JP6624609B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
たとえば、トランジスタやキャパシタ等のデバイスが作り込まれた半導体ウエハの表面に多層配線を形成するバックエンドプロセス(BEOL:Back End of the Line)では、ドライエッチングによって発生したポリマー残渣を除去するポリマー除去工程が行われる。残渣が基板に残留すると、デバイスの電気的特性が低下したり、歩留りが低下したりするためである。
IPAの濃度が上昇すると、液滴が小さくなるので、パターンに加わる衝撃が小さくなるものの、異物に加わる衝撃も小さくなってしまう。そのため、ダメージの数が減少する一方で、異物の除去率が低下してしまう。これとは反対に、IPAの濃度が低下すると、異物の除去率が高まる一方で、ダメージの数が増加してしまう。したがって、ダメージの数と異物の除去率の両方を最適化することは困難である。特に、ある基板に対して最適な処理条件が別の基板に対しても最適とは限らないので、複数枚の基板を最適な条件で処理することは容易ではない。
液滴用混合液に含まれる薬液は、親水基および炭化水素基が化学式に含まれる物質の液体である。水と親和性が高い親水基が薬液に含まれているので、水および薬液が容易に混ざり合う。さらに、薬液の表面張力が水の表面張力よりも低いので、液滴用混合液の表面張力が下がり、液滴の粒径が減少する。これにより、ダメージの発生が抑制される。しかも、有機物と親和性が高い炭化水素基が薬液に含まれているので、ポリマー残渣などの有機物が異物に含まれている場合は、基板上の異物を液滴用混合液に溶解させることができる。これにより、異物の残留量をさらに低減でき、基板の清浄度を高めることができる。
さらに、この構成によれば、スプレーノズルが複数の液滴を基板に衝突させているときに、カバーリンス液ノズルがカバーリンス液を基板に供給する。複数の液滴は、カバーリンス液の液膜で覆われた基板に衝突する。そのため、液滴の衝突によりパターンに加わる衝撃が分散する。これにより、ダメージの発生を抑制することができる。さらに、水と薬液とを含むカバーリンス用混合液がカバーリンス液として用いられるので、基板上の有機物をカバーリンス液に溶解させることができる。これにより、異物の残留量をさらに低減でき、基板の清浄度を高めることができる。
さらに、この構成によれば、液滴用濃度だけでなく、カバーリンス用濃度も、処理すべき基板に応じて決定されている。基板上の有機物は、カバーリンス用混合液に含まれる薬液に溶解する。薬液に溶解する有機物の量は、カバーリンス用混合液における薬液の濃度が上昇するにしたがって増加する。ただし、本発明者らの研究によると、有機物の溶解量と薬液の濃度との関係は、必ずしも正比例の関係ではないことが分かっている。したがって、カバーリンス用濃度を処理すべき基板に応じて決定することにより、有機物を効果的に除去することができる。
薬液の化学式に含まれる炭化水素基は、アルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基)、ビニル基、およびアリール基のいずれかであってもよいし、これら以外の炭化水素基であってもよい。薬液の化学式に含まれる親水基は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、チオール基、およびスルホ基のいずれかであってもよいし、これら以外の親水基であってもよい。これらは後述するカバーリンス用混合液に含まれる薬液にも当てはまる。
カバーリンス用混合液に含まれる薬液の表面張力は、水の表面張力と等しくてもよいし異なっていてもよい。
処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度は、処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度と等しくてもよいし異なっていてもよい。
この構成によれば、液体と気体とが衝突し、これによって、複数の液滴が生成される。液体および気体の衝突により複数の液滴を生成する場合、液滴の粒径は、表面張力の影響を受け易い。したがって、水よりも表面張力が小さい薬液を含む液滴用混合液を用いることにより、液滴の粒径を効果的に変化させることができる。
この構成によれば、処理すべき基板に応じて決定された液滴用濃度が、レシピに含まれている。制御装置は、レシピに含まれる液滴用濃度の液滴用混合液がスプレーノズルに供給されるように、液滴用濃度変更手段を制御する。これにより、最適な液滴用濃度の液滴用混合液がスプレーノズルに供給される。
前記基板情報は、複数の基板処理装置を統括するホストコンピュータから前記通信装置に送信されてもよい。前記制御装置が基板の表面に形成されたパターンの形状を測定する測定ユニットに接続されている場合、前記基板情報は、前記測定ユニットから前記通信装置に送信されてもよい。前記測定ユニットは、前記基板処理装置に内蔵されていてもよいし、前記基板処理装置とは別の装置であってもよい。
