JPH0722365A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0722365A JPH0722365A JP16690293A JP16690293A JPH0722365A JP H0722365 A JPH0722365 A JP H0722365A JP 16690293 A JP16690293 A JP 16690293A JP 16690293 A JP16690293 A JP 16690293A JP H0722365 A JPH0722365 A JP H0722365A
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- JP
- Japan
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- wafer
- bare wafer
- bare
- oxide film
- particles
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 長期放置したベアウエハの表面に付着したパ
ーティクルを高効率で除去すること。 【構成】 前工程で得た半導体ウエハ（ベアウエハ）１
を長期放置した後、次工程の処理装置に投入するに当た
って、その半導体ウエハ１の表面２を先ずライトエッチ
ングし、その表面２に生成された自然酸化膜４を除去
し、その後、そのその表面２をメガソニック洗浄してパ
ーティクル３を除去している。 【効果】 たとえ長期放置して、その表面に自然酸化膜
が成長したベアウエハであっても、その自然酸化膜を除
去できるので、その表面に付着したパーティクルを簡単
に、従って高効率で除去でき、清浄なベアウエハを得る
ことができる。
ーティクルを高効率で除去すること。 【構成】 前工程で得た半導体ウエハ（ベアウエハ）１
を長期放置した後、次工程の処理装置に投入するに当た
って、その半導体ウエハ１の表面２を先ずライトエッチ
ングし、その表面２に生成された自然酸化膜４を除去
し、その後、そのその表面２をメガソニック洗浄してパ
ーティクル３を除去している。 【効果】 たとえ長期放置して、その表面に自然酸化膜
が成長したベアウエハであっても、その自然酸化膜を除
去できるので、その表面に付着したパーティクルを簡単
に、従って高効率で除去でき、清浄なベアウエハを得る
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造工
程の前工程において加工された半導体ウエハ（この場合
はベアウエハである）の洗浄方法に関するものである。
程の前工程において加工された半導体ウエハ（この場合
はベアウエハである）の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の前工程で得られ
たベアウエハは、それ程時間を経過することなく次工程
の処理装置に投入される場合には、それらのベアウエハ
の表面にたとえパーティクルが付着したとしても、通常
のメガソニック洗浄処理で、それらのパーティクルを９
０％以上除去することができる。
たベアウエハは、それ程時間を経過することなく次工程
の処理装置に投入される場合には、それらのベアウエハ
の表面にたとえパーティクルが付着したとしても、通常
のメガソニック洗浄処理で、それらのパーティクルを９
０％以上除去することができる。
【０００３】しかし、前記ベアウエハの保管期間が長く
なるにつれ、それらの表面に付着したパーティクルの除
去率は低下する。またベアウエハを長期放置することに
よりそれらのベアウエハの表面にＳｉＯ2 の自然酸化膜
が成長することが認められている。これら両者の現象を
図３に示した。
なるにつれ、それらの表面に付着したパーティクルの除
去率は低下する。またベアウエハを長期放置することに
よりそれらのベアウエハの表面にＳｉＯ2 の自然酸化膜
が成長することが認められている。これら両者の現象を
図３に示した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のように長期放置
されたベアウエハの表面に付着したパーティクルの除去
は、通常のメガソニック洗浄を行っても、その除去能力
はかなり劣ることが図３から判る。
されたベアウエハの表面に付着したパーティクルの除去
は、通常のメガソニック洗浄を行っても、その除去能力
はかなり劣ることが図３から判る。
【０００５】この原因は、図４に示したメカニズムによ
るものと思慮される。即ち、同図Ａのように、ベアウエ
ハが直ちに次工程の処理装置に投入される場合とか、放
置されない「放置なし」状態の場合、そのベアウエハ１
の表面２にはＳｉＯ2 の自然酸化膜が成長せず、その表
面２に付着したパーティクル３は単に付着しているだけ
であるので、通常のメガソニック洗浄処理を行うこと
で、そのパーティクル３を容易に除去することができ
る。
るものと思慮される。即ち、同図Ａのように、ベアウエ
ハが直ちに次工程の処理装置に投入される場合とか、放
置されない「放置なし」状態の場合、そのベアウエハ１
の表面２にはＳｉＯ2 の自然酸化膜が成長せず、その表
面２に付着したパーティクル３は単に付着しているだけ
であるので、通常のメガソニック洗浄処理を行うこと
で、そのパーティクル３を容易に除去することができ
る。
【０００６】しかし、長期放置した場合、同図Ｂに示し
たように、ベアウエハ１の表面２に自然酸化膜４が成長
し、パーティクル３の周囲を取り囲み、そのパーティク
