JPH0455539B2 - - Google Patents
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- JPH0455539B2 JPH0455539B2 JP30292487A JP30292487A JPH0455539B2 JP H0455539 B2 JPH0455539 B2 JP H0455539B2 JP 30292487 A JP30292487 A JP 30292487A JP 30292487 A JP30292487 A JP 30292487A JP H0455539 B2 JPH0455539 B2 JP H0455539B2
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームの製造方法に係り、
特にインナーリードの先端部への貴金属メツキ方
法に関する。
特にインナーリードの先端部への貴金属メツキ方
法に関する。
IC，LSI等の半導体装置の実装に際して用いら
れるリードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金
属材料をプレス加工またはエツチングにより所望
の形状に成形せしめられてなるものである。
れるリードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金
属材料をプレス加工またはエツチングにより所望
の形状に成形せしめられてなるものである。
通常、リードフレームは、第２図に示す如く、
半導体集積回路チツプ（以下半導体チツプ）を搭
載するダイパツド１１と、ダイパツドを取り囲む
ように配設せしめられた複数のインナーリード１
２と、インナーリード１２を一体的に連結するタ
イバー１３と、各インナーリードに連設せしめら
れタイバーの外側に伸長するアウターリード１４
と、タイバー１３を両サイドから支持するサイド
バー１５，１６と、ダイパツド１１を支持するサ
ポートバー１７とから構成されている。
半導体集積回路チツプ（以下半導体チツプ）を搭
載するダイパツド１１と、ダイパツドを取り囲む
ように配設せしめられた複数のインナーリード１
２と、インナーリード１２を一体的に連結するタ
イバー１３と、各インナーリードに連設せしめら
れタイバーの外側に伸長するアウターリード１４
と、タイバー１３を両サイドから支持するサイド
バー１５，１６と、ダイパツド１１を支持するサ
ポートバー１７とから構成されている。
そして、実装に際しては、第３図に示す如く、
リードフレーム１のダイパツド１１上に半導体チ
ツプ２を搭載し、この半導体チツプのボンデイン
グパツドとリードフレームのインナーリード１２
とを金線あるいはアルミ線のボンデイングワイヤ
３によつて結線し、さらにこれらを樹脂等の封止
材料４で封止した後、タイバーやサイドバーを切
断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げて
完成せしめられる。
リードフレーム１のダイパツド１１上に半導体チ
ツプ２を搭載し、この半導体チツプのボンデイン
グパツドとリードフレームのインナーリード１２
とを金線あるいはアルミ線のボンデイングワイヤ
３によつて結線し、さらにこれらを樹脂等の封止
材料４で封止した後、タイバーやサイドバーを切
断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げて
完成せしめられる。
ところで、このようなリードフレームのインナ
ーリードの先端あるいはダイパツド等、ボンデイ
ング領域にはボンデイング性を高めるため銀メツ
キ等の貴金属メツキが施されている。
ーリードの先端あるいはダイパツド等、ボンデイ
ング領域にはボンデイング性を高めるため銀メツ
キ等の貴金属メツキが施されている。
通常この貴金属メツキ工程は、打ち抜き法等に
よつてリードフレームを所望の形状に成形するパ
ターニング工程の後に行なわれるが、これではイ
ンナーリードの側面までメツキされメツキ金属の
無駄を生じるのみならず、パツケージラインの近
傍で側面にメツキ金属が付着していると湿気の侵
入によりマイグレーシヨンを生じ易く半導体装置
の信頼性低下の誘因となつていた。
よつてリードフレームを所望の形状に成形するパ
ターニング工程の後に行なわれるが、これではイ
ンナーリードの側面までメツキされメツキ金属の
無駄を生じるのみならず、パツケージラインの近
傍で側面にメツキ金属が付着していると湿気の侵
入によりマイグレーシヨンを生じ易く半導体装置
の信頼性低下の誘因となつていた。
そこで、この問題を解決するため、リードフレ
ーム各部の成形を行なう前の帯状材料に所定の領
域に予め貴金属メツキを施しその後成形するとい
う方法が提案されている。
ーム各部の成形を行なう前の帯状材料に所定の領
域に予め貴金属メツキを施しその後成形するとい
う方法が提案されている。
ところが、この方法では、成形工程でメツキ面
が損傷を受けるのみならず、後に切除してしまう
スクラツプ領域にもメツキが行なわれるため、メ
ツキ金属すなわち貴金属の大量な無駄を生じる。
不要部に付着した貴金属はその後スクラツプ内か
ら回収することは可能であるが、回収設備が必要
となるため、依然としてコストの高騰を避けるこ
とは不可能であつた。
