JP6859748B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
このような形態の処理装置であれば、磁場形成部によって第1平面部から離間した位置に形成される磁場ではプラズマ密度が高くなり、第1平面部付近ではプラズマ密度が相対的に低くなるため、ワークと第1平面部とで形成される空間にプラズマが侵入することが抑制される。そのため、ワークと絶縁部材とが接触する箇所におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。
A1.処理装置の構成:
図1は、本発明の一実施形態における処理装置200の構成を示す概略断面図である。図2は、処理装置200の分解斜視図である。図1及び図2には、相互に直交するXYZ軸が図示されている。なお、直交とは、±20°の範囲を含んでいう。本実施形態では、Y方向は鉛直方向を示し、X方向は水平方向を示し、Z方向はY軸及びX軸に垂直な方向を示す。このことは、以降の図においても同様である。
図4は、処理装置200によるワークWの処理方法について示す工程図である。以下では、処理装置200によりワークWの一部に成膜を行う方法を例に挙げて説明する。処理装置200による成膜では、まず、ワークWが真空容器100内に搬送される搬送工程が行われる(ステップS10)。本実施形態では、パレット130上に、絶縁部材30、下側マスキング部材22、処理対象物10が積載され、さらに、処理対象物10の上に上側マスキング部材21が積載される。こうすることによって、処理対象物10の非処理対象部分10Bが、マスキング部材21、22によって覆われる。その後、真空容器100の第1の型110が開閉装置50によって+Y方向に移動され、絶縁部材30、マスキング部材21、22及び処理対象物10が積載されたパレット130が、搬送装置55によって真空容器100内に搬送される。搬送されたパレット130は、シール部材62を介して第2の型120上に配置される。搬送工程では、パレット130が第2の型120上に配置されると、真空容器100が閉じられる。本実施形態では、開閉装置50によって第1の型110が−Y方向に移動される。真空容器100が閉じられると、離間部材としてのシール部材61、62がパレット130に接触し、ワークWと第1平面部111及び第2の型120が離間される。こうすることによって、ワークWと第1平面部111との間に隙間が形成され、ワークWと第2平面部121との間に隙間が形成される。また、接触点P1と第1平面部111との距離A1は、ワークWと第1窪み部114との距離B1よりも小さくなる。接触点P2と第2平面部121との距離A2は、ワークWと第2窪み部124との距離B2よりも小さくなる。
A3−1.効果1:
本実施形態の処理装置200は、第1の型110において、第1平面部111から離間して第1窪み部114に配置された磁場形成部40を備える、そのため、磁場形成部40によって第1平面部111から離間した位置に形成される磁場ではプラズマ密度が高くなり、第1平面部111付近ではプラズマ密度が相対的に低くなるので、ワークWと第1平面部111とで形成される空間にプラズマが侵入することが抑制される。その結果、ワークWと絶縁部材30とが接触する箇所(接触点P1)におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。
また、本実施形態の処理装置200では、真空容器100が閉じられた状態において、ワークWと接触する絶縁部材30は第1の型110の第1平面部111と第2の型120との間に配置され、ワークWと絶縁部材30との接触点(接触箇所)P1と、第1平面部111と、の距離A1は、ワークWと第1窪み部114の底部113との距離B1よりも小さいため、ワークWと第1平面部111とで形成される空間に第1窪み部114や第2窪み部124からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点P1におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。
B1.変形例1:
上述の実施形態では、処理装置200は、磁場形成部40、41を備えているが、処理装置200は、第1の型110と第2の型のいずれか一方に磁場形成部を備えていればよい。また、上述の実施形態では、磁場形成部40は、第1の型110において側部112に配置され、磁場形成部41は第2の型120において側部122に配置されている。これに対し、磁場形成部40は底部113に配置されていてもよく、磁場形成部41は底部123に配置されていてもよい。また、例えば、磁場形成部40は、側部112と底部113とにそれぞれ配置されていてもよい。この場合には、側部112に配置された磁場形成部40が形成する磁場と、底部113に配置された磁場形成部40が形成する磁場と、が互いに弱めあわないように、それぞれの磁場形成部40の位置を離すことが好ましい。
