TW201814791A - 基板洗淨方法、基板洗淨配方作成方法以及基板洗淨配方作成裝置 - Google Patents

基板洗淨方法、基板洗淨配方作成方法以及基板洗淨配方作成裝置 Download PDF

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Abstract

一種基板洗淨方法，係洗淨在表面具有氧化膜的基板。該基板洗淨方法係包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨。前述氧化膜亦可為至少部分帶入有微粒的自然氧化膜。在此情況下，前述部分蝕刻步驟亦可為使前述微粒自前述自然氧化膜露出、或使自前述自然氧化膜露出之露出部分增加的步驟。此外，前述物理洗淨亦可為一邊使前述自然氧化膜殘留於前述基板之表面一邊藉由物理的作用去除自前述自然氧化膜露出的微粒的步驟。

Description

基板洗淨方法、基板洗淨配方作成方法以及基板洗淨配方作成裝置
本發明係關於一種洗淨基板的方法、以及作成基板洗淨用之配方(recipe)的方法及裝置。本發明係更關於一種用以使電腦具有作為基板洗淨配方作成裝置之功能的電腦程式(computer program)。在洗淨對象的基板中，包含例如半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。
為了半導體晶圓等之基板的洗淨，有的情況能應用所謂的物理洗淨。所謂物理洗淨係指藉由物理的作用，更具體而言是藉由力學的能量(energy)來去除基板表面之異物(以下稱為「微粒(particle)」)的處理。物理洗淨的具體例為超音波洗淨、雙流體洗淨、噴墨(inkjet)洗淨、固化溶解洗淨等，此等已分別記載於專利文獻1至專利文獻3等中。
例如，雙流體洗淨係使用雙流體噴嘴(two fluid nozzle)將已混合氣體及液體後的混合流體供給至基板之表面的處理。混合流體中的液滴碰撞於基板之表面，且藉由該衝擊 使基板之表面的微粒從基板脫離而去除。混合流體所具有的運動能量越大就越能獲得較大的去除性能，另一方面，如果運動能量過大，則基板表面之元件(device)形成用的圖案(pattern)恐有受到損傷(例如圖案崩壞)之虞。亦即，微粒去除與圖案損傷係處於取捨(trade-off)的關係。因此，較佳的是在不發生圖案損傷之範圍內盡可能使用具有較大之運動能量的混合流體。
此情形即便是在其他的物理洗淨中亦為同樣。亦即，在各個洗淨處理中設定有用以調整物理力的參數(parameter)，以便將在不發生圖案損傷之範圍內盡可能地使較大的物理力(能量)提供給基板上的微粒。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-214757號公報。
專利文獻2：日本特開2003-275696號公報。
專利文獻3：日本特開2014-179449號公報。
伴隨形成於基板之表面的圖案之微細化，以更小的物理力就會發生圖案損傷。相應於此，能去除基板上之微粒且能迴避基板上的圖案之損傷的物理力或物理能量之範圍，亦即處理視窗(process window)會變小。因此，難以藉由物理洗淨來一邊迴避圖案損傷一邊實現優異的微粒去除性能。
因此，本發明之一目的在於提供一種基板洗淨方法，係能應用物理洗淨有效率地去除基板上之微粒，且能抑制基板上的圖案之損傷。
本發明之另一目的在於提供一種作成用以執行如前述的基板洗淨方法之基板洗淨配方的方法及裝置。
本發明之更另一目的在於提供一種用以使電腦具有作為基板洗淨配方作成裝置之功能的電腦程式。
本發明係提供一種洗淨在表面具有氧化膜之基板的基板洗淨方法，包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨。
依據本方法，基板之表面的氧化膜部分能蝕刻至預定之膜厚為止。亦即，藉由氧化膜之表面部分被蝕刻，而殘留預定之膜厚的氧化膜。藉由氧化膜之表面部分被蝕刻，而使部分或整體被帶入於氧化膜中的微粒露出，且該露出部分之比例會變大。因此，只要之後執行物理洗淨，就能以比較小之能量來清除微粒。如此，由於能以較小能量之物理洗淨來實現必要的微粒去除性能，故能抑制或迴避形成於基板表面的圖案之損傷。
由於是選擇性地蝕刻氧化膜的表面部分，所以不會對氧化膜之基底帶來不良影響。因此，不會對氧化膜之基底帶來不良影響，而能去除基板上的微粒。
在本發明之一實施形態中，前述氧化膜為至少部分帶 入有微粒的自然氧化膜。然後，前述部分蝕刻步驟為使前述微粒自前述自然氧化膜露出、或使前述微粒自前述自然氧化膜露出之露出部分增加的步驟。更且，前述物理洗淨為一邊使前述自然氧化膜殘留於前述基板之表面一邊藉由物理的作用去除自從前述自然氧化膜露出的微粒的步驟。
當微粒附著在基板表面之後而自然氧化膜形成於基板表面時，微粒就會部分或整體地被帶入於自然氧化膜中。此外，即便是在自然氧化膜之形成途中微粒仍有可能附著於基板表面(嚴格來說是形成途中的自然氧化膜之表面)。即便是在如此的情況下，微粒仍會部分或整體被帶入於自然氧化膜中。
於是，由於藉由部分蝕刻自然氧化膜(特別是蝕刻其表面部分)，就能加大微粒之露出部分的比例，所以在之後的物理洗淨中能以比較小的能量來去除微粒。其結果，能一邊抑制或迴避圖案損傷，一邊去除基板上的微粒。
在本發明的實施形態之一中，前述部分蝕刻步驟係包含對前述基板之表面供給稀釋氟酸的步驟。在本方法中，係藉由稀釋氟酸來進行氧化膜(例如自然氧化膜)之部分蝕刻。由於使用稀釋氟酸來去除氧化膜之整體，會有導致基板表面的粗糙的疑慮所以不佳。於是，藉由將氧化膜部分蝕刻至膜厚途中為止，能一邊使基板表面保持於優異的狀態，一邊抑制或迴避圖案損傷，並去除基板上的微粒。
在本發明的實施形態之一中，前述稀釋氟酸為0.1%至0.5%之濃度(質量濃度)的氟酸(氟化氫酸)。藉此，能精度佳 地進行氧化膜(特別是自然氧化膜)之部分的蝕刻(乾蝕刻)。藉此，能一邊使基板表面保持於優異的狀態，一邊抑制或迴避圖案損傷，並去除基板上的微粒。
在本發明的實施形態之一中，前述物理洗淨步驟係包含：雙流體洗淨步驟、超音波洗淨步驟、噴墨式液滴洗淨步驟及固化溶解洗淨步驟之中的至少一個；該雙流體洗淨步驟係對前述氧化膜之表面供給已混合氣體和液體後的混合流體；該超音波洗淨步驟係對前述氧化膜之表面供給已賦予超音波後的液體；該噴墨式液滴洗淨步驟係對前述氧化膜之表面供給來自噴墨頭之液滴；該固化溶解洗淨步驟係在前述氧化膜之表面形成液膜之後固化以形成凝固體膜，且溶解前述凝固體膜並予以去除。
如此，物理洗淨亦可為雙流體洗淨、超音波洗淨、噴墨洗淨、或固化溶解洗淨中之任一個，亦可為此等中之二個以上的組合。由於無論是那一種的情況都能減小物理性的能量，故能一邊抑制或迴避圖案損傷，一邊去除微粒。
本發明另外提供一種基板洗淨配方作成方法，係作成為了在基板處理裝置執行基板洗淨處理而應登錄於前述基板處理裝置的配方資料，前述基板洗淨處理係用以洗淨在表面具有氧化膜之基板。前述基板洗淨處理係包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨。前述基板洗淨配方作成方法係包含：部分蝕刻工序作成步驟，係作成用以執行前述部分蝕 刻步驟的工序資料；物理洗淨工序作成步驟，係作成用以執行前述物理洗淨步驟的工序資料；以及條件符合步驟，係基於已預先準備的符合基準資料來使前述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件和前述物理洗淨步驟中的物理洗淨條件符合。
藉由本方法，而作成用以執行如前述之基板洗淨方法的配方資料。配方資料係登錄於基板處理裝置中。藉由基板處理裝置按照該配方資料來動作，而執行前述的基板洗淨方法。部分蝕刻步驟的蝕刻條件、和物理洗淨步驟中的物理洗淨條件係基於符合基準資料而符合。藉此，由於能作成蝕刻條件和物理洗淨條件已符合的配方資料，所以能作成可以實現整體適當的基板洗淨處理，亦即能作成可以實現一邊抑制或迴避圖案損傷一邊達成必要之微粒去除性能的基板洗淨處理的配方資料。
符合基準資料係預先準備。具體而言，基於蝕刻條件與物理洗淨條件之各種的組合來找出其等之間的符合關係，且亦可基於該符合關係來作成符合基準資料。更具體而言，設定不發生圖案損傷之範圍、或可以容許圖案損傷之範圍的物理洗淨能量，另一方面，設定各種的蝕刻條件，並試行複數次的基板洗淨(部分蝕刻步驟及物理洗淨步驟)。針對各個試行求出微粒去除率。在微粒去除率為合格的範圍內，決定符合於該物理洗淨能量的蝕刻條件。只要一邊將物理洗淨能量在不發生圖案損傷之範圍、或可以容許圖案損傷之範圍內做各種變更，一邊求出分別符合於其 等的蝕刻條件，就能獲得表示蝕刻條件與物理洗淨能量之符合關係的符合基準資料。
