JPS60196942A - フオトマスク欠陥修正方法 - Google Patents
フオトマスク欠陥修正方法Info
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- JPS60196942A JPS60196942A JP59052128A JP5212884A JPS60196942A JP S60196942 A JPS60196942 A JP S60196942A JP 59052128 A JP59052128 A JP 59052128A JP 5212884 A JP5212884 A JP 5212884A JP S60196942 A JPS60196942 A JP S60196942A
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- Japan
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- photomask
- container
- missing
- laser beam
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、短時間にフォトマスクの白点欠陥を修正でよ
るようにしｆｃフォトマスク欠陥修正方法に関する。
るようにしｆｃフォトマスク欠陥修正方法に関する。
フォトマスクの欠陥には、残留欠陥（黒点欠陥）と欠落
欠陥（白点欠陥）の二種類がめる。
欠陥（白点欠陥）の二種類がめる。
これらの欠陥は、ＬＳＩ等半導体の歩留シを左右する。
又これらの欠陥の修正は、生産性に大きく影響するので
、できるだけ修正に要する工程を少なくシ、かつ、短時
間に行なう必要がある。
、できるだけ修正に要する工程を少なくシ、かつ、短時
間に行なう必要がある。
フォトマスクに発生する上記欠陥のうち、残留欠陥（黒
点欠陥）についてはレーザによる修正（特公昭５２−９
５０８ ）で大巾な工程短縮が実現できている。一方、
欠落欠陥（白点欠陥ン即ち正常なパターンの一部が欠落
した様な欠陥の修正については、リフト・オフ法が用い
られている。
点欠陥）についてはレーザによる修正（特公昭５２−９
５０８ ）で大巾な工程短縮が実現できている。一方、
欠落欠陥（白点欠陥ン即ち正常なパターンの一部が欠落
した様な欠陥の修正については、リフト・オフ法が用い
られている。
このリフト・オフ法は、次の工程によシ行なわれる。
（１）欠落欠陥を有するフォトマスク全面にポジ型フォ
トレジストを塗布する。
トレジストを塗布する。
（２） 部分露光法を用いて欠落欠陥部のみに露光を行
なう。
なう。
（３） 現象処理により欠落欠陥部のレジストに窓をあ
ける。
ける。
（４）Ｘ空蒸着技術によシ、欠落欠陥部とその周辺のレ
ジスト上、あるいはフォトマスク全面のレジスト上に金
属膜を形成する。
ジスト上、あるいはフォトマスク全面のレジスト上に金
属膜を形成する。
（５）レジスト除去を行ない、同時にレジスト上に形成
されている金Ｒ膜も除去する。
されている金Ｒ膜も除去する。
このように、シフト・オフ法は、多くの工程を必要とし
、フォトマスクの欠落欠陥の修正としては、生産の点で
充分なものとは云えず、大きな技術的課題となっている
。
、フォトマスクの欠落欠陥の修正としては、生産の点で
充分なものとは云えず、大きな技術的課題となっている
。
また、最近、有機金属溶液からレーザ光照射によシ金属
を堆積する方法が報告されている。
を堆積する方法が報告されている。
（損出ほか：レーザ光照射による有機金属溶液からの金
属堆積：昭和５８年春季 第３０回応用物理学関係連合
講演会 購演予稿果Ｐ、２０２ ）これは第１図に示す
様にＣｒ錯体またはＭＯ錯体のベンゼン溶液１を２枚の
ガラス窓２を持つセル３に入れ、一方のガラス窓２ａの
内側にレーザ光４を対物レンズ５で集光して、金属６を
堆積させるものである。
属堆積：昭和５８年春季 第３０回応用物理学関係連合
講演会 購演予稿果Ｐ、２０２ ）これは第１図に示す
様にＣｒ錯体またはＭＯ錯体のベンゼン溶液１を２枚の
ガラス窓２を持つセル３に入れ、一方のガラス窓２ａの
内側にレーザ光４を対物レンズ５で集光して、金属６を
堆積させるものである。
発明者らは、この技術をフォトマスクの欠落欠陥の修正
に応用することを試みた。
に応用することを試みた。
然しなから、ここで用いられているＣｒ錯体又はＭＯ錯
体は非常に不安定で、大気に触れると大気中の酸素と反
応して酸化物を形成してしまうため、取扱いが難しい上
、堆積する金属も粒子の集合状態になシやすく、この技
術をそのままフォトマスクの欠落欠陥の修正に適用する