が損傷を受けるのみならず、後に切除してしまう
スクラツプ領域にもメツキが行なわれるため、メ
ツキ金属すなわち貴金属の大量な無駄を生じる。
不要部に付着した貴金属はその後スクラツプ内か
ら回収することは可能であるが、回収設備が必要
となるため、依然としてコストの高騰を避けるこ
とは不可能であつた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、
低コストで信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的とする。
低コストで信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的とする。
そこで本発明の方法では、インナーリードの先
端部への貴金属メツキを行なうに先立ち、タイバ
ーのパツド側（内方）の端縁がインナーリードの
貴金属メツキライン（貴金属メツキの端縁）より
もパツド側にくるようにタイバーを幅広にした状
態で、リードフレームのパターニングを行ない、
最後に、タイバーのパツド側の端縁が貴金属メツ
キラインの外側にくるようにタイバーを通常の幅
に成形している。
端部への貴金属メツキを行なうに先立ち、タイバ
ーのパツド側（内方）の端縁がインナーリードの
貴金属メツキライン（貴金属メツキの端縁）より
もパツド側にくるようにタイバーを幅広にした状
態で、リードフレームのパターニングを行ない、
最後に、タイバーのパツド側の端縁が貴金属メツ
キラインの外側にくるようにタイバーを通常の幅
に成形している。
上記方法によれば、インナーリードのパツケー
ジライン近傍の側面は、幅広のタイバーの１部と
なつて露呈していない状態でメツキが施され、メ
ツキ後に形成がなされ露呈せしめられるため、メ
ツキ金属が付着することがない。したがつて、マ
イグレーシヨンの発生もなく、半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。
ジライン近傍の側面は、幅広のタイバーの１部と
なつて露呈していない状態でメツキが施され、メ
ツキ後に形成がなされ露呈せしめられるため、メ
ツキ金属が付着することがない。したがつて、マ
イグレーシヨンの発生もなく、半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。
また、メツキに先立ちインナーリード先端部等
のパターニングがなされているため、スクラツプ
となる不要部に付着するメツキ金属も最小限に抑
えることができ、コストの低減を図ることができ
る。さらに、メツキ後にインナーリードの先端部
の成形はなされないためメツキ面に損傷を与える
こともなく完成することが可能であり、ボンデイ
ング性の低下を招くこともない。
のパターニングがなされているため、スクラツプ
となる不要部に付着するメツキ金属も最小限に抑
えることができ、コストの低減を図ることができ
る。さらに、メツキ後にインナーリードの先端部
の成形はなされないためメツキ面に損傷を与える
こともなく完成することが可能であり、ボンデイ
ング性の低下を招くこともない。
ところで、半導体チツプのボンデイングパツド
とインナーリードの先端とが同一面上にくるよう
にし、ボンデイング性を高めるために、リードフ
レームにはデイプレス加工が施されることが多
い。すなわち、リードフレームのダイパツドは、
これを支えるサポートバーを再度加圧し（デイプ
レス加工を施し）、所定の角度（すなわちデイプ
レス角度）をなすように曲げることにより、イン
ナーリードのボンデイング面よりも所定の高さだ
け低い位置にくるように形成される。
とインナーリードの先端とが同一面上にくるよう
にし、ボンデイング性を高めるために、リードフ
レームにはデイプレス加工が施されることが多
い。すなわち、リードフレームのダイパツドは、
これを支えるサポートバーを再度加圧し（デイプ
レス加工を施し）、所定の角度（すなわちデイプ
レス角度）をなすように曲げることにより、イン
ナーリードのボンデイング面よりも所定の高さだ
け低い位置にくるように形成される。
このデイプレス加工工程と同時に前記タイバー
の成形を行なうようにすれば、デイプレス金型に
少し変形を加えるのみで何ら付加工程を要するこ
となく完成させることができる。
の成形を行なうようにすれば、デイプレス金型に
少し変形を加えるのみで何ら付加工程を要するこ
となく完成させることができる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
まず、第１図ａに示す如く、通常のプレス加工
法によりリードフレームのパターンを形成する
（ここで第２図における部材と同一部材には同一
の符号を付した。）。このとき、第１図ｂに部分拡
大説明図を示すように、タイバー１３′のダイパ
ツド１１側の端縁DLが、インナーリード１２の
貴金属メツキラインMLよりもダイパツド側にく
るように幅広のタイバー１３′をもつ形状とする。
ここでPLはパツケージラインを示すものとする。
またULは後工程での打ち抜きラインを示す（他
は、従来例のものと全く同様である。）。
法によりリードフレームのパターンを形成する
（ここで第２図における部材と同一部材には同一
の符号を付した。）。このとき、第１図ｂに部分拡
大説明図を示すように、タイバー１３′のダイパ