この構成によれば、液滴用濃度とカバーリンス用濃度とが互いに等しいので、液滴用濃度およびカバーリンス用濃度の一方だけを準備すればよく、液滴用濃度およびカバーリンス用濃度を個別に準備しなくてもよい。また、液滴用濃度およびカバーリンス用濃度がレシピまたはテーブルに含まれる場合には、制御装置に記憶されるデータ量を減らすことができる。
この構成によれば、スプレーノズルが複数の液滴を生成しているときに、液滴用濃度が変更され、液滴の粒径と薬液の濃度とが変化する。基板に対する異物の付着の仕方は、大抵の場合、一様ではなく様々な態様を含む。さらに、様々な大きさまたは種類の異物が基板に付着している場合もある。したがって、同じ基板を処理しているときに液滴用濃度を変化させることにより、異物の除去率を高めることができる。
この構成によれば、水および薬液の一方または両方が、ヒータによって加熱される。これにより、液滴用混合液の温度が上昇し、液滴用混合液の表面張力が低下する。そのため、温度の上昇によって表面張力が低下した液滴用混合液がスプレーノズルに供給される。したがって、液滴用混合液に含まれる薬液の割合を増やさずに、液滴用混合液の表面張力を低下させることができる。
請求項11に記載の発明は、前記基板処理装置は、ドライエッチングが行われた基板に前記複数の液滴を衝突させる装置である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項15に記載の発明は、前記液滴用混合液供給工程は、第1混合手段で前記水および前記薬液を混合することにより前記液滴用混合液を生成する第1混合工程と、前記第1混合工程で生成された前記液滴用混合液を前記第1混合手段とは異なる第2混合手段で前記スプレーノズルの上流で混合する第2混合工程とを含む、請求項13または14に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述と同様の作用効果を奏することができる。
請求項21に記載の発明は、前記液滴用混合液供給工程は、前記液滴用混合液を前記スプレーノズルに供給しながら、処理すべき基板に応じて決定された範囲内で前記液滴用濃度を変更する工程である、請求項13〜20のいずれか一項に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述と同様の作用効果を奏することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の内部を水平に見た模式図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液や処理ガスなどの処理流体で基板Wを処理する処理ユニット2と、処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)と、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。
制御装置3は、基板Wの処理内容および処理手順等を示すレシピに従って基板処理装置1に基板Wを処理させるプログラムを実行するCPU41(中央処理装置)と、レシピおよびプログラムを含む各種の情報を記憶する記憶装置42と、を含むコンピュータである。制御装置3は、さらに、ホストコンピュータHCなどの基板処理装置1以外の装置や基板処理装置1に設けられた装置と通信する通信装置43を含む。ホストコンピュータHCは、半導体装置や液晶表示装置等を製造する製造工場内に設置された複数の基板処理装置を管理するコンピュータである。基板処理装置1は、複数の基板処理装置の一つである。制御装置3は、スピンチャック5やバルブ等の基板処理装置1に備えられた機器に電気的に接続されている。制御装置3は、基板Wの搬送や処理などに必要な各種の動作を基板処理装置1に実行させるようにプログラムされている。
以下では、基板処理装置1で処理される基板Wが、ドライエッチングが行われた半導体ウエハである例について説明する。基板Wの表面には凹部44によって仕切られた複数の凸部45が形成されている。凹部44は、基板Wの平面方向に延びる溝(たとえば、配線溝)であってもよいし、基板Wの厚み方向に延びる穴(たとえば、ヴィアホール)であってもよい。凸部45は、ドライエッチングによって形成された高アスペクト比のパターンである。アスペクト比(パターンの高さ/パターンの幅)の具体例は、6以上であり、凹部44の幅の具体例は、20nm以下である。
基板処理装置1によって基板Wが処理されるときには、チャンバー4内に基板Wを搬入する搬入工程が行われる(ステップS1)。
具体的には、第1ノズル移動ユニット15が、薬液ノズル12を退避位置から処理位置に移動させる。その後、薬液バルブ14が開かれる。これにより、薬液ノズル12から回転している基板Wの上面に向けて薬液が吐出される。このとき、第1ノズル移動ユニット15は、中央処理位置と外周処理位置との間で薬液ノズル12を移動させてもよいし、薬液の着液位置が基板Wの上面中央部に位置するように薬液ノズル12を静止させてもよい。薬液バルブ14が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ14が閉じられる。その後、第1ノズル移動ユニット15が薬液ノズル12を処理位置から退避位置に移動させる。
