JP6891788B2 - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6891788B2 JP6891788B2 JP2017238471A JP2017238471A JP6891788B2 JP 6891788 B2 JP6891788 B2 JP 6891788B2 JP 2017238471 A JP2017238471 A JP 2017238471A JP 2017238471 A JP2017238471 A JP 2017238471A JP 6891788 B2 JP6891788 B2 JP 6891788B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- recessed portion
- work
- processing target
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
- H01M8/02—Details
- H01M8/0202—Collectors; Separators, e.g. bipolar separators; Interconnectors
- H01M8/0204—Non-porous and characterised by the material
- H01M8/0206—Metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
- H01M8/04—Auxiliary arrangements, e.g. for control of pressure or for circulation of fluids
- H01M8/04007—Auxiliary arrangements, e.g. for control of pressure or for circulation of fluids related to heat exchange
- H01M8/04029—Heat exchange using liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
Description
(1)本発明の一形態によれば、ワークにプラズマ処理を行なうプラズマ装置が提供される。このプラズマ装置は、対向して配置される第1型及び第2型を有し、前記第1型及び前記第2型によって形成される密閉空間の内部に前記ワークが配される容器を備える。前記ワークは、処理対象部分と、処理対象物に垂直な方向に沿って見たときに前記処理対象部分の一部よりも前記処理対象物の外周側に位置する非処理対象部分と、を有する処理対象物と、前記非処理対象部分を覆うマスキング部材と、を有する。前記第1型は、前記処理対象部分に対向して配置され、プラズマを発生させる第1窪み部と、前記非処理対象部分を覆う前記マスキング部材の少なくとも一部に対向して配置され、プラズマを発生させる第2窪み部と、前記第1窪み部および前記第2窪み部を囲むように配され、前記第1窪み部および前記第2窪み部よりも前記第2型に近い位置に配される対向平面部と、を有する。前記第2窪み部の深さは、前記第1窪み部の深さとは異なる値に設定される。
この形態のプラズマ装置によれば、第2窪み部において発生するプラズマによって非処理対象部分の温度を上昇させることができ、処理対象部分の温度と非処理対象部分の温度の温度差を抑制することができるので、処理対象物の変形を抑制することができる。
この形態のプラズマ装置によれば、ワークが密封される空間の大きさの増大を抑えつつ、第2窪み部において発生するプラズマによって非処理部分の温度を上昇させることができる。
この形態のプラズマ装置においては、隙間を介して、第1窪み部内の物質が第2窪み部内に流入するため、第2窪み部内においてもプラズマが発生する。その結果、第2窪み部において非処理部分の温度を上昇させることができ、処理対象部分の温度と非処理対象部分の温度の温度差を抑制することができる。そのため、処理対象物の変形を抑制することができる。
この形態のプラズマ装置によれば、第2窪み部の深さを調整することによって、非処理対象部分の温度を上昇させて処理対象部分と非処理対象部分との温度差を適切な値としつつ、第1型と第2型によって形成される密閉空間の大きさを、適切に設定することができる。
この形態のプラズマ装置によれば、第1窪み部及び第2窪み部の深さを独立して調整することにより、処理対象部分と非処理対象部分との温度差を小さく調整することができる。また、処理対象部分のプラズマ処理に必要なプラズマ量に応じて第1窪み部及び第2窪み部の深さを調整することができる。
この形態のプラズマ装置によれば、処理対象部分の温度と非処理対象部分の温度との温度差を、予め定めた許容温度差以内に確実に収めることができる。
この形態のプラズマ装置によれば、第2印加電極に高周波電力を印加して非処理対象部分の温度を上昇させることにより、処理対象部分と非処理対象部分との温度差を小さくすることができる。
この形態のプラズマ装置によれば、処理対象部分の温度と非処理対象部分の温度との温度差を、予め定めた許容温度差以内に確実に収めることができる。
図1は、本発明の第1実施形態におけるプラズマ装置200の構成を示す概略断面図である。図2は、プラズマ装置200の分解斜視図である。図1及び図2には、相互に直交するXYZ軸が図示されている。Y軸方向は鉛直方向を示し、X軸方向は水平方向を示し、Z軸方向はY軸及びX軸に垂直な方向を示す。このことは、以降の図においても同様である。
図5は、第2実施形態におけるプラズマ装置200aの構成を部分的に示す部分概略断面図である。図5には、図1のR部分に相当する部分Raが示されている。第2実施形態におけるプラズマ装置200aと第1実施形態におけるプラズマ装置200とが異なる点は、マスキング部材20a(21a,22a)が、傾斜面23a,24aを有する点である。具体的には、上側マスキング部材21aは、処理対象部分10A側の端部に、上側第1窪み部114側に向けて傾斜した傾斜面23aを有する。また、下側マスキング部材22aは、処理対象部分10A側の端部に、下側第1窪み部124側に向けて傾斜した傾斜面24aを有する。傾斜面23a,24aは、マスキング部材20a(21a,22a)において、非処理対象部分10Bと接触する接触面Sに対して傾斜する面である。第2実施形態では、傾斜面23a,24aは処理対象部分10Aの端部と接触している。第2実施形態におけるプラズマ装置200aのその他の構成は、第1実施形態のプラズマ装置200と同様であるため、説明を省略する。
図6は、第3実施形態におけるプラズマ装置200bを示す図である。プラズマ装置200bと上述の第1実施形態におけるプラズマ装置200(図1参照)とが異なる主な点は、パレット130を用いずワークWが配置される点である。そのため、プラズマ装置200bでは、真空容器100bにおいて、第2型120bの対向平面部121bが絶縁部材30bと接触しつつ、ワークWと第2型120cとを離間させている。また、プラズマ装置200bでは、第1実施形態のプラズマ装置200と同様に、開閉装置50、搬送装置55、電力印加部70、ガス供給装置80、排気装置90、及び、制御部95を備えるが、図示の便宜上省略されている。
図7は、第4実施形態におけるプラズマ装置200cを示す図である。プラズマ装置200cは、第1実施形態のプラズマ装置200(図1参照)とは異なり、処理対象物10の第1窪み部114側のみに成膜又はエッチングのプラズマ処理を行う。そのため、プラズマ装置200cでは、真空容器100cの第2型120cと処理対象物10との間に空間がなく、第2型120c上に絶縁部材30cが接触し、絶縁部材30c上に下側マスキング部材22cが接触し、下側マスキング部材22c上に処理対象物10の下側全面が接触する。また、プラズマ装置200cは、ワークWを載置するパレット130を備えていない。また、プラズマ装置200cでは、第2型120側に代えて第1型110c側に、電力導入部71が備えられている。また、プラズマ装置200cでは、第1実施形態のプラズマ装置200と同様に、開閉装置50、搬送装置55、電力印加部70、ガス供給装置80、排気装置90、及び、制御部95を備えるが、図示の便宜上省略されている。
図8は、第5実施形態におけるプラズマ装置200dの構成を部分的に示す部分概略断面図である。図8には、図1のR部分に相当する部分Rdが示されている。第5実施形態におけるプラズマ装置200dと第1実施形態におけるプラズマ装置200とが異なる点は、第2窪み部117d,127dが、仕切壁160u,160dを介して第1窪み部114,124の外側の周囲に配置されている点である。
図9は、第6実施形態におけるプラズマ装置200eを示す図である。プラズマ装置200eと上述の第1実施形態におけるプラズマ装置200(図1参照)とが異なる主な点は、第1窪み部の深さを変更可能とする底面及び第2窪み部の深さを変更可能とする底面を有している点である。
図10は、第7実施形態におけるプラズマ装置200rを示す図である。プラズマ装置200rは、電力印加部70により印加される直流電力(DC(Direct Current)電力)と高周波電力印加部70rにより印加される高周波電力(RF(Radio Frequency)電力)とを利用して、ワークWの処理対象部分10Aにプラズマ処理を行うことが可能な装置である。そのため、プラズマ装置200rは、上側第1窪み部114r内の底面113r側に配置された上側第1印加電極75Aと、下側第1窪み部124r内の底面123r側に配置された下側第1印加電極76Aと、高周波電力印加部70rと、を備える。また、プラズマ装置200rは、第1実施形態のプラズマ装置200(図1参照)と同様の開閉装置50、搬送装置55、電力印加部70、ガス供給装置80、及び排気装置90を備えるとともに、制御部95を制御部95rに置き換えている。
図11は、第8実施形態におけるプラズマ装置200sの構成を部分的に示す部分概略断面図である。図11には、図10のRr部分に相当する部分Rsが示されている。第8実施形態におけるプラズマ装置200sと第7実施形態におけるプラズマ装置200rとが異なる点は、第1印加電極75A,76A及び第2印加電極75B,76Bが、それぞれ複数の電極に分割されている点にある。
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
上述の第1実施形態のプラズマ装置200のプラズマ処理方法(図4参照)において、例えば成膜速度を高めるために、原料ガスが供給される前に、電力印加部70によりワークW(処理対象物10,マスキング部材20)と真空容器100との間に電力を印加して、ワークWの温度を昇温させてもよい。