上述の実施形態では、磁場形成部40、41はネオジウム系の永久磁石であるが、磁場形成部40、41は、サマリウム−コバルト等のサマリウム系磁石や、フェライト系の磁石であってもよい。また、磁場形成部40、41は、コイルとコイルに電流を流す電源とから構成されていてもよい。
図6は、変形例3における処理装置200mを示す図である。本変形例の処理装置200mでは、第1窪み部114mと第1平面部111mとの接続箇所Q1及び第2窪み部124mと第2平面部121mとの接続箇所Q2から、ワークWと絶縁部材30との接触点P1、P2までの第1平面部111mに沿った最短距離が、0(ゼロ)である。本変形例では、接続箇所Q2と接触点P2とは、同一のYZ平面に位置している。そのため、真空容器100mでは、上側マスキング部材21が、上述の実施形態よりも第1の型110mの第1窪み部114m内に露出しており、下側マスキング部材22の一部が、上述の実施形態よりも第2の型120mの第2窪み部124m内に露出している。なお、本変形例においても、上述の実施形態と同様に、第1の型110mは、第1平面部111mから離間して第1窪み部114mに配置された磁場形成部40を備える。また、第2の型120mは、第2平面部121mから離間して第2窪み部124mに配置された磁場形成部41を備える。さらに、本変形例においても、上述の実施形態と同様に、接触点P1と第1平面部111mとの距離は、ワークWと第1窪み部114mの底部113mとの距離よりも小さい。また、接触点P2と第2平面部121mとの距離は、ワークWと第2窪み部124mの底部123mとの距離よりも小さい。そのため、このような処理装置200mによっても、上述の効果1及び効果2を奏する。
図7は、変形例4における処理装置200bを示す図である。処理装置200bは、実施形態の処理装置200とは異なり、処理対象物10の第1窪み部114側のみに成膜又はエッチングを行う。そのため、本変形例では、真空容器100bの第2の型120bと処理対象物10との間に空間がなく、第2の型120b上に絶縁部材30bが接触し、絶縁部材30b上に下側マスキング部材22bが接触し、下側マスキング部材22b上に処理対象物10の下側全面が接触する。また、本変形例では、処理装置200bがパレット130を備えていない。また、本変形例では、第1の型110b側に電力導入部71が備えられている。処理装置200bでは、絶縁部材30bが第1平面部111と第2の型120bとの間でワークWに接触する。また、処理装置200nでは、絶縁性のシール部材61と絶縁部材30bとが、ワークWを第1平面部111部及び前記第2の型120bから離間させる離間部材に相当する。なお、本変形例においても、上述の実施形態と同様に、第1の型110bは、第1平面部111から離間して第1窪み部114に配置された磁場形成部40を備える。さらに、本変形例においても、ワークWと絶縁部材30bとの接触点P1bと、第1平面部111と、の距離は、ワークWと第1窪み部114の底部113との距離よりも小さい。そのため、このような処理装置200bによっても、上述の効果1及び効果2を奏する。
図8は、変形例5における処理装置200nを示す図である。処理装置200nでは、パレット130及び絶縁部材30が用いられずに、ワークW(処理対象物10n)が搬送装置55によって真空容器100内に搬送される。処理装置200nでは、絶縁性のシール部材61n、62nが、第1平面部111と第2の型120との間でワークWに接触する。処理装置200nでは、シール部材61n、62nがワークWを第1平面部111部及び前記第2の型120から離間させる離間部材に相当する。シール部材61nは、第1の型110の第1平面部111及び処理対象物10nの非処理対象部分10nBに接触している。シール部材62nは、第2の型120の第2平面部121及び非処理対象部分10nBに接触している。本変形例においても、上述の実施形態と同様に、第1の型110は、第1平面部111から離間して第1窪み部114に配置された磁場形成部40を備え、第2の型120は、第2平面部121から離間して第2窪み部124に配置された磁場形成部41を備える。また、図8には、ワークWとシール部材61nとの接触点P1nと、ワークWとシール部材62nとの接触点P2nと、が示されている。本変形例においても、上述の実施形態と同様に、接触点P1nと第1平面部111との距離は、ワークWと第1窪み部114の底部113との距離よりも小さい。また、接触点P2nと第2平面部121との距離は、ワークWと第2窪み部124の底部123との距離よりも小さい。このような処理装置200nによっても、上述の実施形態の効果1及び効果2を奏する。なお、本変形例において、ワークWは、処理対象物10nとマスキング部材21、22とにより構成されていてもよい。
上述の実施形態では、処理装置200によりワークWの一部に成膜を行っている。これに対し、処理装置200により、ワークWの一部にエッチングを行ってもよい。エッチングを行う場合には、上述の処理のうち、ガス供給工程(図4)において、真空容器100内に例えば主にアルゴンを含むガスが供給されてもよい。
