JPH02205349A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置
の製造方法に係り、特に、リードフレームのリード形成
に関する。

上記半導体装置の製造では、その半導体装置の実装に不
都合が住しないように、樹脂パッケージから突出するア
ウタリードを異常に変形させないようにすることが重要
である。

３、発明の詳細な説明 〔概　要〕 リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の製造方法
に関し、 樹脂パッケージの形成を終わらすまでの間にアウタリー
ドが変形するのを防止することを目的とし、 リードフレームにおけるアウタリードのパターン形成を
インナリード部の樹脂封止の後に行うよ〔従来の技術〕 第２図は、リードフレームを用いて製造した樹脂封止半
導体装置例の斜視図である。

同図において、１は半導体装置の回路が形成された半導
体チップを封止する樹脂パッケージ、２はパッケージｌ
から突出して実装により上記回路を外部に接続するアウ
タリードである。複数のアウタリード２は、実装に都合
の良いように曲げられており、然も、実装基板に合わせ
て所定の間隔で並んでいる。

第３図（ａ）〜（Ｃ）は、上記半導体装置の製造におけ
る従来例の工程の要部を示す平面図である。

第３図において、従来例では、（ａ）に示すようなリー
ドフレーム３を用意し、これに半導体チップの搭載及び
樹脂パッケージ形成を施し、後加工を行って半導体装置
を組み立てている。

即ち、リードフレーム３は、厚さ０．１〜０．３ｍｍ程
度の金属条に抜き加工などを施し所定の長さに切断した
もので、半導体チップを保持させるグイステージ４、半
導体チップの回路を接続する複数のインナリード５及び
それの延長であるアウタリード２、インナリード５とア
ウターリード２の境部分の相互間を結ぶタイバー６など
、及びこれらを支持する外枠７で構成され、半導体装置
の適宜個数分が一列に並んでいる。そこでリードフレー
ム３の両端は、複数のアウタリード２が先端自由で並ん
だ状態になっている。

そして、半導体チップをグイステージ４にボンディング
し半導体チップとインナリード５との間をワイヤボンデ
ィングで接続した後、樹脂成形により［有］）に示すよ
うに樹脂パッケージ１を形成する。

パッケージ１は、タイバー６と外枠７で囲まれた範囲を
占め、半導体チップ及びインナリード５などを埋没させ
て封止する。

次いで、タイバー６の切除及びアウタリード２先端部の
切断などを行って、（Ｃ）に示すようにパッケージ１か
らアウタリード２を真っ直ぐに突出させた個々の半導体
装置に分離する。

この後は、アウタリード２の曲げ成形及びその他の後加
工を行って半導体装置を完成させる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで上述の組立では、高集積化された半導体装置の
場合、アウタリード２が多数になると共に細くて強度の
弱いものとなることから、パッケージ１の形成を終わら
すまでの取扱いにおいて、第４図の平面図に示すように
リードフレーム３の両端にあるアウタリード２を不用意
に変形させてしまうことが屡発生する。

この変形が発生すると、リードフレーム３から半導体装
置を切断分離した時は勿論のこと、アウタリード２の曲
げ成形を行った後までもその変形が継承されて、アウタ
リード２の配列が乱れた半導体装置が製造されることに
なり、製造歩留りを低下させる問題となる。

そこで本発明は、リードフレームを用いた樹脂封止半導
体装置の製造において、樹脂パッケージの形成を終わら
すまでの間にアウタリードが変形するのを防止すること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、リードフレームにおけるアウタリードのパ
ターン形成をインナリード部の樹脂封止の後に行う本発
明の製造方法によって解決される。

〔作　用〕

この製造方法では、封止の樹脂パッケージを形成するま
でのリードフレームは、樹脂パフケージに埋没される部
分のみが形成されてアウタリードが未形成の状態のもの
にしておくことになり、樹脂パッケージの形成を終わら
すまでの間にアウタリードを変形させるという心配が全
く無くなる。

そして、リードフレームのアウタリード形成領域が樹脂
パッケージの外側であることから、アウタリードは従来
例と同形にパターン形成することができて、完成させる
半導体装置も従来例と同じものにすることができる。

