JPH02205349A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置
の製造方法に係り、特に、リードフレームのリード形成
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame, and particularly relates to forming leads of a lead frame.
上記半導体装置の製造では、その半導体装置の実装に不
都合が住しないように、樹脂パッケージから突出するア
ウタリードを異常に変形させないようにすることが重要
である。In manufacturing the semiconductor device, it is important to prevent the outer leads protruding from the resin package from being abnormally deformed so as to avoid any inconvenience in mounting the semiconductor device.
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の製造方法
に関し、
樹脂パッケージの形成を終わらすまでの間にアウタリー
ドが変形するのを防止することを目的とし、
リードフレームにおけるアウタリードのパターン形成を
インナリード部の樹脂封止の後に行うよ〔従来の技術〕
第２図は、リードフレームを用いて製造した樹脂封止半
導体装置例の斜視図である。3. Detailed description of the invention [Summary] Regarding a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame, the present invention aims to prevent outer leads from being deformed until the formation of a resin package is completed. Patterning of the outer lead in the frame is performed after the inner lead portion is sealed with resin. [Prior Art] FIG. 2 is a perspective view of an example of a resin-sealed semiconductor device manufactured using a lead frame.
同図において、１は半導体装置の回路が形成された半導
体チップを封止する樹脂パッケージ、２はパッケージｌ
から突出して実装により上記回路を外部に接続するアウ
タリードである。複数のアウタリード２は、実装に都合
の良いように曲げられており、然も、実装基板に合わせ
て所定の間隔で並んでいる。In the figure, 1 is a resin package for sealing a semiconductor chip on which a circuit of a semiconductor device is formed, and 2 is a package l.
This is an outer lead that protrudes from the outer lead and connects the circuit to the outside through mounting. The plurality of outer leads 2 are bent to suit mounting, and are lined up at predetermined intervals to match the mounting board.
第３図（ａ）〜（Ｃ）は、上記半導体装置の製造におけ
る従来例の工程の要部を示す平面図である。FIGS. 3(a) to 3(C) are plan views showing main parts of conventional steps in manufacturing the above-mentioned semiconductor device.
第３図において、従来例では、（ａ）に示すようなリー
ドフレーム３を用意し、これに半導体チップの搭載及び
樹脂パッケージ形成を施し、後加工を行って半導体装置
を組み立てている。In the conventional example shown in FIG. 3, a lead frame 3 as shown in FIG. 3(a) is prepared, a semiconductor chip is mounted thereon, a resin package is formed, and a semiconductor device is assembled by post-processing.
即ち、リードフレーム３は、厚さ０．１〜０．３ｍｍ程
度の金属条に抜き加工などを施し所定の長さに切断した
もので、半導体チップを保持させるグイステージ４、半
導体チップの回路を接続する複数のインナリード５及び
それの延長であるアウタリード２、インナリード５とア
ウターリード２の境部分の相互間を結ぶタイバー６など
、及びこれらを支持する外枠７で構成され、半導体装置
の適宜個数分が一列に並んでいる。そこでリードフレー
ム３の両端は、複数のアウタリード２が先端自由で並ん
だ状態になっている。That is, the lead frame 3 is a metal strip with a thickness of about 0.1 to 0.3 mm that is punched and cut into a predetermined length. It is composed of a plurality of inner leads 5 to be connected, an outer lead 2 that is an extension of the inner leads 5, a tie bar 6 that connects the boundary between the inner leads 5 and the outer leads 2, and an outer frame 7 that supports these. An appropriate number of pieces are lined up in a line. Therefore, at both ends of the lead frame 3, a plurality of outer leads 2 are lined up with free tips.
そして、半導体チップをグイステージ４にボンディング
し半導体チップとインナリード５との間をワイヤボンデ
ィングで接続した後、樹脂成形により［有］）に示すよ
うに樹脂パッケージ１を形成する。After bonding the semiconductor chip to the gouging stage 4 and connecting the semiconductor chip and the inner leads 5 by wire bonding, the resin package 1 is formed by resin molding as shown in [2].