上述の第1実施形態では、図3に示したように、接触点P1と対向平面部111との距離A1は、ワークWと対向平面部111との間に形成されるシースの距離よりも短く、接触点P2と対向平面部121との距離A2は、ワークWと対向平面部121との間に形成されるシースの距離よりも短い。これに対し、距離A1と距離A2とのうち、いずれか一方がシースの距離よりも大きくてもよく、両方がシースの距離よりも大きくてもよい。また、上述の第1実施形態では、距離A1及び距離A2は2.0mm以下である。これに対し、距離A1と距離A2のうち、いずれか一方が2.0mmより大きくてもよく、両方が、2.0mmより大きくてもよい。
また、上記実施形態においては、対向平面部111は、第2窪み部117を囲んでおり、第2窪み部117に接続されている。しかし、対向平面部が、第1窪み部および第2窪み部を囲まずに、第2窪み部に接続されている態様とすることができる。そして、対向平面部が、第2窪み部を介さずに、第1窪み部に接続されている態様とすることもできる。さらに、対向平面部が、一部において、第2窪み部に接続され、他の一部において、第2窪み部を介さずに第1窪み部に接続されている態様とすることもできる。
上述の第1実施形態では、図3に示したように、上側第1窪み部114は側面112と底面113とを備えているが、上側第1窪み部114は、対向平面部111から処理対象物10と離れる方向に窪んでいればよく、例えば、半球状であってもよい。この場合には、上側第1窪み部114の底面113は、上側第1窪み部114と対向するワークWから最も離れた箇所であってもよく、ワークWと上側第1窪み部114の底面113との距離B1は、第1窪み部114と対向するワークWと、第1窪み部114のワークWから最も離れた箇所と、の距離であってもよい。また、上側第2窪み部117は側面115と底面116とを備えているが、上側第2窪み部117も、上側第1窪み部114と同様に、対向平面部111から処理対象物10と離れる方向に窪んでいればよい。また、下側第1窪み部124及び下側第2窪み部127も、上側第1窪み部114及び上側第2窪み部117と同様である。
上述の第1実施形態では、図1に示したように、真空容器100及びパレット130はアース電位であるが、真空容器100及びパレット130はアース電位でなくてもよい。電力印加部70は真空容器100と処理対象物10との間に処理対象物10を成膜又はエッチングのプラズマ処理を行なうための電力を印加できればよい。
上述の第1実施形態では、処理対象物10は燃料電池用のセパレータであるが、処理対象物10は、導電性を有する部材であればよい。また、上述の第1実施形態では、プラズマ装置200は炭素系の薄膜を成膜しているが、成膜を行う場合には、金(Au)、白金(Pt)、タンタル(Ta)、シリコン(Si)など他の導電性の元素の薄膜を形成するものとしてもよい。
上述の第1実施形態のプラズマ装置200(図1参照)を、Z軸方向を中心として時計回りまたは反時計回りに90°回転した構成としてもよい。この変形例では、真空容器100は、X軸方向に開閉される。なお、本変形例では、絶縁部材30、マスキング部材20、パレット130は、脱落しないような結合力でそれぞれ嵌まり合っていることが好ましい。又は、絶縁部材30、マスキング部材20、パレット130は、それぞれ例えばボルト等で締結されていることが好ましい。
上述の各実施形態及び変形例を任意に組み合わせて適用することが可能である。たとえば、傾斜面を備えるプラズマ装置(図5参照)や、仕切壁を備えるプラズマ装置(図8参照)において、窪み部の底面が移動可能である態様(図9参照)とすることもできる。
本開示は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
ワークにプラズマ処理を行なうプラズマ装置であって、
対向配置される第1型及び第2型を有し、閉じられた前記第1型及び前記第2型の内部に前記ワークを密封する容器を備え、
前記ワークは、
処理対象部分と前記処理対象部分の外周の非処理対象部分とを有する処理対象物と、
前記非処理対象部分を覆うマスキング部材と、
を有し、
前記第1型は、
前記ワークの外周表面に対向して配置される対向平面部と、
前記処理対象部分に対向して配置され、プラズマを発生する第1窪み部と、
前記対向平面部と前記第1窪み部との間で前記非処理対象部分に対向して配置され、プラズマを発生する第2窪み部と、
を有し、
前記第2窪み部の深さは、前記第1窪み部の深さとは異なる値に設定される、プラズマ装置。
適用例2:
適用例1のプラズマ装置であって、
前記第2窪み部の深さは前記第1窪み部の深さより小さく設定される、プラズマ装置。
適用例3:
適用例1または適用例2のプラズマ装置であって、
前記第1型は、さらに、前記第1窪み部と前記第2窪み部とを仕切る仕切壁を有し、
前記仕切壁と前記マスキング部材との間に隙間が形成されており、
前記隙間は、前記第2窪み部の底面と前記マスキング部材との間の間隔よりも小さい、プラズマ装置。
適用例4:
適用例1から適用例3までのいずれか一項のプラズマ装置であって、
前記第1型は、前記第2窪み部の底面を構成する移動可能な底面部材を有し、
前記第2窪み部の底面の位置を変更することによって前記第2窪み部の深さを調整する深さ調整部を有する、プラズマ装置。
適用例5:
適用例4のプラズマ装置であって、さらに、
前記第1型は、前記第1窪み部の底面を構成する移動可能な底面部材を有し、
前記深さ調整部は、前記第1窪み部の底面の位置を変更することによって前記第1窪み部の深さを調整する、プラズマ装置。
適用例6:
適用例4又は適用例5のプラズマ装置であって、さらに、
前記処理対象部分の温度を計測する第1放射温度計と、
前記非処理対象部分に対応する前記マスキング部材の部分の温度を計測する第2放射温度計と、
を有し、
前記深さ調整部は、前記第1放射温度計により計測される前記処理対象部分の温度と、前記第2放射温度計により計測される前記非処理対象部分の温度との温度差が、予め定めた許容温度差以内に収まるように、前記調整を実行する、プラズマ装置。
適用例7:
適用例1から適用例3までのいずれか一項のプラズマ装置であって、さらに、
前記第1窪み部内に配置された第1印加電極と、
前記第2窪み部内に配置された第2印加電極と、
前記第1印加電極及び前記第2印加電極に、それぞれ独立して高周波電力を印加する高周波電力印加部と、
を備える、プラズマ装置。
適用例8:
適用例7のプラズマ装置であって、さらに、
前記処理対象部分の温度を計測する第1放射温度計と、
前記非処理対象部分に対応する前記マスキング部材の部分の温度を計測する第2放射温度計と、
を有し、
前記高周波電力印加部は、前記第1放射温度計により計測される前記処理対象部分の温度と、前記第2放射温度計により計測される前記非処理対象部分の温度との温度差が、予め定めた許容温度差以内に収まるように、少なくとも前記第2印加電極に印加する高周波電力を調整する、プラズマ装置。
10A…処理対象部分
10B…非処理対象部分
20,20a,20c…マスキング部材
21,21a…上側マスキング部材
22,22a,22b,22c…下側マスキング部材
23a,24a…傾斜面
30,30b,30c…絶縁部材
35…絶縁部材
43A,44A…第1放射温度計
43B,44B…第2放射温度計
50…開閉装置
52…深さ調整部
55…搬送装置
61,62,65,66…シール部材
70…電力印加部
70r…高周波電力印加部
71,71rA,71rB,72rA,72rB…電力導入部
75A…上側第1印加電極
75B…上側第2印加電極
76A…下側第1印加電極
76B…下側第2印加電極
75A1,75A2…上側第1印加電極の分割電極
75B1,75B2…上側第2印加電極の分割電極
76A1,76A2…下側第1印加電極の分割電極
76B1,76B2…下側第2印加電極の分割電極
80…ガス供給装置
81…供給口
90…排気装置
91,91r…排気口
95,95e,95r…制御部
100,100b〜100e,100r…真空容器
110,110c〜110e,110r…第1型
111,111d…対向平面部
111p…平面
112,112e…側面
113,113e,113r…底面
114,114e,114r…上側第1窪み部
115,115d,115e,115p…側面
116,116d,116e,116r…底面
117,117d,117e,117r…上側第2窪み部
120,120b〜120e,120r…第2型
121,121b,121d…対向平面部
121p…平面
122,122e…側面
123,123e,123r…底面
124,124e,124r…下側第1窪み部
125,125d,125e,125p…側面
126,126d,126e,126r…底面
127,127d,127e,127r…下側第2窪み部
130…パレット
130t…端部
141…上側第1型部分(底面部材)
142…上側第2型部分(底面部材)
143…上側第3型部分
151…下側第1型部分(底面部材)
152…下側第2型部分(底面部材)
153…下側第3型部分
160d,160u…仕切壁
200,200a〜200e,200r,200s…プラズマ装置
A1,A2,B1,B2,C1,C2,L…距離
D114,D117…深さ
P1,P1b,P1c,P1d,P2,P2b,P2d…接触点
Q1,Q1d,Q2,Q2d…接続箇所
R,Ra,Rd,Rr,Rs…プラズマ装置の部分
S…接触面
T…角度
W…ワーク
Claims (8)
- ワークにプラズマ処理を行なうプラズマ装置であって、
対向して配置される第1型及び第2型を有し、前記第1型及び前記第2型によって形成される密閉空間の内部に前記ワークが配される容器を備え、
前記ワークは、
処理対象部分と、処理対象物に垂直な方向に沿って見たときに前記処理対象部分の一部よりも前記処理対象物の外周側に位置する非処理対象部分と、を有する処理対象物と、
前記非処理対象部分を覆うマスキング部材と、
を有し、
前記第1型は、
前記処理対象部分に対向して配置され、プラズマを発生させる第1窪み部と、
前記非処理対象部分を覆う前記マスキング部材の少なくとも一部に対向して配置され、プラズマを発生させる第2窪み部と、
前記第1窪み部および前記第2窪み部を囲むように配され、前記第1窪み部および前記第2窪み部よりも前記第2型に近い位置に配される対向平面部と、
を有し、
前記第2窪み部の深さは、前記第1窪み部の深さとは異なる値に設定される、プラズマ装置。 - 請求項1に記載のプラズマ装置であって、
前記第2窪み部の深さは前記第1窪み部の深さより小さく設定される、プラズマ装置。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ装置であって、
前記第1型は、さらに、前記第1窪み部と前記第2窪み部とを仕切る仕切壁を有し、
