方法

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JP2003303444A
JP2003303444A JP2002105277A JP2002105277A JP2003303444A JP 2003303444 A JP2003303444 A JP 2003303444A JP 2002105277 A JP2002105277 A JP 2002105277A JP 2002105277 A JP2002105277 A JP 2002105277A JP 2003303444 A JP2003303444 A JP 2003303444A
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moisture
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Toshihiko Shirasagi
俊彦 白鷺
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Sony Disc Technology Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 保護層側からレーザ光を照射し、情報の読み
取りおよび書き込みを行うようにした光ディスクにおい
て、水分の吸放湿に起因する反りの変化量を低減できる
ようにする。 【解決手段】 図2Aに示す基板1を射出成形法により
形成する。図2Bに示すように、基板1の凹凸が形成さ
れた一主面に情報信号部2を形成する。図2Cに示すよ
うに、基板1の情報信号部2が形成されたのとは反対側
の他主面に、好適には10nm〜60nm、より好適に
は20nm〜30nmの金属あるいは半導体からなる防
湿膜4を形成する。図2Dに示すように、スピンコート
法により情報信号部2上に保護膜3を形成するととも
に、防湿膜4上に保護膜4を形成する。保護膜5上に印
刷層6を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスクおよ
びその製造方法に関し、特に、基板上に記録層および保
護層が設けられた光ディスクに対して、保護層が設けら
れた側からレーザ光を照射することにより、情報信号の
記録および/または再生が行われる光ディスクに適用し
て好適なものである。
【0002】
【従来の技術】近年、コンパクトディスク(以下、C
D)は、大量のデータを記録可能であるとともに、再生
専用型、追記型、書換可能型などのそれぞれのメモリ形
態に対応可能であるという利点を有するため、広く普及
している。
【0003】図5にCDの構成を示す。図5に示すよう
に、CDは、情報信号を示すピットやグルーブなどの凹
凸パターンが形成された光透過性を有するディスク基板
101上に、アルミニウム(Al)膜などの金属薄膜か
らなる反射膜102と、さらにこの反射膜を大気中の水
分(H2O)や酸素(O2)から保護するための保護層
(図示省略)とが設けられた構成を有する。そして、こ
のCDにおける情報信号の再生時には、図5に示すよう
に、ディスク基板101の側から凹凸パターンに向けて
レーザ光などの再生光を照射し、この再生光による入射
光と戻り光との反射率の差によって情報信号を検出す
る。
【0004】このようなCDを製造する際には、まず、
射出成形法により凹凸パターンを有するディスク基板1
01を形成する。次に、真空蒸着法やスパッタリング法
により、光ディスク基板上に金属薄膜からなる反射膜1
02を形成する。次に、この反射膜の上層に紫外線硬化
樹脂を塗布することにより保護層を形成する。
【0005】近年、このようなCDより、さらに高記録
密度の光ディスクが要求されている。この高記録密度化
の要求に対応するために、光学ピックアップの再生光の
照射時に用いられる対物レンズの開口数(NA)を大き
くすることによって、再生光のスポット径の小径化を図
る技術が提案されている。
【0006】すなわち、例えば従来のCDの再生時に用
いられる対物レンズのNAが0.45であるのに対し、
この従来のCDの6〜8倍の記録容量を有するDVD
(Digital Versatile Disc)といった光学式ビデオディ
スクでは再生時に用いられる対物レンズのNAを0.6
0程度として、スポット径の小径化が図られる。
【0007】このような対物レンズにおける高NA化を
進めていくと、照射される再生光を透過させるために、
光ディスクにおけるディスク基板を薄くする必要が生じ
る。これは、光学ピックアップの光軸に対してディスク
