JP6863199B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
このような形態のプラズマ処理装置であれば、周縁部のうち、ワークと対向する部位は絶縁層で覆われているので、ワークと真空容器との間に電圧を印加してワークに対してプラズマ処理を行いつつ、ワークと周縁部との間で異常放電が発生することを抑制することができる。
この形態によれば、周縁部に次いでワークに近接する電極部分である側部と、ワークと、の間で異常放電が発生することを抑制することができる。
この形態によれば、プラズマ処理時に発生する異物等が絶縁層の表面に付着した場合であっても、絶縁層を真空容器から取り外して交換・清掃することができる。そのため、絶縁層の表面に異物が堆積することによる異常放電の発生を抑制することができる。
この形態によれば、ワークの表側及び裏側をプラズマ処理しつつ、ワークと周縁部との間で異常放電が発生することを抑制することができる。
図1は、第一実施形態におけるプラズマ処理装置200の構成を示す概略断面図である。図2は、プラズマ処理装置200の分解斜視図である。図1及び図2には、相互に略直交するXYZ軸が図示されている。なお、略直交とは、90°±20°の範囲を含む。本実施形態では、Y方向は略鉛直方向であり、X方向は略水平方向である。Z方向は略鉛直方向及び略水平方向に垂直な方向である。このことは、以降の図においても同様である。
図6は、第2実施形態におけるプラズマ処理装置200aの部分拡大断面図である。図6には、プラズマ処理装置200aにおいて、図1に示すX1に対応する箇所が示されている。第2実施形態のプラズマ処理装置200aが第1実施形態のプラズマ処理装置200と異なる点は、絶縁層41aが、第1周縁部111のうちワークWと対向する部位に加え、側部112の表面を覆う点である。また、絶縁層42aが、第2周縁部121のうちワークWと対向する部位に加え、側部122の表面を覆う点である。絶縁層41aは、第1周縁部111及び側部112に対する絶縁物のコーティングによって形成されており、絶縁層42aは、第2周縁部121及び側部122に対する絶縁物のコーティングによって形成されている。プラズマ処理装置200aのその他の構成は、第1実施形態のプラズマ処理装置200と同様であるため、説明を省略する。
以下、第3実施形態から第5実施形態では、プラズマ処理装置の他の構成について説明する。図7は、第3実施形態におけるプラズマ処理装置200mを示す図である。本実施形態においても、第1実施形態と同様に第1周縁部111m、第2周縁部121mのうち、ワークWと対向する部位は、絶縁層41、42で覆われている。第3実施形態のプラズマ処理装置200mが第1実施形態のプラズマ処理装置200と異なる点は、第1の型110mの第1窪み部114mと第1周縁部111mとの接続箇所Q1及び第2の型120mの第2窪み部124mと第2周縁部121mとの接続箇所Q2から、ワークWと絶縁部材30との接触点P1、P2までの第1周縁部111mに沿った最短距離が、0(ゼロ)である点である。本実施形態では、真空容器100mにおける接続箇所Q2と接触点P2とは、同一のYZ平面に位置している。また、上述の第1実施形態と同様に、接触点P1と第1周縁部111mとの距離は、ワークWと第1窪み部114mの底部113mとの距離よりも小さい。また、接触点P2と第2周縁部121mとの距離は、ワークWと第2窪み部124mの底部123mとの距離よりも小さい。本実施形態のプラズマ処理装置200mによっても、上述の第1実施形態と同様に、異常放電の発生を抑制することができる。
図8は、第4実施形態におけるプラズマ処理装置200bを示す図である。本実施形態のプラズマ処理装置200bは、第1実施形態のプラズマ処理装置200とは異なり、ワークWの片側のみにプラズマ処理を行う。真空容器100bは、第2の型120を備えておらず、パレット130b上に絶縁部材30bが接触し、絶縁部材30b上に下側マスキング部材22bが接触し、下側マスキング部材22b上に処理対象物10の裏側の全面が接触し、処理対象物10の表側の非処理対象部分10B上に上側マスキング部材21bが接触する。プラズマ処理装置200bでは、絶縁性のシール部材61が保持部材に相当する。本実施形態においても、第1実施形態と同様に、第1周縁部111のうち、ワークWと対向する部位は絶縁層41bで覆われている。また、本実施形態においても、ワークWと絶縁部材30bとの接触箇所P1bと、第1周縁部111と、の距離は、ワークWと第1窪み部114の底部113との距離よりも小さい。第4実施形態におけるプラズマ処理装置200bのその他の構成は第1実施形態と同様である。本実施形態のプラズマ処理装置200bによっても、上述の第1実施形態と同様に、異常放電の発生を抑制することができる。
図9は、第5実施形態におけるプラズマ処理装置200nを示す図である。プラズマ処理装置200nは、パレット130、絶縁部材30を備えておらず、ワークWが搬送装置55によって真空容器100内に搬送される。本実施形態では、ワークWは処理対象物10nであり、上述の実施形態と異なりマスキング部材21、22を含んでいない。処理対象部分10nAは、第1窪み部114内及び第2窪み部124内に配置され、非処理対象部分10nBは、第1周縁部111と第2周縁部121との間に配置される。プラズマ処理装置200nでは、絶縁性のシール部材61n、62nが、第1周縁部111と第2周縁部121との間でワークWに接触し、ワークWを第1周縁部111と第2周縁部121から離間しつつ絶縁して保持する。プラズマ処理装置200nでは、シール部材61n、62nが保持部材に相当する。シール部材61nは、第1の型110の第1周縁部111及び処理対象物10nの非処理対象部分10nBに接触している。シール部材62nは、第2の型120の第2周縁部121及び非処理対象部分10nBに接触している。本実施形態においても、第1実施形態と同様に第1周縁部111のうち、ワークWと対向する部位は、絶縁層41nで覆われており、第2周縁部121のうち、ワークWと対向する部位は、絶縁層42nで覆われている。また、図9には、ワークWとシール部材61nとの接触点P1nと、ワークWとシール部材62nとの接触点P2nと、が示されている。本実施形態においても、上述の実施形態と同様に、接触点P1nと第1周縁部111との距離は、ワークWと第1窪み部114の底部113との距離よりも小さい。また、接触点P2nと第2周縁部121との距離は、ワークWと第2窪み部124の底部123との距離よりも小さい。本実施形態のプラズマ処理装置200nによっても、上述の第1実施形態と同様に異常放電の発生を抑制することができる。
上述の種々の実施形態における、絶縁層41、42、41a、42a、41n、42nは、真空容器100、100b、100mから取り外し可能なように構成されていてもよい。例えば、凸部を有し、焼結された絶縁体を用意する。この絶縁体の凸部が嵌め込み可能なように、第1周縁部111、111m、第2周縁部121、121mに凹部を設けてもよい。こうすることによって、ワークWのうち、第1周縁部111、111m、第2周縁部121、121mと対向する部位が、絶縁層で覆われるようにしてもよい。側部112、122についても、絶縁体の凸部が嵌め込み可能な凹部を設けてもよい。また、絶縁体と、第1周縁部111、111m、第2周縁部121、121mと、に固定用の螺旋穴を設け、焼結された絶縁体と、第1周縁部111、111m、第2周縁部121、121mとを、絶縁性の螺旋で固定するようにしてもよい。同様に、絶縁体と側部112、122とに固定用の螺旋穴を儲け、焼結された絶縁体と、側部112、122とを、絶縁性の螺旋で固定するようにしてもよい。
上述の第1実施形態から第4実施形態において、絶縁層41、41bは、第1周縁部111、111mのうち、ワークWと対向する部位に形成されていればよく、絶縁部材30、30bに対向する部位に形成されていなくともよい。同様に、絶縁層42は、第2周縁部121、121mのうち、ワークWと対向する部位に形成されていればよく、絶縁部材30やパレット130に対向する部位に形成されていなくともよい。このようにしても、ワークWと真空容器100、100mとの間に電圧を印加してワークWをプラズマ処理しつつ、ワークWと第1周縁部111、111mとの間で異常放電が発生することを抑制することができる。また、ワークWと第2周縁部121、121mとの間で異常放電が発生することを抑制することができる。
10A、10nA…処理対象部分
10B、10nB…非処理対象部分
21、22、21b、22b…マスキング部材
30、30b絶縁部材
35…絶縁部材
41、42、41a、42a、41b、41n、42n…絶縁層
50…開閉装置