ル３をベアウエハ１の表面２に接着したような状態に留
める。このメカニズムのため、通常のメガソニック洗浄
処理を施しても、そのパーティクル３を容易に剥離する
ことができない原因になっている。このように、ベアウ
エハ１の表面２にパーティクル３が残留したまま、次工
程の処理装置に投入すると、欠陥ウエハになることは言
うまでもない。
たように、ベアウエハ１の表面２に自然酸化膜４が成長
し、パーティクル３の周囲を取り囲み、そのパーティク
ル３をベアウエハ１の表面２に接着したような状態に留
める。このメカニズムのため、通常のメガソニック洗浄
処理を施しても、そのパーティクル３を容易に剥離する
ことができない原因になっている。このように、ベアウ
エハ１の表面２にパーティクル３が残留したまま、次工
程の処理装置に投入すると、欠陥ウエハになることは言
うまでもない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明の半導
体ウエハの洗浄方法は、ベアウエハの表面を先ず軽くエ
ッチング（ライトエッチング「ＬＥ」、以下、この用語
を用いる。）し、その後、そのベアウエハの表面をメガ
ソニック洗浄により洗浄処理を行う方法をとって、前記
課題を解決した。
体ウエハの洗浄方法は、ベアウエハの表面を先ず軽くエ
ッチング（ライトエッチング「ＬＥ」、以下、この用語
を用いる。）し、その後、そのベアウエハの表面をメガ
ソニック洗浄により洗浄処理を行う方法をとって、前記
課題を解決した。
【０００８】
【作用】従って、たとえ長期放置したベアウエハであっ
ても、即ち、その表面に自然酸化膜が成長していても、
その自然酸化膜を除去するので、その表面に付着したパ
ーティクルを簡単に、従って良好に洗浄し、清浄なベア
ウエハを得ることができる。
ても、即ち、その表面に自然酸化膜が成長していても、
その自然酸化膜を除去するので、その表面に付着したパ
ーティクルを簡単に、従って良好に洗浄し、清浄なベア
ウエハを得ることができる。
【０００９】
【実施例】次に、この発明の半導体ウエハの洗浄方法の
実施例を図１を用いて説明する。図１はこの発明の半導
体ウエハの洗浄方法を説明するための工程図である。
実施例を図１を用いて説明する。図１はこの発明の半導
体ウエハの洗浄方法を説明するための工程図である。
【００１０】図１において、工程１では、表面２にパー
ティクル３が付着し、自然酸化膜４が成長したベアウエ
ハ１を用意する。
ティクル３が付着し、自然酸化膜４が成長したベアウエ
ハ１を用意する。
【００１１】次に、ライトエッチング液として、例え
ば、ＨＦ、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏを１：１：２０の割合で希
釈した混合液を用意する。そして、このライトエッチン
グ液に工程１の長期放置したベアウエハ１を約１０秒
間、浸漬する。そうすると、工程２に示したように、パ
ーティクル３の周囲を取り囲んだ前記自然酸化膜４はも
とよりベアウエハ１の表面２に生成した自然酸化膜４が
除去される。前記ライトエッチング液としては、前記実
施例の他、例えば、ＨＦだけの希釈液であってもよく、
またＨＦとＮＨ4 Ｆとの混合液を用いてもよい。
ば、ＨＦ、ＨＣｌ及びＨ2 Ｏを１：１：２０の割合で希
釈した混合液を用意する。そして、このライトエッチン
グ液に工程１の長期放置したベアウエハ１を約１０秒
間、浸漬する。そうすると、工程２に示したように、パ
ーティクル３の周囲を取り囲んだ前記自然酸化膜４はも
とよりベアウエハ１の表面２に生成した自然酸化膜４が
除去される。前記ライトエッチング液としては、前記実
施例の他、例えば、ＨＦだけの希釈液であってもよく、
またＨＦとＮＨ4 Ｆとの混合液を用いてもよい。
【００１２】次に、メガソニック洗浄液として、例え
ば、ＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 との希釈液を用意し、これに
工程２で得たベアウエハ１を浸漬した状態でメガソニッ
クを掛け、メガソニック洗浄を行うと、工程３に示した
ように、ベアウエハ１の表面２に付着しているパーティ
クル３に振動が加わり、例えば、約１０分で、工程４に
示したように、パーティクル３がベアウエハ１の表面２
から剥離し、容易に除去することができる。
ば、ＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 との希釈液を用意し、これに
工程２で得たベアウエハ１を浸漬した状態でメガソニッ
クを掛け、メガソニック洗浄を行うと、工程３に示した
ように、ベアウエハ１の表面２に付着しているパーティ
クル３に振動が加わり、例えば、約１０分で、工程４に
示したように、パーティクル３がベアウエハ１の表面２
から剥離し、容易に除去することができる。
【００１３】この発明の、前記のような半導体ウエハの
洗浄方法を採ると、図２Ａに示したような、ベアウエハ
１の表面２に付着した多数のパーティクル３も、図２Ｃ
に示したように、ベアウエハ１の表面２に付着したパー
ティクル３が、どのような大きさの粒径であっても、図
２Ｂに示したメガソニック洗浄のみの洗浄方法に比較し
て、格別大幅に除去されているこが理解されよう。
洗浄方法を採ると、図２Ａに示したような、ベアウエハ
１の表面２に付着した多数のパーティクル３も、図２Ｃ
に示したように、ベアウエハ１の表面２に付着したパー
ティクル３が、どのような大きさの粒径であっても、図
２Ｂに示したメガソニック洗浄のみの洗浄方法に比較し