面の垂直からずれる角度(チルト角)の許容量が小さく
なるためであり、さらに、このチルト角がディスク基板
の厚さによる収差や複屈折の影響を受け易いためであ
る。したがって、ディスク基板を薄くすることによっ
て、チルト角がなるべく小さくなるようにする。
【0008】そして、今後のさらなる高記録密度化の要
求を考慮すると、基板のさらなる薄型化が必要になる。
そこで、基板の一主面に凹凸を形成して情報信号部と
し、この情報信号部上に、反射膜と、光を透過可能な薄
膜からなる保護層とを順次積層し、保護層側から再生光
を照射することにより情報信号の再生を行うように構成
された光ディスクが提案されている。このような、保護
層側から再生光を照射して情報信号の再生を行うように
した光ディスクにおいては、保護層の薄膜化を図ること
によって対物レンズの高NA化に対応することができ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな光ディスクでは、周囲環境の湿度変化に伴って、光
ディスクに反りが生じることが知られている。CDは、
ディスク基板の片側にのみ反射膜が被覆された非対称構
造を有するため、主に反射膜が形成されていない面から
水分の吸放湿が起こり、その結果としてディスク基板に
反りが生じてしまう。
【0010】図6Aは、吸湿時のCDの形状を示し、図
6Bは、放湿時のCDの形状を示す。吸湿時には、図6
Aに示すように、反射膜が設けられた側と反対側の面が
伸びて、CDが凹状の形状になるのに対し、放湿時に
は、図6Bに示すように、反射膜が設けられた側と反対
側の面が縮んで、CDが凸状の形状になる。CDでは、
このような水分の吸放湿に起因する反り(Skew)の
変化量は、許容範囲にあるため、問題とされなかった。
【0011】また、DVDでは、Skewの変化量の許
容範囲は、CDのSkewの変化量の約1/2である
が、0.6mmのディスクをピット面を内側にして貼り
合わせた対称構造を有するため、Skewがキャンセル
され、Skewの変化量が許容範囲となり、大きな問題
とならなかった。
【0012】ところが、上述した保護層側からレーザ光
を照射し、情報の読み取りおよび書き込みを行うように
した光ディスクでは、水分の吸放湿に起因する反り(S
kew)の変化量が許容範囲を超えてしまうことがある
ため、問題とされている。
【0013】図7に示すSACD(Super Audio CD)ハイ
ブリッドディスクのような高密度かつ非対称構造のディ
スクでは、光ディスクの反りを防止するために、吸湿性
の低いアモルファスポリオレフィン材(日本ゼオン社
製)などが基板材料として使用されている。ところが、
このような基板材料は非常に高価であるため、光ディス
の価格の上昇を招いてしまう。
【0014】したがって、この発明が解決しようとする
課題は、保護層側からレーザ光を照射し、情報の読み取
りおよび書き込みを行うようにした光ディスクにおい
て、水分の吸放湿に起因する反りの変化量を低減するこ
とができる光ディスクおよびその製造方法を提供するこ
とにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願第1の発明は、ディスク基板の一主面に、情報
信号を記録および/または再生可能に構成された情報信
号部と、レーザ光を透過可能な保護層とが順次積層され
て構成され、保護層側からレーザ光を照射し、情報信号
を記録および/または再生する光ディスクにおいて、基
板の情報信号部が形成された側と反対側の面に、金属あ
るいは半導体からなる防湿膜が設けられていることを特
徴とする光ディスクである。
【0016】本願第2の発明は、ディスク基板の一主面
に、情報信号を記録および/または再生可能に構成され
た情報信号部と、レーザ光を透過可能な保護層とが順次
積層されて構成され、保護層側からレーザ光を照射し、
情報信号を記録および/または再生する光ディスクの製
造方法において、基板の情報信号部が形成された側と反
対側の面に、金属あるいは半導体からなる防湿膜を形成
する工程を備えることを特徴とする光ディスクの製造方
法である。
【0017】上述のように構成されたこの発明の光ディ
スクでは、基板の保護層が形成された側と反対側の面
に、金属あるいは半導体からなる防湿膜が設けられてい
るため、基板の保護層が設けられた側と反対側の面から
の水分の吸放湿を防ぐことができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。図1に、この発明の
光ディスクの構成の一例を示す。
【0019】基板1は、中心部にセンターホールが形成