55…搬送装置
61、61n、62、62n…シール部材
70…電圧印加部
71…導入部
80…ガス供給装置
81…供給口
90…排気装置
91…排気口
95…制御部
100、100b、100m…真空容器
110、110m…第1の型
111、111m…第1周縁部
112…側部
113、113m…底部
114、114m…第1窪み部
120、120m…第2の型
121、121m…第2周縁部
122…側部
123、123m…底部
124、124m…第2窪み部
130、130b…パレット
130t…縁部
200、200a、200b、200m、200n…プラズマ処理装置
A1、A2、B1、B2、C…距離
P1、P1b、P1n、P2、P2n…接触点
Q2…接続箇所
W…ワーク
Claims (4)
- 導電性を有する平板状のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記ワークの少なくとも片側の処理対象部分が配置される窪み部と、前記窪み部の外側に前記窪み部から連続的に設けられた周縁部と、を有する導電性の真空容器と、
前記周縁部に対して、前記ワークを離間しかつ絶縁して保持する保持部材と、
前記ワークと前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、
前記周縁部のうち、前記ワークと対向する部位を覆う絶縁層と、を備える、
プラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記窪み部は、底部と、前記底部と前記周縁部とを接続する側部と、を備え、
前記絶縁層は、さらに、前記側部を覆う、プラズマ処理装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記絶縁層は、前記真空容器から取り外し可能である、プラズマ処理装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
前記窪み部は、前記ワークの表側と裏側とに対応して設けられた第1窪み部と第2窪み部と、を有する、プラズマ処理装置。
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Family Cites Families (194)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4389970A (en) | 1981-03-16 | 1983-06-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Apparatus for regulating substrate temperature in a continuous plasma deposition process |
US4379181A (en) | 1981-03-16 | 1983-04-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for plasma deposition of amorphous materials |
US4542711A (en) | 1981-03-16 | 1985-09-24 | Sovonics Solar Systems | Continuous system for depositing amorphous semiconductor material |
US4369730A (en) | 1981-03-16 | 1983-01-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Cathode for generating a plasma |
JPS57204547A (en) | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
US4718340A (en) | 1982-08-09 | 1988-01-12 | Milliken Research Corporation | Printing method |
JPS60196942A (ja) | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法 |
US4915057A (en) | 1985-10-23 | 1990-04-10 | Gte Products Corporation | Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns |
US4920917A (en) | 1987-03-18 | 1990-05-01 | Teijin Limited | Reactor for depositing a layer on a moving substrate |
JPH06459Y2 (ja) | 1988-06-15 | 1994-01-05 | 新日本無線株式会社 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
US5063951A (en) | 1990-07-19 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Fluid treatment device |
JPH05163575A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Nec Corp | 薄膜の形成方法 |
DE4301189C2 (de) | 1993-01-19 | 2000-12-14 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
US5354413A (en) | 1993-03-18 | 1994-10-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electrode position controller for a semiconductor etching device |
JPH07199450A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Kyodo Printing Co Ltd | 小型の金属薄膜形成装置 |
AU2003195A (en) | 1994-06-21 | 1996-01-04 | Boc Group, Inc., The | Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines |
US6004617A (en) | 1994-10-18 | 1999-12-21 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
JP2956494B2 (ja) | 1994-10-26 | 1999-10-04 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH09190899A (ja) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及びその装置 |
JPH1021586A (ja) | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Sony Corp | Dcスパッタリング装置 |
JP3113836B2 (ja) * | 1997-03-17 | 2000-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3317209B2 (ja) | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
EP0908923B1 (en) * | 1997-10-10 | 2003-04-02 | European Community | Apparatus to produce large inductive plasma for plasma processing |
US6419751B1 (en) | 1999-07-26 | 2002-07-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US6232236B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system |
JP5165825B2 (ja) | 2000-01-10 | 2013-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 分割された電極集合体並びにプラズマ処理方法。 |
