JP5305731B2 - 半導体素子の閾値電圧の制御方法 - Google Patents
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Description
Yabuta et al.,Appl.Phys.Lett.,89,112123(2006). Riedl et al,Phys.Stat.Sol.,1,175(2007). Kim et al.,International ElectronDevice Meeting 2006(IEDM’06),11−13,1(2006) Barquinha et al.,J.Non−Cryst.Sol.,352,1756(2006).
工程(b):測定した閾値電圧に基づいて、半導体に照射する光の照射強度、照射時間又は波長を決定する工程
工程(c):決定した条件にしたがって、光を半導体に照射する工程
・所定のVgsでの、IdsのVgsによる微分
・所定のVgsを印加(例えばパルス電圧等を印加)している間の、所定の期間におけるIdsの時間積分(時間積分値)
・所定の範囲でVgsを掃引(例えば三角波等を印加する)したときのIdsの時間積分(時間積分値)
TFTチャネル層であるアモルファスIGZO膜の物性を次のように評価する。
TFTを以下の手順で作製する。該TFTの断面図を図3に示す。
このTFTについて電気的ストレスによる閾値電圧変化を評価する。電気的ストレスとしては、このTFTにVgs=+20V・ドレイン−ソース電圧Vds=+0.1Vを1800秒間印加する。電気的ストレス印加前後の伝達特性を図4に示す。TFT特性は下記のとおりであった。
(ストレス後)Vth=4.8V、μsat=13.1cm2・V−1・s−1、S=0.39V・dec−1
前記〈2〉と同様のTFTを4試料作製し、それぞれについて、Vds=+20Vにて暗所で伝達特性を測定した。次に、それぞれのTFTに電気的ストレスとしてVds=+0.1V、Vgs=+20Vの電圧を1800秒間印加した。その間、TFTによって異なる下記各条件で単色光を1800秒間照射した。
(A−2)400nm、0.02mW/cm2
(A−3)400nm、0.2mW/cm2
(A−4)600nm、0.2mW/cm2
以下に示すように、アモルファスIGZO−TFTに光を照射した場合、光照射を止めた後でも光照射前と比べて閾値電圧が変化する。
ロ)暗所で電気的ストレスとしてVds=+20V、Vgs=+20Vの電圧を3600秒間印加した。
ハ)暗所で同様に伝達特性(B−2)を測定した。
ニ)(400nm、0.02mW・cm−2、100s)の条件で単色光を照射した。
ホ)暗所で伝達特性(B−3)を測定した。
ヘ)(400nm、0.2mW・cm−2、100s)の条件で単色光を照射した。
ト)暗所で伝達特性(B−4)を測定した。
このTFTにおける閾値電圧変化の波長依存性を、下記の方法でさらに詳細に調査した。キセノンランプからの光を回折格子分光器に導き単色化した光をTFTのチャネル側に照射した。分光器の光学的スリット幅は24nmであった。照射強度は各波長において0.2mW・cm−2となるように、光路に挿入したニュートラルデンシティ(ND)フィルタの濃度を調整した。
本実施例では、以下の手順により、ガラス基板上に逆スタガ型アモルファスIGZO−TFTを作製した。このTFTの断面図を図9に示す。
本実施例では、実施例1の半導体装置に外部回路を追加した系を構築した。接続関係を図13に概念的に示す。
(2)その後、TFT駆動回路をTFTから切断し、Vth測定回路をTFTに接続してVthを測定する。TFT駆動回路によってTFTに印加された電気的ストレスにより、VthはVth1=Vth0+ΔV1となっており、ΔV1(>0)だけシフトしている。
(3)発光ダイオード制御回路はこのΔV1をもとにメモリを参照して発光ダイオードに印加する電流の大きさを決め、期間t2(秒)にわたって所定の輝度で発光ダイオードを点灯させ、その後消灯する。点灯輝度は図14(ii)のようになる。
本実施例では、経時変化による半導体素子の閾値電圧の変化を光照射により抑制した。
本実施例では、半導体素子に照射する光の波長によって閾値電圧の変化量を調節した。
本実施例では、閾値電圧を変化させたい素子とは別に、閾値電圧測定用の参照素子を備える装置の例を作製した。
(2)期間t2(秒)にわたってVth測定回路により参照用TFT301のVthを測定する。発光ダイオード制御回路は参照用TFTのVthの時間変化率をもとにメモリを参照し、発光ダイオード500の点灯状態を変化させる。一方この間、TFT駆動回路は任意の動作をしていてよい。例えば、手順(1)と同様の所望の動作を続けていてもよい。t1>>t2とすることにより、参照用TFT301のVthはTFT300のVthと実質的に常に等しい。
本実施例では、実施例2で示した半導体装置を並列に多数配列した半導体装置を、実施例2と同様に駆動した。
上記の実施例2から6のVth測定回路は、TFTのVthそのものの代わりに、Vthに準ずる情報を出力できる簡易な回路で代用できる。回路の一例と、その駆動タイミングチャートをそれぞれ図23、図24に示す。
本実施例では、実施例2から6のいずれかと実施例7とを組み合わせた実施例において、発光ダイオード制御回路を特定の構成とすることでメモリを省略した。
本実施例では、電界発光素子を駆動する装置に本発明を適用する場合、半導体素子の閾値電圧ではなく電界発光素子の発光強度を半導体素子の閾値電圧制御のための入力量とした。
200 光源
210 光
300 TFT
301 参照用TFT
307 リセットTFT
308 スイッチTFT
309 駆動TFT
311 ゲート絶縁膜
312 ゲート電極
321 ソース電極
322 ドレイン電極
330 チャネル層
400 基板
500 発光ダイオード
501 発光ダイオード1
502 発光ダイオード2
600 有機発光ダイオード(OLED)
800 フォトダイオード
910 定電圧電源
930 負荷容量
931 読み出し容量
991 OLED劣化前のOLED600の電流電圧特性
992 OLED劣化前の駆動TFT309の出力特性
993 OLED劣化後のOLED600の電流電圧特
994 光照射後の駆動TFT309の出力特性
998 OLED発光強度読み出し回路
999 画素回路
Claims (4)
- 少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子と、該半導体素子によって駆動される電界発光素子と、を少なくとも含む半導体装置における該半導体素子の閾値電圧の制御方法であって、
半導体素子の閾値電圧の指標となる特性値を測定する工程と、前記特性値に基づいて前記半導体に照射する光の照射強度、照射時間又は波長を決定する工程と、
前記照射強度、照射時間又は波長が決定された前記光を前記半導体に照射することにより前記半導体素子の閾値電圧を減少させる工程と、
を含み、前記特性値は、前記電界発光素子の発光強度であることを特徴とする半導体素子の閾値電圧の制御方法。 - 前記半導体装置は、複数の半導体素子を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の閾値電圧の制御方法。
- 前記半導体素子は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、チャネル層、ゲート絶縁膜から少なくともなり、前記半導体は該チャネル層であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子の閾値電圧の制御方法。
- 前記半導体装置が有する前記電界発光素子は、有機ELであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体素子の閾値電圧の制御方法。
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