て、格別大幅に除去されているこが理解されよう。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明の半導体ウエハの洗浄方法は、たとえ長期放置したベ
アウエハであっても、即ち、その表面に自然酸化膜が成
長していても、その自然酸化膜を容易に除去できるの
で、その表面に付着したパーティクルを簡単に、従って
容易に洗浄でき、清浄なベアウエハを得ることができ
る。そして、歩留り向上に寄与できるなどという優れた
特徴がある。
明の半導体ウエハの洗浄方法は、たとえ長期放置したベ
アウエハであっても、即ち、その表面に自然酸化膜が成
長していても、その自然酸化膜を容易に除去できるの
で、その表面に付着したパーティクルを簡単に、従って
容易に洗浄でき、清浄なベアウエハを得ることができ
る。そして、歩留り向上に寄与できるなどという優れた
特徴がある。
【図１】 この発明の半導体ウエハの洗浄方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
【図２】 この発明の半導体ウエハの洗浄方法の効果を
従来技術のそれと比較して表した図である。
従来技術のそれと比較して表した図である。
【図３】 ベアウエハの放置期間に対するパーティクル
の除去率と自然酸化膜の厚さの関係を示す関係図であ
る。
の除去率と自然酸化膜の厚さの関係を示す関係図であ
る。
【図４】 従来技術の半導体ウエハの洗浄方法を説明す
るための工程図であって、同図Ａはベアウエハを放置し
ない場合の工程図、同図Ｂはベアウエハを長期放置した
場合の工程図である。
るための工程図であって、同図Ａはベアウエハを放置し
ない場合の工程図、同図Ｂはベアウエハを長期放置した
場合の工程図である。
１ 半導体ウエハ（ベアウエハ） ２ ベアウエハの表面 ３ パーティクル ４ 自然酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 前工程で得た半導体ウエハを長期放置し
た後、次工程の処理装置に投入するに当たって、前記半
導体ウエハの表面を先ず軽くエッチングし、その後、そ
の半導体ウエハの表面をメガソニック洗浄により洗浄処
理を行うことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16690293A JPH0722365A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16690293A JPH0722365A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722365A true JPH0722365A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15839757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16690293A Pending JPH0722365A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018056038A1 (ja) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板洗浄方法、基板洗浄レシピ作成方法、および基板洗浄レシピ作成装置 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP16690293A patent/JPH0722365A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018056038A1 (ja) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板洗浄方法、基板洗浄レシピ作成方法、および基板洗浄レシピ作成装置 |
| JP2018056184A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板洗浄方法、基板洗浄レシピ作成方法、および基板洗浄レシピ作成装置 |
| TWI648792B (zh) * | 2016-09-26 | 2019-01-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板洗淨配方作成方法、基板洗淨配方作成裝置以及電腦程式產品 |
| CN109661718A (zh) * | 2016-09-26 | 2019-04-19 | 株式会社斯库林集团 | 基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置 |
| US10840083B2 (en) | 2016-09-26 | 2020-11-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method, method for creating substrate cleaning recipe, and device for creating substrate cleaning recipe |
| CN109661718B (zh) * | 2016-09-26 | 2023-05-05 | 株式会社斯库林集团 | 基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置 |
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