在本發明的實施形態之一的基板洗淨配方作成方法中，前述部分蝕刻工序作成步驟係包含作成工序資料的步驟，該工序資料係包含前述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件。此外，前述條件符合步驟係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於蝕刻條件的物理洗淨條件的步驟，該蝕刻條件係包含於在前述部分蝕刻工序作成步驟中所作成的工序資料中。
在本方法中係在部分蝕刻工序作成步驟中設定蝕刻條件，且提示或設定符合於該蝕刻條件的物理洗淨條件。藉此，能容易作成包含符合於蝕刻條件之物理洗淨條件的物理洗淨工序資料。
在本發明的實施形態之一的基板洗淨配方作成方法中，前述物理洗淨工序作成步驟係包含作成工序資料的步驟，該工序資料係包含前述物理洗淨步驟中的物理洗淨條件。然後，前述條件符合步驟係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於物理洗淨條件的蝕刻條件的步驟，該物理洗淨條件係包含於在前述物理洗淨工序作成步驟中所作成的工序資料中。
在本方法中係在物理洗淨工序作成步驟中設定物理洗淨條件，且提示或設定符合於該物理洗淨條件的蝕刻條件。藉此，能容易作成包含符合於物理洗淨條件之蝕刻條件的部分蝕刻工序資料。
本發明係更提供一種基板洗淨配方作成裝置，係作成為了在基板處理裝置執行基板洗淨處理而應登錄於前述基板處理裝置的配方資料，前述基板洗淨處理係用以洗淨在表面具有氧化膜之基板。前述基板洗淨處理係包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨。並且，前述基板洗淨配方作成裝置係包含：指令輸入手段，係受理藉由使用者所為的指令輸入；部分蝕刻工序作成手段，係按照自前述指令輸入手段所輸入的指令，來作成用以執行前述部分蝕刻步驟的步驟資料；物理洗淨工序作成手段，係按照自前述指令輸入手段所輸入的指令，來作成用以執行前述物理洗淨步驟的工序資料；以及條件符合手段，係基於已預先準備的符合基準資料來使前述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件和前述物理洗淨步驟中的物理洗淨條件符合。
藉由本裝置，能作成用以執行如前述之基板洗淨方法的配方資料。所作成的配方資料係登錄於基板處理裝置中。藉由基板處理裝置按照該配方資料來動作，而執行前述的基板洗淨方法。部分蝕刻步驟的蝕刻條件、和物理洗淨步驟中的物理洗淨條件係基於符合基準資料而符合。藉此，由於能作成蝕刻條件和物理洗淨條件已符合的配方資料，所以能作成可以實現整體適當的基板洗淨處理，亦即能作成可以實現一邊抑制或迴避圖案損傷一邊達成必要之微粒去除性能的基板洗淨處理的配方資料。
在本發明的實施形態之一的基板洗淨配方作成裝置中，前述部分蝕刻工序作成手段係包含按照自前述指令輸入手段所輸入的指令，來作成已設定前述部分蝕刻步驟中之蝕刻條件的工序資料的手段。此外，前述條件符合手段係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於蝕刻條件的物理洗淨條件的手段，該蝕刻條件係包含於藉由前述部分蝕刻工序作成手段所作成的工序資料中。
藉由本構成，能藉由部分蝕刻工序作成手段來作成已設定蝕刻條件的工序資料。並且提示或設定符合該蝕刻條件的物理洗淨條件。藉此，能容易作成包含符合於蝕刻條件之物理洗淨條件的物理洗淨工序資料。
在本發明的實施形態之一的基板洗淨配方作成裝置中，前述物理洗淨工序作成手段係包含按照自前述指令輸入手段所輸入的指令，來作成已設定前述物理洗淨步驟中之物理洗淨條件的工序資料的手段。此外，前述條件符合手段係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於物理洗淨條件的蝕刻條件的手段，該物理洗淨條件係包含於藉由前述物理洗淨工序作成手段所作成的工序資料中。
藉由本構成，得以藉由物理洗淨工序作成手段來作成已設定物理洗淨條件的工序資料。並且提示或設定符合該物理洗淨條件的蝕刻條件。藉此，能容易作成包含符合於物理洗淨條件之蝕刻條件的部分蝕刻工序資料。
具有如前述之特徵的基板配方作成裝置亦可編入於基板處理裝置中，亦可為與基板處理裝置獨立設置。
本發明係更提供一種編入有(亦即，編程有)執行步驟群以使電腦具有作為前述基板洗淨配方作成裝置之功能的電腦程式或電腦程式產品。藉此，能藉由電腦來實現如前述的基板洗淨配方作成裝置。
電腦程式亦可記錄於能夠藉由電腦所讀取之記錄媒體中來提供。此種的記錄媒體既可為電腦中所具備的記錄媒體，亦可為與電腦不同的記錄媒體。此外，電腦程式亦可藉由透過通信線路的通信來提供。通信線路亦可一部分或全部為無線線路。
本發明中的上述目的、特徵與功效以及其他目的、特徵與功效係可參照圖式並藉由下述的實施形態的說明而更加明瞭。
1、1A至1C‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧電動馬達
3‧‧‧旋轉軸線
10‧‧‧旋轉夾盤
11‧‧‧第一移動噴嘴(蝕刻液噴嘴)
12‧‧‧第二移動噴嘴(雙流體噴嘴)
12A‧‧‧第二移動噴嘴(超音波噴嘴)
12B‧‧‧第二移動噴嘴(噴出頭)
12C‧‧‧第二移動噴嘴(冷卻頭)
13‧‧‧固定噴嘴
21‧‧‧第一掃描臂
22‧‧‧第二掃描臂
31‧‧‧第一臂驅動機構
32‧‧‧第二臂驅動機構
41‧‧‧第一處理液供給路徑
42‧‧‧第二處理液供給路徑
43‧‧‧第三處理液供給路徑
44‧‧‧氣體供給路徑
51‧‧‧氟酸供給源
52‧‧‧DIW供給源
53‧‧‧沖洗液供給源
54‧‧‧惰性氣體供給源
70‧‧‧自然氧化膜
71‧‧‧表面部分
72‧‧‧蝕刻後所殘留的部分
80‧‧‧稀釋氟酸
81‧‧‧混合流體
90‧‧‧控制器
91、211‧‧‧運算單元
92、212‧‧‧記憶單元
95、202‧‧‧顯示器
96、203‧‧‧輸入單元
100、300‧‧‧程式
101‧‧‧基板處理程式
102‧‧‧配方作成程式
110、310‧‧‧資料
111‧‧‧配方資料
112‧‧‧符合基準資料
120‧‧‧資料輸入介面
121‧‧‧內側噴嘴構件
122‧‧‧外側噴嘴構件
123‧‧‧液體噴出口
124‧‧‧氣體噴出口
125‧‧‧間隙
126‧‧‧混合點
200‧‧‧電腦系統
201‧‧‧電腦本體
204‧‧‧資料輸入輸出介面
401‧‧‧振盪板
402‧‧‧高頻振盪電路
411‧‧‧頭驅動電路
412‧‧‧基板對向面
421‧‧‧冷卻器
F1至F3、F21‧‧‧流量計
FV1至FV3、FV21‧‧‧流量調整閥
LD‧‧‧表示圖案損傷度數分布的曲線
LE‧‧‧表示物理洗淨能量之分布的曲線
LP‧‧‧表示殘留微粒度數分布的曲線
n1至n4‧‧‧惰性氣體流量
P‧‧‧微粒
PD、PR‧‧‧重疊部分
PW‧‧‧處理視窗
r1至r4‧‧‧適當蝕刻時間範圍
r11、r12、r21、r22、r31、r32、 r41、r42‧‧‧ 蝕刻時間範圍
V1‧‧‧第一處理液閥
V2‧‧‧第二處理液閥
V3‧‧‧第三處理液閥
V21‧‧‧惰性氣體閥
W‧‧‧基板
圖1A、圖1B及圖1C係用以說明本發明之一實施形態的基板洗淨方法的圖解剖視圖。
圖2A及圖2B係用以說明雙流體洗淨等之物理洗淨中的處理視窗的示意圖。
圖3係顯示針對前述基板洗淨方法之部分蝕刻步驟中之藉由稀釋氟酸所致的蝕刻時間與微粒去除率之間關係進行調查後的實驗結果。
圖4A及圖4B係顯示針對前述部分蝕刻步驟的蝕刻條件與微粒去除率之間關係的更詳細的實驗結果。
圖5係用以說明用來執行如前述的基板洗淨處理的基板處理裝置之構成例的概念圖。
圖6係顯示前述基板處理裝置中所具備的雙流體噴嘴之構成例的縱剖視圖。
圖7係用以說明基板處理裝置之電性構成的方塊圖。
圖8係顯示用以執行如前述的基板洗淨處理的配方資料之一例。
圖9係用以說明用於執行如前述的基板洗淨方法的配方資料作成之具體例的流程圖。
圖10係用以說明本發明之另一實施形態的方塊圖。
圖11係用以說明本發明之更另一實施形態的基板處理裝置之構成的概念圖。