TW492054B (en) | 2000-03-09 | 2002-06-21 | Semix Inc | Wafer processing apparatus and method |
US7141757B2 (en) | 2000-03-17 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode having a resonance that is virtually pressure independent |
JP4439665B2 (ja) | 2000-03-29 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマcvd装置 |
JP4754757B2 (ja) | 2000-03-30 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板のプラズマ処理を調節するための方法、プラズマ処理システム、及び、電極組体 |
US6432577B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-08-13 | Sandia Corporation | Apparatus and method for fabricating a microbattery |
WO2002007184A2 (en) | 2000-07-13 | 2002-01-24 | Tokyo Electron Limited | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
DE10034083C1 (de) | 2000-07-13 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicher mit wahlfreiem Zugeriff mit reduziertem Signalüberkoppeln |
AU2001279189A1 (en) | 2000-08-08 | 2002-02-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus |
TW533503B (en) | 2000-09-14 | 2003-05-21 | Nec Electronics Corp | Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same |
TWI221625B (en) | 2000-10-30 | 2004-10-01 | Hitachi Ltd | Control apparatus for machine using plasma |
US6706142B2 (en) | 2000-11-30 | 2004-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for enhancing plasma processing of a semiconductor substrate |
JP2002208563A (ja) | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Ebara Corp | 被加工物の加工装置及び加工方法 |
JP3890258B2 (ja) | 2001-05-28 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 電子源の製造方法、および、電子源の製造装置 |
CA2426641C (en) | 2001-08-24 | 2010-10-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Multi-face forming mask device for vacuum deposition |
KR100442194B1 (ko) | 2002-03-04 | 2004-07-30 | 주식회사 씨싸이언스 | 웨이퍼 건식 식각용 전극 |
US20030168009A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Denes Ferencz S. | Plasma processing within low-dimension cavities |
JP4020679B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-12-12 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
US7927424B2 (en) | 2002-04-22 | 2011-04-19 | Stmicroelectronics, Inc. | Padded clamp ring with edge exclusion for deposition of thick AlCu/AlSiCu/Cu metal alloy layers |
US20050178401A1 (en) | 2002-04-26 | 2005-08-18 | Boyers David G. | Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution III |
US20050211167A1 (en) | 2002-06-10 | 2005-09-29 | Tokyo Electron Limited | Processing device and processing method |
US6830650B2 (en) | 2002-07-12 | 2004-12-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments |
US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
US20040142558A1 (en) | 2002-12-05 | 2004-07-22 | Granneman Ernst H. A. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
US7183716B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-02-27 | Veeco Instruments, Inc. | Charged particle source and operation thereof |
JP4122004B2 (ja) | 2003-05-12 | 2008-07-23 | 株式会社ソスル | プラズマエッチングチャンバーと、これを用いたプラズマエッチングシステ厶 |
KR100585089B1 (ko) | 2003-05-27 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법 |
JP4418193B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 |
US7405521B2 (en) | 2003-08-22 | 2008-07-29 | Lam Research Corporation | Multiple frequency plasma processor method and apparatus |
US7128806B2 (en) | 2003-10-21 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Mask etch processing apparatus |
US7022627B2 (en) | 2003-10-31 | 2006-04-04 | Asm International N.V. | Method for the heat treatment of substrates |
US20050133166A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Tuned potential pedestal for mask etch processing apparatus |
US7700155B1 (en) | 2004-04-08 | 2010-04-20 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for modulation of precursor exposure during a pulsed deposition process |
