JP7443466B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 439
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 966
- 239000010408 film Substances 0.000 description 407
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 213
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 195
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 190
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 description 147
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 134
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 117
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 117
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 115
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 95
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 82
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 79
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 69
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 67
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 67
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 66
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 64
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 63
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 63
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 57
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 56
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 description 54
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 53
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 47
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 47
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 47
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 42
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 42
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 40
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 38
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 28
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 27
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 27
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 23
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 21
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 21
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 21
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 20
- -1 ammonia peroxide Chemical class 0.000 description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 19
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 16
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 13
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 13
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 13
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 11
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 11
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 11
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 10
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 8
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 8
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 6
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 239000004985 Discotic Liquid Crystal Substance Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
器に関する。
、アモルファスシリコン、多結晶シリコンによって作製されている。アモルファスシリコ
ンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対
応することができ、一方、結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは電界効果移動度が高
いものの、レーザアニール等の結晶化工程が必要であり、ガラス基板の大面積化には必ず
しも適応しないといった特性を有している。
スに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体膜として酸化亜鉛、In-G
a-Zn-O系酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、液晶表示装置のスイッ
チング素子などに用いる技術が特許文献1で開示されている。
ネル領域に用いた薄膜トランジスタよりも高い電界効果移動度が得られている。このよう
な酸化物半導体を用いて形成した薄膜トランジスタを具備する画素は、液晶表示装置等の
表示装置への応用が期待される。
容量が設けられている。保持容量の大きさを決める要素としては、薄膜トランジスタのオ
フ電流がある。オフ電流を低減することで、保持容量で電圧を保持できる期間を長く取る
ことができ、静止画等の表示を行う際の低消費電力化を図る上では重要となる。
う)のときに、ソースとドレインの間に流れる電流をいう。nチャネル型の薄膜トランジ
スタ(例えば、しきい値電圧が0乃至2V程度)では、ゲートとソースとの間に印加され
る電圧が負の電圧の場合に、ソースとドレインとの間を流れる電流のことをいう。
装置では、画素一つあたりの面積が小さくなることが予想される一方で、開口率の向上し
た画素を有する液晶表示装置が望まれる。開口率の向上を図る上で、保持容量面積の削減
が重要となる。結果として、薄膜トランジスタのオフ電流の低減が望まれる。
いて、薄膜トランジスタのオフ電流を低減できる液晶表示装置を提供することを課題の一
とする。
示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間にお
いて、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素
が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させる液
晶表示装置である。
示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間にお
いて、複数回の極性の反転した電圧の画像信号を画素に入力した後、保持期間において、
複数の画素のトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させ
る液晶表示装置である。
込み期間に供給した複数回の極性の反転した電圧の画像信号のうち、最後に供給した極性
の画像信号である液晶表示装置でもよい。
半導体は、キャリア濃度が1×1014/cm3未満である液晶表示装置でもよい。
0-17A以下である液晶表示装置でもよい。
とができる。そのため、保持容量で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画
等を表示する際の低消費電力化を図ることができる液晶表示装置とすることができる。ま
た開口率の向上を図ることによって、高精細な表示部を有する液晶表示装置とすることが
できる。
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び
詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下
に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下
に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号
を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
に付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第1の」を「
第2の」又は「第3の」などと適宜置き換えて説明することもできる。
薄膜トランジスタを用いて液晶表示装置の画素を構成する例を以下に説明する。本実施の
形態では、一例として、液晶表示装置における画素が有する薄膜トランジスタ(以下、T
FTともいう)及び当該TFTに接続された画素電極として機能する電極(単に画素電極
ともいう)について示し、説明する。なお画素とは、表示装置の各画素に設けられた各素
子、例えば薄膜トランジスタ、画素電極として機能する電極、及び配線等の電気的な信号
により表示を制御するための素子で構成される素子群、のことをいう。なお画素は、カラ
ーフィルター等を含むものであっても良く、一画素によって、明るさを制御できる色要素
一つ分としてもよい。よって、一例として、RGBの色要素からなるカラー表示装置の場
合には、画像の最小単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるも
のとなり、複数の画素によって画像を得ることができるものとなる。ただし、本発明の一
態様は、カラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置とし
てもよい。
る場合と、AとBとが直接接続されている場合とを含むものとする。ここで、A、Bは、
対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとす
る。
一例として、ボトムゲート型構造について示している。なお図1(A)には、ゲートとな
る配線から見てチャネル領域となる酸化物半導体層と反対側に、TFTのソース電極及び
ドレイン電極となる配線層を有する、いわゆる逆スタガ型の構成について示している。
機能する第2の配線102A、酸化物半導体層103、容量線104、画素電極105を
有する。また、酸化物半導体層103と画素電極105とを電気的に接続するための第3
の配線102Bを有し、薄膜トランジスタ106が構成される。第1の配線101は薄膜
トランジスタ106のゲートとして機能する配線でもある。第2の配線102Aは、ソー
ス電極またはドレイン電極の一方及び保持容量の一方の電極として機能する配線でもある
。第3の配線102Bは、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する配線でも
ある。容量線104は、保持容量の他方の電極として機能する配線である。
れ、第2の配線102Aと、第3の配線102Bとが同層に設けられる構成とすると好ま
しい。また第3の配線102Bと容量線104とは、一部重畳して設けられており、液晶
素子の保持容量を形成している。なお、薄膜トランジスタ106が有する酸化物半導体層
103は、第1の配線101より分岐した配線上にゲート絶縁膜(図示せず)を介して設
けられている。
ている。図1(B)に示す断面構造において、基板111上には、下地膜112を介して
、ゲートである第1の配線101、容量線104が設けられている。ゲート絶縁膜113
は、第1の配線101及び容量線104を覆うように設けられている。ゲート絶縁膜11
3上には、酸化物半導体層103が設けられている。酸化物半導体層103上には、第2
の配線102A、第3の配線102Bが設けられている。また、酸化物半導体層103、
第2の配線102A、及び第3の配線102Bの上には、パッシベーション膜として機能
する酸化物絶縁層114が設けられている。酸化物絶縁層114には開口部が形成されて
おり、開口部において画素電極105と第3の配線102Bとの接続がなされる。また、
第3の配線102Bと容量線104とは、ゲート絶縁膜113を誘電体として容量素子を
形成している。
量線104と第2の配線102Aとの間に絶縁層121を有する構成について示している
。
113の膜厚によっては、第1の配線101と第2の配線102A、及び容量線104と
第2の配線102A、の間に寄生容量が生じることとなる。そのため、図1(C)に示す
ように、絶縁層121を設けることで寄生容量を低減し、誤動作等の不良を低減すること
ができる。
素201がマトリクス状に配置されるものである。図2では、基板200上には、画素部
202、走査線駆動回路203、及び信号線駆動回路204を有する構成について示して
いる。画素201は、走査線駆動回路203に接続された第1の配線101によって供給
される走査信号により、各行ごとに選択状態か、非選択状態かが決定される。また走査信
号によって選択されている画素201は、信号線駆動回路204に接続された配線102
Aによって、配線102Aからビデオ電圧(画像信号、ビデオ信号、ビデオデータともい
う)が供給される。
成について示したが、走査線駆動回路203または信号線駆動回路203のいずれか一が
基板200上に設けられ、他方は別の基板(例えば、単結晶シリコン)上に形成されたも
のをTAB法、COG法等の実装技術によって、画素部202に接続した構成としてもよ
い。また画素部202のみを基板200上に設け、走査線駆動回路203および信号線駆
動回路204として別の基板上に形成されたものをTAB法、COG法等の実装技術によ
って、画素部202に接続した構成としても良い。
る例について示している。なお、画素201は必ずしもマトリクス上に配置されている必
要はなく、例えば、画素201をデルタ配置、またはベイヤー配置してもよい。また画素
部202における表示方式はプログレッシブ方式、インターレース方式のいずれかを用い
ることができる。なお、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(R
は赤、Gは緑、Bは青)の三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、RGBW(W
は白)、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどが
ある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。
に応じて示している。なお、第1の配線101及び第2の配線102Aは、画素を構成す
るサブ画素(副画素、サブピクセルともいう)の数、または画素内のトランジスタの数に
応じて、本数を増やす構成としてもよい。また画素間で第1の配線101及び第2の配線
102Aを共有して画素201を駆動する構成としても良い。
ているが、第3の配線102Bを囲む形状(具体的には、U字型またはC字型)とし、キ
ャリアが移動する領域の面積を増加させ、薄膜トランジスタの導通時に流れる電流(オン
電流ともいう)の量を増やす構成としてもよい。
)のときに、ソースとドレインの間に流れる電流をいう。nチャネル型の薄膜トランジス
タでは、ゲートとソースとの間に印加される電圧が閾値電圧(Vth)よりも大きい場合
に、ソースとドレインとの間を流れる電流のことをいう。
ある。光を透過しない部材が占める領域が広くなると、開口率が低下し、光を透過する部
材が占める領域が広くなると開口率が向上することとなる。液晶表示装置では、画素電極
に重畳する配線、容量線の占める面積、及び薄膜トランジスタのサイズを小さくすること
で開口率が向上することとなる。
子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ド
レイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。ここで、ソ
ースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソ
ースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソース及びドレイン
として機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例
としては、それぞれを第1端子、第2端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを
第1電極、第2電極と表記する場合がある。あるいは、第1領域、第2領域と表記する場
合がある。
/cm3以下、好ましくは5×1018/cm3以下、より好ましくは5×1017/c
m3以下となるように、酸化物半導体に含まれる水素(OH結合を含む)の除去をする。
そしてキャリア濃度を1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3以下
とした酸化物半導体膜でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタが構成されるもので
ある。なお、酸化物半導体層中の水素濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS:Sec
ondary Ion Mass Spectroscopy)による分析で得られたも
のである。
ましくは3eV以上とすれば、熱励起によって生じるキャリアは無視できる程度となるの
で、ドナーを形成する水素等の不純物を極力低減することによって、キャリア濃度を1×
1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3以下となるようにする。即ち、
酸化物半導体層のキャリア濃度は、限りなくゼロにする。
化物半導体を、薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることで、チャネル幅が10
mmの場合でさえも、ドレイン電圧が1Vから10Vの範囲、ゲート電圧が-5Vから-
20Vの範囲において、ドレイン電流は1×10-13A以下となる。
作製した場合、ほとんどリークがないため、映像信号等の電気信号を保持する時間を長く
することができる。
mの場合において、チャネル幅1μmあたりのオフ電流を10aA/μm(1×10-1
7A/μm)以下にすること、さらには1aA/μm(1×10-18A/μm)以下に
することが可能である。オフ状態における電流値(オフ電流値)が極めて小さいトランジ
スタを画素の選択トランジスタとして用いることにより、映像信号等の電気信号の保持時
間を長くすることができる。保持時間を長くすることができるため、例えば、映像信号の
書き込みの後の保持期間は10秒以上、好ましくは30秒以上、さらに好ましくは1分以
上10分未満とする。保持期間を長くすることで書き込みの間隔を長くとることができ、
消費電力を抑制する効果を高くできる。
A/μm相当であると見積もって設計等行うこととなっている。そのため、酸化物半導体
を有するトランジスタでは、低温ポリシリコンを具備するトランジスタに比較して、保持
容量が同等(0.1pF程度)である際、電圧の保持期間を104倍程度に引き延ばすこ
とができる。また、アモルファスシリコンを具備するトランジスタの場合、チャネル幅1
μmあたりのオフ電流は、1×10-13A/μm以上である。したがって、保持容量が
同等(0.1pF程度)である際、高純度の酸化物半導体を用いたトランジスタの方がア
モルファスシリコンを用いたトランジスタに比較して、電圧の保持期間を104倍以上に
引き延ばすことができる。
ス表示装置においては、薄膜トランジスタのリーク電流によって、画素に保持されている
電荷が失われるため、16ミリ秒に一度(60フレーム/秒)、映像信号を書き換えてい
る。しかしながら、上述の酸化物半導体層を具備する薄膜トランジスタを用いたアクティ
ブマトリクス表示装置では、上述のように酸化物半導体層を具備する薄膜トランジスタの
オフ電流が低温ポリシリコンを具備する薄膜トランジスタよりはるかに小さいため、1回
の信号書き込みによる保持期間を10000倍の160秒程度とすることができる。
低減することができる。そのため画素への信号の書き込み回数を低減することができ、低
消費電力化を図ることができる。
されている。そして、保持容量の大きさは、画素部に配置される薄膜トランジスタのリー
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。保持容量の大
きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。本実施の形態では、トラ
ンジスタ106として高純度の酸化物半導体層を有するトランジスタを用いていることに
より、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大き
さを有する保持容量を設ければ充分である。
きるため、特に静止画の表示を行う際に、信号の書き込みを行う頻度を著しく低減するこ
とができる。このため、表示の切り替えが少ない静止画等の表示では、画素への信号の書
き込み回数を低減することができるため、低消費電力化を図ることができる。
して、適宜リフレッシュ動作してもよい。例えば、液晶素子の画素電極に信号を書き込ん
だ直後における電圧の値(初期値)に対して所定のレベルまで電圧が下がったタイミング
でリフレッシュ動作を行えばよい。所定のレベルとする電圧は、初期値に対してチラツキ
を感じない程度に設定することが好ましい。具体的には、表示対象が映像の場合、初期値
に対して1.0%低い状態、好ましくは0.3%低い状態となる毎に、リフレッシュ動作
(再度の書き込み)を行うのが好ましい。また、表示対象が文字の場合、初期値に対して
10%低い状態、好ましくは3%低い状態となる毎に、リフレッシュ動作(再度の書き込
み)を行うのが好ましい。
。)をフローティング状態とすることもできる。具体的には、対向電極にコモン電位を与
える電源と対向電極との間にスイッチを設け、書き込み期間中はスイッチをオンにして電
源から対向電極にコモン電位を与えた後、残りの保持期間においてはスイッチをオフにし
てフローティング状態とすればよい。該スイッチについても、前述した高純度の酸化物半
導体層を具備するトランジスタを用いることが好ましい。上記のようにオフ電流が極めて
低い酸化物半導体を用いたTFTを用いることで、液晶表示パネルの画素電極と対向電極
との間の電位はほとんど変動することがなく、いわゆる液晶の焼き付きが起こらない範囲
で、駆動回路を停止させたまま静止画を表示し続けることができる。
3Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1014Ω・cm以上である。なお、本明
細書における固有抵抗の値は、20℃で測定した値とする。また、該液晶材料を用いて液
晶表示装置を構成した場合、液晶素子となる部分の抵抗は、例えば配向膜又はシール材な
どにより液晶層に不純物が混入する可能性があるため、1×1011Ω・cm以上さらに
は1×1012Ω・cm以上の範囲となる場合がある。
素子の動作状態を保持する電圧が経時的に低下する現象を緩和できる。その結果、保持期
間を長くとれるため、信号の書き込みを行う頻度を低減でき、表示装置の低消費電力化を
図ることができる。
る。図3(A)において、期間251、252が保持期間に相当し、期間261、262
が書き込み期間に相当する。
、プラス記号、マイナス記号に図示)を反転することで液晶素子に印加される電界が偏ら
ず、液晶素子の劣化の程度を低減できる。前述の酸化物半導体層を具備する薄膜トランジ
スタは、保持期間を長く取ることができるため、画素への書き込み回数を極端に低減する
ことができる。そのため、表示の切り替えが少ない静止画等の表示では、低消費電力化を
図ることが出来る。
の反転した電圧の書き込みを行う関係を示している。図3(B)に示すように、書き込み
期間261、262に複数回の極性の反転した電圧の書き込みを行うことによって、液晶
素子の劣化の程度をさらに低減することができる。なお書き込み期間261、262の最
後に印加する電圧の書き込みは、保持期間内に保持するための極性とするものである。
ライン反転駆動、ゲートライン反転駆動、フレーム反転駆動等を用いて駆動するよう入力
する構成とすればよい。
画素を形成する場合には、保持容量を形成しないで動画像の表示を行うことも可能である
。保持容量を形成しない場合の画素の上面図及びその断面図の構成について図4(A)、
(B)に示す。図4(A)、(B)に示す構成は、図1(A)及び(B)における容量線
を省略した図に相当する。図4(A)に示す上面図、図4(B)に示す断面図からもわか
るように、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを用いることで、画素電極105が
占める領域、すなわち開口率を向上することができる。また図4(B)に示す断面図から
もわかるように、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを用いることで、容量線を削
減し、そして画素電極105が占める領域を広げることができるため、すなわち開口率を
向上することができる。
膜トランジスタを具備する画素において、オフ電流を低減することができる。そのため、
保持容量で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画等を表示する際の低消費
電力化を図ることができる液晶表示装置とすることができる。また開口率の向上を図るこ
とによって、高精細な表示部を有する液晶表示装置とすることができる。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの例を
示す。本実施の形態で示す薄膜トランジスタ410は、実施の形態1の薄膜トランジスタ
106として用いることができる。
図6を用いて説明する。
)に示す薄膜トランジスタ410は、トップゲート構造の薄膜トランジスタの一つである
。
図5(A)の線C1-C2における断面図である。
導体層412、ソース電極層又はドレイン電極層415a、及びソース電極層又はドレイ
ン電極層415b、ゲート絶縁層402、ゲート電極層411を含み、ソース電極層又は
ドレイン電極層415a、ソース電極層又はドレイン電極層415bにそれぞれ配線層4
14a、配線層414bが接して設けられ電気的に接続している。
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
工程を説明する。
とも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。
には、歪み点が730℃以上のものを用いると良い。ガラス基板には、例えば、アルミノ
シリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス
材料が用いられている。なお、酸化ホウ素と比較して酸化バリウム(BaO)を多く含ま
せることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、B2O3よりBaOを多く
含むガラス基板を用いることが好ましい