前記仕切壁と前記マスキング部材との間に隙間が形成されており、
前記隙間は、前記第2窪み部の底面と前記マスキング部材との間の間隔よりも小さい、プラズマ装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のプラズマ装置であって、
前記第1型は、前記第2窪み部の底面を構成する移動可能な底面部材を有し、
前記プラズマ装置は、前記第2窪み部の底面の位置を変更することによって前記第2窪み部の深さを調整する深さ調整部を有する、プラズマ装置。 - 請求項4に記載のプラズマ装置であって、さらに、
前記第1型は、前記第1窪み部の底面を構成する移動可能な底面部材を有し、
前記深さ調整部は、前記第1窪み部の底面の位置を変更することによって前記第1窪み部の深さを調整する、プラズマ装置。 - 請求項4又は請求項5に記載のプラズマ装置であって、さらに、
前記処理対象部分の温度を計測する第1放射温度計と、
前記非処理対象部分に対応する前記マスキング部材の部分の温度を計測する第2放射温度計と、
を有し、
前記深さ調整部は、前記第1放射温度計により計測される前記処理対象部分の温度と、前記第2放射温度計により計測される前記非処理対象部分の温度との温度差が、予め定めた許容温度差以内に収まるように、前記調整を実行する、プラズマ装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のプラズマ装置であって、さらに、
前記第1窪み部内に配置された第1印加電極と、
前記第2窪み部内に配置された第2印加電極と、
前記第1印加電極及び前記第2印加電極に、それぞれ独立して高周波電力を印加する高周波電力印加部と、
を備える、プラズマ装置。 - 請求項7に記載のプラズマ装置であって、さらに、
前記処理対象部分の温度を計測する第1放射温度計と、
前記非処理対象部分に対応する前記マスキング部材の部分の温度を計測する第2放射温度計と、
を有し、
前記高周波電力印加部は、前記第1放射温度計により計測される前記処理対象部分の温度と、前記第2放射温度計により計測される前記非処理対象部分の温度との温度差が、予め定めた許容温度差以内に収まるように、少なくとも前記第2印加電極に印加する高周波電力を調整する、プラズマ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016243371 | 2016-12-15 | ||
JP2016243371 | 2016-12-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098210A JP2018098210A (ja) | 2018-06-21 |
JP6891788B2 true JP6891788B2 (ja) | 2021-06-18 |
Family
ID=62561934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017238471A Active JP6891788B2 (ja) | 2016-12-15 | 2017-12-13 | プラズマ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11251019B2 (ja) |
JP (1) | JP6891788B2 (ja) |
CN (1) | CN108220907B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170309455A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma apparatus |
US11251019B2 (en) * | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
JP6863199B2 (ja) | 2017-09-25 | 2021-04-21 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (210)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60459Y2 (ja) * | 1978-02-14 | 1985-01-08 | 立山アルミニウム工業株式会社 | 引違障子用サツシ |
JPS60459B2 (ja) * | 1979-05-04 | 1985-01-08 | 東レ株式会社 | 特殊加工糸およびその製造法 |
US4542711A (en) * | 1981-03-16 | 1985-09-24 | Sovonics Solar Systems | Continuous system for depositing amorphous semiconductor material |
US4389970A (en) | 1981-03-16 | 1983-06-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Apparatus for regulating substrate temperature in a continuous plasma deposition process |
US4379181A (en) * | 1981-03-16 | 1983-04-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for plasma deposition of amorphous materials |
US4369730A (en) * | 1981-03-16 | 1983-01-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Cathode for generating a plasma |
JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
US4718340A (en) * | 1982-08-09 | 1988-01-12 | Milliken Research Corporation | Printing method |
JPS5969494A (ja) | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Ulvac Corp | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
JPS60196942A (ja) | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法 |
US4915057A (en) * | 1985-10-23 | 1990-04-10 | Gte Products Corporation | Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns |
US4920917A (en) * | 1987-03-18 | 1990-05-01 | Teijin Limited | Reactor for depositing a layer on a moving substrate |
JPH06459Y2 (ja) | 1988-06-15 | 1994-01-05 | 新日本無線株式会社 | 縦型エピタキシャル成長装置 |
JPH071789Y2 (ja) | 1989-02-03 | 1995-01-18 | 日本酸素株式会社 | 縦型気相成長装置 |
US5063951A (en) * | 1990-07-19 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Fluid treatment device |
JPH0499530U (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-27 | ||
DE4301189C2 (de) * | 1993-01-19 | 2000-12-14 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
US5354413A (en) | 1993-03-18 | 1994-10-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electrode position controller for a semiconductor etching device |
JPH07180027A (ja) | 1993-12-24 | 1995-07-18 | Kobe Steel Ltd | 真空成膜装置用シール機構 |
JPH07199450A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Kyodo Printing Co Ltd | 小型の金属薄膜形成装置 |
AU2003195A (en) * | 1994-06-21 | 1996-01-04 | Boc Group, Inc., The | Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines |
US6004617A (en) * | 1994-10-18 | 1999-12-21 | The Regents Of The University Of California | Combinatorial synthesis of novel materials |
JP2956494B2 (ja) * | 1994-10-26 | 1999-10-04 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH1021586A (ja) | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Sony Corp | Dcスパッタリング装置 |
JP3317209B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR100524204B1 (ko) | 1998-01-07 | 2006-01-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리장치 |
US6419751B1 (en) * | 1999-07-26 | 2002-07-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US6232236B1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-05-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system |