具体的には、第2ノズル移動ユニット19が、リンス液ノズル16を退避位置から処理位置に移動させる。その後、リンス液バルブ18が開かれる。これにより、リンス液ノズル16から回転している基板Wの上面に向けて純水が吐出される。このとき、第2ノズル移動ユニット19は、中央処理位置と外周処理位置との間でリンス液ノズル16を移動させてもよいし、リンス液の着液位置が基板Wの上面中央部に位置するようにリンス液ノズル16を静止させてもよい。基板W上の薬液は、リンス液ノズル16から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Wの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。リンス液バルブ18が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ18が閉じられる。その後、第2ノズル移動ユニット19がリンス液ノズル16を処理位置から退避位置に移動させる。
具体的には、第3ノズル移動ユニット28が、スプレーノズル21およびカバーリンス液ノズル26を待機位置から処理位置に移動させる。その後、ミキシングバルブ31の第1上流バルブ32、第2上流バルブ33、第1下流バルブ34、および第2下流バルブ35が開かれる。さらに、気体バルブ24が開かれる。これにより、基板Wの上面に向かって飛散する複数の液滴が生成されると共に、カバーリンス液ノズル26から吐出されたカバーリンス液が基板Wの上面に供給される。第3ノズル移動ユニット28は、この状態で、スプレーノズル21およびカバーリンス液ノズル26を中央処理位置と外周処理位置との間で移動させる。
本実施形態では、最適なIPAの濃度がレシピに含まれている。レシピ内のIPAの濃度は、予め実験的に求められた値である。IPAの濃度は、たとえば、スプレー洗浄工程の全期間にわたって一定である。制御装置3は、レシピに示された濃度でIPAを含む混合液がスプレーノズル21に供給されるように、第1流量調整バルブ37および第2流量調整バルブ39の開度を調整する。これにより、ダメージの発生を効果的に抑制しながら、パーティクルおよび残渣を含む異物を効果的に基板Wから除去することができる。
具体的には、スピンモータ9が基板Wを回転方向に加速させ、高回転速度(たとえば数千rpm)で回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Wに付着している液体に加わり、液体が基板Wからその周囲に振り切られる。そのため、液体が基板Wから除去され、基板Wが乾燥する。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ9が回転を停止する。これにより、基板Wの回転が停止される。
具体的には、全てのノズルが基板Wの上方から退避している状態で、搬送ロボット(図示せず)が、ハンドをチャンバー4内に進入させる。搬送ロボットは、複数のチャックピン7による基板Wの保持が解除された後、スピンチャック5上の基板Wをハンドで支持する。その後、搬送ロボットは、基板Wをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される。
本実施形態では、純水およびIPAがミキシングバルブ31で混合され、混合液が生成される。その後、混合液が混合器40でさらに混合され、スプレーノズル21に供給される。つまり、純水およびIPAは、スプレーノズル21に供給される前に複数回混合される。そのため、純水およびIPAが均一に混合された混合液がスプレーノズル21に供給される。スプレーノズル21に供給される混合液の均一性が低下すると、粒径のばらつきが広がる。したがって、混合液の均一性を高めることにより、処理の安定性を高めることができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。以下の図5〜図7において、前述の図1〜図6に示された各部と同等の構成部分については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図5は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置1の電気的構成を示すブロック図である。図6は、制御装置3に記憶されたテーブル251の内容の一例を示す図である。図7は、基板情報を受信してから基板の処理を実行するまでの流れを示す工程図である。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前記実施形態では、スプレーノズル21に供給される液体が純水およびIPAの混合液であり、スプレーノズル21に供給される気体が窒素ガスである場合について説明したが、これら以外の流体をスプレーノズル21に供給してもよい。純水およびIPAの混合液以外の液体をカバーリンス液ノズル26に供給してもよい。
混合液におけるIPAの濃度は、スプレー洗浄工程(図4のステップS4)の全期間にわたって一定でなくてもよい。つまり、制御装置3は、スプレー洗浄工程の少なくとも一部の期間においてIPAの濃度を連続的にまたは段階的に変化させてもよい。