ァイア基板などの絶縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いる
ことができる。また、プラスチック基板等も適宜用いることができる。
導体層と接する絶縁層407は、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウ
ム層、または酸化窒化アルミニウム層などの酸化物絶縁層を用いると好ましい。絶縁層4
07の形成方法としては、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いることができ
るが、絶縁層407中に水素が多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法
で絶縁層407を成膜することが好ましい。
する。基板400を処理室へ搬送し、水素及び水分が除去された高純度酸素を含むスパッ
タガスを導入しターゲットを用いて、基板400に絶縁層407として、酸化シリコン層
を成膜する。また基板400は室温でもよいし、加熱されていてもよい。
板とターゲットの間との距離(T-S間距離)を60mm、圧力0.4Pa、高周波電源
1.5kW、酸素及びアルゴン(酸素流量25sccm:アルゴン流量25sccm=1
:1)雰囲気下でRFスパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する。膜厚は100
nmとする。なお、石英(好ましくは合成石英)に代えてシリコンターゲットを酸化シリ
コン膜を成膜するためのターゲットとして用いることができる。なお、スパッタガスとし
て酸素又は、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
しい。絶縁層407に水素、水酸基又は水分が含まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した絶縁層407
に含まれる不純物の濃度を低減できる。
の不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガスを用い
ることが好ましい。
Cスパッタリング法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタリン
グ法もある。RFスパッタリング法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッ
タリング法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
タ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRス
パッタリング法を用いるスパッタ装置がある。
ス成分とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング法
や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。
化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、又は窒化酸化アルミニウム層などの窒化物絶縁
層と、上記酸化物絶縁層との積層構造としてもよい。
むスパッタガスを導入しシリコンターゲットを用いて窒化シリコン層を成膜する。この場
合においても、酸化シリコン層と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン
層を成膜することが好ましい。
と酸化シリコン層を同じ処理室において、共通のシリコンターゲットを用いて成膜するこ
とができる。先に窒素を含むスパッタガスを導入して、処理室内に装着されたシリコンタ
ーゲットを用いて窒化シリコン層を形成し、次にスパッタガスを酸素を含むスパッタガス
に切り替えて同じシリコンターゲットを用いて酸化シリコン層を成膜する。窒化シリコン
層と酸化シリコン層とを大気に曝露せずに連続して形成することができるため、窒化シリ
コン層表面に水素や水分などの不純物が吸着することを防止することができる。
成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で絶縁層407が形成された基板
400を予備加熱し、基板400に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気するこ
とが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、
この予備加熱の処理は省略することもできる。
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁層407の表面に付着しているゴミを除去
することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲
気下で基板側に高周波電源を用いて電圧を印加して基板付近にプラズマを形成して表面を
改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いて
もよい。
n-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系
、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-
O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用い
る。本実施の形態では、酸化物半導体膜をIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲッ
トを用いてスパッタリング法により成膜する。具体的には、組成比として、In2O3:
Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol%](すなわち、In:Ga:Zn=1:1:
0.5[atom%])を用いる。他にも、In:Ga:Zn=1:1:1[atom%
]、又はIn:Ga:Zn=1:1:2[atom%]の組成比を有するターゲットを用
いることもできる。なお、酸化物半導体ターゲットの充填率は90%以上100%以下、
好ましくは95%以上99.9%以下である。充填率の高い酸化物半導体ターゲットを用
いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。スパッタリングの雰囲気は
希ガス(代表的にはアルゴン)、酸素、あるいは希ガスと酸素の混合雰囲気とすればよい
。また、ターゲットには、SiO2を2重量%以上10重量%以下含ませてもよい。
どの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガスを用
いることが好ましい。
を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて
基板400上に成膜される。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポン
プを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメー
ションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコール
ドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例
えば、水素分子、水(H2O)など水素原子を含む化合物(より好ましくは炭素原子を含
む化合物も)等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純
物の濃度を低減できる。また、酸化物半導体膜成膜時に基板を加熱してもよい。
圧力0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素及びアルゴン(酸素流量15scc
m:アルゴン流量30sccm)雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流(DC
)電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。酸化物半導
体膜の厚さは、2nm以上200nm以下、好ましくは5nm以上30nm以下とする。
なお、適用する酸化物半導体材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選
択すればよい。
12に加工する(図6(A)参照。)。また、島状の酸化物半導体層412を形成するた
めのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェ
ット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
グでもよく、両方を用いてもよい。
ば塩素(Cl2)、塩化硼素(BCl3)、塩化珪素(SiCl4)、四塩化炭素(CC
l4)など)が好ましい。
6)、弗化窒素(NF3)、トリフルオロメタン(CHF3)など)、臭化水素(HBr
)、酸素(O2)、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希ガスを
添加したガス、などを用いることができる。
ing)法や、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導
結合型プラズマ)エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングでき
るように、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加さ
れる電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
ンモニア過水(31重量%過酸化水素水:28重量%アンモニア水:水=5:2:2)な
どを用いることができる。また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
て除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を
再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体に含まれるインジウム等の
材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる。
液、エッチング時間、温度等)を適宜調節する。
エッチング法により、酸化物半導体膜を島状の酸化物半導体層412に加工する。
温度は、400℃以上750℃以下とし、基板400の歪み点が750℃以下の場合には
、400℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に
基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理
を行った後、大気に触れることなく室温まで温度を下げ、酸化物半導体層への水や水素の
再混入を防ぎ、酸化物半導体層を得る。この第1の加熱処理によって酸化物半導体層41
2の脱水化または脱水素化を行うことができる。
輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTA(Gas
Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid
Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal An
neal)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライ
ドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧
水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置
である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、ア
ルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活
性気体が用いられる。
板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中
から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いると短時間での高温加熱処理が可能と
なる。
に、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、
またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上
、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ま
しくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
412は結晶化し、微結晶膜または多結晶膜となる場合もある。例えば、結晶化率が90
%以上、または80%以上の微結晶の酸化物半導体膜となる場合もある。また、第1の加
熱処理の条件、または酸化物半導体層の材料によっては、酸化物半導体層412は結晶成
分を含まない非晶質の酸化物半導体膜となる場合もある。また、非晶質の酸化物半導体の
中に微結晶部(粒径1nm以上20nm以下(代表的には2nm以上4nm以下))が混
在する酸化物半導体膜となる場合もある。
酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から
基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
酸化物半導体層412の形成直後に行う例について示したが、酸化物半導体層成膜後であ
れば、酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を積層させた後、ソース電極及び
ドレイン電極上にゲート絶縁層を形成した後、のいずれで行っても良い。
ッタリング法や真空蒸着法で形成すればよい。導電膜の材料としては、Al、Cr、Cu
、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か
、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、マンガン、マグネシウム、
ジルコニウム、ベリリウム、イットリウムのいずれか一または複数から選択された材料を
用いてもよい。また、導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例え
ば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する
2層構造、Ti膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上にT
i膜を成膜する3層構造などが挙げられる。また、Alに、チタン(Ti)、タンタル(
Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム)
、Sc(スカンジウム)から選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜、も
しくは窒化膜を用いてもよい。本実施の形態では、スパッタリング法により膜厚150n
mのチタン膜を形成する。
ジストマスクはインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法
で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。その後、選択的
にエッチングを行ってソース電極層又はドレイン電極層415a、ソース電極層又はドレ
イン電極層415bを形成した後、レジストマスクを除去する(図6(B)参照。)。な
お、形成されたソース電極層、ドレイン電極層の端部はテーパ形状であると、上に積層す
るゲート絶縁層の被覆性が向上するため好ましい。
407が露出しないようにそれぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する。
-Zn-O系酸化物半導体を用いたので、エッチャントとして過水アンモニア水(アンモ
ニア、水、過酸化水素水の混合液)を用いる。
グされ、溝部(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。
ーザ光やArFレーザ光を用いてもよい。酸化物半導体層412上で隣り合うソース電極
層の下端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成される薄膜トランジス
タのチャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合に
は、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultravi
olet)を用いて第2のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行
う。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成される薄
膜トランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり
、回路の動作速度を高速化でき、さらにオフ電流値が極めて小さいため、低消費電力化も
図ることができる。
a、ソース電極層又はドレイン電極層415b上にゲート絶縁層402を形成する(図6
(C)参照。)。
ン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化アルミニウ
ム層を単層で又は積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層402中に水素が
多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法でゲート絶縁層402を成膜す
ることが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する場合には、ターゲ
ットとしてシリコンターゲット又は石英ターゲットを用い、スパッタガスとして酸素又は
、酸素とアルゴンの混合ガスを用いて行う。本実施の形態では、圧力0.4Pa、高周波
電源1.5kW、酸素及びアルゴン(酸素流量25sccm:アルゴン流量25sccm
=1:1)雰囲気下でRFスパッタリング法により膜厚100nmの酸化シリコン層を形
成する。
造とすることもできる。例えば、第1のゲート絶縁層として膜厚5nm以上300nm以
下の酸化シリコン層(SiOx(x>0))を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲ
ート絶縁層としてスパッタリング法により膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコ
ン層(SiNy(y>0))を積層して、膜厚70nm以上400nm以下、例えば、1
00nmのゲート絶縁層としてもよい。
ングを行ってゲート絶縁層402の一部を除去して、ソース電極層又はドレイン電極層4
15a、ソース電極層又はドレイン電極層415bに達する開口421a、421bを形
成する(図6(D)参照。)。
の形態では、スパッタリング法により膜厚150nmのチタン膜を形成する。その後第4
のフォトリソグラフィ工程により、導電膜上にレジストマスクを形成し、これを用いて導
電膜を選択的にエッチングすることで、ゲート電極層411、配線層414a、414b
を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマス
クをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減で
きる。
、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又
はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
ルミニウム層上にモリブデン層が積層された2層の積層構造、または銅層上にモリブデン
層を積層した2層構造、または銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した2
層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを積層した2層構造とすることが好ましい。3層
の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステンと、アルミニウムとシリコ
ンの合金またはアルミニウムとチタンの合金と、窒化チタンまたはチタン層とを積層した
積層とすることが好ましい。なお、透光性を有する導電膜を用いてゲート電極層を形成す
ることもできる。透光性を有する導電膜としては、透光性導電性酸化物等をその例に挙げ
ることができる。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う。本実施の形態では
、窒素雰囲気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。また、第2の加熱処理は、
薄膜トランジスタ410上に保護絶縁層や平坦化絶縁層を形成してから行ってもよい。
てもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、10
0℃以上200℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くり
かえして行ってもよい。また、この加熱処理を、酸化物絶縁層の形成前に、減圧下で行っ
てもよい。減圧下で加熱処理を行うと、加熱時間を短縮することができる。
2を有する薄膜トランジスタ410を形成することができる(図6(E)参照。)。薄膜
トランジスタ410は実施の形態1における薄膜トランジスタ106として適用すること
ができる。
もよい。例えば、保護絶縁層として酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン
層、窒化酸化シリコン層、又は酸化アルミニウム層を単層で又は積層して形成することが
できる。
、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他
に、低誘電率材料(low-k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BP
SG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶
縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁層を形成してもよい。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基(例えばアルキ
ル基やアリール基)やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。
スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン印
刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフ
コーター等を用いることができる。
で、該酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。それにより
酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。
示装置の表示部を構成する複数の画素に用いることによって、画素からのリーク電流を低
減することができる。そのため、保持容量で電圧を保持できる期間を長く取ることができ
、静止画等を表示する際の低消費電力化を図ることができる液晶表示装置とすることがで
きる。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の
例を示す。なお、実施の形態2と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、実
施の形態2と同様とすればよく、その繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な
説明も省略する。本実施の形態で示す薄膜トランジスタ460は、実施の形態1の薄膜ト
ランジスタ106として用いることができる。
図8を用いて説明する。
)に示す薄膜トランジスタ460は、トップゲート構造の薄膜トランジスタの一つである
。
図7(A)の線D1-D2における断面図である。
極層又はドレイン電極層465a(465a1、465a2)、酸化物半導体層462、
ソース電極層又はドレイン電極層465b、配線層468、ゲート絶縁層452、ゲート
電極層461(461a、461b)を含み、ソース電極層又はドレイン電極層465a
(465a1、465a2)は配線層468を介して配線層464と電気的に接続してい
る。また、図示していないが、ソース電極層又はドレイン電極層465bもゲート絶縁層
452に設けられた開口において配線層と電気的に接続する。
工程を説明する。
する。基板450を処理室へ搬送し、水素及び水分が除去された高純度酸素を含むスパッ
タガスを導入しシリコンターゲット又は石英(好ましくは合成石英)を用いて、基板45
0に絶縁層457として、酸化シリコン層を成膜する。なお、スパッタガスとして酸素又
は、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
温度108℃、基板とターゲットの間との距離(T-S間距離)を60mm、圧力0.4
Pa、高周波電源1.5kW、酸素及びアルゴン(酸素流量25sccm:アルゴン流量
25sccm=1:1)雰囲気下でRFスパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜す
る。膜厚は100nmとする。なお、石英(好ましくは合成石英)に代えてシリコンター
ゲットを酸化シリコン膜を成膜するためのターゲットとして用いることができる。
しい。絶縁層457に水素、水酸基又は水分が含まれないようにするためである。クライ
オポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2O)など水素原子を
含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜し絶縁層457に含まれる不純物の濃
度を低減できる。
の不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガスを用い
ることが好ましい。
化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層などの窒化物絶縁層と
、上記酸化物絶縁層との積層構造としてもよい。
ッタガスを導入しシリコンターゲットを用いて窒化シリコン層を成膜する。この場合にお
いても、酸化シリコン層と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン層を成
膜することが好ましい。
u、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金
か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、マンガン、マグネシウム
、ジルコニウム、ベリリウム、イットリウムのいずれか一または複数から選択された材料
を用いてもよい。また、導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例
えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層す
る2層構造、Ti膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上に
Ti膜を成膜する3層構造などが挙げられる。また、Alに、チタン(Ti)、タンタル
(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム
)、Sc(スカンジウム)から選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜、
もしくは窒化膜を用いてもよい。本実施の形態では導電膜としてスパッタリング法により
膜厚150nmのチタン膜を形成する。その後、第1のフォトリソグラフィ工程により導
電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層又はドレイ
ン電極層465a1、465a2を形成した後、レジストマスクを除去する(図8(A)
参照。)。ソース電極層又はドレイン電極層465a1、465a2は断面図では分断さ
れて示されているが、連続した膜である。なお、形成されたソース電極層、ドレイン電極
層の端部はテーパ形状であると、上に積層するゲート絶縁層の被覆性が向上するため好ま
しい。
化物半導体材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すればよい。本
実施の形態では、酸化物半導体膜としてIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲット
を用いてスパッタリング法により成膜する。
を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、ターゲットを用いて基板
450上に酸化物半導体膜を成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型