パッケージ１は、タイバー６と外枠７で囲まれた範囲を
占め、半導体チップ及びインナリード５などを埋没させ
て封止する。The package 1 occupies an area surrounded by tie bars 6 and an outer frame 7, and the semiconductor chip, inner leads 5, etc. are buried and sealed.
次いで、タイバー６の切除及びアウタリード２先端部の
切断などを行って、（Ｃ）に示すようにパッケージ１か
らアウタリード２を真っ直ぐに突出させた個々の半導体
装置に分離する。Next, the tie bars 6 are removed and the tips of the outer leads 2 are cut, thereby separating the package 1 into individual semiconductor devices with the outer leads 2 protruding straight from the package 1, as shown in FIG.
この後は、アウタリード２の曲げ成形及びその他の後加
工を行って半導体装置を完成させる。After this, the outer lead 2 is bent and formed and other post-processing is performed to complete the semiconductor device.
ところで上述の組立では、高集積化された半導体装置の
場合、アウタリード２が多数になると共に細くて強度の
弱いものとなることから、パッケージ１の形成を終わら
すまでの取扱いにおいて、第４図の平面図に示すように
リードフレーム３の両端にあるアウタリード２を不用意
に変形させてしまうことが屡発生する。By the way, in the above-mentioned assembly, in the case of a highly integrated semiconductor device, the outer leads 2 are large in number and are thin and weak in strength. As shown in the figure, it often happens that the outer leads 2 at both ends of the lead frame 3 are inadvertently deformed.
この変形が発生すると、リードフレーム３から半導体装
置を切断分離した時は勿論のこと、アウタリード２の曲
げ成形を行った後までもその変形が継承されて、アウタ
リード２の配列が乱れた半導体装置が製造されることに
なり、製造歩留りを低下させる問題となる。When this deformation occurs, the deformation is inherited not only when the semiconductor device is cut and separated from the lead frame 3, but also after the outer leads 2 are bent and formed, resulting in a semiconductor device with the outer leads 2 disarranged. This results in a problem of lowering the manufacturing yield.
そこで本発明は、リードフレームを用いた樹脂封止半導
体装置の製造において、樹脂パッケージの形成を終わら
すまでの間にアウタリードが変形するのを防止すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to prevent outer leads from being deformed until the formation of a resin package is completed in manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame.
上記目的は、リードフレームにおけるアウタリードのパ
ターン形成をインナリード部の樹脂封止の後に行う本発
明の製造方法によって解決される。The above object is achieved by the manufacturing method of the present invention, in which patterning of the outer leads in the lead frame is performed after resin sealing of the inner lead portions.
この製造方法では、封止の樹脂パッケージを形成するま
でのリードフレームは、樹脂パフケージに埋没される部
分のみが形成されてアウタリードが未形成の状態のもの
にしておくことになり、樹脂パッケージの形成を終わら
すまでの間にアウタリードを変形させるという心配が全
く無くなる。In this manufacturing method, until the resin package is formed, the lead frame is left in a state where only the part buried in the resin puff cage is formed and no outer leads are formed. There is no need to worry about deforming the outer lead until the process is completed.
そして、リードフレームのアウタリード形成領域が樹脂
パッケージの外側であることから、アウタリードは従来
例と同形にパターン形成することができて、完成させる
半導体装置も従来例と同じものにすることができる。Since the outer lead forming region of the lead frame is outside the resin package, the outer leads can be patterned in the same shape as the conventional example, and the completed semiconductor device can also be the same as the conventional example.
以下本発明の実施例についてその工程の要部を示す第１
図（ａ）〜（ｄ）の平面図を用いて説明する。全図を通
し同一符号は同一対象物を示す。The following is the first part showing the main steps of the embodiment of the present invention.