には、技術的問題がある。
体は非常に不安定で、大気に触れると大気中の酸素と反
応して酸化物を形成してしまうため、取扱いが難しい上
、堆積する金属も粒子の集合状態になシやすく、この技
術をそのままフォトマスクの欠落欠陥の修正に適用する
には、技術的問題がある。
本発明は、上記技術的な問題を解決し、欠落欠陥の修正
に要する工程数を少なくシ、修正が短時間で行なえるよ
うにしたフォトマスクの欠落欠陥修正方法を提供せんと
するものである。
に要する工程数を少なくシ、修正が短時間で行なえるよ
うにしたフォトマスクの欠落欠陥修正方法を提供せんと
するものである。
即ち本発明は、真空中で行なうことによシ、前記技術的
な問題を解決したものであり、真空容器内で修正物質を
加熱昇華し′、真空容器内にフォトマスクを設置し、こ
のフォトマスクの欠落欠陥部のみを加熱し、上記加熱昇
華した修正物質を分解させ、加熱されているフォトマス
クの欠落欠陥部に修征物質中の分解した金属を析出して
フォトマスクの欠落欠陥部を修正するようにしたことを
特徴とする。
な問題を解決したものであり、真空容器内で修正物質を
加熱昇華し′、真空容器内にフォトマスクを設置し、こ
のフォトマスクの欠落欠陥部のみを加熱し、上記加熱昇
華した修正物質を分解させ、加熱されているフォトマス
クの欠落欠陥部に修征物質中の分解した金属を析出して
フォトマスクの欠落欠陥部を修正するようにしたことを
特徴とする。
以下本発明の一実施例について詳細に説明する。第２図
において欠落欠陥を有するフォトマスク７が取付けられ
た修正容器８には、バルブ９を介して修正物質（ビス・
ぺ／ゼン・クロムあるいは、ビス・ベンゼン・モリブデ
ン）１０が納められた修正物質容器１１と、バルブ１２
を介して真空ホンブ１３と、そしてバルブ１４を介して
不活性ガスポ／べ１５とが配管によｔ）接続されている
。また、修正容器８および修正物質容器１１は、１６．
１７によシそれぞれ別個に加熱でよる様になっている。
において欠落欠陥を有するフォトマスク７が取付けられ
た修正容器８には、バルブ９を介して修正物質（ビス・
ぺ／ゼン・クロムあるいは、ビス・ベンゼン・モリブデ
ン）１０が納められた修正物質容器１１と、バルブ１２
を介して真空ホンブ１３と、そしてバルブ１４を介して
不活性ガスポ／べ１５とが配管によｔ）接続されている
。また、修正容器８および修正物質容器１１は、１６．
１７によシそれぞれ別個に加熱でよる様になっている。
Ａｒレーザ発振器１８から発振されたレーザ光１９はシ
ャッタ２０を介して、ダイクロイックミラー２１で反射
され、対物レンズ２２で集光されてフォトマスク７の欠
落欠陥部に照射でよる構成になっている。また照明光学
系２３、ハーフミラ−２４，接眼レンズ２５により観察
光学系を形成する。バルブ９．１２．１４の開閉、Ａ
２ ホ：／ブ１３（’） ＯＮ・ＯＦＦ、 ヒ−Ｉｔ
１６，１７ （Ｄ ＩＩｊｌＪ Ｈ、シャ、り２０の開
閉は、制御装置２６により行なわれる。
ャッタ２０を介して、ダイクロイックミラー２１で反射
され、対物レンズ２２で集光されてフォトマスク７の欠
落欠陥部に照射でよる構成になっている。また照明光学
系２３、ハーフミラ−２４，接眼レンズ２５により観察
光学系を形成する。バルブ９．１２．１４の開閉、Ａ
２ ホ：／ブ１３（’） ＯＮ・ＯＦＦ、 ヒ−Ｉｔ
１６，１７ （Ｄ ＩＩｊｌＪ Ｈ、シャ、り２０の開
閉は、制御装置２６により行なわれる。
又全てのバルブを閉じることによシ、修正物質容器１１
内は、真空、あるいは不活性ガスで満たされた状態で保
たれ、その中に修正物’］（ビス・ヘン（ン・クロムあ
るいはビス・ベンゼンーモ９プデン）１０が納められて
いる。
内は、真空、あるいは不活性ガスで満たされた状態で保
たれ、その中に修正物’］（ビス・ヘン（ン・クロムあ
るいはビス・ベンゼンーモ９プデン）１０が納められて
いる。
第３図は、レーザ光学系を示す。図において、Ａｒレー
ザ発振ａ１８から発振されたレーザ光１９はビーム・エ
キスパンダ３ｏによシビーム径を拡げられ、参照光光源
３１．干渉フィルνり３２による特定波長の参照光３３
と結合光学系３４により同一光軸に結合されて、矩形−
ロス９ ｙ ） ３５に照射される。Ｖヤッタ２０を閉
じた状態で、作業者が対物レンズ２２．ダイクロイック
ミラー２１．ハーフミラ−６６、照明光学系３７．レー
ザ光カットフィルり３８．ブｙズム３ｑ、Ｈ眼レンズ２
５を介しテ修正容器８に取シ付けられたフォトマスク７
を観察しながら、参照口３３による矩形間ロス９ット３
５の像を、欠落欠陥位置および大きさに合わせるように
なっている。この時、矩形開口スリット５５．対物し／