圖12係用以說明本發明之更另一實施形態的基板處理裝置之構成的概念圖。
圖13係用以說明本發明之更另一實施形態的基板處理裝置之構成的概念圖。
圖14係用以表示符合基準資料之概念的圖形(graph)。
圖1A、圖1B及圖1C係用以說明本發明之一實施形態的基板洗淨方法的圖解剖視圖。圖1A係放大顯示洗淨處理前的基板W之表面的狀態。洗淨對象的基板W，例如是半導體晶圓。在基板W之表面係形成有構成元件的微細圖案(省略圖示)。然後，在基板W之表面係附著有微粒P。微粒P係部分被帶入於基板W之表面上所形成的自然氧化膜70(例如SiO2)中。因此，自然氧化膜70會補強微粒P相對於基板W的附著。
本實施形態的基板洗淨方法係包含：圖1B所示的部分蝕刻步驟；以及圖1C所示的物理洗淨步驟。物理洗淨步驟係執行於部分蝕刻步驟之後。
在本實施形態中係在部分蝕刻步驟(圖1B)中對基板W之表面供給稀釋氟酸80。藉此，自然氧化膜70部分被蝕刻至預定膜厚為止。亦即，自然氧化膜70並非是全部被去除，而是表面部分71(參照圖1C)被蝕刻(乾蝕刻)至膜厚途中為止，且預定之膜厚的部分72會殘留於基板W之表面。藉由該部分蝕刻步驟，而使微粒P之露出部分增加。若有在部分蝕刻步驟之前的階段整體被帶入於自然氧化膜70中的微粒P，此類的微粒P的一部分係藉由部分蝕刻步驟而從自然氧化膜70露出，且更進一步增加該露出部分。再者，圖1B係僅顯示部分被帶入於自然氧化膜70中的微粒P。
稀釋氟酸80之濃度(質量濃度)，例如為0.1%至0.5%且為一定。藉由該一定濃度之稀釋氟酸80所致的蝕刻量，係依存於作為蝕刻液的稀釋氟酸80之供給流量、和其供給時間(蝕刻時間)。例如，假設以一定流量供給稀釋氟酸80，則蝕刻量會依存於蝕刻時間。因此，部分蝕刻步驟中的蝕刻條件係包含稀釋氟酸80之供給流量及蝕刻時間。若稀釋氟酸80之供給流量一定，則蝕刻條件之變動參數為蝕刻時間(稀釋氟酸供給時間)。
在本實施形態中，物理洗淨步驟(參照圖1C)係指雙流體洗淨步驟。具體而言，藉由雙流體噴嘴(在圖1C中省略 圖示)形成有已混合液體和氣體後的混合流體81，該混合流體81被供給至基板W之表面。更具體而言，在雙流體噴嘴中係供給有作為液體之一例的DIW(deionized water；去離子水)、和作為氣體之一例的惰性氣體(例如氮氣)。此等是藉由雙流體噴嘴所混合，藉此而形成有混合流體81，且該混合流體81朝向基板W之表面供給。混合流體81係包含DIW之微小液滴，該微小液滴乘著惰性氣體之流動而碰撞於基板W之表面。利用藉由該碰撞所致的衝擊，使基板W之表面的微粒P自基板W剝落。
混合流體81所具有的能量主要是能夠藉由往雙流體噴嘴的惰性氣體之供給流量及供給時間來控制。亦即，以一定流量將DIW供給至雙流體噴嘴，另一方面，按照所期望之能量來控制惰性氣體流量及混合流體供給時間。藉此，混合流體81中的液滴之粒徑及密度以及液滴所具有的動能會變動。藉此，能控制混合流體81所具有的物理力，亦即控制物理的能量。因此，作為物理洗淨步驟之雙流體洗淨步驟中的物理洗淨條件係包含將惰性氣體之供給流量及混合流體之供給時間作為變動參數。
藉由在部分蝕刻步驟中使自然氧化膜70部分被去除，而使微粒P露出，或是使微粒P之露出部分增大。因此，在之後的雙流體洗淨步驟中，即便物理的能量小，也能充分地去除微粒P。亦即，由於可以應用較小之物理能量的雙流體洗淨步驟，所以能抑制或迴避形成於基板W之表面的元件(device)形成用的圖案之損傷。
圖2A及圖2B係用以說明雙流體洗淨等之物理洗淨中的處理視窗的示意圖。橫軸係表示物理洗淨的能量(力學上的能量)或物理力，縱軸係表示相對度數。曲線LP係表示物理洗淨後殘留於基板上的微粒之個數。得知物理洗淨的能量越大，則殘留微粒個數就變得越少。為了藉由物理洗淨將大致全部的微粒自基板上去除，而在曲線LP與橫軸相接的境界附近設定有物理洗淨能量之下限。曲線LD係表示物理洗淨後在基板上所觀察的圖案損傷之個數。只要物理洗淨能量越小則不會發生圖案損傷。物理洗淨能量變得越大，則圖案損傷之個數就變得越多。為了抑制或迴避因物理洗淨所致的圖案之損傷，而在曲線LD與橫軸相接的境界附近設定有物理洗淨能量之上限。物理洗淨能量之下限與上限之區間係被稱為處理視窗PW。藉由在處理視窗PW內設定物理洗淨能量，就能一邊抑制或迴避圖案損傷，一邊良好地去除基板上的微粒。在物理洗淨能量中係有擴展，例如成為如同曲線LE般。
在形成於基板上的圖案為微細時，會因較小的物理洗淨能量而發生圖案之損傷。如此，曲線LP、LD之間會變窄，亦即處理視窗PW會變窄。其結果，如圖2A所示，以曲線LE所表示的物理洗淨能量之分布恐有與曲線LP、LD之至少一方重疊之虞。曲線LP、LE之重疊部分PR(附斜線所示)係成為微粒殘留的原因，曲線LE、LD之重疊部分PD(附斜線所示)成為圖案損傷的原因。因此，在處理視窗PW較小時很難設定適當的物理洗淨能量。
於是，在本實施形態中，係在執行物理洗淨步驟之前執行部分蝕刻步驟。如此一來，會使用於藉由物理洗淨來去除微粒所需的能量變小。亦即，如圖2B所示，曲線LP會移動至物理洗淨之能量或物理力較小之側，換言之移動至圖2B之左側。其結果，由於處理視窗PW會擴展，所以能以物理洗淨能量之分布(曲線LE)與曲線LP、LD不重疊的方式來設定物理洗淨之條件。如此，能進行適當的物理洗淨條件之設定。
圖3係顯示針對部分蝕刻步驟中之藉由稀釋氟酸所致的蝕刻時間與微粒去除率之間關係進行調查後的實驗結果。更具體而言，在前述的基板洗淨方法中，設定有能抑制或迴避形成於基板上的圖案之損傷的物理洗淨能量。亦即，將物理洗淨步驟中的物理洗淨條件設定於一定。另一方面，在部分蝕刻步驟中係以一定流量來供給一定濃度的稀釋氟酸，且對複數個樣品(sample)設定不同的蝕刻時間(稀釋氟酸處理時間)。然後，在基板洗淨之前(部分蝕刻步驟之前)、和基板洗淨之後(物理洗淨步驟之後)，檢測各個基板上的微粒數，並求出微粒去除率。
微粒去除率，在此係指從已預先附著有微粒的基板被去除後的該微粒之比例。具體而言，計測基板表面之粒子數N0，之後使微粒(例如Si3N4粒子)附著於基板之表面並計測基板表面之粒子數N1，且進一步在洗淨後計測基板表面之粒子數N2。此情況的微粒去除率係藉由下面數學式所計算。
微粒去除率(%)=100×(N1-N2)/(N1-N0)
根據圖3可知道如下：相對於不執行部分蝕刻步驟之情況下的微粒去除率為27%左右，隨著加長藉由稀釋氟酸所致的處理時間(蝕刻時間)，會增加微粒去除率。亦即，藉由執行部分蝕刻步驟，而使微粒去除率提昇。更且，得知藉由將蝕刻時間設為120秒以上，能達成接近100%的微粒去除率。
因此，在此例中，只要將蝕刻時間定為120秒左右來執行部分蝕刻步驟，之後以上述的物理洗淨條件來執行物理洗淨步驟，就能一邊抑制或迴避圖案損傷，一邊以大致100%之去除率來去除基板上的微粒。
圖4A及圖4B係顯示針對部分蝕刻步驟的蝕刻條件與微粒去除率之間關係的更詳細的實驗結果。在圖4A及圖4B中，符號「◆」係表示將雙流體洗淨處理應用於物理洗淨步驟中的情況之實驗結果。此外，符號「◇」係表示將固化溶解法(參照後述的圖13。但是，在此例中係使用了高分子膜)應用於物理洗淨步驟中的情況之實驗結果。
在圖4A中，縱軸係表示微粒去除率。橫軸係表示被帶入於自然氧化膜中的部分中之微粒的表面積之比率(氧化膜內表面積比率)。亦即，與自然氧化膜相接的部分之部分表面積相對於微粒之總表面積的比率。該表面積比率係對應於使用稀釋氟酸的部分蝕刻步驟之蝕刻條件。亦即，藉由蝕刻條件(稀釋氟酸之濃度及供給時間)，來求出在部分蝕刻步驟中被蝕刻的膜厚。另一方面，能預先計測部分 蝕刻步驟之前的自然氧化膜之膜厚。因此，能求出部分蝕刻步驟後的自然氧化膜之膜厚。然後，用與基板表面相接觸的固定半徑之球體來將微粒模型化。如此，就能藉由計算來求出被帶入於部分蝕刻後殘留於基板上的自然氧化膜內的部分之部分表面積。由於該部分表面積相對於總表面積的比例，亦即表面積比率係對應於部分蝕刻步驟後的自然氧化膜之膜厚，所以結果是對應於蝕刻條件。
另一方面，在圖4B中，縱軸係表示微粒去除率。橫軸係表示被帶入於自然氧化膜中的部分中之微粒的體積之比率(氧化膜內體積比率)。亦即，被帶入於自然氧化膜的部分之部分體積相對於微粒之總體積的比例。該體積比率係對應於使用稀釋氟酸的部分蝕刻之蝕刻條件。亦即，如同前述般，只要知道蝕刻條件，就能求出部分蝕刻後的自然氧化膜之膜厚。然後，當以與基板表面相接觸的一定半徑之球體來將微粒模型化時，就能藉由計算來求出被帶入於部分蝕刻後之自然氧化膜內的部分之部分體積。由於該部分體積相對於總體積之比例，亦即體積比率係對應於部分蝕刻步驟後的自然氧化膜之膜厚，所以結果是對應於蝕刻條件。