AU2001224729A1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | Segmented electrode assembly and method for plasma processing |
AU4351601A (en) * | 2000-03-09 | 2001-09-17 | Semix Inc | Wafer processing apparatus and method |
US7141757B2 (en) * | 2000-03-17 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode having a resonance that is virtually pressure independent |
JP4439665B2 (ja) | 2000-03-29 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマcvd装置 |
AU2001251216A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-15 | Tokyo Electron Limited | Optical monitoring and control system and method for plasma reactors |
US6432577B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-08-13 | Sandia Corporation | Apparatus and method for fabricating a microbattery |
AU2001281306A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-30 | Tokyo Electron Limited | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
DE10034083C1 (de) * | 2000-07-13 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicher mit wahlfreiem Zugeriff mit reduziertem Signalüberkoppeln |
AU2001279189A1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus |
TW533503B (en) * | 2000-09-14 | 2003-05-21 | Nec Electronics Corp | Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same |
JP3759010B2 (ja) | 2000-09-14 | 2006-03-22 | Necエレクトロニクス株式会社 | 清掃装置および清掃方法と清浄度診断方法ならびに清掃装置を用いた半導体製造装置 |
TWI221625B (en) * | 2000-10-30 | 2004-10-01 | Hitachi Ltd | Control apparatus for machine using plasma |
JP2002141398A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Kobe Steel Ltd | 表面処理装置および表面処理方法 |
US6706142B2 (en) * | 2000-11-30 | 2004-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for enhancing plasma processing of a semiconductor substrate |
JP2002208563A (ja) | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Ebara Corp | 被加工物の加工装置及び加工方法 |
JP3890258B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 電子源の製造方法、および、電子源の製造装置 |
EP1437926B1 (en) * | 2001-08-24 | 2008-08-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Multi-face forming mask device for vacuum deposition |
US6887341B2 (en) * | 2001-11-13 | 2005-05-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus for spatial control of dissociation and ionization |
KR100442194B1 (ko) * | 2002-03-04 | 2004-07-30 | 주식회사 씨싸이언스 | 웨이퍼 건식 식각용 전극 |
US20030168009A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Denes Ferencz S. | Plasma processing within low-dimension cavities |
JP4020679B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-12-12 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
US7927424B2 (en) * | 2002-04-22 | 2011-04-19 | Stmicroelectronics, Inc. | Padded clamp ring with edge exclusion for deposition of thick AlCu/AlSiCu/Cu metal alloy layers |
WO2003090792A2 (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Phifer Smith Corporation | Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution iii |
JP4354908B2 (ja) | 2002-06-10 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US6830650B2 (en) * | 2002-07-12 | 2004-12-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments |
JP2004055614A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US7252738B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
US20040142558A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-22 | Granneman Ernst H. A. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
US7183716B2 (en) * | 2003-02-04 | 2007-02-27 | Veeco Instruments, Inc. | Charged particle source and operation thereof |
WO2004100247A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Sosul Co., Ltd. | プラズマエッチングチャンバーと、これを用いたプラズマエッチングシステム |
KR100585089B1 (ko) * | 2003-05-27 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법 |
US7405521B2 (en) * | 2003-08-22 | 2008-07-29 | Lam Research Corporation | Multiple frequency plasma processor method and apparatus |
US7128806B2 (en) * | 2003-10-21 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Mask etch processing apparatus |
US7022627B2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-04-04 | Asm International N.V. | Method for the heat treatment of substrates |
US20050133166A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Tuned potential pedestal for mask etch processing apparatus |
JP2005194589A (ja) | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Sony Corp | 真空装置およびその制御方法 |
JP2005281796A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toyota Motor Corp | 表面処理方法及び表面処理装置 |
JP4527431B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7700155B1 (en) * | 2004-04-08 | 2010-04-20 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for modulation of precursor exposure during a pulsed deposition process |