図9に示すスプレーノズル321は、処理液流路356と複数の吐出口357とが設けられたノズル本体358と、ノズル本体358に振動を加えることにより複数の吐出口357から吐出される処理液を分断する圧電素子359とを含む。処理液流路356の上流端は、処理液流路356に供給される処理液を案内する処理液供給配管360に接続されており、処理液流路356の下流端は、処理液流路356から排出された処理液を案内する処理液排出配管361に接続されている。圧電素子359に電圧を印加する配線363は、圧電素子359に接続されている。
前述の実施形態では、純水およびIPAの混合液が、スプレーノズル21およびカバーリンス液ノズル26の両方に供給される場合について説明したが、純水およびIPAの混合液以外の液体(たとえば、純水)が、スプレーノズル21およびカバーリンス液ノズル26の一方に供給されてもよい。
前述の実施形態では、スプレーノズル21およびカバーリンス液ノズル26が同じノズルアーム29に保持されている場合について説明したが、別々のノズルアームに保持されていてもよい。カバーリンス液ノズル26が省略されてもよい。
前述の実施形態では、基板処理装置1が、円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、多角形の基板Wを処理する装置であってもよい。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の2つ以上が組み合わされてもよい。
3 :制御装置
5 :スピンチャック(基板保持手段)
21 :スプレーノズル
22 :液体配管(液滴用混合液供給手段)
23 :気体配管
24 :気体バルブ
25 :気体流量調整バルブ
26 :カバーリンス液ノズル
27 :カバーリンス液配管(カバーリンス用混合液供給手段)
31 :ミキシングバルブ(第1混合手段)
36 :第1配管
37 :第1流量調整バルブ(液滴用濃度変更手段、カバーリンス用濃度変更手段)
38 :第2配管
39 :第2流量調整バルブ(液滴用濃度変更手段、カバーリンス用濃度変更手段)
40 :配管内混合器(第2混合手段)
251 :テーブル(液滴用テーブル、カバーリンス用テーブル)
252 :濃度選択部
253 :レシピ変更部
254 :処理実行部
255 :測定ユニット
321 :スプレーノズル
356 :処理液流路
357 :吐出口
358 :ノズル本体
359 :圧電素子
364 :ヒータ
W :基板
Claims (23)
- 基板を保持する基板保持手段と、
液体から複数の液滴を生成し、前記基板保持手段に保持されている基板に前記複数の液滴を衝突させるスプレーノズルと、
水と、前記水よりも表面張力が小さく、親水基および炭化水素基を有する薬液と、を含む液滴用混合液を前記液体として前記スプレーノズルに供給する液滴用混合液供給手段と、
前記スプレーノズルに供給すべき前記液滴用混合液における前記薬液の濃度を示す液滴用濃度を変更する液滴用濃度変更手段と、
前記液滴用濃度変更手段を制御することにより、処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度の前記液滴用混合液を前記液滴用混合液供給手段から前記スプレーノズルに供給させる制御装置と、
前記基板保持手段に保持されている基板に前記スプレーノズルが前記複数の液滴を衝突させているときに、前記基板に向けてカバーリンス液を吐出するカバーリンス液ノズルと、
水と、親水基および炭化水素基を有する薬液と、を含むカバーリンス用混合液を前記カバーリンス液として前記カバーリンス液ノズルに供給するカバーリンス用混合液供給手段と、
前記カバーリンス液ノズルに供給すべき前記カバーリンス用混合液における前記薬液の濃度を示すカバーリンス用濃度を変更するカバーリンス用濃度変更手段とを含み、
前記制御装置は、前記カバーリンス用濃度変更手段を制御することにより、処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度の前記カバーリンス用混合液を前記カバーリンス用混合液供給手段から前記カバーリンス液ノズルに供給させる、基板処理装置。 - 前記スプレーノズルは、前記液体に気体を衝突させることにより前記複数の液滴を生成する二流体ノズルである、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記液滴用混合液供給手段は、前記水および前記薬液を混合することにより前記液滴用混合液を生成する第1混合手段と、前記第1混合手段とは異なる混合手段であって前記第1混合手段によって生成された前記液滴用混合液を前記スプレーノズルの上流で混合する第2混合手段とを含む、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、基板の処理内容および処理手順を示すレシピを記憶する記憶装置を含み、
処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度は、前記レシピに示されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、