の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタン
サブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポン
プにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成
膜室は、例えば、水素分子、水(H2O)など水素原子を含む化合物(より好ましくは炭
素原子を含む化合物も)等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含
まれる不純物の濃度を低減できる。また、酸化物半導体膜成膜時に基板を加熱してもよい
。
どの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガスを用
いることが好ましい。
圧力0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、酸素及びアルゴン(酸素流量15scc
m:アルゴン流量30sccm)雰囲気下の条件が適用される。
2に加工する(図8(B)参照)。本実施の形態では、エッチング液として燐酸と酢酸と
硝酸を混ぜた溶液を用いたウェットエッチング法により、酸化物半導体膜を島状の酸化物
半導体層462に加工する。
温度は、400℃以上750℃以下とし、基板450の歪み点が750℃以下の場合には
、400℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に
基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理
を行った後、大気に触れることなく、室温まで温度を下げ、酸化物半導体層への水や水素
の再混入を防ぎ、酸化物半導体層を得る。この第1の加熱処理によって酸化物半導体層4
62の脱水化または脱水素化を行うことができる。
輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTA(Gas
Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid
Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal An
neal)装置を用いることができる。例えば、第1の加熱処理として、650℃~70
0℃の高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を
移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用
いると短時間での高温加熱処理が可能となる。
に、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、
またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上
、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ま
しくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
462は結晶化し、微結晶膜または多結晶膜となる場合もある。
半導体膜に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を
取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
酸化物半導体層462の形成直後におこなう例を示したが、酸化物半導体層成膜後であれ
ば、酸化物半導体層上にさらにソース電極層又はドレイン電極層465bを積層させた後
、ソース電極層又はドレイン電極層465b上にゲート絶縁層452を形成した後、のい
ずれで行っても良い。
ソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行って
ソース電極層又はドレイン電極層465b、配線層468を形成した後、レジストマスク
を除去する(図8(C)参照。)。ソース電極層又はドレイン電極層465b、配線層4
68はソース電極層又はドレイン電極層465a1、465a2と同様な材料及び工程で
形成すればよい。
タリング法により膜厚150nmのチタン膜を形成する。本実施の形態では、ソース電極
層又はドレイン電極層465a1、465a2とソース電極層又はドレイン電極層465
bに同じチタン膜を用いる例のため、ソース電極層又はドレイン電極層465a1、46
5a2とソース電極層又はドレイン電極層465bとはエッチングにおいて選択比がとれ
ない。よって、ソース電極層又はドレイン電極層465a1、465a2が、ソース電極
層又はドレイン電極層465bのエッチング時にエッチングされないように、酸化物半導
体層462に覆われないソース電極層又はドレイン電極層465a2上に配線層468を
設けている。ソース電極層又はドレイン電極層465a1、465a2とソース電極層又
はドレイン電極層465bとにエッチング工程において高い選択比を有する異なる材料を
用いる場合には、エッチング時にソース電極層又はドレイン電極層465a2を保護する
配線層468は必ずしも設けなくてもよい。
もある。酸化物半導体層462は必要以上に除去されないようにそれぞれの材料及びエッ
チング条件を適宜調節する。
-Zn-O系酸化物半導体を用いているので、エッチャントとして過水アンモニア水(ア
ンモニア、水、過酸化水素水の混合液)を用いる。
グされ、溝部(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極層又
はドレイン電極層465b、配線層468を形成するためのレジストマスクをインクジェ
ット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスク
を使用しないため、製造コストを低減できる。
a1、465a2、ソース電極層又はドレイン電極層465b上にゲート絶縁層452を
形成する。
ン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化アルミニウ
ム層を単層で又は積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層452中に水素が
多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法でゲート絶縁層452を成膜す
ることが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する場合には、ターゲ
ットとしてシリコンターゲット又は石英ターゲットを用い、スパッタガスとして酸素又は
、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
ス電極層又はドレイン電極層465b側から酸化シリコン層と窒化シリコン層を積層した
構造とすることもできる。本実施の形態では、圧力0.4Pa、高周波電源1.5kW、
酸素及びアルゴン(酸素流量25sccm:アルゴン流量25sccm=1:1)雰囲気
下でRFスパッタリング法により膜厚100nmの酸化シリコン層を形成する。
ングを行ってゲート絶縁層452の一部を除去して、配線層468に達する開口423を
形成する(図8(D)参照。)。図示しないが開口423の形成時にソース電極層又はド
レイン電極層465bに達する開口を形成してもよい。本実施の形態では、ソース電極層
又はドレイン電極層465bへの開口はさらに層間絶縁層を積層した後に形成し、電気的
に接続する配線層を開口に形成する例とする。
グラフィ工程によりゲート電極層461(461a、461b)、配線層464を形成す
る。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをイン
クジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウ
ム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成す
ることができる。
ッタリング法により膜厚150nmのチタン膜を形成する。図8(E)では、ゲート電極
層461(461a、461b)は離れたように示されているが、図7(A)で示される
ように、ソース電極層又はドレイン電極層465a1、465a2とソース電極層又はド
レイン電極層465bの間に円環状に生じる空隙部分に重なるように、形成される。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う。本実施の形態では
、窒素雰囲気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。また、第2の加熱処理は、
薄膜トランジスタ460上に保護絶縁層や平坦化絶縁層を形成してから行ってもよい。
てもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、10
0℃以上200℃の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえ
して行ってもよい。また、この加熱処理を、酸化物絶縁層の形成前に、減圧下で行っても
よい。減圧下で加熱処理を行うと、加熱時間を短縮することができる。
2を有する薄膜トランジスタ460を形成することができる(図8(E)参照。)。薄膜
トランジスタ460は、実施の形態1における薄膜トランジスタ106として用いること
ができる。
もよい。なお、図示しないが、ゲート絶縁層452、保護絶縁層や平坦化絶縁層にソース
電極層又はドレイン電極層465bに達する開口を形成し、その開口に、ソース電極層又
はドレイン電極層465bと電気的に接続する配線層を形成する。
で、該酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。それにより
酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。
を構成する複数の画素において、オフ電流を低減することができる。そのため、保持容量
で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画等を表示する際の低消費電力化を
図ることができる液晶表示装置とすることができる。本実施の形態ではチャネルを円形と
し、また、ソース電極層とドレイン電極層とを異なる層を用いて形成することによって、
チャネル長を短く、かつ、チャネル幅をより大きくできる。このように、比較的、狭い面
積でもチャネル幅の大きな薄膜トランジスタを形成できるので、大きな電流のスイッチン
グができる。また、チャネル幅は大きいが、高純度化した酸化物半導体を使用しているの
で、オフ電流が極めて小さいという特徴を有する。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の
例を示す。なお、実施の形態2と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、実
施の形態2と同様とすればよく、その繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な
説明も省略する。本実施の形態で示す薄膜トランジスタ425、426は、実施の形態1
の薄膜トランジスタ106として用いることができる。
薄膜トランジスタ425、426は、酸化物半導体層を導電層とゲート電極層とで挟んだ
構造の薄膜トランジスタの一つである。
0上に設けられた絶縁層422上に薄膜トランジスタ425、426がそれぞれ設けられ
ている。
間に少なくとも酸化物半導体層412全体と重なるように導電層427が設けられている
。
うにエッチングにより加工され、酸化物半導体層412の少なくともチャネル領域を含む
一部と重なる例である。
く、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、ク
ロム(Cr)、Nd(ネオジム)、スカンジウム(Sc)から選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、または上述した元素
を成分とする窒化物などを用いることができる。また、単層構造でも積層構造でもよく、
例えばタングステン層単層、又は窒化タングステン層とタングステン層との積層構造など
を用いることができる。
411と同じでもよいし、異なっていても良く、第2のゲート電極層として機能させるこ
ともできる。また、導電層427、424の電位がGND、0Vという固定電位であって
もよい。
ことができる。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの例を
示す。
用いて説明する。
(E)に示す薄膜トランジスタ390は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜
トランジスタともいう。
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
る工程を説明する。
工程によりゲート電極層391を形成する。形成されたゲート電極層の端部はテーパ形状
であると、上に積層するゲート絶縁層の被覆性が向上するため好ましい。なお、レジスト
マスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成
するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
とも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。。
には、歪み点が730℃以上のものを用いると良い。ガラス基板には、例えば、アルミノ
シリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス
材料が用いられている。なお、酸化ホウ素と比較して酸化バリウム(BaO)を多く含ま
せることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、B2O3よりBaOを多く
含むガラス基板を用いることが好ましい
ァイア基板などの絶縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いる
ことができる。また、プラスチック基板等も適宜用いることができる。
、基板394からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜によ
る積層構造により形成することができる。
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とす
る合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
層が積層された2層の積層構造、銅層上にモリブデン層を積層した2層構造、銅層上に窒
化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した2層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを
積層した2層構造、又は窒化タングステン層とタングステン層とを積層した2層構造とす
ることが好ましい。3層の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステンと
、アルミニウムとシリコンの合金またはアルミニウムとチタンの合金と、窒化チタンまた
はチタン層とを積層した積層とすることが好ましい。なお、透光性を有する導電膜を用い
てゲート電極層を形成することもできる。透光性を有する導電膜としては、透光性導電性
酸化物等をその例に挙げることができる。
ン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化アルミニウ
ム層を単層で又は積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層397中に水素が
多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法でゲート絶縁層397を成膜す
ることが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する場合には、ターゲ
ットとしてシリコンターゲット又は石英ターゲットを用い、スパッタガスとして酸素又は
、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
層した構造とすることもできる。例えば、第1のゲート絶縁層としてスパッタリング法に
より膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン層(SiNy(y>0))を形成し
、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層として膜厚5nm以上300nm以下の酸
化シリコン層(SiOx(x>0))を積層して、例えば膜厚100nmのゲート絶縁層
とする。
まれないようにするために、成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲ
ート電極層391が形成された基板394、又はゲート絶縁層397までが形成された基
板394を予備加熱し、基板394に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気する
ことが好ましい。なお、予備加熱の温度としては、100℃以上400℃以下好ましくは
150℃以上300℃以下である。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプ
が好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこの予備加熱は、
酸化物絶縁層396の成膜前であれば、図10(C)に示すソース電極層395a及びド
レイン電極層395bまで形成した基板394にも同様に行ってもよい。
上30nm以下の酸化物半導体膜393をスパッタリング法により形成する(図10(A
)参照。)。なお、適用する酸化物半導体材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて
適宜厚みを選択すればよい。
入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層397の表面に付着してい
るゴミを除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、
アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板付近にプラズマを形成
して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素な
どを用いてもよい。
l-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn
-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-
O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、酸化物半導体膜393
をIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜
する。具体的には、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mo
l%](すなわち、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom%])を用いる。他に
も、In:Ga:Zn=1:1:1[atom%]、又はIn:Ga:Zn=1:1:2
[atom%]の組成比を有するターゲットを用いることもできる。なお、酸化物半導体
ターゲットの充填率は90%以上100%以下、好ましくは95%以上99.9%以下で
ある。充填率の高い酸化物半導体ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体
膜は緻密な膜となる。また、酸化物半導体膜393は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰
囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス(代表的にはアルゴン)及び酸素雰囲気下においてス
パッタリング法により形成することができる。また、ターゲットには、SiO2を2重量
%以上10重量%以下含むターゲットを用いて成膜を行いてもよい。
熱する。そして、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガ
スを導入し、上記ターゲットを用いて基板394上に酸化物半導体膜393を成膜する。
処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子、水(H2O
)など水素原子を含む化合物(より好ましくは炭素原子を含む化合物も)等が排気される
ため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。また
、クライオポンプにより処理室内に残留する水分を除去しながらスパッタ成膜を行うこと
で、酸化物半導体膜393を成膜する際の基板温度は室温から400℃未満とすることが
できる。
直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下の条件が適用され
る。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となる
ために好ましい。
Cスパッタリング法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタリン
グ法もある。RFスパッタリング法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッ
タリング法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
タ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRス
パッタリング法を用いるスパッタ装置がある。
ス成分とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング法
や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。
99に加工する(図10(B)参照。)。また、島状の酸化物半導体層399を形成する
ためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジ
ェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
層399の形成時に行うことができる。
ッチングでもよく、両方を用いてもよい。
ば塩素(Cl2)、塩化硼素(BCl3)、塩化珪素(SiCl4)、四塩化炭素(CC
l4)など)が好ましい。
6)、弗化窒素(NF3)、トリフルオロメタン(CHF3)など)、臭化水素(HBr
)、酸素(O2)、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希ガスを
添加したガス、などを用いることができる。
ing)法や、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導
結合型プラズマ)エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングでき
るように、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加さ
れる電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
ンモニア過水(31重量%過酸化水素水:28重量%アンモニア水:水=5:2:2)な
どを用いることができる。また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
て除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を
再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体に含まれるインジウム等の
材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる。
液、エッチング時間、温度等)を適宜調節する。
ト絶縁層397の表面に付着しているレジスト残渣などを除去することが好ましい。
膜をスパッタリング法や真空蒸着法で形成すればよい。導電膜の材料としては、Al、C
r、Cu、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素、または上述した元素を成分とす
る合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、マンガン、マグネ
シウム、ジルコニウム、ベリリウム、イットリウムのいずれか一または複数から選択され
た材料を用いてもよい。また、金属導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造として
もよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン
膜を積層する2層構造、Ti膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さら
にその上にTi膜を成膜する3層構造などが挙げられる。また、Alに、チタン(Ti)
、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、Nd
(ネオジム)、Sc(スカンジウム)から選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜
、合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
チングを行ってソース電極層395a、ドレイン電極層395bを形成した後、レジスト
マスクを除去する(図10(C)参照。)。
ーザ光やArFレーザ光を用いる。酸化物半導体層399上で隣り合うソース電極層の下
端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成される薄膜トランジスタのチ
ャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、数
nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviole
t)を用いて第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行うとよ
い。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成される薄
膜トランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり
、回路の動作速度を高速化でき、さらにオフ電流値が極めて小さいため、低消費電力化も
図ることができる。
の材料及びエッチング条件を適宜調節する。
-Zn-O系酸化物半導体を用いたので、エッチャントとして過水アンモニア水(アンモ
ニア、水、過酸化水素水の混合液)を用いる。
グされ、溝部(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極層3
95a、ドレイン電極層395bを形成するためのレジストマスクをインクジェット法で
形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用し
ないため、製造コストを低減できる。
した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマ
スクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマ
スクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形するこ
とができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる
。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応
するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ
、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。
ラズマ処理によって露出している酸化物半導体層399の表面に付着した吸着水などを除
去してもよい。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。
396を形成する(図10(D)参照。)。前記プラズマ処理を行った場合は、プラズマ
処理後に酸化物半導体層399を大気にさらすことなく、連続して酸化物絶縁層396を
形成してもよい。なお、本実施の形態では、酸化物半導体層399がソース電極層395
a、ドレイン電極層395bと重ならない領域において、酸化物半導体層399と酸化物
絶縁層396とが接するように形成する。
層395bまで形成された基板394を室温又は100℃未満の温度に加熱し、水素及び
水分が除去された高純度酸素を含むスパッタガスを導入しシリコン半導体のターゲットを
用いて、欠陥を含む酸化シリコン層を成膜し、酸化物絶縁層396とする。
Ωcm)を用い、基板とターゲットの間との距離(T-S間距離)を89mm、圧力0.