US20050233092A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films |
KR100532354B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법 |
WO2006017070A2 (en) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | General Electric Company | Protective cotaing on a substrate and method of making thereof |
US20060086321A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Advantech Global, Ltd | Substrate-to-mask alignment and securing system with temperature control for use in an automated shadow mask vacuum deposition process |
JP4713497B2 (ja) | 2004-11-22 | 2011-06-29 | シャープ株式会社 | 基板保持装置および基板処理装置ならびに液晶表示装置 |
JP4642528B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US20060228490A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution uniformity improvement by baffle plate with multi-size holes for large size PECVD systems |
US7602127B2 (en) * | 2005-04-18 | 2009-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source |
KR20060117794A (ko) | 2005-05-13 | 2006-11-17 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조용 열처리 장치 |
KR100761687B1 (ko) | 2005-06-10 | 2007-09-28 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를구비한 플라즈마처리장치 |
US20070012558A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtering system for large-area substrates |
JP4845447B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-12-28 | トヨタ自動車株式会社 | はんだ付け装置およびはんだ付けされた装置の製造方法 |
WO2007016689A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-02-08 | New Way Machine Components, Inc. | Method and apparatus for in-line processing and immediately sequential or simultaneous processing of flat and flexible substrates through viscous shear in thin cross section gaps for the manufacture of micro-electronic circuits or displays |
US7909960B2 (en) * | 2005-09-27 | 2011-03-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer |
JP5161450B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2013-03-13 | 財団法人高知県産業振興センター | プラズマcvd装置及びプラズマ表面処理方法 |
US20080179948A1 (en) * | 2005-10-31 | 2008-07-31 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
US8815014B2 (en) * | 2005-11-18 | 2014-08-26 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing different deposition processes within a single chamber |
JP5070716B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2012-11-14 | トヨタ自動車株式会社 | セパレータ製造方法およびセパレータ |
US7737035B1 (en) * | 2006-03-31 | 2010-06-15 | Novellus Systems, Inc. | Dual seal deposition process chamber and process |
JP2007287452A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | プラズマ装置 |
US9184043B2 (en) * | 2006-05-24 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Edge electrodes with dielectric covers |
US7938931B2 (en) * | 2006-05-24 | 2011-05-10 | Lam Research Corporation | Edge electrodes with variable power |
US7740736B2 (en) * | 2006-06-08 | 2010-06-22 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber |
US7829815B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable electrodes and coils for plasma density distribution control |
US7795817B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
US8101052B2 (en) * | 2006-11-27 | 2012-01-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable anode assembly for a substrate wet processing apparatus |
WO2008065804A1 (fr) | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Appareil et procédé permettant la fabrication d'un élément semi-conducteur et élément semi-conducteur fabrique par le procédé |
WO2008069259A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device |
US7993457B1 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-09 | Novellus Systems, Inc. | Deposition sub-chamber with variable flow |
US8580078B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with vacuum chuck |
US8398778B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-03-19 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
US7943007B2 (en) * | 2007-01-26 | 2011-05-17 | Lam Research Corporation | Configurable bevel etcher |
DE102007022431A1 (de) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Leybold Optics Gmbh | Behandlungssystem für flache Substrate |
US7824519B2 (en) * | 2007-05-18 | 2010-11-02 | Lam Research Corporation | Variable volume plasma processing chamber and associated methods |
JP4241859B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-03-18 | トヨタ自動車株式会社 | パワーモジュールの製造方法、パワーモジュール、車両用インバータ、及び車両 |
JP5077748B2 (ja) | 2007-09-06 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 成膜装置 |
JP5329099B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-10-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びその運転方法 |
US20090194026A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Burrows Brian H | Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices |
TWI501704B (zh) * | 2008-02-08 | 2015-09-21 | Lam Res Corp | 於電漿處理系統中用以改變面積比之方法與裝置 |
US8609545B2 (en) * | 2008-02-14 | 2013-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to improve mask critical dimension uniformity (CDU) |
US7767986B2 (en) * | 2008-06-20 | 2010-08-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for controlling beam current uniformity in an ion implanter |
US20100000684A1 (en) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Jong Yong Choi | Dry etching apparatus |
US8161906B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US20100123502A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-05-20 | Bhutta Imran A | System for providing a substantially uniform potential profile |
WO2010021539A1 (en) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | Vision Dynamics Holding B.V. | Device for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
EP2159304A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition |
WO2010026955A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板保持部材、基板処理装置、基板処理方法 |
US8382941B2 (en) * | 2008-09-15 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods |
DE102009020436A1 (de) * | 2008-11-04 | 2010-09-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats |
KR101191691B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2012-10-16 | 가부시키가이샤 알박 | 유기 박막 증착 장치, 유기 el 소자 제조 장치 및 유기 박막 증착 방법 |
US8262923B2 (en) * | 2008-12-17 | 2012-09-11 | Lam Research Corporation | High pressure bevel etch process |
US8323523B2 (en) * | 2008-12-17 | 2012-12-04 | Lam Research Corporation | High pressure bevel etch process |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
US8747963B2 (en) * | 2009-01-23 | 2014-06-10 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for diamond film growth |
US8040068B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
US8287648B2 (en) * | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
US20100221426A1 (en) * | 2009-03-02 | 2010-09-02 | Fluens Corporation | Web Substrate Deposition System |
JP4523661B1 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-08-11 | 三井造船株式会社 | 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 |
JP5146402B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2013-02-20 | トヨタ自動車株式会社 | 炭素粒子含有被膜の成膜方法、伝熱部材、パワーモジュール、及び車両用インバータ |
US9111566B2 (en) * | 2009-05-22 | 2015-08-18 | Showa Denko HD Singapore Pte. Ltd. | Carbon film forming method, magnetic-recording-medium manufacturing method, and carbon film forming apparatus |
US8659335B2 (en) * | 2009-06-25 | 2014-02-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for controlling radio frequency power |
US20110076848A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-03-31 | Amitava Datta | Semiconductor process chamber and seal |
US20110005682A1 (en) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Stephen Edward Savas | Apparatus for Plasma Processing |
EP2281921A1 (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition. |
WO2011034057A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用ガス供給機構 |
JP5589329B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2014-09-17 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体からなる半導体装置、電力変換装置 |
US20110097901A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly |
US20110094994A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma apparatus |
US20110143019A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-16 | Amprius, Inc. | Apparatus for Deposition on Two Sides of the Web |
JP5321576B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-10-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 配向性非晶質炭素膜およびその形成方法 |
DE112010004990B4 (de) * | 2009-12-25 | 2020-01-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bipolarplatte für eine Brennstoffzelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP5606063B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP2362001A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-31 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and device for layer deposition |
JP5812606B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2015-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US8314561B2 (en) * | 2010-04-02 | 2012-11-20 | Mks Instruments, Inc. | Multi-channel radio frequency generator |
CN102388163B (zh) * | 2010-05-10 | 2013-10-23 | 丰田自动车株式会社 | 掩模、基板加热装置及成膜方法 |
KR101512251B1 (ko) * | 2010-08-05 | 2015-04-14 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | 이차 전지 |
DE102010048810A1 (de) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | System zur Bedienung mehrerer Plasma- und/oder Induktionserwärmungsprozesse |
US9719169B2 (en) * | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