ズ２２．フォトマスク７は、対物レンズ２２０倍率をＭ
として矩形開口スリット３５の像が１／［Ｖｌの大きさ
にフォトマスク７上に結像される位置関係に配置されて
いる。この状態でシャ、り２０を一建時間だけ開くこと
により、欠落欠陥の大きさ、位置に合わせられた参照光
３３による矩形間ロス９ 、 ） ３５像と全く同じ大
きさ、同じ位置にレーザ光１９が照射される。ここで参
照光３３は、レーザ光１９の波長と対物レンズ２２によ
る色収差が出す、かつ結合光学系３４で結合できる程度
に異なる様に干渉フィルり３２で選択される。また、ダ
イクロイ、クミラー２１はレーザ光１９の波長に対して
は十分に高い反射率を持ち、参照光３３に対しては５０
％程度の反射率を持ち、その他の波長に対しては十分に
高い透過率を持つものが望ましい。
ザ発振ａ１８から発振されたレーザ光１９はビーム・エ
キスパンダ３ｏによシビーム径を拡げられ、参照光光源
３１．干渉フィルνり３２による特定波長の参照光３３
と結合光学系３４により同一光軸に結合されて、矩形−
ロス９ ｙ ） ３５に照射される。Ｖヤッタ２０を閉
じた状態で、作業者が対物レンズ２２．ダイクロイック
ミラー２１．ハーフミラ−６６、照明光学系３７．レー
ザ光カットフィルり３８．ブｙズム３ｑ、Ｈ眼レンズ２
５を介しテ修正容器８に取シ付けられたフォトマスク７
を観察しながら、参照口３３による矩形間ロス９ット３
５の像を、欠落欠陥位置および大きさに合わせるように
なっている。この時、矩形開口スリット５５．対物し／
ズ２２．フォトマスク７は、対物レンズ２２０倍率をＭ
として矩形開口スリット３５の像が１／［Ｖｌの大きさ
にフォトマスク７上に結像される位置関係に配置されて
いる。この状態でシャ、り２０を一建時間だけ開くこと
により、欠落欠陥の大きさ、位置に合わせられた参照光
３３による矩形間ロス９ 、 ） ３５像と全く同じ大
きさ、同じ位置にレーザ光１９が照射される。ここで参
照光３３は、レーザ光１９の波長と対物レンズ２２によ
る色収差が出す、かつ結合光学系３４で結合できる程度
に異なる様に干渉フィルり３２で選択される。また、ダ
イクロイ、クミラー２１はレーザ光１９の波長に対して
は十分に高い反射率を持ち、参照光３３に対しては５０
％程度の反射率を持ち、その他の波長に対しては十分に
高い透過率を持つものが望ましい。
あるいは、レーザ光１９が直線偏光の場合には、結合光
学系３４として偏光ビーム・スプリッタを用い、結合さ
れた後のレーザ光１９と参照光５３は波長が全く同じで
偏光方向のみ直交させて使用することもでよる。この場
合には、ダイクロイックミラー２１として、レーザ光の
偏光方向の光を十分に高く反射し、それと直交する偏光
成分に対しては反射率が５０％近いものを、レーザ光力
、トフィルタ３８として、レーザ光１９の偏光方向の光
を反射あるいは吸収する特性のものを使用することによ
シ、レーザ光１９と参照光５３の色収差を全く無視して
修正を行なうことができる。
学系３４として偏光ビーム・スプリッタを用い、結合さ
れた後のレーザ光１９と参照光５３は波長が全く同じで
偏光方向のみ直交させて使用することもでよる。この場
合には、ダイクロイックミラー２１として、レーザ光の
偏光方向の光を十分に高く反射し、それと直交する偏光
成分に対しては反射率が５０％近いものを、レーザ光力
、トフィルタ３８として、レーザ光１９の偏光方向の光
を反射あるいは吸収する特性のものを使用することによ
シ、レーザ光１９と参照光５３の色収差を全く無視して
修正を行なうことができる。
次に第４図に修正容器８の詳細を示す。修正容器８はネ
ジ４１および０リング４２で密閉容器となっておシ、上
面部には窓があけられていて、フォトマスク７自身が窓
材となる様にマスク押え４５．０９ング４４．およびネ
ジ４５で固定される。
ジ４１および０リング４２で密閉容器となっておシ、上
面部には窓があけられていて、フォトマスク７自身が窓
材となる様にマスク押え４５．０９ング４４．およびネ
ジ４５で固定される。
この時、フォトマスク７は、パターン面が容器内側を向
く様に固定され、レーザ光１９は対物し／ズ２２によ）
集光されマスク基板を透過して欠陥部に照射される。ま
た、修正容器８からはパッシブ９を介して修正物質容器
１１へ、パルプ１２を介して真空ポンプ１３へ、パルプ
１４を介して不活性ガスボンベ１５へ配管されている。
く様に固定され、レーザ光１９は対物し／ズ２２によ）
集光されマスク基板を透過して欠陥部に照射される。ま
た、修正容器８からはパッシブ９を介して修正物質容器
１１へ、パルプ１２を介して真空ポンプ１３へ、パルプ
１４を介して不活性ガスボンベ１５へ配管されている。