ツド１１側の端縁DLが、インナーリード１２の
貴金属メツキラインMLよりもダイパツド側にく
るように幅広のタイバー１３′をもつ形状とする。
ここでPLはパツケージラインを示すものとする。
またULは後工程での打ち抜きラインを示す（他
は、従来例のものと全く同様である。）。
次いで、第１図ｃに示す如く、テープ（図示せ
ず）を貼着することにより非メツキ領域を被覆し
た状態で銀の無電解メツキ液に浸漬し銀メツキ層
Ｇを形成する。
ず）を貼着することにより非メツキ領域を被覆し
た状態で銀の無電解メツキ液に浸漬し銀メツキ層
Ｇを形成する。
この後、第１図ｄおよび第１図ｅに示す如く、
サポートバーを曲げ加工し、ダイパツドの面をイ
ンナーリードの先端面より低く成形すると同時
に、タイバーのダイパツド側の端縁を切除し通常
の幅のタイバー１３となるような金型を用いてデ
イプレス加工を行なう。ここで第１図ｅは、第１
図ｄのＡ−Ａ断面図である。
サポートバーを曲げ加工し、ダイパツドの面をイ
ンナーリードの先端面より低く成形すると同時
に、タイバーのダイパツド側の端縁を切除し通常
の幅のタイバー１３となるような金型を用いてデ
イプレス加工を行なう。ここで第１図ｅは、第１
図ｄのＡ−Ａ断面図である。
このようにして形成されたリードフレームは、
第１図ｆに部分拡大説明図を示すようにマイグレ
ーシヨンの発生しやすいパツケージラインPL近
傍のインナーリード側面Ｓは銀メツキが付着する
ことなく維持されているため、湿気の侵入による
マイグレーシヨンの発生等もなく信頼性の高いも
のとなつている。
第１図ｆに部分拡大説明図を示すようにマイグレ
ーシヨンの発生しやすいパツケージラインPL近
傍のインナーリード側面Ｓは銀メツキが付着する
ことなく維持されているため、湿気の侵入による
マイグレーシヨンの発生等もなく信頼性の高いも
のとなつている。
また、スクラツプとなる部分はタイバーの１部
のみであるため、スクラツプ部分に付着する貴金
属もわずかとなり、コストも低減される。
のみであるため、スクラツプ部分に付着する貴金
属もわずかとなり、コストも低減される。
さらに、タイバーの成形はデイプレス加工と同
一工程で行なわれるため、何ら工程を付加するこ
となく形成可能である。
一工程で行なわれるため、何ら工程を付加するこ
となく形成可能である。
なお、実施例では、デイプレス加工と同時にタ
イバーの成形を行なうようにしたが、必ずしも同
時に行なう必要はなく、ダイパツドが別に形成さ
れる方式のものあるいは一体的に形成されていて
もデイプレス加工を行わないものについては、独
立の工程でタイバーの成形を行なえばよい。
イバーの成形を行なうようにしたが、必ずしも同
時に行なう必要はなく、ダイパツドが別に形成さ
れる方式のものあるいは一体的に形成されていて
もデイプレス加工を行わないものについては、独
立の工程でタイバーの成形を行なえばよい。
また、タイバーを幅広に形成する範囲は、イン
ナーリード先端がタイバーと平行に延びるパツド
の側面に位置する範囲内で良く、サイドバーの近
傍では従来の幅と同様にすれば良いが、全体につ
いて幅広にしてもよいことはいうまでもない。
ナーリード先端がタイバーと平行に延びるパツド
の側面に位置する範囲内で良く、サイドバーの近
傍では従来の幅と同様にすれば良いが、全体につ
いて幅広にしてもよいことはいうまでもない。
また、実施例では、プレス加工によつてリード
フレームのパターニングを行なう場合について説
明したが、プレス加工に限定されることなくエツ
チングによるパターニングを行なつた場合にも有
効であることはいうまでもない。
フレームのパターニングを行なう場合について説
明したが、プレス加工に限定されることなくエツ
チングによるパターニングを行なつた場合にも有
効であることはいうまでもない。
さらに、ダイパツドおよびサポートバーの形状
についても実施例に限定されることなく適宜変更
可能であり、例えばダイパツドが４本のサポート
バーによつて支持せしめられているような形状を
とることも可能である。
についても実施例に限定されることなく適宜変更
可能であり、例えばダイパツドが４本のサポート
バーによつて支持せしめられているような形状を
とることも可能である。
以上説明してきたように、本発明の方法によれ
ば、インナーリードの先端付近までくるようにタ
イバーを幅広にしたリードフレームのパターンを
形成し、インナーリードの先端部への貴金属メツ
キを行なつた後、タイバーを所定幅まで成形する
ようにしているため、低価格でかつ信頼性の高い
リードフレームを提供することが可能となる。
ば、インナーリードの先端付近までくるようにタ
イバーを幅広にしたリードフレームのパターンを
形成し、インナーリードの先端部への貴金属メツ
キを行なつた後、タイバーを所定幅まで成形する
ようにしているため、低価格でかつ信頼性の高い
リードフレームを提供することが可能となる。
第１図ａ乃至第１図ｆは、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は、従来
例のリードフレームを示す図、第３図は、従来の
半導体装置の実装例を示す図である。 １１……ダイパツド、１２……インナーリー
ド、１３……タイバー、１４……アウターリー
ド、１５，１６……サイドバー、１７……サポー
トバー、１……リードフレーム、２……半導体チ