JP4527431B2 (ja) | 2004-04-08 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR100532354B1 (ko) | 2004-05-31 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법 |
US20060165994A1 (en) | 2004-07-07 | 2006-07-27 | General Electric Company | Protective coating on a substrate and method of making thereof |
US20060086321A1 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Advantech Global, Ltd | Substrate-to-mask alignment and securing system with temperature control for use in an automated shadow mask vacuum deposition process |
WO2006054663A1 (ja) | 2004-11-22 | 2006-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | 基板保持装置および基板処理装置ならびに液晶表示装置 |
US7602127B2 (en) | 2005-04-18 | 2009-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source |
KR20060117794A (ko) | 2005-05-13 | 2006-11-17 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조용 열처리 장치 |
KR100761687B1 (ko) | 2005-06-10 | 2007-09-28 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를구비한 플라즈마처리장치 |
JP4845447B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-12-28 | トヨタ自動車株式会社 | はんだ付け装置およびはんだ付けされた装置の製造方法 |
WO2007016688A1 (en) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | New Way Machine Components, Inc. | A method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner |
US7909960B2 (en) | 2005-09-27 | 2011-03-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer |
JP5161450B2 (ja) | 2005-09-30 | 2013-03-13 | 財団法人高知県産業振興センター | プラズマcvd装置及びプラズマ表面処理方法 |
US20080179948A1 (en) | 2005-10-31 | 2008-07-31 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
US8815014B2 (en) | 2005-11-18 | 2014-08-26 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing different deposition processes within a single chamber |
JP5070716B2 (ja) | 2006-03-09 | 2012-11-14 | トヨタ自動車株式会社 | セパレータ製造方法およびセパレータ |
US7737035B1 (en) | 2006-03-31 | 2010-06-15 | Novellus Systems, Inc. | Dual seal deposition process chamber and process |
US9184043B2 (en) | 2006-05-24 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Edge electrodes with dielectric covers |
US7740736B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-06-22 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber |
US7829815B2 (en) | 2006-09-22 | 2010-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable electrodes and coils for plasma density distribution control |
US7795817B2 (en) | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
US8101052B2 (en) | 2006-11-27 | 2012-01-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable anode assembly for a substrate wet processing apparatus |
WO2008065804A1 (fr) | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Appareil et procédé permettant la fabrication d'un élément semi-conducteur et élément semi-conducteur fabrique par le procédé |
WO2008069259A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device |
US7993457B1 (en) | 2007-01-23 | 2011-08-09 | Novellus Systems, Inc. | Deposition sub-chamber with variable flow |
US8580078B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with vacuum chuck |
US8398778B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-03-19 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
US7943007B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-05-17 | Lam Research Corporation | Configurable bevel etcher |
DE102007022431A1 (de) | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Leybold Optics Gmbh | Behandlungssystem für flache Substrate |
US7824519B2 (en) | 2007-05-18 | 2010-11-02 | Lam Research Corporation | Variable volume plasma processing chamber and associated methods |
JP4241859B2 (ja) | 2007-07-19 | 2009-03-18 | トヨタ自動車株式会社 | パワーモジュールの製造方法、パワーモジュール、車両用インバータ、及び車両 |
JP5077748B2 (ja) | 2007-09-06 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 成膜装置 |
JP5329099B2 (ja) | 2008-01-22 | 2013-10-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びその運転方法 |