4Pa、直流(DC)電源6kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下でパルスDC
スパッタリング法により成膜する。膜厚は300nmとする。なお、シリコンターゲット
に代えて石英(好ましくは合成石英)を酸化シリコン膜を成膜するためのターゲットとし
て用いることができる。なお、スパッタガスとして酸素又は、酸素及びアルゴンの混合ガ
スを用いて行う。
が好ましい。酸化物半導体層399及び酸化物絶縁層396に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した
酸化物絶縁層396に含まれる不純物の濃度を低減できる。
アルミニウム層、または酸化窒化アルミニウム層などを用いることもできる。
接した状態で100℃乃至400℃で加熱処理を行ってもよい。本実施の形態における酸
化物絶縁層396は欠陥を多く含むため、この加熱処理によって酸化物半導体層399中
に含まれる水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物絶縁層396に拡散さ
せ、酸化物半導体層399中に含まれる該不純物をより低減させることができる。
2を有する薄膜トランジスタ390を形成することができる(図10(E)参照。)。
で、該酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。それにより
酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。
化物絶縁層396上に形成する。保護絶縁層398としては、窒化シリコン膜、窒化酸化
シリコン膜、窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜などを用いる。
00℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入
しシリコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。この場合においても
、酸化物絶縁層396と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ保護絶縁層398を成
膜することが好ましい。
板394を加熱することで、酸化物半導体層中に含まれる水素若しくは水分を酸化物絶縁
層に拡散させることができる。この場合上記酸化物絶縁層396の形成後に加熱処理を行
わなくてもよい。
ン層を積層する場合、酸化シリコン層と窒化シリコン層を同じ処理室において、共通のシ
リコンターゲットを用いて成膜することができる。先に酸素を含むスパッタガスを導入し
て、処理室内に装着されたシリコンターゲットを用いて酸化シリコン層を形成し、次にス
パッタガスを窒素を含むスパッタガスに切り替えて同じシリコンターゲットを用いて窒化
シリコン層を成膜する。酸化シリコン層と窒化シリコン層とを大気に曝露せずに連続して
形成することができるため、酸化シリコン層表面に水素や水分などの不純物が吸着するこ
とを防止することができる。この場合、酸化物絶縁層396として酸化シリコン層を形成
し、保護絶縁層398として窒化シリコン層を積層した後、酸化物半導体層中に含まれる
水素若しくは水分を酸化物絶縁層に拡散させるための加熱処理(温度100℃乃至400
℃)を行うとよい。
下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよ
いし、室温から、100℃以上200℃の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの
降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加熱処理を、酸化物絶縁層の形成前
に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと、加熱時間を短縮することができ
る。この加熱処理によって、ノーマリーオフ(nチャネル型トランジスタの場合、しきい
値電圧が正の値となること)となる薄膜トランジスタを得ることができる。よって液晶表
示装置の信頼性を向上できる。
雰囲気中の残留水分を除去することで、該酸化物半導体層中の水素及び水素化物の濃度を
低減することができる。
た表示装置などのバックプレーン(薄膜トランジスタが形成された基板)の製造に用いる
ことができる。上記の工程は、400℃以下の温度で行われるため、厚さが1mm以下で
、一辺が1mを超えるガラス基板を用いる製造工程にも適用することができる。また、4
00℃以下の処理温度で全ての工程を行うことができるので、表示パネルを製造するため
に多大なエネルギーを消費しないで済む。
を構成する複数の画素において、オフ電流を低減することができる。そのため、保持容量
で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画等を表示する際の低消費電力化を
図ることができる液晶表示装置とすることができる。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の
例を示す。本実施の形態で示す薄膜トランジスタ310は、実施の形態1の薄膜トランジ
スタ106として用いることができる。
いて説明する。
(E)に示す薄膜トランジスタ310は、ボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜
トランジスタともいう。
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
る工程を説明する。
工程によりゲート電極層311を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で
形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用し
ないため、製造コストを低減できる。
とも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。
には、歪み点が730℃以上のものを用いると良い。ガラス基板には、例えば、アルミノ
シリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス
材料が用いられている。なお、酸化ホウ素と比較して酸化バリウム(BaO)を多く含ま
せることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、B2O3よりBaOを多く
含むガラス基板を用いることが好ましい。
ァイア基板などの絶縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いる
ことができる。
、基板300からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化珪素膜、酸化珪素膜、
窒化酸化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により
形成することができる。
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とす
る合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
層が積層された2層の積層構造、銅層上にモリブデン層を積層した2層の積層構造、銅層
上に窒化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した2層の積層構造、窒化チタン層とモリ
ブデン層とを積層した2層の積層構造、又は窒化タングステン層とタングステン層との2
層の積層構造とすることが好ましい。3層の積層構造としては、タングステン層または窒
化タングステンと、アルミニウムと珪素の合金またはアルミニウムとチタンの合金と、窒
化チタンまたはチタン層とを積層した積層とすることが好ましい。
、窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層、又は酸化アルミニウム層を単層で又は
積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、SiH4、酸素及び窒素を用
いてプラズマCVD法により酸化窒化珪素層を形成すればよい。ゲート絶縁層302の膜
厚は、100nm以上500nm以下とし、積層の場合は、例えば、膜厚50nm以上2
00nm以下の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に膜厚5nm以上300n
m以下の第2のゲート絶縁層の積層とする。
下の酸化窒化珪素層を形成する。
上30nm以下の酸化物半導体膜330を形成する。なお、適用する酸化物半導体材料に
より適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すればよい。この段階での断面図
が図11(A)に相当する。
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層302の表面に付着しているゴミ
を除去することが好ましい。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを
用いてもよい。
l-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn
-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-
O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、酸化物半導体膜330
としてIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタ法により成膜す
る。具体的には、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol
%](すなわち、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom%])を用いる。他にも
、In:Ga:Zn=1:1:1[atom%]、又はIn:Ga:Zn=1:1:2[
atom%]の組成比を有するターゲットを用いることもできる。なお、酸化物半導体タ
ーゲットの充填率は90%以上100%以下、好ましくは95%以上99.9%以下であ
る。充填率の高い酸化物半導体ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜
は緻密な膜となる。また、ターゲットには、SiO2を2重量%以上10重量%以下含ま
せてよい。
化物などの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガ
スを用いることが好ましい。
以上600℃以下好ましくは200℃以上400℃以下で行う。基板を加熱しながら成膜
することにより、成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができる
。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、処理室内の残留水分を除去し
つつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板30
0上に酸化物半導体膜330を成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着
型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタ
ンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポ
ンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した
成膜室は、例えば、水素分子、水(H2O)など水素原子を含む化合物(より好ましくは
炭素原子を含む化合物も)等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に
含まれる不純物の濃度を低減できる。
、直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下の条件が適用さ
れる。なお、パルス直流(DC)電源を用いると、ゴミが軽減でき、膜厚分布も均一とな
るために好ましい。
体層331に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクを
インクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフ
ォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
化物半導体層331の脱水化または脱水素化を行うことができる。第1の加熱処理の温度
は、400℃以上750℃以下、好ましくは400℃以上基板の歪み点未満とする。ここ
では、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰
囲気下450℃において1時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半
導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層331を得る(図11(B)参照。
)。
輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTA(Gas
Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid
Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal An
neal)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライ
ドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧
水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置
である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、ア
ルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活
性気体が用いられる。
板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中
から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いると短時間での高温加熱処理が可能と
なる。
に、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、
またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上
、好ましくは7N(99.99999%)以上、(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ま
しくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
同時に酸素欠損も生じるので、n型の半導体(低抵抗化した半導体)となる。また、第1
の加熱処理の条件、または酸化物半導体層の材料によっては、酸化物半導体層331は、
結晶化し、微結晶膜または多結晶膜となる場合もある。例えば、結晶化率が90%以上、
または80%以上の微結晶の酸化物半導体膜となる場合もある。また、第1の加熱処理の
条件、または酸化物半導体層の材料によっては、酸化物半導体層331は、結晶成分を含
まない非晶質の酸化物半導体膜となる場合もある。また、非晶質の酸化物半導体の中に微
結晶部(粒径1nm以上20nm以下(代表的には2nm以上4nm以下))が混在する
酸化物半導体膜となる場合もある。
半導体膜330に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から
基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
膜後であれば、酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を積層させた後、ソース
電極及びドレイン電極上に保護絶縁膜を形成した後、のいずれで行っても良い。
膜330あるいは酸化物半導体層331に脱水化または脱水素化処理を行う前でも行った
後に行ってもよい。
エッチングを用いてもよい。
液、エッチング時間、温度等)を適宜調節する。
膜はスパッタ法や真空蒸着法で形成すればよい。導電膜の材料としては、Al、Cr、C
u、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金
か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、マンガン、マグネシウム
、ジルコニウム、ベリリウム、イットリウムのいずれか一または複数から選択された材料
を用いてもよい。また、導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例
えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層す
る2層構造、Ti膜と、そのTi膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上に
Ti膜を成膜する3層構造などが挙げられる。また、Alに、チタン(Ti)、タンタル
(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム
)、Sc(スカンジウム)から選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜、
もしくは窒化膜を用いてもよい。
とが好ましい。
チングを行ってソース電極層315a、ドレイン電極層315bを形成した後、レジスト
マスクを除去する(図11(C)参照。)。
ーザ光やArFレーザ光を用いる。酸化物半導体層331上で隣り合うソース電極層の下
端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成される薄膜トランジスタのチ
ャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、数
nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviole
t)を用いて第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行う。超
紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成される薄膜トラ
ンジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり、回路
の動作速度を高速化でき、さらにオフ電流値が極めて小さいため、低消費電力化も図るこ
とができる。
の材料及びエッチング条件を適宜調節する。
-Zn-O系酸化物半導体を用いたので、エッチャントとして過水アンモニア水(アンモ
ニア、水、過酸化水素水の混合液)を用いる。
グされ、溝部(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極層3
15a、ドレイン電極層315bを形成するためのレジストマスクをインクジェット法で
形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用し
ないため、製造コストを低減できる。
てもよい。酸化物導電層とソース電極層及びドレイン電極層を形成するための金属層は、
連続成膜が可能である。酸化物導電層はソース領域及びドレイン領域として機能しうる。
ドレイン電極層との間に設けることで、ソース領域及びドレイン領域の低抵抗化を図るこ
とができ、トランジスタの高速動作をすることができる。
した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマ
スクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマ
スクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形するこ
とができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる
。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応
するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ
、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。
マ処理によって露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去する。ま
た、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。
縁膜となる酸化物絶縁層316を形成する。
層316に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。
酸化物絶縁層316に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入、又は水素
が酸化物半導体層中の酸素を引き抜き、酸素欠損が生じ酸化物半導体層のバックチャネル
が低抵抗化(N型化)してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、酸
化物絶縁層316はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いな
いことが重要である。
を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の
形態では100℃とする。酸化珪素膜のスパッタ法による成膜は、希ガス(代表的にはア
ルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において行うこと
ができる。また、ターゲットとして酸化珪素ターゲットまたは珪素ターゲットを用いるこ
とができる。例えば、珪素ターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下でスパッタ法に
より酸化珪素を形成することができる。低抵抗化した酸化物半導体層に接して形成する酸
化物絶縁層316は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外
部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表的には酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。
が好ましい。酸化物半導体層331及び酸化物絶縁層316に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物絶縁層
316に含まれる不純物の濃度を低減できる。
物などの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガス
を用いることが好ましい。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う。例えば、窒素雰囲
気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導