された平面円環形状を有し、保護層3が形成される側の
面には、凹凸パターンがセンターホールを中心とした同
心円状に形成されている。基板の材料としては、例えば
ポリカーボネートネート(PC)やシクロオレフィンポ
リマーなどの低吸湿性の樹脂が用いられる。この基板1
の直径(外径)は、例えば120mm、センターホール
開口径(内口径)は、例えば15mmである。
【0020】情報信号部2は、Al、Agなどの材料か
らなる反射膜である。この反射膜の膜厚は、例えば10
nm〜60nmの範囲から選ばれる。なお、情報信号部
2は、反射膜に限られるものではなく、光磁気材料から
なる膜、相変化材料からなる膜、または有機色素からな
る膜などであってもかまわない。
【0021】保護層3は、例えば、光透過性シートと、
この光透過性シートの一面に被着された感圧性粘着材
(PSA)からなる粘着層とから構成され、このシート
は、基板と同様に、平面円環形状に打ち抜かれた形状を
有し、中央部に貫通孔が形成されている。この保護層3
の厚さは、例えば0.1mmである。
【0022】防湿膜4は、基板1の保護層が設けられた
側と反対側の面からの水分の吸放湿を防ぐためのもので
ある。この防湿膜4の材料として、AlあるいはAgな
どの金属、もしくはSiなどの半導体が用いられる。ま
た、防湿膜の厚さは、好適には10nm〜60nmの範
囲から選ばれ、より好適には20nm〜30nmの範囲
から選ばれる。
【0023】保護層5は、例えば、光透過性シートと、
この光透過性シートの一面に被着された感圧性粘着材
(PSA)からなる粘着層とから構成され、このシート
は、基板と同様に、平面円環形状に打ち抜かれた形状を
有し、中央部に貫通孔が形成されている。
【0024】上述のように構成された光ディスクは、基
板1に対して、情報信号部2が形成された側の面から、
情報信号部2にレーザ光を照射することにより、情報信
号の記録および/または再生が行われる型の光ディスク
である。
【0025】次に、この発明の一実施形態による光ディ
スクの製造方法について説明する。
【0026】まず、図2Aに示す基板1を、例えば射出
成形法により形成する。なお、基板1を射出成形により
形成する際、所定の凹凸が設けられたスタンパにより、
基板1の一主面にピットやグルーブが例えばスパイラル
状に形成される。
【0027】次に、図2Bに示すように、基板1の凹凸
が形成された一主面に、情報信号部2を形成する。次
に、図2Cに示すように、基板1の情報信号部2が形成
されたのとは反対側の他主面に、防湿膜4を形成する。
【0028】次に、図2Dに示すように、保護層3を形
成するとともに、防湿膜4上に保護層5を形成する。こ
れらの保護層3および保護層5は、情報信号部2および
防湿膜4上に、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により
均一厚さになるように塗布することにより形成される。
【0029】なお、保護層3および保護層5の形成方法
は、スピンコート法に限られるものではない。例えば、
感圧性粘着剤付きのシートを加圧し、情報信号部2およ
び防湿膜4に貼り合わせることにようにして、保護層3
および保護層5を形成するようにしてもかまわない。
【0030】また、ドライフォトポリマーシートを加圧
し、紫外線硬化させることにより、情報信号部2および
防湿膜4上に保護層3および保護層5を形成するように
してもかまわない。
【0031】また、ポリカーボネートなどからなるシー
トを情報信号部2および防湿膜4上に紫外線硬化樹脂に
よって貼り合わせた後、硬化させることにより、保護層
3および保護層5を形成するようにしてもかまわない。
【0032】最後に、保護層5上に印刷層6を形成す
る。これにより、目的とする光ディスクが製造される。
【0033】本発明者は、上述のようにして製造された
本発明の光ディスクと、従来の光ディスクとの吸湿量お
よびSkew変化量(R−Skew変化量)をそれぞれ
測定し、比較を行った。ここで、従来の光ディスクと
は、本発明の光ディスクにおける防湿膜4の形成が省略
された光ディスク、すなわち、上述した光ディスクの製
造方法における防湿膜4の形成工程を省略することによ
り製造された光ディスクである。なお、この測定に用い
た本発明の光ディスクの防湿膜の材料はAg、膜厚は3
0nmである。また、本発明および従来の光ディスクに
おける基板1の材料は、ポリカーボネートであり、厚さ
は1.1mmである。情報信号部2の材料は、Agであ
り、厚さは約30nmである。
【0034】なお、Skew変化量の測定値は、光ディ