また修正容器Ｂ内にはヒータ１６が埋め込まれておシ、
熱電対などにより（図示せず）温度をモニタして、特定
温度に保つことができる構成となっている。
熱電対などにより（図示せず）温度をモニタして、特定
温度に保つことができる構成となっている。
次に、第５図に修正容器８の別な実施例を示す。修正容
器８からパルプ９，１２．１４を介して修正物質容器１
１．Ｘ空ポンプ１５．不活性ガスボンベ１５へ配管され
ているのは第４図と同じである。
器８からパルプ９，１２．１４を介して修正物質容器１
１．Ｘ空ポンプ１５．不活性ガスボンベ１５へ配管され
ているのは第４図と同じである。
フォトマスク７は修正容器８内に、パターン面が上向き
にマスク押え４８．ネジ４９により固定されている。ま
た修正容器８の上部にはレーザ光１９を透過する窓５０
が０９ング５１．窓押え５２゜ネジ５３によシ固足され
、窓５０を取外した後でフォトマスク７の着脱を行なう
。また、修正容器８内にはヒータ１６が埋め込まれてお
９、熱電対などにより（図示せず）温度をモニタして、
特定温度に保つことができる構成となっている。
にマスク押え４８．ネジ４９により固定されている。ま
た修正容器８の上部にはレーザ光１９を透過する窓５０
が０９ング５１．窓押え５２゜ネジ５３によシ固足され
、窓５０を取外した後でフォトマスク７の着脱を行なう
。また、修正容器８内にはヒータ１６が埋め込まれてお
９、熱電対などにより（図示せず）温度をモニタして、
特定温度に保つことができる構成となっている。
修正容器８の深さは、対物レンズ２２の作動距離よシ小
さくなる様に、かつできるだけ大きくすることによシ、
窓５０への金属析出を防止する。
さくなる様に、かつできるだけ大きくすることによシ、
窓５０への金属析出を防止する。
このように構成した装置を使用して、フォトマスクの欠
落欠陥の修正は次のようにして行なう。
落欠陥の修正は次のようにして行なう。
第２図において、欠落欠陥を有するフォトマスク７を修
正容器８に取υ付け、修正容器８内を密閉状態にす、る
。そこで、パルプ１２を開き、真空ポンプ１３によシ修
正容器８内を排気するとともに、ヒータ１６，１７によ
シ修正容器８および修正物質容器１１を加熱する。ヒー
タ１６，１７による加熱は常時性なっていても良い。修
正物質１０がビス・ベンゼン・クロムの場合には１００
〜２９０℃で、ビス・ベンゼン・モ９プデンの場合には
５０〜１００℃で昇華が起こり、パルプ９を開くことに
よシ修正物質ガスが修正容器８内へ導かれる。
正容器８に取υ付け、修正容器８内を密閉状態にす、る
。そこで、パルプ１２を開き、真空ポンプ１３によシ修
正容器８内を排気するとともに、ヒータ１６，１７によ
シ修正容器８および修正物質容器１１を加熱する。ヒー
タ１６，１７による加熱は常時性なっていても良い。修
正物質１０がビス・ベンゼン・クロムの場合には１００
〜２９０℃で、ビス・ベンゼン・モ９プデンの場合には
５０〜１００℃で昇華が起こり、パルプ９を開くことに
よシ修正物質ガスが修正容器８内へ導かれる。
この状態で、照明光学系２５．ハーフミラ−２４゜接眼
レンズ２５および対物レンズ２２によりｍ察しながら、
し〜ザ光１９ｆ）集光点と欠落欠陥位置を位置合わせす
る。これは、第２図には図示していないが、修正容器８
をＸ−Ｙステージに載置するか、光学系をＸ−Ｙに移動
させるなど、通常の手段で行なうことができる。そこで
シャッタ２０を開いてレーザ光１９を欠陥部に照射し、
一定時間後シャッタ２０を閉じる。このレーザ照射によ
ル、レーザ照射部は加熱され、修正物質１０がビス・ベ
ンゼン・クロムの場合には３００℃以上、ビス・ベンゼ
ン・そりプデンの場合には１１０℃以上で分解してクロ
ム、あるいはモリブデンがフォトマスク上に析出する。
レンズ２５および対物レンズ２２によりｍ察しながら、
し〜ザ光１９ｆ）集光点と欠落欠陥位置を位置合わせす
る。これは、第２図には図示していないが、修正容器８
をＸ−Ｙステージに載置するか、光学系をＸ−Ｙに移動
させるなど、通常の手段で行なうことができる。そこで
シャッタ２０を開いてレーザ光１９を欠陥部に照射し、
一定時間後シャッタ２０を閉じる。このレーザ照射によ
ル、レーザ照射部は加熱され、修正物質１０がビス・ベ
ンゼン・クロムの場合には３００℃以上、ビス・ベンゼ
ン・そりプデンの場合には１１０℃以上で分解してクロ
ム、あるいはモリブデンがフォトマスク上に析出する。
即ち、欠落欠陥部にレーザを照射することによシ、欠落
欠陥部にのみクロムまたはモリブデンが析出して、欠陥
部を修正する。必要に応じて、フォトマスク７内の全て
の欠落欠陥を修正する。次に、バルブ９を閉じ修正容器