有關物理洗淨步驟係與前述的情況同樣，係設定成能抑制或迴避形成於基板上的圖案之損傷的物理洗淨能量。亦即，將物理洗淨步驟中的物理洗淨條件設定於一定。
根據圖4A及圖4B可得知被帶入於自然氧化膜中的比例(表面積或體積之比例)越小，亦即越從自然氧化膜露出 更多的部分，去除率就變得越高。亦即，圖4及圖5係顯示藉由自然氧化膜之蝕刻來提昇微粒去除率。再者，已藉由其他的實驗獲得確認在僅有自然氧化膜之蝕刻，亦即不進行物理洗淨步驟的情況下，微粒幾乎不被去除。
圖5係用以說明用以執行如前述的基板洗淨處理的基板處理裝置之構成例的概念圖。基板處理裝置係指逐片處理基板的葉片式之裝置。基板處理裝置1係具備旋轉夾盤10、第一移動噴嘴11、第二移動噴嘴12及固定噴嘴13。
旋轉夾盤10係指將處理對象之基板W保持於水平的基板保持機構。旋轉夾盤10係能夠繞鉛直之旋轉軸線3旋轉。為了使旋轉夾盤10旋轉，而具備有電動馬達2。電動馬達2係使基板W旋轉的基板旋轉單元之一例。藉由此構成，能使基板W保持於水平，且繞通過其中心的旋轉軸線3旋轉。
第一移動噴嘴11及第二移動噴嘴12係分別指將用以處理基板W的處理流體(在本實施形態中為處理液)朝向由旋轉夾盤10所保持的基板W噴出的處理流體噴嘴(在本實施形態中為處理液噴嘴)。第一移動噴嘴11及第二移動噴嘴12係分別安裝於第一掃描臂(scan arm)21及第二掃描臂22。第一掃描臂21及第二掃描臂22係分別水平地延伸，且在其等的前端部分別固定有第一移動噴嘴11及第二移動噴嘴12。
第一掃描臂21及第二掃描臂22係藉由第一臂驅動機構31及第二臂驅動機構32而分別驅動，藉此能使其等的 前端部分別朝向水平方向及鉛直方向移動。於此相對應，第一移動噴嘴11及第二移動噴嘴12係分別移動於水平方向及鉛直方向。因而，第一移動噴嘴11及第二移動噴嘴12係能分別朝向相對於由旋轉夾盤10所保持的基板W接近及離開的方向移動，且能分別沿著該基板W之表面而水平地移動。更具體而言，在第一移動噴嘴11一邊噴出處理液一邊水平地移動時，基板W之上表面的著液點係在自旋轉中心附近到基板W之周緣的範圍內移動。同樣地，在第二移動噴嘴12一邊噴出處理液一邊水平地移動時，基板W之上表面的著液點係在自旋轉中心附近到基板W之周緣的範圍內移動。藉此，藉由處理液而掃描基板W之上表面。只要事先使旋轉夾盤10旋轉以使基板W旋轉，處理液之著液點就會描螺旋狀之軌跡並掃描基板W之上表面。第一臂驅動機構31亦可具備：水平移動單元，係使第一掃描臂21朝向水平方向移動；以及垂直移動單元，係使第一掃描臂21朝向鉛直方向移動。同樣地，第二臂驅動機構32亦可具備：水平移動單元，係使第二掃描臂22朝向水平方向移動；以及垂直移動單元，係使第二掃描臂22朝向鉛直方向移動。水平移動單元亦可包含擺動機構，該擺動機構係使對應的第一掃描臂21、第二掃描臂22繞已設定於其基端部的鉛直之擺動軸線擺動，藉此，使對應的第一掃描臂21、第二掃描臂22之前端部朝向水平方向移動。
第一移動噴嘴11及第二移動噴嘴12亦能在固定位置 噴出處理液，以取代藉由處理液來掃描基板表面。具體而言，使第一移動噴嘴11在以從第一移動噴嘴11所噴出的處理液著液於旋轉軸線3上，亦即著液於基板W之旋轉中心的方式所設定的處理位置停止。自該停止狀態的第一移動噴嘴11朝向基板W之旋轉中心噴出處理液。所噴出的處理液係著液於基板W之表面，且在旋轉狀態的基板W上接受離心力而往外方擴展。藉此，能用處理液來處理基板W之表面全區。有關第二移動噴嘴12亦為同樣。
在本實施形態中，第一移動噴嘴11係被用於作為噴出作為蝕刻液之稀釋氟酸的蝕刻液噴嘴。在將稀釋氟酸供給至基板W之表面時，基板W會旋轉，另一方面，第一移動噴嘴11係以在前述的處理位置停止的方式來控制，且朝向基板W之旋轉中心供給稀釋氟酸。另一方面，在本實施形態中，第二移動噴嘴12係具有作為供給混合流體的雙流體噴嘴之形態。在供給混合流體時，基板W會旋轉，另一方面，第二移動噴嘴12係在基板W之旋轉中心與其外周緣之間移動。藉此，混合流體會掃描基板W之全面。
固定噴嘴13係指自固定位置朝向基板W噴出處理流體(在本實施形態中為處理液)的處理流體噴嘴(在本實施形態為處理液噴嘴)。固定噴嘴13係朝向由旋轉夾盤10所保持的基板W之中心附近噴出處理液。已到達基板W之表面的處理液係在基板W之上表面擴展。特別是，只要旋轉夾盤5旋轉著，處理液就會藉由離心力迅速地擴展於基板W之上表面的全區。在本實施形態中，固定噴嘴13係供給 作為沖洗液的DIW。此外，固定噴嘴13亦在第二移動噴嘴12將混合流體供給至基板W時，供給DIW作為覆蓋沖洗液(cover rinse liquid)。此DIW係至少在混合流體所到達的區域中覆蓋基板W之表面，且抑制藉由混合流體直接到達基板W之表面所致的圖案之損傷。
第一移動噴嘴11係結合於第一處理液供給路徑41。第一處理液供給路徑41係連接於氟酸供給源51(蝕刻液供給源)。在第一處理液供給路徑41係夾設有第一處理液閥V1。藉由開閉第一處理液閥V1，就能切換來自第一移動噴嘴的蝕刻液(稀釋氟酸(DHF))之供給或停止。在第一處理液供給路徑41係夾設有第一流量計F1及第一流量調整閥FV1。第一流量調整閥FV1，例如係附有電動馬達的流量調整閥，且為能進行流路之開啟度調整的閥。因此，藉由控制第一流量調整閥FV1，而能調整蝕刻液之供給流量。第一流量計F1係監視流經第一處理液供給路徑41的蝕刻液之流量，亦即監視自第一移動噴嘴11所噴出的蝕刻液之流量。
第二移動噴嘴12係結合於第二處理液供給路徑42。第二處理液供給路徑42係連接於供給作為構成混合流體的液體之一例的DIW的DIW供給源52(液體供給源)。在第二處理液供給路徑42係夾設有第二處理液閥V2。在第二移動噴嘴12係更連接有氣體供給路徑44。氣體供給路徑44係連接於供給氮氣等之惰性氣體的惰性氣體供給源54(氣體供給源)。在氣體供給路徑44係夾設有惰性氣體閥 V21。第二移動噴嘴12係將自第二處理液供給路徑42所供給的DIW、和自氣體供給路徑44所供給的惰性氣體予以混合，並生成已氣液混合後的混合流體，且將該混合流體朝向基板W供給。混合流體係包含微小的液滴，該液滴係藉由惰性氣體之氣流供給至基板W。藉由開閉第二處理液閥V2及惰性氣體閥V21，而能切換混合流體之供給或停止。
在第二處理液供給路徑42係夾設有第二流量計F2及第二流量調整閥FV2。第二流量調整閥FV2，例如是附有電動馬達的流量調整閥，且為能進行流路之開啟度調整的閥。因此，藉由控制第二流量調整閥FV2，就能調整DIW之供給流量。第二流量計F2係監視流經第二處理液供給路徑42的DIW之流量，亦即監視供給至第二移動噴嘴12的DIW之流量。
在氣體供給路徑44係夾設有惰性氣體流量計F21及惰性氣體流量調整閥FV21。惰性氣體流量調整閥FV21，例如是附有電動馬達的流量調整閥，且為能進行流路之開啟度調整的閥。因此，藉由控制惰性氣體流量調整閥FV21，就能調整惰性氣體之供給流量。惰性氣體流量計F21係監視流經氣體供給路徑44的惰性氣體之流量，亦即監視供給至第二移動噴嘴12的惰性氣體之流量。
具有作為雙流體噴嘴之形態的第二移動噴嘴12所噴出的混合流體之力學上的能量係主要依存於惰性氣體之流量。於是，藉由將流經第二處理液供給路徑42的DIW之流量設為一定值，且按照需要的能量來控制流經氣體供給 路徑44的惰性氣體之流量，就能實現藉由具有適當之能量的混合流體所為的物理洗淨。
固定噴嘴13係結合於第三處理液供給路徑43。第三處理液供給路徑43係連接於沖洗液供給源53。沖洗液供給源53係供給DIW或碳酸水之沖洗液。在第三處理液供給路徑43係夾設有第三處理液閥V3。藉由開閉第三處理液閥V3，就能切換沖洗液之供給或停止。在第三處理液供給路徑43係夾設有第三流量計F3及第三流量調整閥FV3。第三流量調整閥FV3，例如是附有電動馬達的流量調整閥，且為能進行流路之開啟度調整的閥。因此，藉由控制第三流量調整閥FV3，就能調整沖洗液之供給流量。第三流量計F3係監視流經第三處理液供給路徑43的沖洗液之流量，亦即監視自固定噴嘴13所噴出的沖洗液之流量。