スクの中心から58mmの位置におけるものである。ま
た、Skew変化量の測定値では、信号面を下にした状
態において、基板が凹上に反った場合のSkew変化量
を「+」、基板が凸上に反った場合の変化量を「―」と
した。
【0035】以下に、温度30℃、湿度90%の環境下
に、光ディスクを70時間保持した場合の光ディスクの
吸湿量(水分増加量)およびSkew変化量の測定結果
を示す。 吸湿量 従来の光ディスク :0.032g 本発明の光ディスク:0.010g(約1/3) Skew変化量 従来の光ディスク :−0.28deg 本発明の光ディスク:−0.04deg(約1/7)
【0036】次に、温度70℃、湿度30%の環境下
に、光ディスクを100時間保持した場合の光ディスク
のSkew変化量の測定結果を示す。 Skew変化量 従来の光ディスク :+1.15deg 本発明の光ディスク:−0.18deg(約1/6)
【0037】上述した測定結果より、本発明の光ディス
クは、従来の光ディスクに比べ、周囲環境変化時におけ
る光ディスクの吸湿量を1/3程度に低減でき、Ske
wの変化量を1/7程度に低減できることがわかる。ま
た、本発明の光ディスクは、従来の光ディスクに比べ、
周囲環境変化時における基板の放湿量を低減でき、Sk
ewの変化量を1/6程度に低減できることがわかる。
【0038】次に、本発明者は、基板の凹凸が形成され
た側の面に、Agからなる反射膜を成膜し、この反射膜
上に感圧性粘着シート(PSAシート)を貼り合わせた
サンプルを5枚作製し、これらのサンプルに対して環境
テストを行った。そして、環境テストを終了してから2
日後と、2週間後とにR−Skewを測定した。なお、
環境テストは、温度80℃、湿度85%の環境下に、サ
ンプルを10日間保持することにより行った。ここで、
測定に用いた基板の厚さは、1.1mmである。また、
5枚のサンプルの反射膜の膜厚は、互いに異なる膜厚を
有する。各サンプルの膜厚および測定結果を表1に示
す。
【0039】
【表1】
【0040】なお、表1において、Δ1は、初期値の測
定から48時間経過後までのR−Skewの変化量、Δ
2は、48時間後から2週間後までのR−Skewの変
化量である。
【0041】図3に、表1に示したR−Skew測定値
に基づき、作成されたグラフを示す。表1および図3か
ら、サンプル1は、R−Skewの変化量が小さく、リ
カバリーが早いのに対して、サンプル2、3、4および
5は、R−Skewの変化量が大きく、リカバリーが遅
いことが分かる。これは、サンプル1では、反射膜を介
して水分の出入りがあり、この反射膜を介した水分の出
入りと、反射膜が形成された側と反対の面の水分の出入
りとのバランスが良いのに対して、サンプル2、3、4
および5では、反射膜を介した水分の出入りがほとんど
なく、反射膜を介した水の出入りと、反射膜が形成され
た側と反対の面の水の出入りとのバランスが悪いためで
ある。
【0042】さらに本発明者は、同様の構成を有するサ
ンプルを4枚作製し、これらのサンプルに対して、環境
テストおよびR−Skewの測定を行った。これらのサ
ンプルの膜厚および測定結果を表2に示す。
【0043】
【表2】
【0044】なお、表2において、Δ1は、初期値の測
定から48時間経過後までのR−Skewの変化量、Δ
2は、48時間後から2週間後までのR−Skewの変
化量である。
【0045】図4に、表1に示したR−Skew測定値
に基づき、作成されたグラフを示す。表2および図4か
ら、サンプル1は、R−Skewの変化量が小さく、リ
カバリーが早いのに対して、サンプル2、3および4
は、R−Skewの変化量が大きく、リカバリーが遅い
ことが分かる。
【0046】上述した測定結果より、基板1の情報信号
部2とは反対側の面に成膜する防湿膜4の膜厚は、10
nm以上であることが好ましいことが分かる。
【0047】この発明の一実施形態によれば、以下のよ
うな利点を得ることができる。基板1の情報信号部2が
形成された側と反対側の他主面に、金属あるいは半導体
からなる防湿膜4が設けられているため、基板1の情報
信号部2が設けられた側と反対の面からの水分の吸放湿
を防ぐことができる。したがって、水分の吸放湿に起因
する光ディスクの反りの変化量を低減することができ
る。
【0048】また、SiO2などの光透過性のある膜を
スパッタリングで成膜する場合とは異なり、反応性ガス
などを用いたスパッタリングを用いる必要性がないた
め、簡易な装置を用いて防湿膜4を形成することができ
る。また、O2など危険なガスを用いて、スパッタリン
グを行う必要がないため、SiO2などの光透過性のあ