体層の一部(チャネル形成領域)が酸化物絶縁層316と接した状態で加熱される。
のための加熱処理を行ったため、低抵抗化した酸化物半導体膜の一部を選択的に酸素過剰
な状態とする。その結果、ゲート電極層311と重なるチャネル形成領域313はI型と
なり、ソース電極層315aに重なり、低抵抗な酸化物半導体よりなる高抵抗ソース領域
314aと、ドレイン電極層315bに重なり、低抵抗な酸化物半導体よりなる高抵抗ド
レイン領域314bとが自己整合的に形成される。以上の工程で薄膜トランジスタ310
が形成される(図11(D)参照。)。
てもよい。本実施の形態では150℃で10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の
加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100℃以上200℃の加熱温度への
昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加
熱処理を、酸化物絶縁膜の形成前に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと
、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、酸化物半導体層から酸化物
絶縁層中に水素がとりこまれ、ノーマリーオフとなる薄膜トランジスタを得ることができ
る。よって液晶表示装置の信頼性を向上できる。また、酸化物絶縁層に欠陥を多く含む酸
化シリコン層を用いると、この加熱処理によって酸化物半導体層中に含まれる水素、水分
、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物絶縁層に拡散させ、酸化物半導体層中に含ま
れる該不純物をより低減させる効果を奏する。
において高抵抗ドレイン領域314b(又は高抵抗ソース領域314a)を形成すること
により、薄膜トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的には、高抵抗ドレ
イン領域314bを形成することで、ドレイン電極層315bから高抵抗ドレイン領域3
14b、チャネル形成領域313にかけて、導電性を段階的に変化させうるような構造と
することができる。そのため、ドレイン電極層315bに高電源電位VDDを供給する配
線に接続して動作させる場合、ゲート電極層311とドレイン電極層315bとの間に高
電界が印加されても高抵抗ドレイン領域がバッファとなり局所的な高電界が印加されず、
トランジスタの耐圧を向上させた構成とすることができる。
体層の膜厚が15nm以下と薄い場合は膜厚方向全体にわたって形成されるが、酸化物半
導体層の膜厚が30nm以上50nm以下とより厚い場合は、酸化物半導体層の一部、ソ
ース電極層又はドレイン電極層と接する領域及びその近傍が低抵抗化し高抵抗ソース領域
又は高抵抗ドレイン領域が形成され、酸化物半導体層においてゲート絶縁膜に近い領域は
I型とすることもできる。
用いて窒化珪素膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層の成膜
方法として好ましい。保護絶縁層は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含ま
ず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化シリコン膜、
窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などを用いる。本実
施の形態では、保護絶縁層として保護絶縁層303を、窒化シリコン膜を用いて形成する
(図11(E)参照。)。
00を100℃~400℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含む
スパッタガスを導入しシリコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。
この場合においても、酸化物絶縁層316と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ保
護絶縁層303を成膜することが好ましい。
を構成する複数の画素において、オフ電流を低減することができる。そのため、保持容量
で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画等を表示する際の低消費電力化を
図ることができる液晶表示装置とすることができる。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の
例を示す。本実施の形態で示す薄膜トランジスタ360は、実施の形態1の薄膜トランジ
スタ106として用いることができる。
用いて説明する。
至(D)に示す薄膜トランジスタ360は、チャネル保護型(チャネルストップ型ともい
う)と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
る工程を説明する。
工程によりレジストマスクを形成し、それを用いて、導電膜を選択的にエッチングして、
ゲート電極層361を形成する。その後レジストマスクを除去する。なお、レジストマス
クをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成する
とフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とす
る合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
下の酸化窒化珪素層を形成する。
成し、第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。本実施の
形態では、酸化物半導体膜としてIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲットを用い
てスパッタ法により成膜する。
ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基又は水分が含まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した
酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
どの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガスを用
いることが好ましい。
1の加熱処理の温度は、400℃以上750℃以下、好ましくは400℃以上基板の歪み
点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導
体層に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理を行った後、大気に触れる
ことなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層332を得る(
図12(A)参照。)。
マ処理によって露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去する。ま
た、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。
後、第3のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチング
を行って酸化物絶縁層366を形成した後、レジストマスクを除去する。
を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の
形態では100℃とする。酸化珪素膜のスパッタ法による成膜は、希ガス(代表的にはア
ルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス及び酸素の混合雰囲気下において行うこ
とができる。また、ターゲットとして酸化珪素ターゲットまたは珪素ターゲットを用いる
ことができる。例えば、珪素ターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下でスパッタ法
により酸化珪素を形成することができる。酸化物半導体層に接して形成する酸化物絶縁層
366は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入
することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。
が好ましい。酸化物半導体層332及び酸化物絶縁層366に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した
酸化物絶縁層366に含まれる不純物の濃度を低減できる。
物などの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガス
を用いることが好ましい。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行ってもよい。例えば、
窒素雰囲気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸
化物半導体層の一部(チャネル形成領域)が酸化物絶縁層366と接した状態で加熱され
る。
層332を、窒素、不活性ガス雰囲気下、又は減圧下で加熱処理を行う。酸化物絶縁層3
66によって覆われていない露出された酸化物半導体層332の領域は、窒素、不活性ガ
ス雰囲気下、又は減圧下で加熱処理を行うと、低抵抗化することができる。例えば、窒素
雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。
によって、酸化物半導体層332の露出領域は低抵抗化し、抵抗の異なる領域(図12(
B)においては斜線領域及び白地領域で示す)を有する酸化物半導体層362となる。
電膜を形成した後、第4のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択
的にエッチングを行ってソース電極層365a、ドレイン電極層365bを形成した後、
レジストマスクを除去する(図12(C)参照。)。
a、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上
述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、導電膜は、単層構造でも、2層
以上の積層構造としてもよい。
。その結果、ゲート電極層361と重なるチャネル形成領域363は、I型となり、ソー
ス電極層365aに重なる高抵抗ソース領域364aと、ドレイン電極層365bに重な
る高抵抗ドレイン領域364bとが自己整合的に形成される。以上の工程で薄膜トランジ
スタ360が形成される。
てもよい。本実施の形態では150℃で10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の
加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100℃以上200℃の加熱温度への
昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加
熱処理を、酸化物絶縁膜の形成前に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと
、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、酸化物半導体層から酸化物
絶縁層中に水素がとりこまれ、ノーマリーオフとなる薄膜トランジスタを得ることができ
る。よって液晶表示装置の信頼性を向上できる。
において、低抵抗した酸化物半導体よりなる高抵抗ドレイン領域364b(又は高抵抗ソ
ース領域364a)を形成することにより、薄膜トランジスタの信頼性の向上を図ること
ができる。具体的には、高抵抗ドレイン領域364bを形成することで、ドレイン電極層
から高抵抗ドレイン領域364b、チャネル形成領域363にかけて、導電性を段階的に
変化させうるような構造とすることができる。そのため、ドレイン電極層365bに高電
源電位VDDを供給する配線に接続して動作させる場合、ゲート電極層361とドレイン
電極層365bとの間に高電界が印加されても高抵抗ドレイン領域がバッファとなり局所
的な高電界が印加されず、トランジスタの耐圧を向上させた構成とすることができる。
23を形成する。本実施の形態では、保護絶縁層323を、窒化珪素膜を用いて形成する
(図12(D)参照。)。
酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層上に保護絶縁層323を積層してもよい。
を構成する複数の画素において、オフ電流を低減することができる。そのため、保持容量
で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画等を表示する際の低消費電力化を
図ることができる液晶表示装置とすることができる。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の
例を示す。本実施の形態で示す薄膜トランジスタ350は、実施の形態1の薄膜トランジ
スタ106として用いることができる。
用いて説明する。
たが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造の薄膜トランジス
タも形成することができる。
る工程を説明する。
工程によりゲート電極層351を形成する。本実施の形態では、ゲート電極層351とし
て、膜厚150nmのタングステン膜を、スパッタ法を用いて形成する。
ート絶縁層342としてプラズマCVD法により膜厚100nm以下の酸化窒化珪素層を
形成する。
り導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層355
a、ドレイン電極層355bを形成した後、レジストマスクを除去する(図13(A)参
照。)。
物半導体膜345としてIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッ
タ法により成膜する。酸化物半導体膜345を第3のフォトリソグラフィ工程により島状
の酸化物半導体層に加工する。
とが好ましい。酸化物半導体膜345に水素、水酸基又は水分が含まれないようにするた
めである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した
酸化物半導体膜345に含まれる不純物の濃度を低減できる。
化物などの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガ
スを用いることが好ましい。
1の加熱処理の温度は、400℃以上750℃以下、好ましくは400℃以上基板の歪み
点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導
体層に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理を行った後、大気に触れる
ことなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層346を得る(
図13(C)参照。)。
を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中か
ら出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いると短時間での高温加熱処理が可能とな
る。
層356に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。
酸化物絶縁層356に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入、又は水素
が酸化物半導体層中の酸素を引き抜き、酸素欠損が生じ酸化物半導体層のバックチャネル
が低抵抗化(N型化)してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、酸
化物絶縁層356はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いな
いことが重要である。
を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実施の
形態では100℃とする。酸化珪素膜のスパッタ法による成膜は、希ガス(代表的にはア
ルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス及び酸素の混合雰囲気下において行うこ
とができる。また、ターゲットとして酸化珪素ターゲットまたは珪素ターゲットを用いる
ことができる。例えば、珪素ターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下でスパッタ法
により酸化珪素を形成することができる。酸化物半導体層に接して形成する酸化物絶縁層
356は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入
することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。
が好ましい。酸化物半導体層346及び酸化物絶縁層356に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した
酸化物絶縁層356に含まれる不純物の濃度を低減できる。
物などの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガス
を用いることが好ましい。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う。例えば、窒素雰囲
気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導
体層の一部(チャネル形成領域)が酸化物絶縁層356と接した状態で加熱される。
型の酸化物半導体層352が形成される。以上の工程で薄膜トランジスタ350が形成さ
れる。
てもよい。本実施の形態では150℃で10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の
加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100℃以上200℃の加熱温度への
昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加
熱処理を、酸化物絶縁膜の形成前に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと
、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、酸化物半導体層から酸化物
絶縁層中に水素がとりこまれ、ノーマリーオフとなる薄膜トランジスタを得ることができ
る。よって液晶表示装置の信頼性を向上できる。
用いて窒化珪素膜を形成する。本実施の形態では、保護絶縁層として保護絶縁層343を
、窒化珪素膜を用いて形成する(図13(D)参照。)。
を構成する複数の画素において、オフ電流を低減することができる。そのため、保持容量
で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画等を表示する際の低消費電力化を
図ることができる液晶表示装置とすることができる。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の
例を示す。本実施の形態で示す薄膜トランジスタ380は、実施の形態1の薄膜トランジ
スタ106として用いることができる。
4に示す。図14は、図11と工程が一部異なる点以外は同じであるため、同じ箇所には
同じ符号を用い、同じ箇所の詳細な説明は省略する。
層372a、第2のゲート絶縁層372bを積層する。本実施の形態では、ゲート絶縁層
を2層構造とし、第1のゲート絶縁層372aに窒化物絶縁層を、第2のゲート絶縁層3
72bに酸化物絶縁層を用いる。
、又は酸化窒化アルミニウム層などを用いることができる。また、窒化絶縁層としては、
窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、又は窒化酸化アルミニウム
層などを用いることができる。
した構造とする。第1のゲート絶縁層372aとしてスパッタリング法により膜厚50n
m以上200nm以下(本実施の形態では50nm)の窒化シリコン層(SiNy(y>
0))を形成し、第1のゲート絶縁層372a上に第2のゲート絶縁層372bとして膜
厚5nm以上300nm以下(本実施の形態では100nm)の酸化シリコン層(SiO
x(x>0))を積層して、例えば、膜厚150nmのゲート絶縁層とする。
の酸化物半導体層に加工する。本実施の形態では、酸化物半導体膜としてIn-Ga-Z
n-O系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタ法により成膜する。
ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基又は水分が含まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体
膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
どの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガスを用
いることが好ましい。
1の加熱処理の温度は、400℃以上基板の750℃以下、好ましくは425℃以上とす
る。なお、425℃以上であれば加熱処理時間は1時間以下でよいが、425℃未満であ
れば加熱処理時間は、1時間よりも長時間行うこととする。ここでは、加熱処理装置の一
つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下において加熱処理
を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化
物半導体層を得る。その後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾
燥エア(露点が-40℃以下、好ましくは-60℃以下)を導入して冷却を行う。酸素ガ
スまたはN2Oガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装
置に導入する酸素ガスまたはN2Oガスの純度を、6N(99.9999%)以上、好ま
しくは7N(99.99999%)以上、(即ち酸素ガスまたはN2Oガス中の不純物濃
度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
ermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid Thermal
Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anneal)装置を用
いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノン
アークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのラ
ンプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。また、LR
TA装置、ランプだけでなく、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によっ
て、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。GRTAとは高温のガスを用いて加熱