ツプ、３……ボンデイングワイヤ、４……封止材
料、PL……パツケージライン、ML……貴金属
メツキライン、DL……ダイパツドの端縁、UL…
…後工程でのタイバーの打ち抜きライン。
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は、従来
例のリードフレームを示す図、第３図は、従来の
半導体装置の実装例を示す図である。 １１……ダイパツド、１２……インナーリー
ド、１３……タイバー、１４……アウターリー
ド、１５，１６……サイドバー、１７……サポー
トバー、１……リードフレーム、２……半導体チ
ツプ、３……ボンデイングワイヤ、４……封止材
料、PL……パツケージライン、ML……貴金属
メツキライン、DL……ダイパツドの端縁、UL…
…後工程でのタイバーの打ち抜きライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 先端部に貴金属めつき層からなるボンデイン
グエリアを具え複数のインナーリードと、 インナーリードを一体的に連結するタイバー
と、 各インナーリードに連設せしめられ、タイバー
の外方に伸長するアウターリードとを具えたリー
ドフレームの製造方法において、 前記タイバーの内方の端縁がインナーリードの
貴金属めつき層形成予定部の端縁よりも内方にく
るようにタイバーを幅広にしたリードフレームの
形状加工を行う第１の成形工程と 前記リードフレームのインナーリードの先端部
に貴金属めつき層を形成するめつき工程と 前記タイバーの内方の端縁が前記貴金属めつき
層の端縁よりも外方にくるようにタイバーの内縁
を切除する第２の成形工程とを具備したことを特
徴とするリードフレームの製造方法。 ２ 半導体チツプを搭載するダイパツドと、 ダイパツドの周りに配設せしめられたインナー
リードと、 インナーリードを一体的に連結するタイバー
と、 各インナーリードに連設せしめられるアウター
リードと、 ダイパツドを支持するサポートバーとを具えた
リードフレームの製造方法において 前記タイバーの内方の端縁がインナーリードの
貴金属めつき層形成予定部の端縁よりも内方にく
るようにタイバーを幅広にしたリードフレームの
形状加工を行う第１の成形工程と 前記リードフレームのインナーリードの先端部
に貴金属めつき層を形成するめつき工程と 前記サポートバーを所定の角度だけ曲げ加工す
ると同時に 前記タイバーの内方の端縁が前記貴金属めつき
層の端縁よりも外方にくるようにタイバーの内縁
を切除する第２の成形工程とを具備したことを特
徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30292487A JPH01144661A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30292487A JPH01144661A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144661A JPH01144661A (ja) | 1989-06-06 |
| JPH0455539B2 true JPH0455539B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=17914763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30292487A Granted JPH01144661A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01144661A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5908294B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2016-04-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6518547B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-05-22 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214451A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6447062A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Sumitomo Metal Mining Co | Partial plating |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP30292487A patent/JPH01144661A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01144661A (ja) | 1989-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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