US20090194026A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Burrows Brian H | Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices |
TWI501704B (zh) | 2008-02-08 | 2015-09-21 | Lam Res Corp | 於電漿處理系統中用以改變面積比之方法與裝置 |
US8609545B2 (en) | 2008-02-14 | 2013-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to improve mask critical dimension uniformity (CDU) |
US7767986B2 (en) | 2008-06-20 | 2010-08-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling beam current uniformity in an ion implanter |
US20100000684A1 (en) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Jong Yong Choi | Dry etching apparatus |
US8161906B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US20100123502A1 (en) | 2008-07-09 | 2010-05-20 | Bhutta Imran A | System for providing a substantially uniform potential profile |
WO2010021539A1 (en) | 2008-08-20 | 2010-02-25 | Vision Dynamics Holding B.V. | Device for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
EP2159304A1 (en) | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition |
CN102150251B (zh) * | 2008-09-08 | 2013-06-19 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
US8382941B2 (en) | 2008-09-15 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods |
DE102009020436A1 (de) | 2008-11-04 | 2010-09-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats |
WO2010055876A1 (ja) | 2008-11-14 | 2010-05-20 | 株式会社アルバック | 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法 |
US8262923B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-09-11 | Lam Research Corporation | High pressure bevel etch process |
US8323523B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-12-04 | Lam Research Corporation | High pressure bevel etch process |
US8869741B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
KR101303968B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2013-09-05 | 가부시키가이샤 아루박 | 플라즈마 처리 장치 |
US8747963B2 (en) | 2009-01-23 | 2014-06-10 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for diamond film growth |
US8040068B2 (en) | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
US8287648B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
US20100221426A1 (en) | 2009-03-02 | 2010-09-02 | Fluens Corporation | Web Substrate Deposition System |
JP4523661B1 (ja) | 2009-03-10 | 2010-08-11 | 三井造船株式会社 | 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 |
JP5146402B2 (ja) | 2009-05-19 | 2013-02-20 | トヨタ自動車株式会社 | 炭素粒子含有被膜の成膜方法、伝熱部材、パワーモジュール、及び車両用インバータ |
WO2010134354A1 (ja) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | 昭和電工Hdシンガポール ピーティイー リミテッド | 炭素膜の形成方法、磁気記録媒体の製造方法及び炭素膜の形成装置 |
US8659335B2 (en) | 2009-06-25 | 2014-02-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for controlling radio frequency power |
US20110076848A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-03-31 | Amitava Datta | Semiconductor process chamber and seal |
CN103597119B (zh) | 2009-07-08 | 2017-03-08 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于等离子体处理的装置和方法 |
EP2281921A1 (en) | 2009-07-30 | 2011-02-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition. |
CN102239544A (zh) | 2009-09-17 | 2011-11-09 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理装置用气体供给机构 |
JP5589329B2 (ja) | 2009-09-24 | 2014-09-17 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体からなる半導体装置、電力変換装置 |
US20110094994A1 (en) | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma apparatus |
US20110097901A1 (en) | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly |
US20110143019A1 (en) | 2009-12-14 | 2011-06-16 | Amprius, Inc. | Apparatus for Deposition on Two Sides of the Web |
WO2011077746A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 株式会社豊田中央研究所 | 配向性非晶質炭素膜およびその形成方法 |