圖6係顯示構成第二移動噴嘴12的雙流體噴嘴(以下有的情況稱為「雙流體噴嘴12」)之構成例的縱剖視圖。雙流體噴嘴12係指藉由混合二種類的流體(氣體及液體)來生成微小液滴的噴嘴。雙流體噴嘴12係包含：圓筒狀之內側噴嘴構件121；以及配置於該內側噴嘴構件121之周圍的外側噴嘴構件122。在內側噴嘴構件121連接有構成第二處理液供給路徑42的液體供給管，在外側噴嘴構件122連接有構成氣體供給路徑44的氣體供給管。內側噴嘴構件121係在下端具有液體噴出口123，該液體噴出口123係以與作為基板W之被處理面的表面(上表面)相對向的方式所 配置。因此，自第二處理液供給路徑42所供給的液體(DIW)係自液體噴出口123朝向基板W之表面噴出。
另一方面，在內側噴嘴構件121與外側噴嘴構件122之間係形成有間隙125，且在間隙125連通著氣體供給路徑44。間隙125係在液體噴出口123之周圍具有開口呈圓環狀的氣體噴出口124。間隙125之直徑及徑向之寬度係朝向液體噴出口123變小，藉此，自氣體供給路徑44所供給來的惰性氣體得以自氣體噴出口124強而有力地噴出。
被噴出的惰性氣體係以自液體噴出口123往離開預定之距離的混合點126收斂的方式前進，且與自液體噴出口123所噴出的液體在混合點126混合。液相的DIW係藉由該混合而成為微小液滴，而所生成的微小液滴係藉由惰性氣體所加速，且成為高速的液滴流並轉往基板W。亦即，以DIW之微小液滴與惰性氣體之高速流所形成的混合流體81係朝向基板W之表面供給。
以此方式朝向基板W之表面所供給的混合流體81中所包含的微小液滴係以高速來與基板W之表面碰撞。藉由該微小液滴之運動能量，能物理性地去除基板W之表面的微粒。
圖6所示的雙流體噴嘴12係指在噴嘴之外部將液體和惰性氣體予以混合以生成微小液滴的所謂外部混合型之雙流體噴嘴。亦可應用在噴嘴內部將氣體和液體予以混合的內部混合型之雙流體噴嘴，以取代此類的外部混合型之雙流體噴嘴。
圖7係用以說明基板處理裝置之電性構成的方塊圖。基板處理裝置1係具備控制器20。控制器90係具有作為電腦的基本構成。控制器90係控制基板處理裝置1中所具備之能控制的資源(resource)的控制手段之一例。能控制的資源係包含用以使旋轉夾盤10旋轉的電動馬達2(旋轉馬達)、第一臂驅動機構31及第二臂驅動機構32。能夠控制的資源係更包含第一處理液閥V1至第三處理液閥V3、惰性氣體閥V21及第一流量調整閥FV1至第三流量調整閥FV3、惰性氣體流量調整閥FV21。在控制器90係更輸入有包含第一流量計F1至第三流量計F3、惰性氣體流量計F21的各種感測器類之輸出信號。
控制器90係具備運算單元(CPU)91及記憶單元92。記憶單元92亦可包含記憶體(包含ROM及RAM)、大容量記憶裝置(HDD、SDD等)。在控制器90中係連接有顯示器95及輸入單元96。輸入單元96係指如鍵盤(keyboard)、指向裝置(pointing device)，藉由使用者用於對控制器90輸入指令或資訊而操作的裝置，且為指令輸入手段之一例。
在記憶單元92中係儲存有運算單元91所執行的程式100、作為已描述基板處理順序之資料的配方資料111等的資料110。
程式100係包含基板處理程式101，該基板處理程式101係基於配方資料111來控制基板處理裝置1之資源，且藉此來實現相對於基板W之處理。此外，程式100亦可包含用以作成配方資料111的配方作成程式102。
配方資料111係包含表示已描述基板W之處理順序的複數個工序的工序資料。儲存於記憶單元92的資料110係除了配方資料111以外，還包含符合基準資料112。符合基準資料112係指在作成配方資料111時所參照，且用以使複數個處理之處理條件符合的基準資料。更具體而言，符合基準資料112係包含表示蝕刻條件與物理洗淨條件之符合關係的基準資料，該蝕刻條件係由部分蝕刻步驟用的工序資料所限定，該物理洗淨條件係由物理洗淨步驟用的工序資料所限定。記憶單元92係配方資料記憶手段之一例，且為符合基準資料記憶手段之一例。
符合基準資料112係儲存於預先準備的記憶單元92。具體而言，係基於蝕刻條件與物理洗淨條件之各種的組合來找出其等之間的符合關係，且基於該符合關係來作成符合基準資料112。更具體而言，係設定不發生圖案損傷之範圍或可以容許圖案損傷之範圍的物理洗淨能量，另一方面，設定各種的蝕刻條件，並試行複數次的基板洗淨(部分蝕刻步驟及物理洗淨步驟)。針對各個試行求出微粒去除率。藉此，能獲得如前述之圖3所示的結果。然後，以微粒去除率為合格的範圍內，決定符合於該物理洗淨能量的蝕刻條件。只要以不發生圖案損傷之範圍、或可以容許圖案損傷之範圍內一邊對物理洗淨能量做各種變更，一邊求出分別符合於其等的蝕刻條件，就能獲得表示蝕刻條件與物理洗淨能量之符合關係的符合基準資料112。
圖14係用以顯示符合基準資料112之概念的圖形。圖 14係於橫軸取供給至雙流體噴嘴12的惰性氣體流量(亦即，惰性氣體流量調整閥FV21之開啟度)，縱軸係取自第一移動噴嘴11供給至基板W的稀釋氟酸之供給時間(亦即，第一處理液閥V1之開放時間)的圖形。設定為只要在惰性氣體流量n1乃至n4之範圍內進行物理洗淨就能抑制或迴避形成於基板W上的圖案之損傷。本圖形中以r1、r2、r3及r4所示的時間範圍(以下，稱為適當蝕刻時間範圍)係表示能一邊抑制或迴避形成於基板W上的圖案之損傷，一邊達成所期望之微粒去除率的稀釋氟酸之供給時間的範圍。例如，在供給至雙流體噴嘴12的惰性氣體流量為n1的情況下，只要在時間t4至t8之範圍內供給稀釋氟酸，就能一邊抑制或迴避形成於基板W上的圖案之損傷，一邊達成所期望之微粒去除率。但是，當稀釋氟酸之供給時間低於t4時(範圍r11之情況)，就無法達成所期望之微粒去除率。反之，當稀釋氟酸之供給時間超過t8時就會變成過剩蝕刻。因此，在惰性氣體流量為n1的情況下，只要在時間範圍r1內進行蝕刻即可。
適當蝕刻時間範圍r1至r4之上限及下限係與惰性氣體流量之流量一起變化。亦即，如圖14所示，適當蝕刻時間範圍r1至r4之上限值(t5、t6、t7、t8)及下限值(t1、t2、t3、t4)係隨著惰性氣體之流量的增加而減少。
以上，雖然僅以惰性氣體流量與稀釋氟酸之供給時間的對應關係來說明符合基準資料112之概念，但是實際的符合基準資料112得考慮各種的蝕刻條件與物理洗淨條件 之組合中的符合關係。例如，作為如此的組合，得考慮惰性氣體流量與稀釋氟酸之供給時間、供給流量間的組合、或惰性氣體流量、供給時間與稀釋氟酸供給時間、供給流量間的組合。
此外，雖然在圖14中惰性氣體流量係作為離散的資料(n1、n2、n3及n4)來圖示，但是亦可為藉由適當補充試行結果，在符合基準資料112為連續的惰性氣體流量之資料。
圖8係顯示用以執行如前述的基板洗淨處理的配方資料之一例。構成配方的各個工序之工序資料係包含例如有關工序編號、跳躍端工序、基板轉數(rpm)、處理時間(秒)、第一閥至第四閥、第一流量至第四流量、噴嘴控制1、噴嘴控制2等之處理條件的描述。原則上是按照工序編號來執行處理，在指定不按照工序編號的順序時，會在跳躍端工序之欄位上描述下一個工序的工序編號。基板轉數係指使旋轉夾盤10旋轉以使基板W旋轉時的轉數。處理時間係指該工序的時間，例如表示旋轉夾盤10之轉數維持於指定轉數的時間。在第一閥至第四閥之欄位中係填上控制對象的閥。在第一流量至第四流量之欄位中係填上分別流經第一閥至第四閥的處理流體之流量。
在圖8之例中，工序編號1係指開始基板W之旋轉的工序。在此例中，基板W之轉數被加速至1000rpm為止。
工序編號2係限定將稀釋氟酸供給至基板W的部分蝕刻工序。在此例中，基板W之轉數被控制在1000rpm。指定第一處理液閥V1作為第一閥。亦即，在工序編號2中 係指定開啟第一處理液閥V1的控制動作。進而指定對應於第一處理液閥V1的流量，亦即流經第一處理液供給路徑41的稀釋氟酸之流量。在此例中為500毫升(milliliter)/分。此外，處理時間係被指定為60秒。在「噴嘴控制1」中係指定第一移動噴嘴11在基板W之中央停止的噴嘴移動控制。因此，在執行工序編號2時，控制器90係控制第一臂驅動機構31，以使第一移動噴嘴11配置於基板W之旋轉中心上並停止。然後，在基板W以1000rpm旋轉的狀態下開啟第一處理液閥V1。藉此，自第一移動噴嘴11朝向基板W之表面的旋轉中心供給稀釋氟酸。此時的稀釋氟酸之流量係藉由控制器90一邊監視流量計F1之輸出一邊控制流量調整閥FV1，來控制在500毫升/分。在此狀態下，持續60秒供給稀釋氟酸至基板W之表面。