上述の実施形態では、接触点P1と第1平面部111との距離A1は、ワークWと第1平面部111との間に形成されるシースの距離よりも短く、接触点P2と第2平面部121との距離A2は、ワークWと第2平面部121との間に形成されるシースの距離よりも短い。これに対し、距離A1と距離A2とのうち、いずれか一方がシースの距離よりも大きくてもよく、両方がシースの距離よりも大きくてもよい。また、上述の実施形態では、距離A1及び距離A2は2.0mm以下である。これに対し、距離A1と距離A2のうち、いずれか一方が2.0mmより大きくてもよく、両方が、2.0mmより大きくてもよい。
上述の実施形態では、第1窪み部114は、側部112と底部113とを備えているが、第1窪み部114は、第1平面部111から処理対象物10と離れる方向に窪んでいればよく、例えば、半球状であってもよい。この場合には、第1窪み部114の底部113は、第1窪み部114と対向するワークWから最も離れた箇所であってもよく、ワークWと第1窪み部114の底部113との距離B1は、第1窪み部114と対向するワークWと、第1窪み部114のワークWから最も離れた箇所と、の距離であってもよい。
上述の実施形態では、真空容器100及びパレット130はアース電位であるが、真空容器100及びパレット130はアース電位でなくてもよい。電力印加部70は真空容器100と処理対象物10との間に処理対象物10を成膜又はエッチングするための電力を印加できればよい。
10A、10nA…処理対象部分
10B、10nB…非処理対象部分
21、22、22b…マスキング部材
30、30b…絶縁部材
35…絶縁部材
40、41…磁場形成部
50…開閉装置
55…搬送装置
61、62、61n、62n…シール部材
70…電力印加部
71…電力導入部
80…ガス供給装置
81…供給口
90…排気装置
91…排気口
95…制御部
100、100b、100m…真空容器
110、110b、110m…第1の型
111、111m…第1平面部
112…側部
113、113m…底部
114、114m…第1窪み部
120、120b、120m…第2の型
121、121m…第2平面部
122…側部
123、123m…底部
124、124m…第2窪み部
130…パレット
130t…縁部
200、200b、200m、200n…処理装置
A1、A2、B1、B2、C、D1、D2…距離
P1、P1b、P1n、P2、P2n…接触点
Q1、Q2…接続箇所
W…ワーク
Claims (1)
- プラズマを用いて導電性のワークに成膜又はエッチングを行う処理装置であって、
対向配置される第1の型及び第2の型を備える真空容器であって、前記第1の型は第1平面部と前記第1平面部から窪んだ第1窪み部とを有し、前記第2の型は第2平面部と前記第2平面部から窪んだ第2窪み部とを有する、真空容器と、
前記ワークを前記第1平面部及び前記第2の型から離間させる離間部材と、
前記第1平面部と前記第2の型との間に配置され、前記ワークと接触する絶縁部材と、
前記ワークに電力を印加する電力印加部と、
前記第1の型において前記第1平面部から離間して前記第1窪み部に配置され、前記第1窪み部内に磁場を形成する磁場形成部と、
前記第2の型において前記第2平面部から離間して前記第2窪み部に配置され、前記第2窪み部内に磁場を形成する磁場形成部と、を備える、
処理装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2017034624A JP6859748B2 (ja) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2017034624A JP6859748B2 (ja) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 処理装置 |
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---|---|
JP2018141186A JP2018141186A (ja) | 2018-09-13 |
JP6859748B2 true JP6859748B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=63527678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017034624A Active JP6859748B2 (ja) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6859748B2 (ja) |
-
2017
- 2017-02-27 JP JP2017034624A patent/JP6859748B2/ja active Active
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JP2018141186A (ja) | 2018-09-13 |
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