処理すべき基板の情報を示す複数の基板情報と、前記複数の基板情報にそれぞれ対応する複数の前記液滴用濃度と、を含む液滴用テーブルを記憶する記憶装置と、
前記基板情報を受信する通信装置と、
前記通信装置が受信した前記基板情報に対応する前記液滴用濃度を、処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度として、前記液滴用テーブルに含まれる複数の前記液滴用濃度から選択する濃度選択部と、
前記濃度選択部によって選択された前記液滴用濃度の前記液滴用混合液を前記液滴用混合液供給手段から前記スプレーノズルに供給させる処理実行部とを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、基板の処理内容および処理手順を示すレシピを記憶する記憶装置を含み、
処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度は、前記レシピに示されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置は、
処理すべき基板の情報を示す複数の基板情報と、前記複数の基板情報にそれぞれ対応する複数の前記カバーリンス用濃度と、を含むカバーリンス用テーブルを記憶する記憶装置と、
前記基板情報を受信する通信装置と、
前記通信装置が受信した前記基板情報に対応する前記カバーリンス用濃度を、処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度として、前記カバーリンス用テーブルに含まれる複数の前記カバーリンス用濃度から選択する濃度選択部と、
前記濃度選択部によって選択された前記カバーリンス用濃度の前記カバーリンス用混合液を前記カバーリンス用混合液供給手段から前記カバーリンス液ノズルに供給させる処理実行部とを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度は、処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度と等しい、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、前記液滴用混合液を前記液滴用混合液供給手段から前記スプレーノズルに供給させながら、処理すべき基板に応じて決定された範囲内で前記液滴用濃度を前記液滴用濃度変更手段に変更させる、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記水および薬液が混合される前または後に前記水および薬液の少なくとも一方を加熱することにより、前記液滴用混合液供給手段から前記スプレーノズルに供給すべき前記液滴用混合液の温度を上昇させるヒータをさらに含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、ドライエッチングが行われた基板に前記複数の液滴を衝突させる装置である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板を保持する基板保持手段と、
液体から複数の液滴を生成し、前記基板保持手段に保持されている基板に前記複数の液滴を衝突させるスプレーノズルと、
前記基板保持手段に保持されている基板に前記スプレーノズルが前記複数の液滴を衝突させているときに、前記基板に向けてカバーリンス液を吐出するカバーリンス液ノズルと、
水と、親水基および炭化水素基を有する薬液と、を含み、処理すべき基板に応じて決定された濃度で前記薬液が混合されたカバーリンス用混合液を前記カバーリンス液として前記カバーリンス液ノズルに供給するカバーリンス用混合液供給手段とを含む、基板処理装置。 - 水と、前記水よりも表面張力が小さく、親水基および炭化水素基を有する薬液と、を含む混合液であって、前記薬液が液滴用濃度で混合された液滴用混合液から生成された複数の液滴を基板に衝突させる基板処理方法であって、
処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度の前記液滴用混合液を、前記複数の液滴を生成するスプレーノズルに供給する液滴用混合液供給工程と、
前記液滴用混合液供給工程で前記スプレーノズルに供給された前記液滴用混合液から前記複数の液滴を生成する液滴生成工程と、
前記液滴生成工程で生成された前記複数の液滴を基板に衝突させる液滴衝突工程と、
水と、親水基および炭化水素基を有する薬液と、を含む混合液であって、前記薬液がカバーリンス用濃度で混合されたカバーリンス用混合液をカバーリンス液ノズルに供給するカバーリンス用混合液供給工程と、
前記液滴衝突工程と並行して、前記カバーリンス用混合液供給工程で供給された前記カバーリンス用混合液を前記基板に向けて前記カバーリンス液ノズルに吐出させるカバーリンス工程とを含み、