工序編號3係指以沖洗液(例如DIW)來沖走基板W之上表面的藥液(稀釋氟酸)的沖洗處理工序。在此例中，基板W之轉數被控制在1000rpm。登錄第三處理液閥V3作為控制對象的第一閥。進而指定流經第三處理液供給路徑43的沖洗液之流量。在此例中為1500毫升/分。按照此等的流量之指定來監視流量計F3之輸出，且相應於此來控制流量調整閥FV3。處理時間係設為15秒。因此，藉由沖洗液所為的沖洗處理係持續進行15秒。
工序編號4係限定使用自雙流體噴嘴所噴出的混合流體來物理洗淨基板W用的工序。在此例中，基板W之轉數被控制在1000rpm。指定第二處理液閥V2作為第一閥， 指定惰性氣體閥V21作為第二閥，指定第三處理液閥V3作為第三閥。亦即，在工序編號4中係指定開啟第二處理液閥V2、惰性氣體閥V21及第三處理液閥V3的控制動作。進而指定對應於第二處理液閥V2的流量，亦即流經第二處理液供給路徑42的DIW之流量。在此例中為100毫升/分。此外，指定對應於惰性氣體閥V21的流量，亦即指定流經氣體供給路徑44的惰性氣體之流量。在此例中為20000毫升/分。更且，指定對應於第三處理液閥V3的流量，亦即指定流經第三處理液供給路徑43的沖洗液(例如DIW)之流量。在此例中為200毫升/分。此外，處理時間係被指定在60秒。在「噴嘴控制1」中係指定第二移動噴嘴12在基板W之旋轉中心與外周緣之間移動的掃描動作。因此，在執行工序編號4時，控制器90係控制第二臂驅動機構32，以使第二移動噴嘴12沿著基板W之表面往復移動。然後，在基板W以1000rpm旋轉的狀態下第二處理液閥V2及惰性氣體閥V21、以及第三處理液閥V3會開啟。藉此，自第二移動噴嘴(雙流體噴嘴)朝向基板W之表面的旋轉中心供給混合流體，且從固定噴嘴13朝向基板W之表面的旋轉中心供給沖洗液。供給至第二移動噴嘴12(雙流體噴嘴)的DIW之流量係藉由控制器90一邊監視流量計F2之輸出一邊控制流量調整閥FV2，來控制在100毫升/分。此外，惰性氣體之流量係藉由控制器90一邊監視流量計F21之輸出一邊控制流量調整閥FV21，來控制在20000毫升/分。在此狀態下，第二移動噴嘴12係一邊掃描基板W 之表面上，一邊將混合流體供給至基板W之表面持續60秒。此外，控制器90係一邊監視流量計F3之輸出一邊控制流量調整閥FV3，來將自固定噴嘴13所供給的沖洗液之流量控制在200毫升/分。
工序編號5係指以沖洗液(例如DIW)來沖走殘留於因混合流體所導致的物理洗淨處理後之基板上的異物的沖洗處理工序。在此例中，基板W之轉數被控制在1000rpm。登錄第三處理液閥V3作為控制對象的第一閥。進而指定流經第三處理液供給路徑43的沖洗液之流量。在此例中為1500毫升/分。按照此等的流量之指定來監視流量計F3之輸出，且相應於此來控制流量調整閥FV3。處理時間係設為15秒。因此，藉由沖洗液所為的沖洗處理係持續進行15秒。
工序編號6係指藉由基板W之高速旋轉來甩開基板W之上表面及下表面的液體成分的旋轉乾燥工序。在此例中，基板W之轉數被設定在2500rpp。處理時間係設為15秒。
工序編號7係指停止基板W之旋轉的工序，且基板W之轉數被指定在0rpm。
在控制器90中，藉由運算單元91執行配方作成程式102，而得以提供作成如前述之配方資料的配方資料作成功能。使用者係能藉由利用該配方資料作成功能，來一邊將顯示器95及輸入單元96作為人機介面(man-machine interface)來利用，一邊作成配方資料。具體而言，能對各 個工序執行描述處理條件的操作來作成工序資料，且能作成包含複數個工序資料的配方資料。所作成的配方資料係登錄於記憶單元92。
圖9係用以說明用以執行如前述的基板洗淨方法的配方資料作成之具體例的流程圖。此處理係藉由運算單元91執行配方作成程式102所提供。
使用者係藉由操作輸入單元96來啟動配方作成程式102，且開始配方資料之作成。在配方資料作成中，使用者係重複進行作成表示構成配方資料之工序的工序資料並予以登錄的操作(S1、S2、S3)。亦即，只要是在圖8之配方資料的情況，得以依順序作成工序編號1至工序編號7的工序資料。工序編號2之工序資料的作成係對應於部分蝕刻工序之工序資料的作成。此外，工序編號4之工序資料的作成係對應於物理洗淨工序之工序資料的作成。因此，藉由運算單元91執行配方作成程式102，得以提供作為部分蝕刻工序作成手段的功能，該部分蝕刻工序作成手段係按照自輸入單元96所輸入的指令來作成部分蝕刻工序之工序資料。同樣地，藉由運算單元91執行配方作成程式102，得以提供作為物理洗淨工序作成手段的功能，該物理洗淨工序作成手段係按照從輸入單元96所輸入的指令來作成用以執行物理洗淨步驟之工序資料。再者，配方資料之作成順序並不一定需要按照工序編號。
當使用者作成構成配方資料的全部之工序資料並完成登錄時(S3：是)，運算單元91就將所作成的配方資料與符 合基準資料112進行對照(S4)。更具體而言，判斷藉由部分蝕刻步驟之工序資料(在圖8之例中為工序編號2)所表示的蝕刻條件、和藉由物理洗淨步驟之工序資料(在圖8之例中為工序編號4)所表示的物理洗淨條件，是否與符合基準資料112之內容符合。當判斷為符合時(S5：是)，運算單元91就結束配方資料作成處理。
使用圖14來具體說明工序S5之判斷步驟。運算單元91係從在工序S2中作業者已登錄的工序編號2之資料中取得部分蝕刻步驟中的稀釋氟酸之供給流量的資料。此外，運算單元91係從在工序S2中作業者已登錄的工序編號4之資料中取得物理洗淨步驟中的惰性氣體之供給流量的資料。然後，判斷蝕刻液之供給時間與惰性氣體之供給流量間的組合，是否包含於圖14所示的符合基準資料112中的適當蝕刻時間範圍r1至r4中之任一個。在包含於適當蝕刻時間範圍r1至r4中之任一個的情況下，運算單元91係判斷在工序S2中作業者已登錄的蝕刻條件和物理條件符合於符合基準資料112之內容(S5：是)。另一方面，在亦未包含於適當蝕刻時間範圍r1至r4中之任一個的情況下，運算單元91係判斷在工序S2中作業者已登錄的蝕刻條件和物理條件不符合於符合基準資料112之內容(S5：否)。
當判斷為不符合時，就進行用以修正配方資料的處理。在圖9中係並記用以修正配方資料的二個處理例。
在第一處理例(S11至S13)中，運算單元91會對使用 者催促配方資料之修正，於此相對應，使用者會操作輸入單元96來修正配方資料。更具體而言，運算單元91係對使用者通知配方資料為不符合(S11)。此通知，例如是得以藉由使顯示器95顯示不符合之通知顯示來進行。運算單元91係進而對使用者提示符合於蝕刻條件的物理洗淨條件、符合於物理洗淨條件的蝕刻條件、或其等的雙方(S12)。此提示亦得以藉由於顯示器95之顯示來進行。接受該提示，使用者藉由操作輸入單元96，而修正部分蝕刻步驟之工序資料、物理洗淨步驟之工序資料、或其等雙方之工序資料(S13)。之後，再次使配方資料與符合基準資料112進行對照(S4)。如此，能作成符合於符合基準資料112的配方資料，並登錄於記憶單元92。
在第二處理例(S21至S24)中，運算單元91係修正配方資料以便符合於符合基準資料112，且對該修正要求使用者之承認。更具體而言，運算單元91係為了使配方資料符合於符合基準資料，而修正部分蝕刻步驟之工序資料、物理洗淨步驟之工序資料、或其等雙方之工序資料(S21)。例如，在作業者已指定的條件為圖14中之點P所示的條件的情況下，運算單元91係將稀釋氟酸供給時間變更成t4以上並再次設定部分蝕刻步驟之工序資料。或是，將惰性氣體之流量變更成n2並再次設定物理洗淨步驟之工序資料。或是修正稀釋氟酸供給時間及惰性氣體之雙方，並再次設定部分蝕刻步驟及物理洗淨步驟之工序資料。
然後，運算單元91係對使用者通知工序資料之變更， 亦即通知已變更蝕刻條件及/或物理洗淨條件的情形(S22)，且要求針對該變更之承認(S23)。對使用者之通知係得以藉由將訊息(message)等顯示於顯示器95來進行。此時，亦可一併通知使用者已設定的配方資料不符合於符合基準資料112。使用者係能藉由操作輸入單元96來承認變更(S23：是)。藉此，運算單元91係結束配方資料作成處理。另一方面，使用者亦能藉由操作輸入單元96來否認配方資料之變更(S23：否)。在此情況下，使用者係修正配方資料(S24)。具體而言，修正部分蝕刻步驟之工序資料、物理洗淨步驟之工序資料、或其等雙方之工序資料(S21)。之後，再次使配方資料與符合基準資料112進行對照(S4)。藉由重複如此的處理，而能作成符合於符合基準資料112的配方資料，並登錄於記憶單元92。