This will be explained using the plan views of FIGS. (a) to (d). The same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.
第１図において、実施例では、（ａ）に示すようなリー
ドフレーム８を用意し、これに従来例と同様に半導体チ
ップの搭載及び樹脂パッケージ形成を施し、それからリ
ードフレーム８にアウタリード２をパターン形成し、そ
の後従来例と同様な後加工を行って半導体装置を組み立
てている。In the embodiment shown in FIG. 1, a lead frame 8 as shown in FIG. After that, the semiconductor device is assembled by performing the same post-processing as in the conventional example.
即ち、リードフレーム８は、リードフレーム３の場合と
同じ金属条に抜き加工などを施し所定の長さに切断した
もので、リードフレーム３からアウタリード２のパター
ン形成を削除した構成をなし、リードフレーム３と同じ
く半導体装置の適宜個数分が一列に並んでいる。従って
、タイバー６もなくてリードフレーム３のタイバー６か
ら外側に該当する領域が平板状のままとなっており、リ
ードフレーム８の両端も平板状のままである。That is, the lead frame 8 is made by punching the same metal strip as the lead frame 3 and cutting it to a predetermined length, and has a structure in which the pattern formation of the outer lead 2 is removed from the lead frame 3. Similarly to No. 3, an appropriate number of semiconductor devices are arranged in a line. Therefore, since there is no tie bar 6, the area of the lead frame 3 that corresponds to the outside from the tie bar 6 remains flat, and both ends of the lead frame 8 also remain flat.
そして、従来例と同様にして、半導体チップをグイステ
ージ４にボンディングし半導体チップとインナリード５
との間をワイヤボンディングで接続した後、樹脂成形に
より（ｂ）に示すように樹脂パッケージ１を形成する。Then, in the same manner as in the conventional example, the semiconductor chip is bonded to the guide stage 4, and the semiconductor chip and the inner lead 5 are bonded to each other.
After connecting by wire bonding, the resin package 1 is formed by resin molding as shown in FIG.
パッケージ１は、従来例と同じく、タイバー６と外枠７
で囲まれたインナリード５部を占め、半導体チップ及び
インナリード５などを埋没さて封止する。Package 1, like the conventional example, has tie bars 6 and outer frame 7.
The semiconductor chip, the inner leads 5, etc. are buried and sealed.
次いで、プレス抜き加工により、（Ｃ）に示すようにリ
ードフレーム８に従来例と同じになるアウタリード２を
パターン形成する。この工程により、リードフレーム８
は、従来例の第３図（Ｃ）の状態に相当するものとなる
。Next, the outer leads 2, which are the same as those in the conventional example, are patterned on the lead frame 8 by press punching, as shown in FIG. Through this process, the lead frame 8
corresponds to the state shown in FIG. 3(C) of the conventional example.
次いで、リードフレーム８内におけるアウタリード２先
端部の切断などを行って、（ロ）に示すようにパッケー
ジ１からアウタリード２を真っ直ぐに突出させた個々の
半導体装置に分離する。Next, the tips of the outer leads 2 in the lead frame 8 are cut, and the semiconductor devices are separated into individual semiconductor devices with the outer leads 2 straightly protruding from the package 1, as shown in (b).
この後は、従来例と同様なアウタリード２の曲げ成形及
びその他の後加工を行って、従来例と同じになる半導体
装置を完成させる。Thereafter, the outer lead 2 is bent and formed in the same way as in the conventional example and other post-processing is performed to complete a semiconductor device that is the same as in the conventional example.