前記カバーリンス用混合液供給工程は、処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度の前記カバーリンス用混合液を前記カバーリンス液ノズルに供給する工程である、基板処理方法。 - 前記液滴生成工程は、前記液滴用混合液供給工程で前記スプレーノズルに供給された前記液滴用混合液に気体を衝突させることにより前記複数の液滴を生成する工程である、請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記液滴用混合液供給工程は、第1混合手段で前記水および前記薬液を混合することにより前記液滴用混合液を生成する第1混合工程と、前記第1混合工程で生成された前記液滴用混合液を前記第1混合手段とは異なる第2混合手段で前記スプレーノズルの上流で混合する第2混合工程とを含む、請求項13または14に記載の基板処理方法。
- 前記基板処理方法は、基板の処理内容および処理手順を示すレシピを記憶する記憶工程をさらに含み、
前記液滴用混合液供給工程は、前記レシピに示された前記液滴用濃度の前記液滴用混合液を前記スプレーノズルに供給する工程である、請求項13〜15のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記基板処理方法は、
処理すべき基板の情報を示す複数の基板情報と、前記複数の基板情報にそれぞれ対応する複数の前記液滴用濃度と、を含む液滴用テーブルを記憶する記憶工程と、
前記基板情報を受信する通信工程と、
前記通信工程で受信した前記基板情報に対応する前記液滴用濃度を、処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度として、前記液滴用テーブルに含まれる複数の前記液滴用濃度から選択する濃度選択工程とをさらに含み、
前記液滴用混合液供給工程は、前記濃度選択工程で選択された前記液滴用濃度の前記液滴用混合液を前記スプレーノズルに供給する工程である、請求項13〜15のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記基板処理方法は、基板の処理内容および処理手順を示すレシピを記憶する記憶工程をさらに含み、
前記カバーリンス用混合液供給工程は、前記レシピに示された前記カバーリンス用濃度の前記カバーリンス用混合液を前記カバーリンス液ノズルに供給する工程である、請求項13〜17のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記基板処理方法は、
処理すべき基板の情報を示す複数の基板情報と、前記複数の基板情報にそれぞれ対応する複数の前記カバーリンス用濃度と、を含むカバーリンス用テーブルを記憶する記憶工程と、
前記基板情報を受信する通信工程と、
前記通信工程で受信した前記基板情報に対応する前記カバーリンス用濃度を、処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度として、前記カバーリンス用テーブルに含まれる複数の前記カバーリンス用濃度から選択する濃度選択工程とをさらに含み、
前記カバーリンス用混合液供給工程は、前記濃度選択工程で選択された前記カバーリンス用濃度の前記カバーリンス用混合液を前記カバーリンス液ノズルに供給する工程である、請求項13〜17のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 処理すべき基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度は、処理すべき基板に応じて決定された前記液滴用濃度と等しい、請求項13〜19のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記液滴用混合液供給工程は、前記液滴用混合液を前記スプレーノズルに供給しながら、処理すべき基板に応じて決定された範囲内で前記液滴用濃度を変更する工程である、請求項13〜20のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記水および薬液が混合される前または後に前記水および薬液の少なくとも一方を加熱することにより、前記液滴用混合液供給工程で前記スプレーノズルに供給すべき前記液滴用混合液の温度を上昇させる加熱工程をさらに含む、請求項13〜21のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 水と、親水基および炭化水素基を有する薬液と、を含む混合液であって、前記薬液がカバーリンス用濃度で混合されたカバーリンス用混合液を基板に供給しながら、複数の液滴を前記基板に衝突させる基板処理方法であって、
前記複数の液滴を前記基板に衝突させる液滴衝突工程と、
処理すべき前記基板に応じて決定された前記カバーリンス用濃度の前記カバーリンス用混合液をカバーリンス液ノズルに供給するカバーリンス用混合液供給工程と、
前記液滴衝突工程と並行して、前記カバーリンス用混合液供給工程で供給された前記カバーリンス用混合液を前記基板に向けて前記カバーリンス液ノズルに吐出させるカバーリンス工程とを含む、基板処理方法。
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