DE112010004990B4 (de) | 2009-12-25 | 2020-01-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bipolarplatte für eine Brennstoffzelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP5606063B2 (ja) | 2009-12-28 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP2362001A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-08-31 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and device for layer deposition |
JP5812606B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US8314561B2 (en) | 2010-04-02 | 2012-11-20 | Mks Instruments, Inc. | Multi-channel radio frequency generator |
EP2455512B1 (en) | 2010-05-10 | 2013-11-20 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Masking jig, substrate heating apparatus, and film formation method |
KR101512251B1 (ko) | 2010-08-05 | 2015-04-14 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | 이차 전지 |
DE102010048810A1 (de) | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | System zur Bedienung mehrerer Plasma- und/oder Induktionserwärmungsprozesse |
US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
EP2481832A1 (en) | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition |
EP2481833A1 (en) | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition |
EP2481830A1 (en) | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition. |
US20140037853A1 (en) | 2011-02-18 | 2014-02-06 | Veeco Ald Inc. | Depositing thin layer of material on permeable substrate |
US8900403B2 (en) | 2011-05-10 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources |
NL2007114C2 (en) | 2011-07-14 | 2013-01-15 | Levitech B V | Floating substrate monitoring and control device, and method for the same. |
CN103094038B (zh) | 2011-10-27 | 2017-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
EP3029453B1 (en) | 2011-11-01 | 2018-11-14 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Method for evaluating rebound resilience of polymer material |
US9263240B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Dual zone temperature control of upper electrodes |
US9396908B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling a plasma edge region |
US8998553B2 (en) | 2011-12-07 | 2015-04-07 | Intevac, Inc. | High throughput load lock for solar wafers |
US20130153536A1 (en) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial processing using a remote plasma source |
US20130176691A1 (en) | 2012-01-10 | 2013-07-11 | Hzo, Inc. | Masks for use in applying protective coatings to electronic assemblies, masked electronic assemblies and associated methods |
FI123320B (en) | 2012-02-17 | 2013-02-28 | Beneq Oy | Nozzle and nozzle head |
CN104011269B (zh) | 2012-02-23 | 2016-11-02 | 丰田自动车株式会社 | 金属被膜的成膜装置和成膜方法 |
JP2013206652A (ja) | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Nissin Electric Co Ltd | アンテナ装置、それを備えるプラズマ処理装置およびスパッタリング装置 |
NL2008592C2 (en) | 2012-04-03 | 2013-10-07 | Solaytec B V | Method for producing a photocell. |
EP2839052A4 (en) | 2012-04-19 | 2015-06-10 | Intevac Inc | DOUBLE MASK ARRANGEMENT FOR MANUFACTURING SOLAR CELL |
US10679883B2 (en) | 2012-04-19 | 2020-06-09 | Intevac, Inc. | Wafer plate and mask arrangement for substrate fabrication |
TWI518832B (zh) | 2012-04-26 | 2016-01-21 | 因特瓦克公司 | 真空處理系統架構 |
US10062600B2 (en) | 2012-04-26 | 2018-08-28 | Intevac, Inc. | System and method for bi-facial processing of substrates |
US9161428B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor |
US20130337657A1 (en) | 2012-06-19 | 2013-12-19 | Plasmasi, Inc. | Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates |
KR20130142869A (ko) | 2012-06-20 | 2013-12-30 | 주식회사 엠티에스나노테크 | 원자층 증착 장치 및 방법 |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
AT513190B9 (de) * | 2012-08-08 | 2014-05-15 | Berndorf Hueck Band Und Pressblechtechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabeschichtung eines Substrats, insbesondere eines Pressblechs |