８内を十分排気してからバルブ１２を閉じバルブ１４を
開いて、不活性ガスをボンベ１５から注入し、修正容器
８内を大気圧とほぼ等しくする。この時、不活性ガスを
注入しながら排気しても良い。全てのバルブを閉じた後
、フォトマスク７を取外して修正を完了する。
欠陥部にのみクロムまたはモリブデンが析出して、欠陥
部を修正する。必要に応じて、フォトマスク７内の全て
の欠落欠陥を修正する。次に、バルブ９を閉じ修正容器
８内を十分排気してからバルブ１２を閉じバルブ１４を
開いて、不活性ガスをボンベ１５から注入し、修正容器
８内を大気圧とほぼ等しくする。この時、不活性ガスを
注入しながら排気しても良い。全てのバルブを閉じた後
、フォトマスク７を取外して修正を完了する。
又第３図に示す光学系を使用した場合は、任意の大きさ
の矩形領域に金属を析出させることができ（第２図に示
す光学系では、金属が円形領域に析出する）、高精度な
修正が行なわれる。
の矩形領域に金属を析出させることができ（第２図に示
す光学系では、金属が円形領域に析出する）、高精度な
修正が行なわれる。
このように、フォトマスクの欠落欠陥の修正に必要な工
程としては、レーザ光の集光点と欠落欠陥との位置合わ
せのみであり、弁操作及び温度調整は、制御装置２６に
よって自動的に行なわれるのである。
程としては、レーザ光の集光点と欠落欠陥との位置合わ
せのみであり、弁操作及び温度調整は、制御装置２６に
よって自動的に行なわれるのである。
又修正物質の加熱昇華及び、修正容器８内での修正物質
中の金属の分解は、真空中で行なわれ、かつ排気は不活
性ガス（修正物質と反応し−ないガス）によシ行なわれ
るので、酸化せず、欠落欠陥部に確実に金属が析出し、
修正される。
中の金属の分解は、真空中で行なわれ、かつ排気は不活
性ガス（修正物質と反応し−ないガス）によシ行なわれ
るので、酸化せず、欠落欠陥部に確実に金属が析出し、
修正される。
第６図及びオフ図に示す装置は、修正容器又は、フォト
マスクを移動し、レーザ光の集光点とフォトマスク上の
欠落欠陥部との位置合わせな行なうようにしたものであ
る。
マスクを移動し、レーザ光の集光点とフォトマスク上の
欠落欠陥部との位置合わせな行なうようにしたものであ
る。
先ず第８図においてＸ−Ｙに移動Ｉ３１′能で、かつ下
方が開放状態のステージ６０（ただし図ではＸ−Ｙ移動
機構は省略しである）上にマスク押え６１．ネジ６２に
よシフオドマスク７がパターン面が下向きになる様、固
定されている。Ｘ−Ｙステージ６０′Ｆ方には駆動機溝
６３によ勺、上下に移動可能な修正容器６４が設けられ
、駆動機構６３によシ修正ｇ器６４が上方へ移動してフ
ォトマスク７に押しつけられ、０リンケ６５によシ密閉
状態となる。修正容器６４内にはノズル６６が設けられ
ており、またバルブ６７を介して修正物質容器６８に、
パッシブ６９を介して真空ポンプ７０に、バルブ７１を
介して不活性ガスボンベ７２に配管されている。また、
修正物質容器６８内には修正物質７４が納められ、ヒー
タ７５によシ加熱できる構成になっている。修正手順は
次の通シでめる。第２図、るるいは第３図に示した光学
”系によシ、欠落欠陥とレーザ照射位置が一致する様に
Ｘ−Ｙステージ６０による位置合わせを行なった後、修
正容器６４をフォトマスク７に押しつけ、バルブ６９を
開いて真空ポンプ７０によシ、修正容器６４内を排気す
る。ヒータ７５により修正物質容器６８内の修正物質７
４を加熱する。修−正物質７４がビス・ベンゼン・クロ
ムの場合には１００〜２９０℃で、ビス・ベンゼン・モ
リブデンの場合には５０〜１００℃で昇華が起こシ、パ
ッシブ６７を開くことによシ、修正容器６４内のノズル
６６から修正容器６４内に導かれる。・この状態でレー
ザ。
方が開放状態のステージ６０（ただし図ではＸ−Ｙ移動
機構は省略しである）上にマスク押え６１．ネジ６２に
よシフオドマスク７がパターン面が下向きになる様、固
定されている。Ｘ−Ｙステージ６０′Ｆ方には駆動機溝
６３によ勺、上下に移動可能な修正容器６４が設けられ
、駆動機構６３によシ修正ｇ器６４が上方へ移動してフ
ォトマスク７に押しつけられ、０リンケ６５によシ密閉
状態となる。修正容器６４内にはノズル６６が設けられ
ており、またバルブ６７を介して修正物質容器６８に、
パッシブ６９を介して真空ポンプ７０に、バルブ７１を
介して不活性ガスボンベ７２に配管されている。また、
修正物質容器６８内には修正物質７４が納められ、ヒー
タ７５によシ加熱できる構成になっている。修正手順は
次の通シでめる。第２図、るるいは第３図に示した光学
”系によシ、欠落欠陥とレーザ照射位置が一致する様に
Ｘ−Ｙステージ６０による位置合わせを行なった後、修
正容器６４をフォトマスク７に押しつけ、バルブ６９を
開いて真空ポンプ７０によシ、修正容器６４内を排気す
る。ヒータ７５により修正物質容器６８内の修正物質７
４を加熱する。修−正物質７４がビス・ベンゼン・クロ
ムの場合には１００〜２９０℃で、ビス・ベンゼン・モ
リブデンの場合には５０〜１００℃で昇華が起こシ、パ
ッシブ６７を開くことによシ、修正容器６４内のノズル
６６から修正容器６４内に導かれる。・この状態でレー
ザ。
光１９を対物レンズ２２で集光して欠落欠陥部にガラス
基板を透過して照射する。レーザ照射部の修正物質蒸気
に触れている部分が、ビス・ベンゼン・クロムの場合で
３００℃、ビス・ベンゼン・モリブデンの場合で１１０
℃以上に加熱されると、修正物質蒸気が分解され、クロ
ムるるいはモリブデンが析出し、欠落欠陥を埋める。例
えば修正物質蒸気Ｃｒ （Ｃ６Ｈ６ｈが分解温度以上に
加熱された欠陥部に触れることにより Ｃｒ ＋２Ｃ６
Ｈ６に分解して金属Ｃｒが析出する。レーデ照射が終了
すると、パッシブ６７を閉じ、バルブ７１を開けて不活
性ガスを修正容器６４内に導きながら排気して、修正物
質＃気を修正容器６４から追い出し、バルブ６７．７１
を閉じ、駆動機ａ６５によシ修正廖器６４を下方へ後退
させ修正を完了する。
基板を透過して照射する。レーザ照射部の修正物質蒸気
に触れている部分が、ビス・ベンゼン・クロムの場合で
３００℃、ビス・ベンゼン・モリブデンの場合で１１０
℃以上に加熱されると、修正物質蒸気が分解され、クロ
ムるるいはモリブデンが析出し、欠落欠陥を埋める。例
えば修正物質蒸気Ｃｒ （Ｃ６Ｈ６ｈが分解温度以上に
加熱された欠陥部に触れることにより Ｃｒ ＋２Ｃ６
Ｈ６に分解して金属Ｃｒが析出する。レーデ照射が終了
すると、パッシブ６７を閉じ、バルブ７１を開けて不活
性ガスを修正容器６４内に導きながら排気して、修正物
質＃気を修正容器６４から追い出し、バルブ６７．７１
を閉じ、駆動機ａ６５によシ修正廖器６４を下方へ後退
させ修正を完了する。
次にオフ図において、フォトマスク７は通常のＸ−Ｙス
テージ（図示せず）上にパターン面を上向きにして載置
される。フォトマスク７上方には駆動ｍ楕７５によシ上
下移ＩｉＪ可能な修正容器７６が設けられる。修正容器
７６はレーザ光１９が透過できるｇ７７を備え、また内
部にはバルブ７８を介して修正物質容器７９に接続され
たノズル８０を有し、またパッシブ８１を介して真空ポ
ンプ８２に配管されている（必要に応じて、図示してい
ないが、バルブを介して不活性ガスポンベにも配管され
る）。修正物質容器７９内にビス・ベンゼン・クロムま
たはビス・ペン（ン・モ９プデン等の修正物質８２が納
められ、ヒータ８３で加熱できる構成になっている。駆
動機［７５により修正容器７６がフォトマスク７から持
ち上った状態で、第２図あるいは第５図に示した光学系
によシ、レーザ光照射位置と欠陥位置を位置合わせした
仮、駆動機構７５によ）修正容器７６をフォトマスク７
に押しつけ・、０９ング８４によシ密閉状態にする。こ
こで、バルブ８１を開いて真空ポンプ８２によシ修正容
器７６内を排気し、バルブ７８を開いて修正物質８２蒸
気をノズ）ｖ８０から導入し、レーザ光１９を窓７７を
透過させて欠陥部に照射する。その後、バルブ７８を閉
じ、必要に応じて不活性ガスを修正容器７６内に導入し
ながら修正物質蒸気を十分に排気し、駆動機構７５によ
シ修正容器７６を上方へ押上げて修正を完了する。
テージ（図示せず）上にパターン面を上向きにして載置
される。フォトマスク７上方には駆動ｍ楕７５によシ上
下移ＩｉＪ可能な修正容器７６が設けられる。修正容器
７６はレーザ光１９が透過できるｇ７７を備え、また内
部にはバルブ７８を介して修正物質容器７９に接続され
たノズル８０を有し、またパッシブ８１を介して真空ポ
ンプ８２に配管されている（必要に応じて、図示してい
ないが、バルブを介して不活性ガスポンベにも配管され
る）。修正物質容器７９内にビス・ベンゼン・クロムま
たはビス・ペン（ン・モ９プデン等の修正物質８２が納
められ、ヒータ８３で加熱できる構成になっている。駆
動機［７５により修正容器７６がフォトマスク７から持
ち上った状態で、第２図あるいは第５図に示した光学系
によシ、レーザ光照射位置と欠陥位置を位置合わせした
仮、駆動機構７５によ）修正容器７６をフォトマスク７
に押しつけ・、０９ング８４によシ密閉状態にする。こ
こで、バルブ８１を開いて真空ポンプ８２によシ修正容
器７６内を排気し、バルブ７８を開いて修正物質８２蒸
気をノズ）ｖ８０から導入し、レーザ光１９を窓７７を
透過させて欠陥部に照射する。その後、バルブ７８を閉
じ、必要に応じて不活性ガスを修正容器７６内に導入し
ながら修正物質蒸気を十分に排気し、駆動機構７５によ
シ修正容器７６を上方へ押上げて修正を完了する。
上記第６図及びオフ図における場合も、修正に要する工
程は、レーザ光の集光と、欠落欠陥との位置合わせのみ
であシ、かつ、真空中で行なうものである。
程は、レーザ光の集光と、欠落欠陥との位置合わせのみ
であシ、かつ、真空中で行なうものである。
以上の説明の中で、修正物質として、ビス・ベンゼン・
クロム及びビス・ベンゼン・モ９プデンについて述べた
がこれに限定されない。
クロム及びビス・ベンゼン・モ９プデンについて述べた
がこれに限定されない。
例えば修正ｅｌＪ質としてビス・ベンゼン・タングステ
ンやビス・ぺνゼン・鉄を用いることも可能でるる。ま
た不活性ガスとして説明して来たものは修正物質蒸気と
反応しないものであれ。
ンやビス・ぺνゼン・鉄を用いることも可能でるる。ま
た不活性ガスとして説明して来たものは修正物質蒸気と
反応しないものであれ。
ば良く、Ｈｅ、 Ｎｅ、 Ａｒ、 Ｋｒ、 Ｘｅの他に
Ｎ２を使用することができる。またレーザ光源について
も、実施例中ではＡｒレーザを用いた場合について説明
して来たが、フォトマスク基板または窓材を透過できる
ものでろれば良＜、ＹＡＧレーザの基本波や高調波、Ｋ
ｒレーザ、および各種励起波による色素レーザを使用し
ても、同じ効果が得られる。
Ｎ２を使用することができる。またレーザ光源について
も、実施例中ではＡｒレーザを用いた場合について説明
して来たが、フォトマスク基板または窓材を透過できる
ものでろれば良＜、ＹＡＧレーザの基本波や高調波、Ｋ
ｒレーザ、および各種励起波による色素レーザを使用し
ても、同じ効果が得られる。
また、本発明による修正で欠落欠陥よシはみ出して金属
を析出させた場合、従来のレーザによる残留欠陥の修正
を行なうことによシ修正することができる。
を析出させた場合、従来のレーザによる残留欠陥の修正
を行なうことによシ修正することができる。
以上詳述した通シ本発明によるフォトマスクの欠陥修正
方法によれば、真空中で修正物質を加熱昇華し、真空中
で欠落欠陥を加熱して、蒸発し分解した釡属を欠落欠陥
部分に析出するようにしたので、修正に必要な工程とし
ては、レーザ光の集光と欠落欠陥部分との位置合わせの
みでよく、工程数を大巾に削減することによシ、修正に
要する時間を大巾に減少させ、生産性を大巾に向上する
ことができた。
方法によれば、真空中で修正物質を加熱昇華し、真空中
で欠落欠陥を加熱して、蒸発し分解した釡属を欠落欠陥
部分に析出するようにしたので、修正に必要な工程とし
ては、レーザ光の集光と欠落欠陥部分との位置合わせの
みでよく、工程数を大巾に削減することによシ、修正に
要する時間を大巾に減少させ、生産性を大巾に向上する
ことができた。
又真空中で修正物質中の金属の蒸発分解と欠落欠陥部分
えの析出を行なうようにしたので、金属掌上不安定な金
属でも酸化することがなく、従って粒子状の析出ではな
く、良好な析出が得られ、フォトマスク欠落欠陥部分が
確実に且つ ″高精度に修正され、製品の歩留シな大巾
に向上することができた。
えの析出を行なうようにしたので、金属掌上不安定な金
属でも酸化することがなく、従って粒子状の析出ではな
く、良好な析出が得られ、フォトマスク欠落欠陥部分が
確実に且つ ″高精度に修正され、製品の歩留シな大巾
に向上することができた。
第１図は従来例であｐル−ザ光照射によって金属を析出
させる装置の原理図である。第２図乃至オフ図は本発明
の一実施例でろ９１第２図は、修正装置の全体構成を示
す図である。第３図は、光学系のみを示す構成図、第４
図はフォトマスクを用いて密閉にするようにした修正容
器の縦断面図、第５図は、フォトマスクを容器の底部に
固定する・ようにした修正容器の縦断面図、第６図はフ
ォトマスクの下側に、オフ図はフォトマスクの上側に修
正容器を位置させ、修正容器又はフォトグラフをＸ−Ｙ
方向に移動して、レーザ光と欠落欠陥部との位置合わせ
をするようにした修正装置の要部を示す縦断面図でるる
。 ７・・・フォトマスク、８，６４．７６・・・修正容器
、１０．７４．８２・・・修正物質、１１，６８，７９
・・・修正物質容器、１６，１７，７５．８３・・・ヒ
ータ、１３，７０．８２・・・真空ポンプ、１５・・・
不活性ガスボンベ。 第 １ 尉 第 ２１１２］ 第 ３ 図 茅４ 図 第 ５固。 第ｔ 訂 第 ７ 図 ２
させる装置の原理図である。第２図乃至オフ図は本発明
の一実施例でろ９１第２図は、修正装置の全体構成を示
す図である。第３図は、光学系のみを示す構成図、第４
図はフォトマスクを用いて密閉にするようにした修正容
器の縦断面図、第５図は、フォトマスクを容器の底部に
固定する・ようにした修正容器の縦断面図、第６図はフ
ォトマスクの下側に、オフ図はフォトマスクの上側に修
正容器を位置させ、修正容器又はフォトグラフをＸ−Ｙ
方向に移動して、レーザ光と欠落欠陥部との位置合わせ
をするようにした修正装置の要部を示す縦断面図でるる
。 ７・・・フォトマスク、８，６４．７６・・・修正容器
、１０．７４．８２・・・修正物質、１１，６８，７９
・・・修正物質容器、１６，１７，７５．８３・・・ヒ
ータ、１３，７０．８２・・・真空ポンプ、１５・・・
不活性ガスボンベ。 第 １ 尉 第 ２１１２］ 第 ３ 図 茅４ 図 第 ５固。 第ｔ 訂 第 ７ 図 ２
Claims (1)
- 真空容器内で修正物質を加熱昇華し、真空容器内にフォ
トマスクを設置し、該フォトマスクの欠落欠陥部のみを
加熱し、上記加熱昇華した修正物質を分解させ、加熱さ
れているフォトマスクの白点欠陥部に修正物質中の分解
した金属を析出してフォトマスクの白点欠陥部を修正す
るようにしたフォトマスク欠陥修正方法
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59052128A JPS60196942A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | フオトマスク欠陥修正方法 |
| US06/713,860 US4609566A (en) | 1984-03-21 | 1985-03-20 | Method and apparatus for repairing defects on a photo-mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59052128A JPS60196942A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | フオトマスク欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60196942A true JPS60196942A (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=12906231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59052128A Pending JPS60196942A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | フオトマスク欠陥修正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4609566A (ja) |
| JP (1) | JPS60196942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020056998A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182726A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜形成方法 |
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| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
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| JPS61278146A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Toshiba Corp | 光処理方法 |
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- 1984-03-21 JP JP59052128A patent/JPS60196942A/ja active Pending
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1985
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4609566A (en) | 1986-09-02 |
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