如上所述，依據本實施形態的基板洗淨方法，基板W之表面的自然氧化膜70得以部分蝕刻至預定之膜厚為止。亦即，藉由自然氧化膜70之表面部分71被蝕刻，而得以殘留預定之膜厚的自然氧化膜70(72)。藉由自然氧化膜70之表面部分71被蝕刻，而使部分或整體被帶入於自然氧化膜70中的微粒P露出，且該露出部分之比例會變大。因此，只要之後執行物理洗淨，就能以較小的能量來清除微粒P。如此，由於能以較小之能量的物理洗淨來實現必要的微粒去除性能，因此能抑制或迴避形成於基板W之表面的圖案之損傷。
此外，由於自然氧化膜70之表面部分71係選擇性地 被蝕刻，所以不會對自然氧化膜70之基底帶來不良影響。因此，不會對自然氧化膜70之基底帶來不良影響，而能去除基板上的微粒。
更具體而言，在本實施形態中係在部分蝕刻步驟中使用稀釋氟酸。由於使用稀釋氟酸來去除自然氧化膜70之整體，會有導致基板W之表面的粗糙的疑慮所以不佳。於是，藉由將自然氧化膜70部分蝕刻至膜厚途中為止，能一邊使基板W之表面保持於優異的狀態，一邊抑制或迴避圖案損傷，並去除基板W上的微粒P。
此外，由於稀釋氟酸之濃度為0.1%至0.5%之濃度，所以能精度佳地進行自然氧化膜70之部分的蝕刻(乾蝕刻)。藉此，能一邊使基板W之表面保持於優異的狀態，一邊抑制或迴避圖案損傷，並去除基板W上的微粒P。
此外，在本實施形態中係作成用以執行如前述的基板洗淨方法的配方資料111。配方資料111係登錄於基板處理裝置1，藉由基板處理裝置1按照該配方資料111來動作，而執行前述的基板洗淨方法。部分蝕刻步驟之蝕刻條件、和物理洗淨步驟中的物理洗淨條件係基於符合基準資料112而符合。藉此，由於能作成蝕刻條件和物理洗淨條件已符合的配方資料111，所以能作成可以實現整體適當的基板洗淨處理，亦即能作成可以實現一邊抑制或迴避圖案損傷一邊達成必要之微粒去除性能的基板洗淨處理的配方資料。
此外，在本實施形態中係在配方資料之作成階段中， 對使用者提示符合於部分蝕刻步驟中之蝕刻條件的物理洗淨條件、符合於物理洗淨步驟中之物理洗淨條件的蝕刻條件、或其等的雙方。藉此，能容易作成分別包含互為符合之蝕刻條件及物理洗淨條件的部分蝕刻工序資料及物理洗淨工序資料。
圖10係用以說明本發明之另一實施形態的方塊圖。在本實施形態之說明中，再次參照前述的圖1至圖9。在圖10中，在與前述的圖7所示之程式及資料同等內容的程式及資料係附上相同的元件符號。
在本實施形態中，配方資料111之作成係藉由與基板處理裝置1為獨立設置的電腦系統(computer system)200所作成。然後，使作成完成的配方資料111登錄於基板處理裝置1。
為了登錄配方資料111，基板處理裝置1係具備資料輸入介面120(一併參照圖7)。資料輸入介面120亦可為讀取已儲存有配方資料111的記錄媒體的讀取器單元(reader unit)。記錄媒體既可為光碟或磁碟等，亦可為USB記憶體或記憶卡(memory card)等的可攜式記憶體(portable memory)。資料輸入介面120亦可包含通信單元。亦即，例如，亦可從網路(network)透過資料輸入介面120將配方資料111登錄於基板處理裝置1。
電腦系統200係包含電腦本體201、顯示器202、輸入單元203及資料輸入輸出介面204。輸入單元203係指如鍵盤、指向裝置等藉由使用者對電腦本體201進行輸入操作 用的裝置，且為指令輸入手段之一例。電腦本體201係包含運算單元211和記憶單元212。運算單元211係包含CPU等。記憶單元212亦可包含記憶體(包含ROM及RAM)、大容量記憶單元(HDD、SDD等)。在記憶單元212中係儲存有運算單元211所執行的程式300或各種資料310。各種資料310係包含配方資料111及符合基準資料112。
程式300亦可包含用以作成配方資料111的配方作成程式102。
資料輸入輸出介面204亦可為對能夠進行資料之寫入及讀取的記錄媒體進行寫入或讀取的讀寫單元(reader writer unit)。記錄媒體既可為光碟或磁碟等，亦可為USB記憶體或記憶卡等的可攜式記憶體。資料輸入輸出介面204亦可包含通信單元。亦即，例如亦可透過網路進行資料之輸入輸出。
儲存於記憶單元212的配方資料111係包含表示已描述基板W之處理順序的複數個工序的工序資料。
藉由運算單元211來執行配方作成程式102，而能以電腦系統200來作成配方資料111並儲存於記憶單元212。此外，亦能用其他的電腦等來作成配方資料，透過資料輸入輸出介面204來取得該配方資料，並儲存於記憶單元212，且按照需要來編輯。
有關配方資料111之作成的動作係與參照前述的圖9所說明的動作相同。但是，在本實施形態中，配方資料作成用的輔助(assist)功能係得以藉由電腦系統200之運算單 元211來提供。
如此，於電腦系統200已預先作成的配方資料111係登錄於基板處理裝置1。因此，基板處理裝置1之控制器90並不需要具備配方作成程式。此外，在基板處理裝置1之記憶單元92中亦不需要儲存符合基準資料112。
如此，依據本實施形態，能在與基板處理裝置1為獨立的電腦系統200中作成配方資料111。
圖11係用以說明本發明之更另一實施形態的基板處理裝置1A之構成的概念圖。在圖11中，在與圖5所示之各部同樣的部分係附上相同的元件符號。在本實施形態中，係具備有由超音波噴嘴所構成的第二移動噴嘴12A來取代雙流體噴嘴以作為物理洗淨手段。第二移動噴嘴12A係結合於第二處理液供給路徑42，且以自DIW供給源52接受DIW之供給的方式所構成。在第二移動噴嘴12A內以與DIW所流經的處理液流路相對向的方式來配置振盪板401。振盪板401係藉由高頻振盪電路402所生成的驅動信號而驅動，且以超音波頻率來振盪。藉此，對流經第二移動噴嘴12的DIW賦予超音波振盪，且賦予有該超音波振盪的DIW供給至基板W之表面。因此，超音波振盪會傳播至基板W及存在於基板W之表面的微粒，藉此，微粒得以自基板W之表面脫離。如此，對基板W之表面供給賦予有超音波振盪的液體的超音波洗淨步驟能作為物理洗淨步驟來執行。此情況的物理洗淨之能量係藉由調整超音波振盪的振幅所控制，亦即藉由調整高頻振盪電路402之 輸出所控制。再者，超音波噴嘴之詳細的構造例，例如已記載於日本特開2015-65355號公報、日本特開2013-214757號公報等中。
圖12係用以說明本發明之更另一實施形態的基板處理裝置1B之構成的概念圖。在圖12中，在與圖5所示之各部同樣的部分係附上相同的元件符號。在本實施形態中係具備有由具有噴墨頭之形態的噴出頭所構成的第二移動噴嘴12B來取代雙流體噴嘴以作為物理洗淨手段。第二移動噴嘴12B係結合於第二處理液供給路徑42，且以自DIW供給源52接受DIW之供給的方式所構成。此外，在第二移動噴嘴12B係連接有頭驅動電路411。
第二移動噴嘴12A係具有與基板W相對向的基板對向面412。在基板對向面412係整齊排列地配置有複數個噴出口。第二移動噴嘴12A係藉由噴墨方式自複數個噴出口將DIW之液滴朝向基板W噴出。藉由該液滴之運動能量，基板W之表面的微粒得以自基板W之表面脫離。如此，得以由具有噴墨頭之形態的噴出頭所構成的第二移動噴嘴12B對基板W之表面供給液滴，藉此，得以執行作為物理洗淨步驟的噴墨式液滴洗淨步驟。此情況的物理洗淨之能量係藉由調整液滴之噴出速度所控制，亦即藉由調整頭驅動電路411之輸出所控制。再者，有關具有噴墨頭之形態的噴出頭之詳細內容，例如係在日本特開2014-179449號公報中有所記載。
圖13係用以說明本發明之更另一實施形態的基板處 理裝置1C之構成的概念圖。在圖13中，在與圖5所示之各部同樣的部分係附上相同的元件符號。在本實施形態中係具備有由冷卻氣體噴嘴(冷卻頭。液膜固化手段之一例)所構成的第二移動噴嘴12C來取代雙流體噴嘴以作為物理洗淨手段。第二移動噴嘴12C係結合於氣體供給路徑44，且以自惰性氣體供給源54接受惰性氣體(例如氮氣)之供給的方式所構成。在氣體供給路徑44之中途係配置有冷卻惰性氣體的冷卻器421。因此，在第二移動噴嘴12C係供給有已冷卻過的惰性氣體(冷卻氣體)。
在本實施形態中，物理洗淨步驟係包含：在基板W之表面形成液膜的步驟；自第二移動噴嘴12C供給冷卻氣體並使液膜凝固(凍結)以形成凝固體膜的步驟；以及溶解該凝固體膜並朝向基板W外部去除的步驟。藉由基板W上的微粒係被帶入於凝固體膜中，而使微粒自基板W之表面脫離，之後伴隨凝固體膜之溶解而被排除至基板W外部。
液膜係例如藉由自固定噴嘴13所供給的沖洗液(例如DIW)而形成。自第二移動噴嘴12C所噴出的冷卻氣體係指已冷卻至比構成液膜的液體之凝固點更低溫的氣體。