DE102012016690A1 (de) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Mankiewicz Gebr. & Co. Gmbh & Co. Kg | Elektronenstrahlhärtbare Inkjet-Tinten und deren Verwendung in Inkjet-Druckverfahren |
US20140175055A1 (en) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Adjustable coil for inductively coupled plasma |
US11326255B2 (en) | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
JP5432396B1 (ja) | 2013-02-28 | 2014-03-05 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及びインジェクタ |
EP2969134A1 (en) | 2013-03-14 | 2016-01-20 | MKS Instruments, Inc. | Toroidal plasma abatement apparatus and method |
NL2010893C2 (en) | 2013-05-30 | 2014-12-02 | Solaytec B V | Injector head for atomic layer deposition. |
US9581741B1 (en) | 2013-05-31 | 2017-02-28 | Itn Energy Systems, Inc. | Infrared control coating of thin film devices |
JP5995205B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2016-09-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置、および、プラズマ処理方法 |
US10937634B2 (en) | 2013-10-04 | 2021-03-02 | Lam Research Corporation | Tunable upper plasma-exclusion-zone ring for a bevel etcher |
JP5895929B2 (ja) | 2013-12-25 | 2016-03-30 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
KR102330725B1 (ko) | 2014-01-21 | 2021-11-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 저압 툴 교체를 허용하는 얇은 필름 캡슐화 프로세싱 시스템 및 프로세스 키트 |
JP6286215B2 (ja) | 2014-01-28 | 2018-02-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10269573B2 (en) | 2014-03-31 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Device and method for manufacturing a semiconductor structure |
JP5995906B2 (ja) | 2014-05-19 | 2016-09-21 | 株式会社豊田中央研究所 | 隔膜の製造方法、及び金属被膜の製造方法 |
JP6119707B2 (ja) | 2014-09-25 | 2017-04-26 | トヨタ自動車株式会社 | 燃料電池および燃料電池の製造方法 |
JP6354539B2 (ja) | 2014-11-25 | 2018-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体 |
JP6050860B1 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-21 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ原子層成長装置 |
KR102380156B1 (ko) | 2015-06-30 | 2022-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
US9721758B2 (en) | 2015-07-13 | 2017-08-01 | Mks Instruments, Inc. | Unified RF power delivery single input, multiple output control for continuous and pulse mode operation |
KR102420015B1 (ko) | 2015-08-28 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | Cs-ald 장치의 샤워헤드 |
US10373794B2 (en) | 2015-10-29 | 2019-08-06 | Lam Research Corporation | Systems and methods for filtering radio frequencies from a signal of a thermocouple and controlling a temperature of an electrode in a plasma chamber |
US9515633B1 (en) | 2016-01-11 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers |
JP6384493B2 (ja) | 2016-01-21 | 2018-09-05 | トヨタ自動車株式会社 | シリンダヘッドの製造方法 |
JP6288116B2 (ja) | 2016-01-21 | 2018-03-07 | トヨタ自動車株式会社 | シリンダヘッドの製造方法 |
US9953843B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Chamber for patterning non-volatile metals |
JP6519802B2 (ja) | 2016-03-18 | 2019-05-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
TWI647760B (zh) | 2016-03-22 | 2019-01-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理系統中之溫度控制用系統及方法 |
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JP6455481B2 (ja) | 2016-04-25 | 2019-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
US20170309455A1 (en) | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma apparatus |
JP6394641B2 (ja) | 2016-04-25 | 2018-09-26 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ装置 |
US20170335459A1 (en) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | Applied Materials, Inc. | Non-shadow frame plasma processing chamber |
CZ2016603A3 (cs) | 2016-09-27 | 2017-10-25 | Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. | Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu |
US11251019B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
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