処理を行う方法である。ガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処
理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。RTA法を用いて、600℃
~750℃で数分間加熱処理を行ってもよい。
しくは200℃以上300℃以下の温度で酸素ガスまたはN2Oガス雰囲気下での加熱処
理を行ってもよい。
半導体膜に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を
取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
抗化、即ちI型化させる。よって、全体がI型化した酸化物半導体層382を得る。
ジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層385a、ドレイン電
極層385bを形成し、スパッタ法で酸化物絶縁層386を形成する。
が好ましい。酸化物半導体層382及び酸化物絶縁層386に水素、水酸基又は水分が含
まれないようにするためである。
例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが
好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであ
ってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2
O)など水素原子を含む化合物を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した
酸化物絶縁層386に含まれる不純物の濃度を低減できる。
物などの不純物が、1ppm以下、好ましくは10ppb以下まで除去された高純度ガス
を用いることが好ましい。
、または窒素ガス雰囲気下で加熱処理(好ましくは150℃以上350℃未満)を行って
もよい。例えば、窒素雰囲気下で250℃、1時間の加熱処理を行う。
てもよい。本実施の形態では150℃で10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の
加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100℃以上200℃の加熱温度への
昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加
熱処理を、酸化物絶縁膜の形成前に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと
、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、酸化物半導体層から酸化物
絶縁層中に水素がとりこまれ、ノーマリーオフとなる薄膜トランジスタを得ることができ
る。よって液晶表示装置の信頼性を向上できる。
73として、スパッタリング法を用いて膜厚100nmの窒化珪素膜を形成する。
素や、水素化物、水酸化物などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロ
ックする効果がある。
の侵入を防ぐことができる。また、液晶表示装置としてデバイスが完成した後にも長期的
に、外部からの水分などの不純物の侵入を防ぐことができデバイスの長期信頼性を向上す
ることができる。
設けられる絶縁層を除去し、保護絶縁層373と、第1のゲート絶縁層372aとが接す
る構造としてもよい。
まで低減し、かつ該不純物の再混入を防止し、酸化物半導体層中の不純物濃度を低く維持
することができる。
を構成する複数の画素において、オフ電流を低減することができる。そのため、保持容量
で電圧を保持できる期間を長く取ることができ、静止画等を表示する際の低消費電力化を
図ることができる液晶表示装置とすることができる。
である。
本実施の形態は、本明細書で開示する液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の
例を示す。本実施の形態で示す薄膜トランジスタは、実施の形態2乃至8の薄膜トランジ
スタに適用することができる。
電材料を用いる例を示す。従って、他は上記実施の形態と同様に行うことができ、上記実
施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する
。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。
光性を有する導電材料、例えばIn-Sn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al
-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-
O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O
系、Zn-O系の金属酸化物を適用することができ、膜厚は50nm以上300nm以下
の範囲内で適宜選択する。ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層に用いる金属酸
化物の成膜方法は、スパッタリング法や真空蒸着法(電子ビーム蒸着法など)や、アーク
放電イオンプレーティング法や、スプレー法を用いる。また、スパッタリング法を用いる
場合、SiO2を2重量%以上10重量%以下含むターゲットを用いて成膜を行い、透光
性を有する導電膜に結晶化を阻害するSiOx(X>0)を含ませ、後の工程で行う加熱
処理の際に結晶化してしまうのを抑制することが好ましい。
(EPMA:Electron Probe X-ray MicroAnalyzer
)を用いた分析により評価するものとする。
量電極層など)や、その他の配線層(容量配線層など)に可視光に対して透光性を有する
導電膜を用いると、高開口率を有する表示装置を実現することができる。勿論、画素に存
在するゲート絶縁層、酸化物絶縁層、保護絶縁層、平坦化絶縁層も可視光に対して透光性
を有する膜を用いることが好ましい。
%である膜厚を有する膜を指し、その膜が導電性を有する場合は透明の導電膜とも呼ぶ。
また、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層、画素電極層、またはその他の電極
層や、その他の配線層に適用する金属酸化物として、可視光に対して半透明の導電膜を用
いてもよい。可視光に対して半透明とは可視光の透過率が50~75%であることを指す
。
ンチ以下の小型の液晶表示パネルにおいて、ゲート配線の本数を増やすなどして表示画像
の高精細化を図るため、画素寸法を微細化しても、高い開口率を実現することができる。
また、薄膜トランジスタの構成部材に透光性を有する膜を用いることで、広視野角を実現
するため、1画素を複数のサブピクセルに分割しても高い開口率を実現することができる
。即ち、高密度の薄膜トランジスタ群を配置しても開口率を大きくとることができ、表示
領域の面積を十分に確保することができる。例えば、一つの画素内に2~4個のサブピク
セルを有する場合、薄膜トランジスタが透光性を有するため、開口率を向上させることが
できる。また、薄膜トランジスタの構成部材と同工程で同材料を用いて保持容量を形成す
ると、保持容量も透光性とすることができるため、さらに開口率を向上させることができ
る。
液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図15を用い
て説明する。図15は、第1の基板4001上に形成された薄膜トランジスタ4010、
4011、及び液晶素子4013を、第2の基板4006との間にシール材4005によ
って封止した、パネルの平面図であり、図15(B)は、図15(A)または図15(C
)のM-Nにおける断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図15(A)は
、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図15(C)は、TA
B方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図15(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。薄膜トランジスタ4010、4011の上下には絶縁層4041、4
042、4020、4021が設けられている。
ジスタを適宜用いることができ、同様な工程及び材料で形成することができる。薄膜トラ
ンジスタ4010、4011の酸化物半導体層は水素や水が低減されている。従って、薄
膜トランジスタ4010、4011は信頼性の高い薄膜トランジスタである。本実施の形
態において、薄膜トランジスタ4010、4011はnチャネル型薄膜トランジスタであ
る。
チャネル形成領域と重なる位置に導電層4040が設けられている。導電層4040を酸
化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、BT試験前後にお
ける薄膜トランジスタ4011のしきい値電圧の変化量を低減することができる。また、
導電層4040は、電位が薄膜トランジスタ4011のゲート電極層と同じでもよいし、
異なっていても良く、第2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層
4040の電位がGND、0V、或いはフローティング状態であってもよい。
ース電極層又はドレイン電極層と電気的に接続されている。そして液晶素子4013の対
向電極層4031は第2の基板4006上に形成されている。画素電極層4030と対向
電極層4031と液晶層4008とが重なっている部分が、液晶素子4013に相当する
。なお、画素電極層4030、対向電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁
層4032、4033が設けられ、絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を
挟持している。
き、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルム、またはアクリル樹脂フ
ィルムを用いることができる。
画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。また、対向電極層4031
は、薄膜トランジスタ4010と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続され
る。共通接続部を用いて、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して対向電極層40
31と共通電位線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシール材40
05に含有させる。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層4008に
用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec
以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。ま
た配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって
引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損
を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
特に、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタは、静電気の影響により薄膜トランジス
タの電気的な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する恐れがある。よって酸化物半導体
層を用いる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置にブルー相の液晶材料を用いることは
より効果的である。
一態様は、半透過型や反射型の液晶表示装置にも適用できる。
子に用いる電極層という順に設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設けてもよい。ま
た、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板及び着色層の材料や
作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、表示部以外にブラックマトリクスとし
て機能する遮光膜を設けてもよい。
形成されている。ここでは、絶縁層4041として、スパッタリング法により酸化シリコ
ン層を形成する。また、絶縁層4041上に接して保護絶縁層4042を形成する。また
、保護絶縁層4042は、例えば窒化シリコン膜を用いることができる。また、保護絶縁
層4042上に薄膜トランジスタの表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能する
絶縁層4021で覆う構成となっている。
ミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機
材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)
、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いる
ことができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層
4021を形成してもよい。
OG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スク
リーン印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター
、ナイフコーター等を用いることができる。絶縁層4021の焼成工程と半導体層のアニ
ールを兼ねることで効率よく液晶表示装置を作製することが可能となる。
ジウムに酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(indium zinc oxide)
、酸化インジウムに酸化珪素(SiO2)を混合した導電材料、有機インジウム、有機ス
ズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛
酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、な
どの透光性の導電性材料を用いることができる。または反射型の液晶表示装置において、
透光性を有する必要がない、または反射性を有する必要がある場合は、タングステン(W
)、モリブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V
)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル
(Ni)、チタン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(A
g)等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形
成することができる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率
が70%以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が0.1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
ら形成され、端子電極4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のソース電極層
及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
て電気的に接続されている。
装している例を示しているがこの構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実
装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して
実装しても良い。
部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用
いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素
電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極
と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターン
として観察者に認識される。
動回路と同一基板上に保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、酸化物半導体層を
用いた非線形素子を用いて構成することが好ましい。例えば、保護回路は画素部と、走査
線入力端子及び信号線入力端子との間に配設されている。本実施の形態では複数の保護回
路を配設して、走査線、信号線及び容量バス線に静電気等によりサージ電圧が印加され、
画素トランジスタなどが破壊されないように構成されている。そのため、保護回路にはサ
ージ電圧が印加されたときに、共通配線に電荷を逃がすように構成する。また、保護回路
は、走査線、信号線、または容量バス線と共通配線との間に並列に配置された非線形素子
によって構成されている。非線形素子は、ダイオードのような二端子素子又はトランジス
タのような三端子素子で構成される。例えば、画素部の薄膜トランジスタと同じ工程で形
成することも可能であり、例えばゲート端子とドレイン端子を接続することによりダイオ
ードと同様の特性を持たせることができる。
S(In-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Fiel
d Switching)モード、ASM(Axially Symmetric al
igned Micro-cell)モード、OCB(Optical Compens
ated Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric
Liquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectr
ic Liquid Crystal)などを用いることができる。
、TN液晶、OCB液晶、STN液晶、VA液晶、ECB型液晶、GH液晶、高分子分散
型液晶、ディスコティック液晶などを用いることができるが、中でもノーマリーブラック
型の液晶パネル、例えば垂直配向(VA)モードを採用した透過型の液晶表示装置とする
ことが好ましい。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相
、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。また、垂直配向モードとし
ては、いくつか挙げられるが、例えば、MVA(Multi-Domain Verti
cal Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical
Alignment)モード、ASVモードなどを用いることができる。
晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種である。VA型の液晶表示装置は、
電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。
また、画素(ピクセル)をいくつかの領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別の方向に
分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる
方法を用いることができる。
ッセンス素子(EL素子ともいう)などの発光素子を用いたEL表示装置の画素に適用す
ることもできる。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の
例について説明する。
、操作キー9635、接続端子9636、記録媒体読込部9672、等を有することがで
きる。図16(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデ
ータを読み出して表示部に表示する機能、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共
有する機能、等を有することができる。なお、図16(A)に示す携帯型遊技機が有する
機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
3、操作キー9635、接続端子9636、シャッターボタン9676、受像部9677
、等を有することができる。図16(B)に示すテレビ受像機能付きデジタルカメラは、
静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する
機能、アンテナから様々な情報を取得する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得し
た情報を保存する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を表示部に表示す
る機能、等を有することができる。なお、図16(B)に示すテレビ受像機能付きデジタ
ルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
、操作キー9635、接続端子9636、等を有することができる。図16(C)に示す
テレビ受像機は、テレビ用電波を処理して画像信号に変換する機能、画像信号を処理して
表示に適した信号に変換する機能、画像信号のフレーム周波数を変換する機能、等を有す
ることができる。なお、図16(C)に示すテレビ受像機が有する機能はこれに限定され
ず、様々な機能を有することができる。
、操作キー9635、接続端子9636、ポインティングデバイス9681、外部接続ポ
ート9680等を有することができる。図17(A)に示すコンピュータは、様々な情報
(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、様々なソフトウェア(プ
ログラム)によって処理を制御する機能、無線通信又は有線通信などの通信機能、通信機
能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能、等を有することができる。なお、図17(A)に示すコ
ンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
3、操作キー9635、マイクロフォン9638等を有することができる。図17(B)
に示した携帯電話は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、
カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又
は編集する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を
有することができる。なお、図17(B)に示した携帯電話が有する機能はこれに限定さ
れず、様々な機能を有することができる。
示部9631、操作キー9635等を有することができる。図17(C)に示した電子ペ
ーパーは、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー
、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する
機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有すること
ができる。なお、図17(C)に示した電子ペーパーが有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。
流を低減することができる。そのため、保持容量で電圧を保持できる期間を長く取ること
ができ、静止画等を表示する際の低消費電力化を図ることができる液晶表示装置を具備す
る電子機器とすることができる。また開口率の向上を図ることによって、高精細な表示部
を有する液晶表示装置とすることができる。
である。
本実施の形態では、酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタの動作原理につ
いて説明する。
。ゲート電極(GE1)上にゲート絶縁膜(GI)を介して酸化物半導体層(OS)が設
けられ、その上にソース電極(S)及びドレイン電極(D)が設けられている。
19(A)はソースとドレインの間の電圧を等電位(VD=0V)とした場合を示し、図
19(B)はソースに対しドレインに正の電位(VD>0)を加えた場合を示す。
。図20(A)はゲート(G1)に正の電位(+VG)が印加された状態であり、ソース
とドレイン間にキャリア(電子)が流れるオン状態を示している。また、図20(B)は
、ゲート(G1)に負の電位(-VG)が印加された状態であり、オフ状態(少数キャリ
アは流れない)である場合を示す。
を示す。
体は一般的にn型であり、その場合のフェルミ準位(Ef)は、バンドギャップ中央に位
置する真性フェルミ準位(Ei)から離れて、伝導帯寄りに位置している。なお、酸化物
半導体において水素はドナーでありn型化する一つの要因であることが知られている。
去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することによ
り真性(i型)とし、又は実質的に真性型としたものである。すなわち、不純物を添加し
てi型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化された
i型(真性半導体)又はそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フ
ェルミ準位(Ef)は真性フェルミ準位(Ei)と同じレベルにまですることができる。
4.3eVと言われている。ソース電極及びドレイン電極を構成するチタン(Ti)の仕
事関数は、酸化物半導体の電子親和力(χ)とほぼ等しい。この場合、金属-酸化物半導
体界面において、電子に対してショットキー型の障壁は形成されない。
者が接触すると図19(A)で示すようなエネルギーバンド図(模式図)が示される。
子はバリア(h)をこえて酸化物半導体に注入され、ドレインに向かって流れる。この場
合、バリア(h)の高さは、ゲート電圧とドレイン電圧に依存して変化するが、正のドレ
イン電圧が印加された場合には、電圧印加のない図19(A)のバリアの高さすなわちバ
ンドギャップ(Eg)の1/2よりもバリアの高さ(h)は小さい値となる。
流れる。また、図20(B)において、ゲート電極(G1)に負の電位(逆バイアス)が
印加されると、少数キャリアであるホールは実質的にゼロであるため、電流は限りなくゼ
ロに近い値となる。
ネル長が3μmの素子であっても、オフ電流が10-13A以下であり、サブスレッショ
ルドスイング値(S値)が0.1V/dec.(ゲート絶縁膜厚100nm)が得られる
。
あり、室温においてもキャリアが存在している。これは、室温においても、熱励起キャリ
アが存在していることを意味している。実用的にはリン又はホウ素などの不純物が添加さ
れたシリコンウエハが使用される。また、いわゆる真性シリコンウエハと言っても、意図
的に制御できない不純物が存在するので、実際には1×1014/cm3以上のキャリア
がシリコン半導体に存在し、これがソース-ドレイン間の伝導に寄与する。さらに、シリ
コン半導体のバンドギャップは1.12eVであるので、シリコン半導体を用いたトラン
ジスタは温度に依存してオフ電流が大きく変動することとなる。
酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより、キ
ャリア濃度を1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3以下となるよ
うにすることで、実用的な動作温度で熱的に励起されるキャリアを排除して、ソース側か
ら注入されるキャリアのみによってトランジスタを動作させることができる。それにより
、オフ電流を1×10-13[A]以下にまで下げると共に、温度変化によってオフ電流
がほとんど変化しない極めて安定に動作するトランジスタを得ることができる。
水、水素という不純物を除去することにより、酸化物半導体自体を高純度化することにあ
る。すなわち、ドナー準位を構成する水または水素を除去することにより、更に酸素欠損
を除去するために酸素を十分に供給することにより、酸化物半導体自体を高純度化するこ
とを特徴としている。
質量分析)で観察される。このドナー準位を作る水または水素という不純物を意図的に除
去し、更に水または水素の除去に伴い同時に減少してしまう酸素(酸化物半導体の成分の
一つ)を酸化物半導体に加えることにより、酸化物半導体を高純度化し、電気的にi型(
真性)半導体とすることを技術思想の一つとしている。
れば少ないほど良い。酸化物半導体は、絶縁ゲート型トランジスタに用いる場合に半導体
としてのキャリアを意図的に有するというよりも、逆に酸化物半導体のキャリアは無くし
てしまい、半導体としてはキャリアを通過させる通路としての意味を与えた、いわゆる高
純度化したi型(真性)半導体である。
縁ゲート型トランジスタではオフ電流が少なくなるというのが本発明の一態様における技
術思想である。すなわち、その指標として水素濃度が1×1016/cm3以下、またキ
ャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3以下が求めら
れる。本発明の技術思想的には、ゼロまたはゼロに近いことが理想である。
アを有さない、または極めて少ないように高純度化したi型(真性)とし、キャリアはソ
ース側となる電極より供給される。供給の程度は、酸化物半導体の電子親和力χ、フェル
ミレベル理想的には真性フェルミレベルと一致したフェルミレベル、及びソース、ドレイ
ンの電極の仕事関数より導かれる、バリアハイト(障壁高さ)で決められる。
電圧を印加しての絶縁ゲート型トランジスタ特性において、チャネル長10μmの場合、
チャネル幅1μmあたりのオフ電流を10aA/μm(1×10-17A/μm)以下に
すること、さらには1aA/μm(1×10-18A/μm)以下にすることを特徴の一
つとしている。
本実施の形態では、評価用素子(TEGとも呼ぶ)を用いたオフ電流の測定値について以
下に説明する。
=3μm/10000μmの薄膜トランジスタの初期特性を示す。また、上面図を図23
(A)に示し、その一部を拡大した上面図を図23(B)に示す。図23(B)の点線で
囲んだ領域がL/W=3μm/50μm、Lov=1.5μmの1段分の薄膜トランジス
タである。薄膜トランジスタの初期特性を測定するため、基板温度を室温とし、ソース-
ドレイン間電圧(以下、ドレイン電圧またはVdという)を10Vとし、ソース-ゲート
間電圧(以下、ゲート電圧またはVgという)を-20V~+20Vまで変化させたとき
のソース-ドレイン電流(以下、ドレイン電流またはIdという)の変化特性、すなわち
Vg-Id特性を測定した。なお、図22では、Vgを-20V~+5Vまでの範囲で示
している。
び10Vにおいてオフ電流は1×10-13[A]以下となっており、測定機(半導体パ
ラメータ・アナライザ、Agilent 4156C;Agilent社製)の分解能(
100fA)以下となっている。
に酸化窒化珪素層を形成した。酸化窒化珪素層上にゲート電極層としてスパッタ法により
タングステン層を形成した。ここで、タングステン層を選択的にエッチングしてゲート電
極層を形成した。
素層を形成した。
ット(モル数比で、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2)を用いて、厚さ50
nmの酸化物半導体層を形成した。ここで、酸化物半導体層を選択的にエッチングし、島
状の酸化物半導体層を形成した。
熱処理を行った。
nm)をスパッタ法により形成した。ここで、ソース電極層及びドレイン電極層を選択的
にエッチングし、1つの薄膜トランジスタのチャネル長Lが3μm、チャネル幅Wが50
μmとし、200個を並列とすることで、L/W=3μm/10000μmとなるように
した。
化珪素層を膜厚300nmで形成した。ここで、保護層である酸化珪素層を選択的にエッ
チングし、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に開口部を形成した。その
後、窒素雰囲気下、250℃で1時間、第2の熱処理を行った。
は、上記作製工程において酸化物半導体層中における水素濃度を十分に低減できたためで
ある。酸化物半導体層中の水素濃度は、1×1016/cm3以下とする。なお、酸化物
半導体層中の水素濃度の値は、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary
Ion Mass Spectroscopy)で測定して得られたものである。
の酸化物半導体材料、例えば、In-Sn-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al
-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Zn-O系、In-Sn-O系、
Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系などを用い
ることができる。また、酸化物半導体材料として、AlOxを2.5~10wt%混入し
たIn-Al-Zn-O系や、SiOxを2.5~10wt%混入したIn-Zn-O系
を用いることもできる。
m3未満、さらに好ましくは1×1012/cm3以下である。即ち、酸化物半導体層の
キャリア濃度は、限りなくゼロに近くすることができる。
能であり、回路の動作速度を高速化でき、オフ電流値が極めて小さいため、さらに低消費
電力化も図ることができる。
計を行うことができる。
た。温度特性は、薄膜トランジスタが使われる最終製品の耐環境性や、性能の維持などを
考慮する上で重要である。当然ながら、変化量が小さいほど好ましく、製品設計の自由度
が増す。
℃のそれぞれの温度で薄膜トランジスタを形成した基板を一定温度とし、ドレイン電圧を
6V、ゲート電圧を-20V~+20Vまで変化させてVg-Id特性を取得した。
ものであり、点線で囲むオフ電流の領域を拡大したものを図24(B)に示す。図中の矢
印で示す右端の曲線が-30℃、左端が120℃で取得した曲線で、その他の温度で取得
した曲線は、その間に位置する。オン電流の温度依存性はほとんど見られない。一方、オ
フ電流は拡大図の図24(B)においても明かであるように、ゲート電圧が-20V近傍
を除いて、全ての温度で測定機の分解能近傍の1×10-12[A]以下となっており、
温度依存性も見えていない。すなわち、120℃の高温においても、オフ電流が1×10
-12[A]以下を維持しており、チャネル幅Wが10000μmであることを考慮する
と、オフ電流が非常に小さいことがわかる。
ンジスタは、オフ電流の温度依存性がほとんど現れない。これは、図20(A)のバンド
図で示すように、酸化物半導体が高純度化されることによって、導電型が限りなく真性型
に近づき、フェルミ準位が禁制帯の中央に位置するため、温度依存性を示さなくなると言
える。また、これは、酸化物半導体のエネルギーギャップが3eV以上であり、熱励起キ
ャリアが極めて少ないことにも起因する。また、ソース領域及びドレイン領域は縮退した
状態にあるのでやはり温度依存性が現れない要因となっている。薄膜トランジスタの動作
は、縮退したソース領域から酸化物半導体に注入されたキャリアによるものがほとんどで
あり、キャリア濃度の温度依存性がないことから上記特性(オフ電流の温度依存性無し)
を説明することができる。
た場合、オフ電流値が小さくほとんどリークがないため、表示データを保持する時間を長
くすることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である液晶表示装置における走査線駆動回路及び信号
線駆動回路を構成するシフトレジスタの構成について図25に一例を示す。
出力回路10_N(N≧3の自然数)を有している。図25(A)に示すシフトレジスタ
の第1のパルス出力回路10_1乃至第Nのパルス出力回路10_Nには、第1の配線1
1より第1のクロック信号CK1、第2の配線12より第2のクロック信号CK2、第3
の配線13より第3のクロック信号CK3、第4の配線14より第4のクロック信号CK
4が供給される。また第1のパルス出力回路10_1では、第5の配線15からのスター
トパルスSP1(第1のスタートパルス)が入力される。また2段目以降の第nのパルス
出力回路10_n(nは、2≦n≦Nの自然数)では、一段前段のパルス出力回路10_
(n-1)からの信号(前段信号OUT(n-1)という)が入力される。また第1のパ
ルス出力回路10_1では、2段後段の第3のパルス出力回路10_3からの信号が入力
される。同様に、2段目以降の第nのパルス出力回路10_nでは、2段後段の第(n+
2)のパルス出力回路10_(n+2)からの信号(後段信号OUT(n+2)という)
が入力される。従って、各段のパルス出力回路からは、後段及び/または二つ前段のパル
ス出力回路に入力するための第1の出力信号(OUT(1)(SR)~OUT(N)(S
R))、別の回路等に入力される第2の出力信号(OUT(1)~OUT(N))が出力
される。なお、図25(A)に示すように、シフトレジスタの最終段の2つの段には、後
段信号OUT(n+2)が入力されないため、一例としては、別途第7の配線17より第
2のスタートパルスSP2、第8の配線18より第3のスタートパルスSP3をそれぞれ
入力する構成でもよい。または、別途シフトレジスタの内部で生成された信号であっても
よい。例えば、画素部へのパルス出力に寄与しない第(N+1)のパルス出力回路10(
N+1)、第(N+2)のパルス出力回路10(N+2)を設け(ダミー段ともいう)、
当該ダミー段より第2のスタートパルス(SP2)及び第3のスタートパルス(SP3)
に相当する信号を生成する構成としてもよい。
H信号とL信号を繰り返す信号である。また、第1のクロック信号(CK1)~第4のク
ロック信号(CK4)は、順に1/4周期分遅延している。本実施の形態では、第1のク
ロック信号(CK1)~第4のクロック信号(CK4)を利用して、パルス出力回路の駆
動の制御等を行う。なお、クロック信号CKは、入力される駆動回路に応じて、GCK、
SCKということもあるが、ここではCKとして説明を行う。
続されている場合と、AとBとが機能的に接続されている場合と、AとBとが直接接続さ
れている場合とを含むものとする。ここで、A、Bは、対象物(例えば、装置、素子、回
路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。したがって、所定の接続関係
、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続
関係以外のものも含むものとする。
子21、第2の入力端子22、第3の入力端子23、第4の入力端子24、第5の入力端
子25、第1の出力端子26、第2の出力端子27を有している(図25(B)参照)。
~第4の配線14のいずれかと電気的に接続されている。例えば、図25(A)、(B)
において、第1のパルス出力回路10_1は、第1の入力端子21が第1の配線11と電
気的に接続され、第2の入力端子22が第2の配線12と電気的に接続され、第3の入力
端子23が第3の配線13と電気的に接続されている。また、第2のパルス出力回路10
_2は、第1の入力端子21が第2の配線12と電気的に接続され、第2の入力端子22
が第3の配線13と電気的に接続され、第3の入力端子23が第4の配線14と電気的に
接続されている。
24に第1のスタートパルスSP1が入力され、第5の入力端子25に後段信号OUT(
3)が入力され、第1の出力端子26より第1の出力信号OUT(1)(SR)が出力さ
れ、第2の出力端子27より第2の出力信号OUT(1)が出力されていることとなる。
続され、第2端子が第9のトランジスタ39の第1端子に電気的に接続され、ゲート電極
が第4の入力端子24に電気的に接続されている。第2のトランジスタ32は、第1端子
が電源線52に電気的に接続され、第2端子が第9のトランジスタ39の第1端子に電気
的に接続され、ゲート電極が第4のトランジスタ34のゲート電極に電気的に接続されて
いる。第3のトランジスタ33は、第1端子が第1の入力端子21に電気的に接続され、
第2端子が第1の出力端子26に電気的に接続されている。第4のトランジスタ34は、
第1端子が電源線52に電気的に接続され、第2端子が第1の出力端子26に電気的に接
続されている。第5のトランジスタ35は、第1端子が電源線52に電気的に接続され、
第2端子が第2のトランジスタ32のゲート電極及び第4のトランジスタ34のゲート電
極に電気的に接続され、ゲート電極が第4の入力端子24に電気的に接続されている。第
6のトランジスタ36は、第1端子が電源線51に電気的に接続され、第2端子が第2の
トランジスタ32のゲート電極及び第4のトランジスタ34のゲート電極に電気的に接続
され、ゲート電極が第5の入力端子25に電気的に接続されている。第7のトランジスタ
37は、第1端子が電源線51に電気的に接続され、第2端子が第8のトランジスタ38
の第2端子に電気的に接続され、ゲート電極が第3の入力端子23に電気的に接続されて
いる。第8のトランジスタ38は、第1端子が第2のトランジスタ32のゲート電極及び
第4のトランジスタ34のゲート電極に電気的に接続され、ゲート電極が第2の入力端子
22に電気的に接続されている。第9のトランジスタ39は、第1端子が第1のトランジ
スタ31の第2端子及び第2のトランジスタ32の第2端子に電気的に接続され、第2端
子が第3のトランジスタ33のゲート電極及び第10のトランジスタ40のゲート電極に
電気的に接続され、ゲート電極が電源線51に電気的に接続されている。第10のトラン
ジスタ40は、第1端子が第1の入力端子21に電気的に接続され、第2端子が第2の出
力端子27に電気的に接続され、ゲート電極が第9のトランジスタ39の第2端子に電気
的に接続されている。第11のトランジスタ41は、第1端子が電源線52に電気的に接
続され、第2端子が第2の出力端子27に電気的に接続され、ゲート電極が第2のトラン
ジスタ32のゲート電極及び第4のトランジスタ34のゲート電極に電気的に接続されて
いる。
40のゲート電極、及び第9のトランジスタ39の第2端子の接続箇所をノードNAとす
る。また、第2のトランジスタ32のゲート電極、第4のトランジスタ34のゲート電極
、第5のトランジスタ35の第2端子、第6のトランジスタ36の第2端子、第8のトラ
ンジスタ38の第1端子、及び第11のトランジスタ41のゲート電極の接続箇所をノー
ドNBとする。
入力端子21には第1のクロック信号CK1が入力され、第2の入力端子22には第2の
クロック信号CK2が入力され、第3の入力端子23には第3のクロック信号CK3が入
力され、第4の入力端子24にはスタートパルスSPが入力され、第5の入力端子25に
は後段信号OUT(3)が入力され、第1の出力端子26からは第1の出力信号OUT(
1)(SR)が出力され、第2の出力端子27からは第2の出力信号OUT(1)が出力
されることとなる。
グチャートについて図26に示す。なおシフトレジスタが走査線駆動回路である場合、図
26中の期間61は垂直帰線期間であり、期間62はゲート選択期間に相当する。
た駆動回路において、静止画表示及び動画像表示をおこなう動作、または液晶素子に印加
する電圧の再書き込みを行う動作(以下、リフレッシュ動作ともいう)の際の、駆動回路
部への各配線の電位の供給または停止の手順について、図27を参照して説明する。なお
、図27は、シフトレジスタに高電源電位(VDD)を供給する配線、低電電源電位(V
SS)を供給する配線、スタートパルス(SP)を供給する配線、及び第1のクロック信
号(CK1)を供給する配線乃至第4のクロック信号(CK4)を供給する配線の、期間
T1の前後における電位の変化を示す図である。
行うことができる。そのため図27に示すように、シフトレジスタに対し、高電源電位(
VDD)、第1のクロック信号(CK1)乃至第4のクロック信号(CK4)、及びスタ
ートパルス等の制御信号が供給される期間、並びにそれら制御信号が供給されない期間が
存在する。なお図27に示す、期間T1は、制御信号が供給される期間、すなわち動画像
を表示する期間及びリフレッシュ動作を行う期間に相当する。また図27に示す期間T2
は、制御信号が供給されない期間、すなわち静止画を表示する期間に相当する。
と期間T2にわたる期間にかけて設けられている。また図27において、第1のクロック
信号(CK1)乃至第4のクロック信号(CK4)が供給される期間は、高電源電位(V
DD)が供給された後から、高電源電位(VDD)が停止する前までにかけて設けられて
いる。
K4)は、期間T1が始まる前には一旦高電位の信号としてから一定周期のクロック信号
の発振を開始し、期間T1が終わった後には低電位の信号としてからクロック信号の発振
を終了する構成とすればよい。
源電位(VDD)、第1のクロック信号(CK1)乃至第4のクロック信号(CK4)、
及びスタートパルス等の制御信号の供給を停止する。そして、制御信号の供給が停止する
期間においては、各トランジスタの導通または非導通を制御して動作しシフトレジスタよ
り出力されるパルス信号も停止する。そのため、シフトレジスタにおいて消費される電力
及び当該シフトレジスタによって駆動される画素部において消費される電力を低減するこ
とが可能になる。
め、定期的に行う必要がある。本実施の形態の液晶表示装置は、各画素が有する液晶素子
に印加する電圧を制御するスイッチング素子として、上述した酸化物半導体を具備するト
ランジスタを適用している。これにより、オフ電流を極端に低減することができるため、
各画素が有する液晶素子に印加される電圧の変動を低減することが可能である。つまり静
止画の表示により、シフトレジスタの動作が停止する期間が長期間に渡っても、画質の劣
化を低減することが可能である。一例としては、当該期間が3分であったとしても表示さ
れる静止画の品質を維持することが可能である。例えば、1秒間に60回の再書き込みを
行う液晶表示装置と、3分間に1回のリフレッシュ動作を行う液晶表示装置とを比較する
と約1/10000にまで消費電力を低減することが可能である。
)と等電位とすることである。また、高電源電位(VDD)の停止は、高電源電位が供給
される配線の、当該配線の電位を浮遊状態とすることであってもよい。
前に低電源電位(VSS)より高電源電位(VDD)に増加させる際には、当該配線の電
位の変化が緩やかに変化するように制御することが好ましい。当該配線の電位の変化の勾
配が急峻であると、当該電位の変化がノイズとなり、シフトレジスタから不正パルスが出
力される可能性がある。当該シフトレジスタが、ゲート線駆動回路が有するシフトレジス
タである場合、不正パルスは、トランジスタをオンさせる信号となる。そのため、当該不
正パルスによって、液晶素子に印加される電圧が変化し、静止画の画像が変化する可能性
があるためである。上述した内容を鑑み、図27では、高電源電位(VDD)となる信号
の立ち上がりが立ち下がりよりも緩やかになる例について図示している。特に、本実施の
形態の液晶表示装置においては、画素部において静止画を表示している際に、シフトレジ