ところで、パッケージ１の形成の際に多くの場合、従来
例で見るとパッケージ１とタイバー６との間に間隙があ
り、従来例においても実施例においてもこの間隙部分に
リードフレーム３または８と同じ厚さの樹脂の張り出し
が生ずる。この張り出しは、従来例ではタイバー６切除
に先立ちまたは同時に切除されるが、上記実施例では、
第１図（Ｃ）に示すようにタイバー６の形成を行わない
ので、アウタリード２のパターン形成に先立ち切除して
おくのが望ましい、或いは、アウタリード２のパターン
形成の際にタイバー６を形成するようにアウタリード２
を形成して第３図（ｂＪと同様になるようにし、その後
を従来例と同じ処理にしても良い。By the way, in many cases when forming the package 1, there is a gap between the package 1 and the tie bar 6 in the conventional example, and in both the conventional example and the embodiment, there is a gap between the package 1 and the tie bar 6. An overhang of thick resin occurs. In the conventional example, this overhang is removed prior to or simultaneously with the removal of the tie bar 6, but in the above embodiment,
As shown in FIG. 1(C), since the tie bars 6 are not formed, it is desirable to cut them out prior to patterning the outer leads 2, or to form the tie bars 6 when forming the pattern of the outer leads 2. Outer lead 2
It is also possible to form a pattern similar to that shown in FIG. 3 (bJ), and then perform the same processing as in the conventional example.
以上の説明から明らかなように、本発明ではアウタリー
ド２のパターン形成がパッケージ１形成の後に行われる
ので、リードフレームの取扱いに特別の注意を払わなく
ともパッケージ１の形成を終わらすまでの間にアウタリ
ード２を変形させるという心配が全く無（なり、当該半
導体装置の製造歩留りが向上し、然も、リードフレーム
の取扱いが容易になる。As is clear from the above description, in the present invention, the patterning of the outer leads 2 is performed after the formation of the package 1, so there is no need to pay special attention to the handling of the lead frame. There is no need to worry about deforming the lead frame (2), which improves the manufacturing yield of the semiconductor device, and also makes the lead frame easier to handle.
以上説明したように本発明の構成によれば、リードフレ
ームを用いた樹脂封止半導体装置の製造において、樹脂
パッケージの形成を終わらすまでの間におけるアウタリ
ード変形の心配を皆無にすることができて、当該半導体
装置の製造歩留りを向上させ、然も、リードフレームの
取扱いを容易にさせる効果がある。As explained above, according to the configuration of the present invention, in manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame, it is possible to completely eliminate the worry of outer lead deformation until the formation of the resin package is completed. This has the effect of improving the manufacturing yield of the semiconductor device and also facilitating the handling of the lead frame.
第１図（ａ）〜（ロ）は実施例の工程を示す平面図、第
２図は樹脂封止半導体装置例の斜視図、第３図（ａ）〜
（Ｃ）は従来例の工程を示す平面図、第４図は従来例の
問題点を示す平面図、である。1(a)-(b) are plan views showing the steps of the embodiment, FIG. 2 is a perspective view of an example of a resin-sealed semiconductor device, and FIG. 3(a)-(b).
(C) is a plan view showing the process of the conventional example, and FIG. 4 is a plan view showing the problems of the conventional example.
図において、 １は樹脂パッケージ、 ２はアウタリード、 ３．８はリードフレーム、 ５はインナリード、 である。In the figure, 1 is a resin package, 2 is outer lead, 3.8 is the lead frame, 5 is inner lead, It is.
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Claims (1)
いて、 リードフレームにおけるアウタリードのパターン形成を
インナリード部の樹脂封止の後に行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。[Scope of Claim] A method for manufacturing a semiconductor device, in which a resin-sealed semiconductor device using a lead frame is manufactured, characterized in that patterning of an outer lead in the lead frame is performed after resin sealing of an inner lead portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2621589A JPH02205349A (en) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2621589A JPH02205349A (en) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205349A true JPH02205349A (en) | 1990-08-15 |
Family
ID=12187194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2621589A Pending JPH02205349A (en) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205349A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163867A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-20 | Fujitsu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS6435921A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP2621589A patent/JPH02205349A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163867A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-20 | Fujitsu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS6435921A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
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