〔実施例〕

以下本発明の実施例についてその工程の要部を示す第１
図（ａ）〜（ｄ）の平面図を用いて説明する。全図を通
し同一符号は同一対象物を示す。

第１図において、実施例では、（ａ）に示すようなリー
ドフレーム８を用意し、これに従来例と同様に半導体チ
ップの搭載及び樹脂パッケージ形成を施し、それからリ
ードフレーム８にアウタリード２をパターン形成し、そ
の後従来例と同様な後加工を行って半導体装置を組み立
てている。

即ち、リードフレーム８は、リードフレーム３の場合と
同じ金属条に抜き加工などを施し所定の長さに切断した
もので、リードフレーム３からアウタリード２のパター
ン形成を削除した構成をなし、リードフレーム３と同じ
く半導体装置の適宜個数分が一列に並んでいる。従って
、タイバー６もなくてリードフレーム３のタイバー６か
ら外側に該当する領域が平板状のままとなっており、リ
ードフレーム８の両端も平板状のままである。

そして、従来例と同様にして、半導体チップをグイステ
ージ４にボンディングし半導体チップとインナリード５
との間をワイヤボンディングで接続した後、樹脂成形に
より（ｂ）に示すように樹脂パッケージ１を形成する。

パッケージ１は、従来例と同じく、タイバー６と外枠７
で囲まれたインナリード５部を占め、半導体チップ及び
インナリード５などを埋没さて封止する。

次いで、プレス抜き加工により、（Ｃ）に示すようにリ
ードフレーム８に従来例と同じになるアウタリード２を
パターン形成する。この工程により、リードフレーム８
は、従来例の第３図（Ｃ）の状態に相当するものとなる
。

次いで、リードフレーム８内におけるアウタリード２先
端部の切断などを行って、（ロ）に示すようにパッケー
ジ１からアウタリード２を真っ直ぐに突出させた個々の
半導体装置に分離する。

この後は、従来例と同様なアウタリード２の曲げ成形及
びその他の後加工を行って、従来例と同じになる半導体
装置を完成させる。

ところで、パッケージ１の形成の際に多くの場合、従来
例で見るとパッケージ１とタイバー６との間に間隙があ
り、従来例においても実施例においてもこの間隙部分に
リードフレーム３または８と同じ厚さの樹脂の張り出し
が生ずる。この張り出しは、従来例ではタイバー６切除
に先立ちまたは同時に切除されるが、上記実施例では、
第１図（Ｃ）に示すようにタイバー６の形成を行わない
ので、アウタリード２のパターン形成に先立ち切除して
おくのが望ましい、或いは、アウタリード２のパターン
形成の際にタイバー６を形成するようにアウタリード２
を形成して第３図（ｂＪと同様になるようにし、その後
を従来例と同じ処理にしても良い。

以上の説明から明らかなように、本発明ではアウタリー
ド２のパターン形成がパッケージ１形成の後に行われる
ので、リードフレームの取扱いに特別の注意を払わなく
ともパッケージ１の形成を終わらすまでの間にアウタリ
ード２を変形させるという心配が全く無（なり、当該半
導体装置の製造歩留りが向上し、然も、リードフレーム
の取扱いが容易になる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の構成によれば、リードフレ
ームを用いた樹脂封止半導体装置の製造において、樹脂
パッケージの形成を終わらすまでの間におけるアウタリ
ード変形の心配を皆無にすることができて、当該半導体
装置の製造歩留りを向上させ、然も、リードフレームの
取扱いを容易にさせる効果がある。

第１図（ａ）〜（ロ）は実施例の工程を示す平面図、第
２図は樹脂封止半導体装置例の斜視図、第３図（ａ）〜
（Ｃ）は従来例の工程を示す平面図、第４図は従来例の
問題点を示す平面図、である。

図において、 １は樹脂パッケージ、 ２はアウタリード、 ３．８はリードフレーム、 ５はインナリード、 である。

【図面の簡単な説明】

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戊は瓜コ第　４　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の製造にお
   いて、 リードフレームにおけるアウタリードのパターン形成を
   インナリード部の樹脂封止の後に行うことを特徴とする
   半導体装置の製造方法。