JP6818484B2 - 基板洗浄方法、基板洗浄レシピ作成方法、および基板洗浄レシピ作成装置 - Google Patents
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Description
この発明の他の目的は、前記のような基板洗浄方法を実行するための基板洗浄レシピを作成する方法および装置を提供することである。
この方法によれば、基板の表面の酸化膜が所定の膜厚まで部分的にエッチングされる。すなわち、酸化膜の表面部分がエッチングされることによって、所定の膜厚の酸化膜が残される。酸化膜の表面部分がエッチングされることにより、酸化膜に部分的または全体的に取り込まれているパーティクルが露出し、かつその露出部分の割合が大きくなる。したがって、その後に物理洗浄を実行すれば、比較的小さいエネルギーでパーティクルを取り除くことができる。こうして、小さいエネルギーの物理洗浄で必要なパーティクル除去性能を実現できるから、基板表面に形成されたパターンの損傷を抑制または回避できる。
この発明の一実施形態では、前記酸化膜が、パーティクルを少なくとも部分的に取り込んだ自然酸化膜である。そして、前記部分エッチング工程が、前記パーティクルを前記自然酸化膜から露出させるか、または前記自然酸化膜からの露出部分を増加させる工程である。さらに、前記物理洗浄が、前記自然酸化膜を前記基板の表面に残しながら、前記自然酸化膜から露出したパーティクルを物理的な作用によって除去する工程である。
この発明の一実施形態では、前記部分エッチング工程が、前記基板の表面に希釈フッ酸を供給する工程を含む。この方法では、希釈フッ酸によって、酸化膜(たとえば自然酸化膜)の部分エッチングが行われる。希釈フッ酸を用いて酸化膜の全体を除去することは、基板表面の荒れを招くおそれがあるので好ましくない。そこで、酸化膜を膜厚途中まで部分的にエッチングすることで、基板表面を優れた状態に保持しながら、パターン損傷を抑制または回避しつつ、基板上のパーティクルを除去できる。
この発明の一実施形態は、表面に酸化膜を有する基板を洗浄する基板洗浄処理を基板処理装置で実行するために前記基板処理装置に登録すべきレシピデータを作成する基板洗浄レシピ作成方法を提供する。前記基板洗浄処理は、前記酸化膜を所定の膜厚までエッチングする部分エッチング工程と、前記部分エッチング工程の後に、前記基板の表面に対して物理洗浄を実行する物理洗浄工程と、を含む。前記基板洗浄レシピ作成方法は、前記部分エッチング工程を実行するためのステップデータを作成する部分エッチングステップ作成工程と、前記物理洗浄工程を実行するためのステップデータを作成する物理洗浄ステップ作成工程と、前記部分エッチング工程におけるエッチング条件と前記物理洗浄工程における物理洗浄条件との関係を、予め準備した適合基準データに基づいて互いに適合させる条件適合工程と、を含む。適合基準データは、記憶ユニットに格納されていてもよい。
この発明の一実施形態に係る基板洗浄レシピ作成方法では、前記物理洗浄ステップ作成工程が、前記物理洗浄工程における物理洗浄条件を含むステップデータを作成する工程を含む。そして、前記条件適合工程が、たとえば演算ユニットによって、前記物理洗浄ステップ作成工程で作成されたステップデータに含まれる物理洗浄条件に適合するエッチング条件を前記適合基準データに基づいて提示または設定する工程を含む。
この発明の一実施形態は、表面に酸化膜を有する基板を洗浄する基板洗浄処理を基板処理装置で実行するために前記基板処理装置に登録すべきレシピデータを作成する基板洗浄レシピ作成装置を提供する。前記基板洗浄処理は、前記酸化膜を所定の膜厚までエッチングする部分エッチング工程と、前記部分エッチング工程の後に、前記基板の表面に対して物理洗浄を実行する物理洗浄工程と、を含む。そして、前記基板洗浄レシピ作成装置は、使用者による指令入力を受け付ける指令入力手段と、前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記部分エッチング工程を実行するためのステップデータを作成する部分エッチングステップ作成手段と、前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記物理洗浄工程を実行するためのステップデータを作成する物理洗浄ステップ作成手段と、前記部分エッチング工程におけるエッチング条件と前記物理洗浄工程における物理洗浄条件との関係を、予め準備した適合基準データに基づいて互いに適合させる条件適合手段と、を含む。適合基準データは記憶ユニットに格納されていてもよい。