スタに対する高電源電位(VDD)の供給の停止及び再供給が適宜行われる構成となる。
つまり、高電源電位(VDD)を供給する配線の電位の変化が、ノイズとして画素部に影
響した場合、当該ノイズは表示画像の劣化に直結する。そのため、本実施の形態の液晶表
示装置においては、当該配線の電位の変化(特に、電位の増加)がノイズとして画素部に
侵入しないよう制御することが重要となる。
信号の出力を停止するように駆動回路部を動作させることにより、画素部だけでなく駆動
回路部の消費電力も抑制することができる。
際、画像信号の保持特性に関して評価した結果について説明する。
液晶表示装置の写真から、実際に作製した液晶表示装置にて静止画表示が行われている様
子がわかる。
膜トランジスタ等の素子を裏面側から撮影した写真図を図29に示す。
信号線2902が直交して設けられている様子がわかる。またゲート線2901と平行な
位置に容量線2903が設けられている様子がわかる。また、ゲート線2901及び容量
線2903と、信号線2902とが重畳する領域には、寄生容量を減らすために別途絶縁
膜を設けており、図29ではコブ状の形で視認される。また本実施例で示す液晶表示装置
では、反射型の液晶表示装置について示しており、R(赤)のカラーフィルターに重畳し
た反射電極2904R、G(緑)のカラーフィルターに重畳した反射電極2904G、B
(青)のカラーフィルターに重畳した反射電極2904Bが確認される。また図29では
、ゲート線2901により制御される領域に、透光性を有する半導体層として酸化物半導
体であるIn-Ga-Zn-O系非単結晶膜が設けられており、薄膜トランジスタが形成
されている。
経過に応じた輝度変化についてのグラフを示す。
ることがわかる。そのため、静止画表示の際、定期的に同じ画像信号を供給する動作(図
中、refresh)を行い、一定の輝度を保持するようにすればよい。その結果、駆動
回路部を構成するトランジスタに電圧が印加される時間を大幅に削減することができる。
さらに駆動回路の経時劣化を大幅に遅らせることができるため、液晶表示装置の信頼性が
向上するといった効果が得られる。
101 配線
102 配線
103 酸化物半導体層
104 容量線
105 画素電極
106 薄膜トランジスタ
Claims (4)
- 開口部を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層と重なる領域と前記開口部と重なる領域とを有する半導体層と、
前記半導体層の上方に位置し、前記開口部と重なる領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に位置する絶縁層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有する第3の導電層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記第1の導電層と電気的に接続された第4の導電層と、を有し、
前記半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第1の導電層と重なる領域と、前記開口部と重なる領域と、を有し、
前記第4の導電層は、前記第3の導電層と同じ材料を有し、
前記第4の導電層は、配線として機能する領域を有し、
前記配線は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される、半導体装置。 - 開口部を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層と重なる領域と前記開口部と重なる領域とを有する半導体層と、
前記半導体層の上方に位置し、前記開口部と重なる領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に位置する絶縁層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有する第3の導電層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記第1の導電層と電気的に接続された第4の導電層と、を有し、
前記半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第1の導電層と重なる領域と、前記開口部と重なる領域と、を有し、
前記第4の導電層は、前記第3の導電層と同じ材料を有し、
前記第4の導電層は、配線として機能する領域を有し、
前記配線は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
平面視において、前記第4の導電層は、前記第1の導電層の端部を超えて延在する領域を有する、半導体装置。 - 開口部を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層と重なる領域と前記開口部と重なる領域とを有する半導体層と、
前記半導体層の上方に位置し、前記開口部と重なる領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に位置する絶縁層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有する第3の導電層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記第1の導電層と電気的に接続された第4の導電層と、を有し、
前記半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第1の導電層と重なる領域と、前記開口部と重なる領域と、を有し、
前記第4の導電層は、前記第3の導電層と同じ材料を有し、
前記第4の導電層は、前記開口部との重なりを有さず、
前記第4の導電層は、配線として機能する領域を有し、
前記配線は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される、半導体装置。 - 開口部を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層と重なる領域と前記開口部と重なる領域とを有する半導体層と、
前記半導体層の上方に位置し、前記開口部と重なる領域を有する第2の導電層と、
前記第2の導電層の上方に位置する絶縁層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有する第3の導電層と、
前記絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記第1の導電層と電気的に接続された第4の導電層と、を有し、
前記半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第1の導電層と重なる領域と、前記開口部と重なる領域と、を有し、
前記第4の導電層は、前記第3の導電層と同じ材料を有し、
前記第4の導電層は、前記開口部との重なりを有さず、
前記第4の導電層は、配線として機能する領域を有し、
前記配線は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
平面視において、前記第4の導電層は、前記第1の導電層の端部を超えて延在する領域を有する、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024024438A JP2024059774A (ja) | 2009-10-16 | 2024-02-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009238869 | 2009-10-16 | ||
JP2009238869 | 2009-10-16 | ||
JP2009279004 | 2009-12-08 | ||
JP2009279004 | 2009-12-08 | ||
JP2020126286A JP7072613B2 (ja) | 2009-10-16 | 2020-07-27 | 半導体装置 |
JP2022077495A JP7175411B2 (ja) | 2009-10-16 | 2022-05-10 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022077495A Division JP7175411B2 (ja) | 2009-10-16 | 2022-05-10 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024024438A Division JP2024059774A (ja) | 2009-10-16 | 2024-02-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023015219A JP2023015219A (ja) | 2023-01-31 |
JP7443466B2 true JP7443466B2 (ja) | 2024-03-05 |
Family
ID=43876063
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010229412A Active JP5937779B2 (ja) | 2009-10-16 | 2010-10-12 | 液晶表示装置 |
JP2012265885A Active JP5256374B2 (ja) | 2009-10-16 | 2012-12-05 | 表示装置 |
JP2015023023A Expired - Fee Related JP6013693B2 (ja) | 2009-10-16 | 2015-02-09 | 半導体装置 |
JP2016184939A Expired - Fee Related JP6244428B2 (ja) | 2009-10-16 | 2016-09-22 | 表示装置 |
JP2016247546A Withdrawn JP2017062509A (ja) | 2009-10-16 | 2016-12-21 | 表示装置 |
JP2018142217A Withdrawn JP2018180562A (ja) | 2009-10-16 | 2018-07-30 | 液晶表示装置 |
JP2020126286A Active JP7072613B2 (ja) | 2009-10-16 | 2020-07-27 | 半導体装置 |
JP2022077495A Active JP7175411B2 (ja) | 2009-10-16 | 2022-05-10 | 半導体装置 |
JP2022178654A Active JP7443466B2 (ja) | 2009-10-16 | 2022-11-08 | 半導体装置 |
JP2024024438A Pending JP2024059774A (ja) | 2009-10-16 | 2024-02-21 | 半導体装置 |
Family Applications Before (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010229412A Active JP5937779B2 (ja) | 2009-10-16 | 2010-10-12 | 液晶表示装置 |
JP2012265885A Active JP5256374B2 (ja) | 2009-10-16 | 2012-12-05 | 表示装置 |
JP2015023023A Expired - Fee Related JP6013693B2 (ja) | 2009-10-16 | 2015-02-09 | 半導体装置 |
JP2016184939A Expired - Fee Related JP6244428B2 (ja) | 2009-10-16 | 2016-09-22 | 表示装置 |
JP2016247546A Withdrawn JP2017062509A (ja) | 2009-10-16 | 2016-12-21 | 表示装置 |
JP2018142217A Withdrawn JP2018180562A (ja) | 2009-10-16 | 2018-07-30 | 液晶表示装置 |
JP2020126286A Active JP7072613B2 (ja) | 2009-10-16 | 2020-07-27 | 半導体装置 |
JP2022077495A Active JP7175411B2 (ja) | 2009-10-16 | 2022-05-10 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024024438A Pending JP2024059774A (ja) | 2009-10-16 | 2024-02-21 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8854286B2 (ja) |
JP (10) | JP5937779B2 (ja) |
KR (5) | KR101426723B1 (ja) |
TW (6) | TWI539220B (ja) |
WO (1) | WO2011046010A1 (ja) |
Families Citing this family (115)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8330492B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
KR101988819B1 (ko) | 2009-10-16 | 2019-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
KR101698751B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 장치 |
KR101426723B1 (ko) | 2009-10-16 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
MY158956A (en) | 2009-10-16 | 2016-11-30 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
WO2011049230A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage regulator circuit |
WO2011048945A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
KR101835155B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2018-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
KR20230173233A (ko) | 2009-11-13 | 2023-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
KR101501420B1 (ko) | 2009-12-04 | 2015-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
WO2011068025A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc converter circuit and power supply circuit |
KR101840623B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2018-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 |
KR101763660B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2017-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
WO2011077925A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device |
CN102714029B (zh) * | 2010-01-20 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的显示方法 |
WO2011089843A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
TWI525377B (zh) * | 2010-01-24 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
KR102135326B1 (ko) | 2010-01-24 | 2020-07-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR102008754B1 (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
KR101832119B1 (ko) | 2010-02-19 | 2018-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102754022B (zh) | 2010-02-26 | 2016-11-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置 |
DE112011101260T5 (de) | 2010-04-09 | 2013-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Ansteuern derselben |
US9697788B2 (en) | 2010-04-28 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9349325B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
US8698852B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
US8659015B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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- 2010-09-17 KR KR1020137009448A patent/KR101426723B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-17 KR KR1020177033303A patent/KR101865546B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-17 KR KR1020167032712A patent/KR101801540B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-17 KR KR1020187015262A patent/KR101962603B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-17 KR KR1020127012403A patent/KR101717460B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-17 WO PCT/JP2010/066627 patent/WO2011046010A1/en active Application Filing
- 2010-10-05 TW TW104124248A patent/TWI539220B/zh active
- 2010-10-05 TW TW107119798A patent/TWI671579B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-10-05 TW TW105132213A patent/TWI607266B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-10-05 TW TW099133859A patent/TWI518663B/zh active
- 2010-10-05 TW TW105110571A patent/TWI606288B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-10-05 TW TW106114988A patent/TWI633377B/zh active
- 2010-10-08 US US12/901,023 patent/US8854286B2/en active Active
- 2010-10-12 JP JP2010229412A patent/JP5937779B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-05 JP JP2012265885A patent/JP5256374B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-04 US US14/477,172 patent/US9368082B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-09 JP JP2015023023A patent/JP6013693B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-04-21 US US15/134,937 patent/US9959822B2/en active Active
- 2016-09-13 US US15/264,014 patent/US20170004788A1/en not_active Abandoned
- 2016-09-22 JP JP2016184939A patent/JP6244428B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-21 JP JP2016247546A patent/JP2017062509A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-11-28 US US15/824,343 patent/US10565946B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-07-30 JP JP2018142217A patent/JP2018180562A/ja not_active Withdrawn
-
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- 2020-07-27 JP JP2020126286A patent/JP7072613B2/ja active Active
-
2022
- 2022-05-10 JP JP2022077495A patent/JP7175411B2/ja active Active
- 2022-11-08 JP JP2022178654A patent/JP7443466B2/ja active Active
-
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- 2024-02-21 JP JP2024024438A patent/JP2024059774A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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