凝固體膜之溶解亦可自固定噴嘴13供給沖洗液(例如DIW)來進行。
如此，使用固化溶解洗淨步驟(在本實施形態中為凍結洗淨步驟)作為物理洗淨步驟來進行基板洗淨，該固化溶解洗淨步驟係在基板W之表面，更正確而言是在自然氧化膜之表面形成液膜之後予以固化以形成凝固體膜，且溶解該 凝固體膜並予以去除。此情況的物理洗淨之能量係能以凝固體膜之厚度來調整，更具體而言係能以冷卻時間等來調整。再者，有關固化溶解洗淨(凍結洗淨)之詳細內容，例如在日本特開2013-30612號公報中有所記載。
為了在固化溶解洗淨中形成液膜所用的液體亦可為高分子材料。亦即，將高分子材料之液膜形成於基板上，且將該高分子材料固化以形成為凝固體膜，之後藉由溶解該凝固體膜，而能將基板W上之微粒與已溶解的高分子材料一起去除。使液膜固化的液膜固化手段、及使凝固體膜溶解的溶解手段係按照所使用的高分子材料所選擇。
以上，雖已針對本發明之實施形態加以說明，但是本發明亦能進一步以其他的形態來實施。例如，雖然在前述的實施形態中已舉微粒部分被帶入於基板W之表面的自然氧化膜70中予以例示，但即便是在微粒被帶入於自然氧化膜以外之氧化膜中的情況下仍能應用本發明的基板洗淨方法。
此外，在前述的實施形態中，雖然已例示稀釋氟酸作為部分蝕刻步驟之蝕刻液，但是亦可藉由除此以外的蝕刻液來進行部分蝕刻。
此外，在前述的實施形態中，雖然物理洗淨係已顯示超音波洗淨、雙流體洗淨、噴墨洗淨、及固化溶解洗淨來作為物理洗淨，但是亦可應用除此以外的物理洗淨。此外，亦可進行二種類以上的物理洗淨。例如，亦可組合雙流體洗淨和固化溶解洗淨。
此外，在前述的實施形態中，雖然是在工序資料之作成後將配方資料與符合基準資料進行對照，但是亦可在工序資料之作成階段進行與符合基準資料之對照。例如，配方作成程式102亦可在作成部分蝕刻工序資料，於之後作成物理洗淨工序資料的情況下，在物理洗淨工序資料之作成時，提示符合於以部分蝕刻工序資料所指定的蝕刻條件的物理洗淨條件(例如顯示於顯示器95)。更具體而言，配方作成程式102亦可在作成物理洗淨工序資料時，以預設(preset)符合於符合基準資料的物理洗淨條件的方式所構成。此外，相反的，配方作成程式102亦可在作成物理洗淨工序資料，之後作成部分蝕刻工序資料的情況下，於作成部分蝕刻工序資料時，提示符合於以物理洗淨工序資料所指定的物理洗淨條件的蝕刻條件(例如顯示於顯示器95)。更具體而言，配方作成程式102亦可在作成部分蝕刻工序資料時，以預設符合於符合基準資料的蝕刻條件的方式所構成。
本發明係與2016年9月26日於日本特許廳所提出的日本特願2016-187098號對應，且該日本特願2016-187098號的所有內容係被引用並置入至本發明中。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態，但這些實施型態僅是用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應解釋成限定於這些具體例，本發明的範圍僅被隨附的申請專利範圍所限定。

Claims (12)

  1. 一種基板洗淨方法，係洗淨在表面具有氧化膜的基板，包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨。
  2. 如請求項1所記載之基板洗淨方法，其中前述氧化膜為至少部分帶入有微粒的自然氧化膜；前述部分蝕刻步驟為使前述微粒自前述自然氧化膜露出、或使前述微粒自前述自然氧化膜露出之露出部分增加的步驟；前述物理洗淨為一邊使前述自然氧化膜殘留於前述基板之表面一邊藉由物理的作用去除自前述自然氧化膜露出的微粒的步驟。
  3. 如請求項1所記載之基板洗淨方法，其中前述部分蝕刻步驟係包含對前述基板之表面供給稀釋氟酸的步驟。
  4. 如請求項3所記載之基板洗淨方法，其中前述稀釋氟酸為0.1%至0.5%之濃度的氟酸。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之基板洗淨方法，其中前述物理洗淨步驟係包含：雙流體洗淨步驟、超音波洗淨步驟、噴墨式液滴洗淨步驟及固化溶解洗淨步驟之中的至少一個； 前述雙流體洗淨步驟係對前述氧化膜之表面供給已混合氣體和液體後的混合流體；前述超音波洗淨步驟係對前述氧化膜之表面供給已賦予超音波後的液體；前述噴墨式液滴洗淨步驟係對前述氧化膜之表面供給來自噴墨頭之液滴；前述固化溶解洗淨步驟係在前述氧化膜之表面形成液膜之後固化以形成凝固體膜，且溶解前述凝固體膜並予以去除。
  6. 一種基板洗淨配方作成方法，係作成為了在基板處理裝置執行基板洗淨處理而應登錄於前述基板處理裝置的配方資料，前述基板洗淨處理係用以洗淨在表面具有氧化膜之基板；前述基板洗淨處理係包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨；前述基板洗淨配方作成方法係包含：部分蝕刻工序作成步驟，係作成用以執行前述部分蝕刻步驟的工序資料；物理洗淨工序作成步驟，係作成用以執行前述物理洗淨步驟的工序資料；以及條件符合步驟，係基於已預先準備的符合基準資料來使前述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件和前述物理 洗淨步驟中的物理洗淨條件符合。
  7. 如請求項6所記載之基板洗淨配方作成方法，其中前述部分蝕刻工序作成步驟係包含作成工序資料的步驟，前述工序資料係包含前述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件；前述條件符合步驟係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於蝕刻條件的物理洗淨條件的步驟，前述蝕刻條件係包含於在前述部分蝕刻工序作成步驟中所作成的工序資料中。
  8. 如請求項6所記載之基板洗淨配方作成方法，其中前述物理洗淨工序作成步驟係包含作成工序資料的步驟，前述工序資料係包含前述物理洗淨步驟中的物理洗淨條件；前述條件符合步驟係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於物理洗淨條件的蝕刻條件的步驟，前述物理洗淨條件係包含於在前述物理洗淨工序作成步驟中所作成的工序資料中。
  9. 一種基板洗淨配方作成裝置，係作成為了在基板處理裝置執行基板洗淨處理而應登錄於前述基板處理裝置的配方資料，前述基板洗淨處理係用以洗淨在表面具有氧化膜之基板；前述基板洗淨處理係包含：部分蝕刻步驟，係將前述氧化膜蝕刻至預定之膜厚為止；以及物理洗淨步 驟，係在前述部分蝕刻步驟之後，對前述基板之表面執行物理洗淨；前述基板洗淨配方作成裝置係包含：指令輸入手段，係受理藉由使用者所為的指令輸入；部分蝕刻工序作成手段，係按照自前述指令輸入手段所輸入的指令，來作成用以執行前述部分蝕刻步驟的工序資料；物理洗淨工序作成手段，係按照自前述指令輸入手段所輸入的指令，來作成用以執行前述物理洗淨步驟的工序資料；以及條件符合手段，係基於已預先準備的符合基準資料來使前述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件和前述物理洗淨步驟中的物理洗淨條件符合。
  10. 如請求項9所記載之基板洗淨配方作成裝置，其中前述部分蝕刻工序作成手段係包含按照自前述指令輸入手段所輸入的指令，來作成已設定前述部分蝕刻步驟中之蝕刻條件的工序資料的手段；前述條件符合手段係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於蝕刻條件的物理洗淨條件的手段，前述蝕刻條件係包含於藉由前述部分蝕刻工序作成手段所作成的工序資料中。
  11. 如請求項9所記載之基板洗淨配方作成裝置，其中前述物理洗淨工序作成手段係包含按照自前述指令輸 入手段所輸入的指令，來作成已設定前述物理洗淨步驟中之物理洗淨條件的工序資料的手段；前述條件符合手段係包含基於前述符合基準資料來提示或設定符合於物理洗淨條件的蝕刻條件的手段，前述物理洗淨條件係包含於藉由前述物理洗淨工序作成手段所作成的工序資料中。
  12. 一種電腦程式產品，係編入有執行工序群以使電腦具有作為請求項9至11中任一項所記載之基板洗淨配方作成裝置的功能。
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