る膜をスパッタリングで成膜するのとは異なり、防湿膜
4を容易に作成することができる。
【0049】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。
【0050】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値を用いてもよい。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板の情報信号部が形成された側と反対側の面に、
金属あるいは半導体からなる防湿膜が設けられているた
め、基板の保護層が設けられた側と反対の面からの水分
の吸放湿を防ぐことができる。したがって、水分の吸放
湿に起因する光ディスクの反りの変化量を低減すること
ができる。
【0052】また、周囲環境の湿度変化に伴う光ディス
クの反りの変化量が小さいため、ディスク形状が安定す
る。よって、再生信号や記録信号の安定性を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態による光ディスクの構成
の一例を示す断面図である。
【図2】この発明の一実施形態による光ディスクの製造
方法の一例を説明するための断面図である。
【図3】時間経過に伴うR−Skewの変化量を示すグ
ラフである。
【図4】時間経過に伴うR−Skewの変化量を示す表
である。
【図5】従来のコンパクトディスクの構成を示す断面図
である。
【図6】吸放湿時の光ディスクの形状を示す断面図であ
る。
【図7】従来のSACDの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・基板、2・・・情報信号部、3,5・・・保護
層、4・・・防湿膜、6・・・印刷層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ディスク基板の一主面に、 情報信号を記録および/または再生可能に構成された情
    報信号部と、 レーザ光を透過可能な保護層とが順次積層されて構成さ
    れ、 上記保護層側からレーザ光を照射し、上記情報信号を記
    録および/または再生する光ディスクにおいて、 上記基板の情報信号部が形成された側と反対側の面に、
    金属あるいは半導体からなる防湿膜が設けられているこ
    とを特徴とする光ディスク。
  2. 【請求項2】 上記金属がAlあるいはAgであり、上
    記半導体がSiであることを特徴とする請求項1記載の
    光ディスク。
  3. 【請求項3】 上記防湿膜の膜厚が、10nm以上60
    nm以下であることを特徴とする請求項1記載の光ディ
    スク。
  4. 【請求項4】 ディスク基板の一主面に、 情報信号を記録および/または再生可能に構成された情
    報信号部と、 レーザ光を透過可能な保護層とが順次積層されて構成さ
    れ、 上記保護層側からレーザ光を照射し、上記情報信号を記
    録および/または再生する光ディスクの製造方法におい
    て、 上記基板の情報信号部が形成された側と反対側の面に、
    金属あるいは半導体からなる防湿膜を形成する工程を備
    えることを特徴とする光ディスクの製造方法。
  5. 【請求項5】 上記金属がAlあるいはAgであり、上
    記半導体がSiであることを特徴とする請求項4記載の
    光ディスクの製造方法。
  6. 【請求項6】 上記防湿膜の膜厚が、10nm以上60
    nm以下であることを特徴とする請求項4記載の光ディ
    スクの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1811513A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-25 Singulus Technologies AG Datenträger mit Barriereschicht gegen eindringende Feuchtey

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1811513A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-25 Singulus Technologies AG Datenträger mit Barriereschicht gegen eindringende Feuchtey

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