EP2481833A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition |
EP2481832A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition |
EP2481830A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus for atomic layer deposition. |
US20140037853A1 (en) * | 2011-02-18 | 2014-02-06 | Veeco Ald Inc. | Depositing thin layer of material on permeable substrate |
US8900403B2 (en) * | 2011-05-10 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources |
JP5079902B1 (ja) | 2011-05-13 | 2012-11-21 | シャープ株式会社 | 反応室開放方法、及び気相成長装置 |
JP5693378B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2015-04-01 | 株式会社アルバック | 移動装置 |
NL2007114C2 (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-15 | Levitech B V | Floating substrate monitoring and control device, and method for the same. |
CN103094038B (zh) * | 2011-10-27 | 2017-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
CN105717150B (zh) * | 2011-11-01 | 2018-09-14 | 住友橡胶工业株式会社 | 评价高分子材料的硬度以及能量损失的方法 |
US9263240B2 (en) * | 2011-11-22 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Dual zone temperature control of upper electrodes |
US9396908B2 (en) * | 2011-11-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling a plasma edge region |
WO2013086432A2 (en) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | Intevac, Inc. | High throughput load lock for solar wafers |
US20130153536A1 (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial processing using a remote plasma source |
WO2013106442A1 (en) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | Hzo, Inc. | Masks for use in applying protective coatings to electronic assemblies, masked electronic assemblies and associated methods |
FI123320B (en) * | 2012-02-17 | 2013-02-28 | Beneq Oy | Nozzle and nozzle head |
WO2013125643A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | トヨタ自動車株式会社 | 金属被膜の成膜装置および成膜方法 |
JP2013206652A (ja) | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Nissin Electric Co Ltd | アンテナ装置、それを備えるプラズマ処理装置およびスパッタリング装置 |
NL2008592C2 (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-07 | Solaytec B V | Method for producing a photocell. |
US10679883B2 (en) * | 2012-04-19 | 2020-06-09 | Intevac, Inc. | Wafer plate and mask arrangement for substrate fabrication |
US9502276B2 (en) * | 2012-04-26 | 2016-11-22 | Intevac, Inc. | System architecture for vacuum processing |
CN104685095B (zh) * | 2012-04-19 | 2017-12-29 | 因特瓦克公司 | 用于制造太阳能电池的双掩模装置 |
US10062600B2 (en) * | 2012-04-26 | 2018-08-28 | Intevac, Inc. | System and method for bi-facial processing of substrates |
US9161428B2 (en) * | 2012-04-26 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor |
JP5692160B2 (ja) | 2012-05-14 | 2015-04-01 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ成膜装置 |
US20130337657A1 (en) | 2012-06-19 | 2013-12-19 | Plasmasi, Inc. | Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates |
KR20130142869A (ko) * | 2012-06-20 | 2013-12-30 | 주식회사 엠티에스나노테크 | 원자층 증착 장치 및 방법 |
US8933375B2 (en) * | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
AT513190B9 (de) * | 2012-08-08 | 2014-05-15 | Berndorf Hueck Band Und Pressblechtechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabeschichtung eines Substrats, insbesondere eines Pressblechs |
DE102012016690A1 (de) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Mankiewicz Gebr. & Co. Gmbh & Co. Kg | Elektronenstrahlhärtbare Inkjet-Tinten und deren Verwendung in Inkjet-Druckverfahren |
US20140175055A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Adjustable coil for inductively coupled plasma |
US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
JP5432396B1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-03-05 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及びインジェクタ |
JP6154953B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-06-28 | エムケイエス インストゥルメンツ, インコーポレイテッド | 環状プラズマ除害装置および方法 |
NL2010893C2 (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-02 | Solaytec B V | Injector head for atomic layer deposition. |
US9581741B1 (en) * | 2013-05-31 | 2017-02-28 | Itn Energy Systems, Inc. | Infrared control coating of thin film devices |
JP5942937B2 (ja) | 2013-07-26 | 2016-06-29 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 |
US10937634B2 (en) * | 2013-10-04 | 2021-03-02 | Lam Research Corporation | Tunable upper plasma-exclusion-zone ring for a bevel etcher |
JP5895929B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2016-03-30 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
KR102302720B1 (ko) | 2014-01-21 | 2021-09-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 저압 툴 교체를 허용하는 원자 층 증착 프로세싱 챔버 |
JP6286215B2 (ja) * | 2014-01-28 | 2018-02-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10269573B2 (en) * | 2014-03-31 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Device and method for manufacturing a semiconductor structure |