この発明の一実施形態に係る基板洗浄レシピ作成装置では、前記物理洗浄ステップ作成手段が、前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記物理洗浄工程における物理洗浄条件を設定したステップデータを作成する手段を含む。また、前記条件適合手段が、前記物理洗浄ステップ作成手段によって作成されたステップデータに含まれる物理洗浄条件に適合するエッチング条件を前記適合基準データに基づいて提示または設定する手段を含む。
前述のような特徴を有する基板レシピ作成装置は、基板処理装置に組み込まれていてもよく、基板処理装置とは別に設けられていてもよい。
図1A、図1Bおよび図1Cは、この発明の一実施形態に係る基板洗浄方法を説明するための図解的な断面図である。図1Aは、洗浄処理前の基板Wの表面の状態を拡大して示す。洗浄対象の基板Wは、たとえば、半導体ウエハである。基板Wの表面には、デバイスを構成する微細パターン(図示省略)が形成されている。そして、基板Wの表面には、パーティクルPが付着している。パーティクルPは、基板Wの表面に形成された自然酸化膜70(たとえばSiO2)に部分的に取り込まれている。したがって、自然酸化膜70が基板Wに対するパーティクルPの付着を補強している。
この実施形態では、部分エッチング工程(図1B)において、基板Wの表面に希釈フッ酸80が供給される。それにより、自然酸化膜70が所定膜厚まで部分的にエッチングされる。すなわち、自然酸化膜70は全部が除去されるのではなく、表面部分71(図1C参照)が膜厚途中までエッチング(ライトエッチング)され、所定の膜厚の部分72が基板Wの表面に残される。この部分エッチング工程によって、パーティクルPの露出部分が増加する。部分エッチング工程の前の段階で自然酸化膜70に全体が取り込まれているパーティクルPがあれば、このようなパーティクルPは、部分エッチング工程によって、自然酸化膜70から部分的に露出し、さらにその露出部分が増加する。なお、図1Bには、自然酸化膜70に部分的に取り込まれているパーティクルPのみを示してある。
図3から、部分エッチング工程を実行しない場合のパーティクル除去率が27%程度であるのに対して、希釈フッ酸による処理時間(エッチング時間)を長くするに従って、パーティクル除去率が増加することが分かる。すなわち、部分エッチング工程を実行することによって、パーティクル除去率が向上している。さらに、エッチング時間を120秒以上とすることにより、100%に近いパーティクル除去率を達成できることが分かる。
図4Aおよび図4Bは、部分エッチング工程のエッチング条件とパーティクル除去率との関係についてのさらに詳しい実験結果を示す。図4Aおよび図4Bにおいて、シンボル「◆」は、物理洗浄工程に二流体洗浄処理を適用した場合の実験結果を示す。また、シンボル「◇」は、物理洗浄工程に固化溶解法(後述の図13参照。ただし、この例では高分子膜を用いた。)を適用した場合の実験結果を示す。
図4Aおよび図4Bから、自然酸化膜中に取り込まれている割合(表面積または体積の割合)が小さくほど、すなわち、自然酸化膜からより多くの部分が露出しているほど、除去率が高くなることが分かる。すなわち、図4および図5は、自然酸化膜のエッチングによりパーティクル除去率が向上することを示している。なお、自然酸化膜のエッチングのみ、すなわち、物理洗浄工程を行わない場合にはパーティクルがほとんど除去されないことは、別の実験により確認された。
スピンチャック10は、処理対象の基板Wを水平に保持する基板保持機構である。スピンチャック10は、鉛直な回転軸線3まわりに回転可能である。スピンチャック10を回転させるために、電動モータ2が備えられている。電動モータ2は、基板Wを回転させる基板回転ユニットの一例である。この構成により、基板Wを水平に保持し、その中心を通る回転軸線3まわりに回転させることができる。
図6に示した二流体ノズル12は、ノズルの外部で液体と不活性ガスとを混合して微小液滴を生成する、いわゆる外部混合型の二流体ノズルである。このような外部混合型の二流体ノズルに代えて、ノズル内部で気体と液体とを混合する内部混合型の二流体ノズルが適用されてもよい。
プログラム100は、レシピデータ111に基づいて基板処理装置1のリソースを制御し、それによって基板Wに対する処理を実現する基板処理プログラム101を含む。また、プログラム100は、レシピデータ111を作成するためのレシピ作成プログラム102を含んでいてもよい。
以上では、適合基準データ112の概念を、不活性ガス流量と希釈フッ酸の供給時間との対応関係のみで説明したが、実際の適合基準データ112は様々なエッチング条件と物理洗浄条件の組み合わせにおける適合関係が考えられる。例えば、不活性ガス流量と希釈フッ酸の供給時間・供給流量との組み合わせや、不活性ガス流量・供給時間と希釈フッ酸供給時間・供給流量との組み合わせなどが考えられる。
図8は、前述のような基板洗浄処理を実行するためのレシピデータの一例を示す。レシピを構成する各ステップのステップデータは、たとえば、ステップ番号、ジャンプ先ステップ、基板回転数(rpm)、処理時間(秒)、第1〜第4バルブ、第1〜第4流量、ノズル制御1,2などの処理条件に関する記述を含む。原則としてステップ番号に従って処理が実行され、ステップ番号に従わない順序を指定するときには、ジャンプ先ステップの欄に次のステップのステップ番号が記述される。基板回転数は、スピンチャック10を回転させて基板Wを回転させるときの回転数である。処理時間は当該ステップの時間であり、たとえばスピンチャック10の回転数が指定回転数に維持される時間を表す。第1〜第4バルブの欄には、制御対象のバルブが記入される。第1〜第4流量の欄には、それぞれ第1〜第4バルブを通る処理流体の流量が記入される。
ステップ番号2は、希釈フッ酸を基板Wに供給する部分エッチングステップを規定している。この例では、基板Wの回転数が1000rpmに制御される。第1バルブとして、第1処理液バルブV1が指定されている。すなわち、ステップ番号2では、第1処理液バルブV1を開く制御動作が指定されている。さらに、第1処理液バルブV1に対応する流量、すなわち、第1処理液供給路41を通る希釈フッ酸の流量が指定されている。この例では、500ミリリットル/分である。また、処理時間は60秒に指定されている。「ノズル制御1」には、第1移動ノズル11が基板Wの中央で停止するノズル移動制御が指定されている。したがって、ステップ番号2が実行されるとき、コントローラ90は、第1アーム駆動機構31を制御して、第1移動ノズル11を基板Wの回転中心上に配置して停止させる。そして、基板Wが1000rpmで回転されている状態で第1処理液バルブV1が開かれる。それにより、第1移動ノズル11から基板Wの表面の回転中心に向けて希釈フッ酸が供給される。そのときの希釈フッ酸の流量は、コントローラ90が流量計F1の出力を監視しながら流量調整弁FV1を制御することによって、500ミリリットル/分に制御される。その状態で、希釈フッ酸が60秒間にわたって基板Wの表面に供給される。
ステップ番号7は、基板Wの回転を停止するステップであり、基板Wの回転数が0rpmに指定されている。
使用者は、入力ユニット96を操作することにより、レシピ作成プログラム102を起動し、レシピデータの作成を開始する。レシピデータ作成においては、使用者は、レシピデータを構成するステップを表すステップデータを作成して登録する操作を繰り返す(S1,S2,S3)。すなわち、図8のレシピデータの場合であれば、ステップ番号1〜7のステップデータが順次作成される。ステップ番号2のステップデータの作成が、部分エッチングステップのステップデータの作成に対応する。また、ステップ番号4のステップデータの作成が、物理洗浄ステップのステップデータの作成に対応する。したがって、演算ユニット91がレシピ作成プログラム102を実行することにより、入力ユニット96から入力される指令に応じて部分エッチングステップのステップデータを作成する部分エッチングステップ作成手段としての機能が提供される。同様に、演算ユニット91がレシピ作成プログラム102を実行することにより、入力ユニット96から入力される指令に応じて物理洗浄工程を実行するためのステップデータを作成する物理洗浄ステップ作成手段としての機能が提供される。なお、レシピデータの作成順序は、必ずしもステップ番号に従う必要はない。
第1の処理例(S11〜S13)では、演算ユニット91が使用者に対してレシピデータの修正を促し、それに応じて、使用者が入力ユニット96を操作して、レシピデータを修正する。より具体的には、演算ユニット91は、使用者に対してレシピデータが不適合であることを通知する(S11)。この通知は、たとえば、ディスプレイ95に不適合の通知表示を表示させることで行える。演算ユニット91は、さらに、使用者に対して、エッチング条件に適合する物理洗浄条件、物理洗浄条件に適合するエッチング条件、またはそれらの両方を提示する(S12)。この提示もディスプレイ95での表示によって行える。この提示を受けて、使用者は、入力ユニット96を操作することによって、部分エッチング工程のステップデータ、物理洗浄工程のステップデータ、またはそれらの両方のステップデータを修正する(S13)。その後、再び、レシピデータが適合基準データ112と照合される(S4)。こうして、適合基準データ112に適合するレシピデータを作成して、記憶ユニット92に登録することができる。
そして、使用者に対して、ステップデータの変更、すなわち、エッチング条件および/または物理洗浄条件を変更したことを通知し(S22)、その変更についての承認を求める(S23)。使用者への通知は、ディスプレイ95にメッセージ等を表示することによって行える。このとき、使用者が設定したレシピデータが適合基準データ112に適合しないことを併せて通知してもよい。使用者は、入力ユニット96を操作することによって、変更を承認することができる(S23:YES)。これにより、演算ユニット91は、レシピデータ作成処理を終了する。一方、使用者は、入力ユニット96を操作することによって、レシピデータの変更を否認することもできる(S23:NO)。この場合には、使用者は、レシピデータを修正する(S24)。具体的には、部分エッチング工程のステップデータ、物理洗浄工程のステップデータ、またはそれらの両方のステップデータを修正する(S21)。その後、再び、レシピデータが適合基準データ112と照合される(S4)。このような処理を繰り返すことにより、適合基準データ112に適合するレシピデータを作成して、記憶ユニット92に登録することができる。
より具体的には、この実施形態では、部分エッチング工程において、希釈フッ酸が用いられる。希釈フッ酸を用いて自然酸化膜70の全体を除去することは、基板Wの表面の荒れを招くおそれがあるので好ましくない。そこで、自然酸化膜70を膜厚途中まで部分的にエッチングすることで、基板Wの表面を優れた状態に保持しながら、パターン損傷を抑制または回避しつつ、基板W上のパーティクルPを除去できる。
また、この実施形態では、前述のような基板洗浄方法を実行するためのレシピデータ111が作成される。レシピデータ111は、基板処理装置1に登録され、基板処理装置1がそのレシピデータ111に従って作動することによって、前述の基板洗浄方法が実行される。部分エッチング工程のエッチング条件と、物理洗浄工程における物理洗浄条件とは、適合基準データ112に基づいて、適合させられる。それにより、エッチング条件と物理洗浄条件とが適合したレシピデータ111を作成できるので、全体として適切な基板洗浄処理、すなわち、パターン損傷を抑制または回避しながら必要なパーティル除去性能を達成できる基板洗浄処理を実現できるレシピデータを作成できる。
この実施形態では、レシピデータ111の作成が、基板処理装置1とは別に設けられたコンピュータシステム200によって作成される。そして、作成済みのレシピデータ111が基板処理装置1に登録される。
データ入出力インタフェース204は、データの書込みおよび読出しが可能な記録媒体に対する書き込み/読み出しを行うリーダ・ライタユニットであってもよい。記録媒体は、光ディスクや磁気ディスク等であってもいし、USBメモリやメモリカード等のポータブルメモリであってもよい。データ入出力インタフェース204は、通信ユニットを含んでいてもよい。すなわち、たとえば、ネットワークを介してデータの入出力が行われてもよい。
レシピ作成プログラム102を演算ユニット211によって実行することで、コンピュータシステム200でレシピデータ111を作成して記憶ユニット212に格納することができる。また、他のコンピュータ等でレシピデータを作成し、そのレシピデータをデータ入出力インタフェース204を介して取得し、記憶ユニット212に格納し、必要に応じて編集することもできる。
こうして、コンピュータシステム200で予め作成されたレシピデータ111が、基板処理装置1に登録される。したがって、基板処理装置1のコントローラ90は、レシピ作成プログラムを備えている必要はない。また、基板処理装置1の記憶ユニット92には、適合基準データ112が格納されている必要もない。
図11は、この発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置1Aの構成を説明するための概念図である。図11において、図5に示した各部と同様の部分には同一参照符号を付す。この実施形態では、物理洗浄手段として、二流体ノズルに代えて、超音波ノズルからなる第2移動ノズル12Aが備えられている。第2移動ノズル12Aは、第2処理液供給路42に結合されており、DIW供給源52からDIWの供給を受けるように構成されている。第2移動ノズル12A内においてDIWが通る処理液流路に対向するように振動板401が配置されている。振動板401は、高周波発振回路402が生成する駆動信号によって駆動され、超音波周波数で振動する。それにより、第2移動ノズル12Aを通るDIWに超音波振動が付与され、その超音波振動が付与されたDIWが基板Wの表面に供給される。したがって、超音波振動が基板Wおよび基板Wの表面に存在するパーティクルに伝搬し、それによって、パーティクルが基板Wの表面から離脱する。こうして、基板Wの表面に超音波振動を付与した液体を供給する超音波洗浄工程が物理洗浄工程として実行される。この場合の物理洗浄のエネルギーは、超音波振動の振幅、すなわち、高周波発振回路402の出力を調整することによって制御される。なお、超音波ノズルの詳細な構造例は、たとえば、特開2015−65355号公報、特開2013−214757号公報などに記載されている。
凝固体膜の融解は、固定ノズル13からリンス液(たとえばDIW)を供給して行ってもよい。
また、前述の実施形態では、部分エッチング工程のエッチング液として、希釈フッ酸を例示したが、それ以外のエッチング液によって部分エッチングが行われてもよい。
また、前述の実施形態では、ステップデータの作成後にレシピデータを適合基準データと照合しているが、ステップデータの作成段階で適合基準データとの照合が行われてもよい。たとえば、レシピ作成プログラム102は、部分エッチングステップデータを作成し、その後に物理洗浄ステップデータを作成する場合において、物理洗浄ステップデータの作成時に、部分エッチングステップデータで指定されたエッチング条件に適合する物理洗浄条件を提示(たとえばディスプレイ95に表示)してもよい。より具体的には、レシピ作成プログラム102は、物理洗浄ステップデータの作成時に、適合基準データに適合する物理洗浄条件をプリセットするように構成されていてもよい。また、逆に、レシピ作成プログラム102は、物理洗浄ステップデータを作成し、その後に部分エッチングステップデータを作成する場合において、部分エッチングステップデータの作成時に、物理洗浄ステップデータで指定された物理洗浄条件に適合するエッチング条件を提示(たとえばディスプレイ95に表示)してもよい。より具体的には、レシピ作成プログラム102は、部分エッチングステップデータの作成時に、適合基準データに適合するエッチング条件をプリセットするように構成されていてもよい。
1A :基板処理装置
1B :基板処理装置
1C :基板処理装置
10 :スピンチャック
11 :第1移動ノズル(エッチング液ノズル)
12 :第2移動ノズル(二流体ノズル)
12A :第2移動ノズル(超音波ノズル)
12B :第2移動ノズル(吐出ヘッド)
12C :第2移動ノズル(冷却ヘッド)
13 :固定ノズル
21 :第1スキャンアーム
22 :第2スキャンアーム
31 :第1アーム駆動機構
32 :第2アーム駆動機構
41 :第1処理液供給路
42 :第2処理液供給路
43 :第3処理液供給路
44 :気体供給路
51 :フッ酸供給源
52 :DIW供給源
53 :リンス液供給源
54 :不活性ガス供給源
70 :自然酸化膜
71 :表面部分
72 :エッチング後に残される部分
80 :希釈フッ酸
81 :混合流体
90 :コントローラ
91 :演算ユニット
92 :記憶ユニット
95 :ディスプレイ
96 :入力ユニット
100 :プログラム
101 :基板処理プログラム
102 :レシピ作成プログラム
110 :データ
111 :レシピデータ
112 :適合基準データ
120 :データ入力インタフェース
200 :コンピュータシステム
201 :コンピュータ本体
202 :ディスプレイ
203 :入力ユニット
204 :データ入出力インタフェース
211 :演算ユニット
212 :記憶ユニット
300 :プログラム
310 :データ
401 :振動板
402 :高周波発振回路
411 :ヘッド駆動回路
412 :基板対向面
421 :冷却器
V1 :第1処理液バルブ
V2 :第2処理液バルブ
V3 :第3処理液バルブ
V21 :不活性ガスバルブ
F1〜F3,F21 :流量計
FV1〜FV3,FV21 :流量調整弁
LD :パターン損傷度数分布を表す曲線
LE :物理洗浄エネルギーの分布を表す曲線
LP :残留パーティクル度数分布を表す曲線
P :パーティクル
PW :プロセスウィンドウ
W :基板
Claims (5)
- 表面に酸化膜を有する基板を洗浄する基板洗浄処理を基板処理装置で実行するために前記基板処理装置に登録すべきレシピデータを作成する基板洗浄レシピ作成方法であって、
前記基板洗浄処理が、前記酸化膜を所定の膜厚までエッチングする部分エッチング工程と、前記部分エッチング工程の後に、前記基板の表面に対して物理洗浄を実行する物理洗浄工程と、を含み、
前記基板洗浄レシピ作成方法が、
前記部分エッチング工程を実行するためのステップデータを作成する部分エッチングステップ作成工程と、
前記物理洗浄工程を実行するためのステップデータを作成する物理洗浄ステップ作成工程と、
前記部分エッチング工程におけるエッチング条件と前記物理洗浄工程における物理洗浄条件との関係を、予め準備して記憶ユニットに格納された適合基準データに基づいて互いに適合させる条件適合工程と、を含み、
前記部分エッチングステップ作成工程が、前記部分エッチング工程におけるエッチング条件を含むステップデータを作成する工程を含み、
前記条件適合工程において、演算ユニットが、前記部分エッチングステップ作成工程で作成されたステップデータに含まれるエッチング条件に適合する物理洗浄条件を前記適合基準データに基づいて提示または設定する工程を実行する、基板洗浄レシピ作成方法。 - 表面に酸化膜を有する基板を洗浄する基板洗浄処理を基板処理装置で実行するために前記基板処理装置に登録すべきレシピデータを作成する基板洗浄レシピ作成方法であって、
前記基板洗浄処理が、前記酸化膜を所定の膜厚までエッチングする部分エッチング工程と、前記部分エッチング工程の後に、前記基板の表面に対して物理洗浄を実行する物理洗浄工程と、を含み、
前記基板洗浄レシピ作成方法が、
前記部分エッチング工程を実行するためのステップデータを作成する部分エッチングステップ作成工程と、
前記物理洗浄工程を実行するためのステップデータを作成する物理洗浄ステップ作成工程と、
前記部分エッチング工程におけるエッチング条件と前記物理洗浄工程における物理洗浄条件との関係を、予め準備して記憶ユニットに格納された適合基準データに基づいて互いに適合させる条件適合工程と、を含み、
前記物理洗浄ステップ作成工程が、前記物理洗浄工程における物理洗浄条件を含むステ
ップデータを作成する工程を含み、
前記条件適合工程において、演算ユニットが、前記物理洗浄ステップ作成工程で作成されたステップデータに含まれる物理洗浄条件に適合するエッチング条件を前記適合基準データに基づいて提示または設定する工程を実行する、基板洗浄レシピ作成方法。 - 表面に酸化膜を有する基板を洗浄する基板洗浄処理を基板処理装置で実行するために前記基板処理装置に登録すべきレシピデータを作成する基板洗浄レシピ作成装置であって、
前記基板洗浄処理が、前記酸化膜を所定の膜厚までエッチングする部分エッチング工程と、前記部分エッチング工程の後に、前記基板の表面に対して物理洗浄を実行する物理洗浄工程と、を含み、
前記基板洗浄レシピ作成装置が、
使用者による指令入力を受け付ける指令入力手段と、
前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記部分エッチング工程を実行するためのステップデータを作成する部分エッチングステップ作成手段と、
前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記物理洗浄工程を実行するためのステップデータを作成する物理洗浄ステップ作成手段と、
前記部分エッチング工程におけるエッチング条件と前記物理洗浄工程における物理洗浄条件との関係を、予め準備して記憶ユニットに格納された適合基準データに基づいて互いに適合させる条件適合手段と、を含み、
前記部分エッチングステップ作成手段が、前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記部分エッチング工程におけるエッチング条件を設定したステップデータを作成する手段を含み、
前記条件適合手段が、前記部分エッチングステップ作成手段によって作成されたステップデータに含まれるエッチング条件に適合する物理洗浄条件を前記適合基準データに基づいて提示または設定する手段を含む、基板洗浄レシピ作成装置。 - 表面に酸化膜を有する基板を洗浄する基板洗浄処理を基板処理装置で実行するために前記基板処理装置に登録すべきレシピデータを作成する基板洗浄レシピ作成装置であって、
前記基板洗浄処理が、前記酸化膜を所定の膜厚までエッチングする部分エッチング工程と、前記部分エッチング工程の後に、前記基板の表面に対して物理洗浄を実行する物理洗浄工程と、を含み、
前記基板洗浄レシピ作成装置が、
使用者による指令入力を受け付ける指令入力手段と、
前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記部分エッチング工程を実行するためのステップデータを作成する部分エッチングステップ作成手段と、
前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記物理洗浄工程を実行するためのステップデータを作成する物理洗浄ステップ作成手段と、
前記部分エッチング工程におけるエッチング条件と前記物理洗浄工程における物理洗浄条件との関係を、予め準備して記憶ユニットに格納された適合基準データに基づいて互いに適合させる条件適合手段と、を含み、
前記物理洗浄ステップ作成手段が、前記指令入力手段から入力される指令に応じて、前記物理洗浄工程における物理洗浄条件を設定したステップデータを作成する手段を含み、
前記条件適合手段が、前記物理洗浄ステップ作成手段によって作成されたステップデータに含まれる物理洗浄条件に適合するエッチング条件を前記適合基準データに基づいて提示または設定する手段を含む、基板洗浄レシピ作成装置。 - コンピュータを請求項3または4に記載の基板洗浄レシピ作成装置として機能させるように実行ステップ群が組み込まれたコンピュータプログラム。
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