JP5995906B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2016-09-21 | 株式会社豊田中央研究所 | 隔膜の製造方法、及び金属被膜の製造方法 |
JP6119707B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2017-04-26 | トヨタ自動車株式会社 | 燃料電池および燃料電池の製造方法 |
JP6354539B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2018-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体 |
JP6050860B1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-21 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ原子層成長装置 |
KR102380156B1 (ko) * | 2015-06-30 | 2022-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
US9721758B2 (en) * | 2015-07-13 | 2017-08-01 | Mks Instruments, Inc. | Unified RF power delivery single input, multiple output control for continuous and pulse mode operation |
KR102420015B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2022-07-12 | 삼성전자주식회사 | Cs-ald 장치의 샤워헤드 |
US10373794B2 (en) * | 2015-10-29 | 2019-08-06 | Lam Research Corporation | Systems and methods for filtering radio frequencies from a signal of a thermocouple and controlling a temperature of an electrode in a plasma chamber |
US9515633B1 (en) * | 2016-01-11 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers |
JP6384493B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2018-09-05 | トヨタ自動車株式会社 | シリンダヘッドの製造方法 |
JP6288116B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2018-03-07 | トヨタ自動車株式会社 | シリンダヘッドの製造方法 |
US9953843B2 (en) * | 2016-02-05 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Chamber for patterning non-volatile metals |
JP6519802B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-05-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
WO2017165550A1 (en) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Tokyo Electron Limited | System and method for temperature control in plasma processing system |
JP6394641B2 (ja) | 2016-04-25 | 2018-09-26 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ装置 |
US20170309455A1 (en) * | 2016-04-25 | 2017-10-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma apparatus |
JP6455481B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2019-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP6455480B2 (ja) | 2016-04-25 | 2019-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
US20170335459A1 (en) | 2016-05-17 | 2017-11-23 | Applied Materials, Inc. | Non-shadow frame plasma processing chamber |
CZ306980B6 (cs) * | 2016-09-27 | 2017-10-25 | Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. | Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu |
US11251019B2 (en) * | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
JP6863199B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2021-04-21 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2017
- 2017-12-07 US US15/834,812 patent/US11251019B2/en active Active
- 2017-12-13 CN CN201711326795.5A patent/CN108220907B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2017-12-13 JP JP2017238471A patent/JP6891788B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180174800A1 (en) | 2018-06-21 |
US11251019B2 (en) | 2022-02-15 |
CN108220907A (zh) | 2018-06-29 |
CN108220907B (zh) | 2020-02-18 |
JP2018098210A (ja) | 2018-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6891788B2 (ja) | プラズマ装置 | |
KR102021169B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US11315767B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP6455481B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
KR20180014656A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN107452588B (zh) | 等离子体装置 | |
US20170309455A1 (en) | Plasma apparatus | |
TWI808675B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
JP5333804B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP7433154B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6939169B2 (ja) | 処理装置 | |
KR20230041790A (ko) | 반도체 프로세싱을 위한 플라즈마 소스 | |
JP5215685B2 (ja) | 原子層成長装置 | |
JP5156041B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP2018095938A (ja) | プラズマ装置 | |
JP6969373B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20240014013A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP6859748B2 (ja) | 処理装置 | |
JP2018095936A (ja) | 処理装置 | |
KR102615569B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR20240072927A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP2018141200A (ja) | プラズマ装置 | |
JP2023095644A (ja) | プラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置の製造方法 | |
JP2023131658A (ja) | 成膜装置 | |
JP2024007905A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210427 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210510 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6891788 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |