JP7348932B2 - 半導体ウエハの洗浄装置、および、洗浄方法 - Google Patents
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Description
Claims (14)
- 半導体ウエハを洗浄する装置であって、
前記半導体ウエハを保持するチャックと、
超音波または高周波超音波装置と、
前記超音波または高周波超音波装置を前記半導体ウエハ表面の上方位置まで駆動し、前記超音波または高周波超音波装置と前記半導体ウエハの表面との間に隙間を形成するアクチュエータと、
前記半導体ウエハの表面に洗浄液を噴射する少なくとも一つの中央ディスペンサと、
前記チャックを駆動させて所定の回転速度で回転させることにより、前記超音波または高周波超音波装置と前記半導体ウエハの表面との間の前記隙間に気体と液体の相が交互に存在することなく前記洗浄液が完全且つ継続的に充填され、前記洗浄液を介して超音波または高周波超音波エネルギーを安定して前記半導体ウエハの表面全体に伝達させる、回転駆動機構とを備え、
前記回転駆動機構は、前記チャックを30rpm以下の回転速度で回転させ、
前記超音波または高周波超音波装置は、平面視において、円弧部が前記半導体ウエハの外に位置し、且つ、前記半導体ウエハの中央部を僅かに越えた位置を頂点とする扇形をしており、
前記中央ディスペンサは、半導体ウエハの中心の反対側で、前記扇形をした前記超音波または高周波超音波装置の中心線上において前記半導体ウエハの中央部を僅かに越えた位置に配置されていることを特徴とする装置。 - 前記半導体ウエハの表面は親水性であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記回転駆動機構は、前記チャックを10~30rpmの範囲の回転速度で回転させることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- サスペンションアームをさらに備え、前記超音波または高周波超音波装置は前記サスペンションアームの下面に配置されており、前記中央ディスペンサが前記サスペンションアームの先端に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 半導体ウエハを洗浄する装置であって、
前記半導体ウエハを保持するチャックと、
超音波または高周波超音波装置と、
前記超音波または高周波超音波装置を前記半導体ウエハ表面の上方位置まで駆動し、前記超音波または高周波超音波装置と前記半導体ウエハの表面との間に隙間を形成するアクチュエータと、
前記半導体ウエハの表面に洗浄液を噴射する少なくとも一つのサイドディスペンサと、
前記チャックを駆動させて所定の回転速度で回転させることにより、前記超音波または高周波超音波装置と前記半導体ウエハの表面との間の前記隙間に気体と液体の相が交互に存在することなく前記洗浄液が完全且つ継続的に充填され、前記洗浄液を介して超音波または高周波超音波エネルギーを安定して前記半導体ウエハの表面全体に伝達させる、回転駆動機構とを備え、
前記回転駆動機構は、前記チャックを45rpm以下の回転速度で回転させ、
前記超音波または高周波超音波装置は、平面視において、円弧部が前記半導体ウエハの外に位置し、且つ、前記半導体ウエハの中央部を僅かに越えた位置を頂点とする扇形をしており、
前記サイドディスペンサは、前記超音波または高周波超音波装置の側面に沿って、前記半導体ウエハの中央部付近から前記半導体ウエハの外まで前記半導体ウエハの略径方向に延在していることを特徴とする装置。 - 前記回転駆動機構は、前記チャックを10~45rpmの範囲の回転速度で回転させることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記サイドディスペンサは、前記超音波または高周波超音波装置の側面に沿って一列に配置される複数の吐出口が設けられていることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記超音波または高周波超音波装置を駆動して垂直移動させ、前記超音波または高周波超音波装置と前記半導体ウエハの表面との間の前記隙間を変更する垂直アクチュエータをさらに備えていることを特徴とする請求項1又は5に記載の装置。
- 前記半導体ウエハを固定するための複数の位置決めピンを前記チャックに配置したことを特徴とする請求項1又は5に記載の装置。
- 半導体ウエハを洗浄する方法であって、
チャックによって前記半導体ウエハを保持するステップと、
少なくとも一つの中央ディスペンサ又は少なくとも一つのサイドディスペンサから前記半導体ウエハの表面に洗浄液を噴射するステップと、
超音波または高周波超音波装置を駆動して前記半導体ウエハ表面の上方位置まで移動させ、前記超音波または高周波超音波装置と前記半導体ウエハの表面との間に隙間を形成するステップと、
前記チャックを駆動させて所定の回転速度で回転させることにより、前記超音波または高周波超音波装置と前記半導体ウエハの表面との間の前記隙間に気体と液体の相が交互に存在することなく前記洗浄液が完全且つ継続的に充填され、前記洗浄液を介して超音波または高周波超音波エネルギーを安定して前記半導体ウエハの表面全体に伝達するステップとを含み、
前記所定の回転速度は、前記中央ディスペンサから洗浄液を噴射する場合は30rpm以下であり、前記サイドディスペンサから洗浄液を噴射する場合は45rpm以下であり、
前記超音波または高周波超音波装置は、平面視において、円弧部が前記半導体ウエハの外に位置し、且つ、前記半導体ウエハの中央部を僅かに越えた位置を頂点とする扇形をしており、
前記中央ディスペンサから洗浄液を噴射する場合、前記中央ディスペンサは、半導体ウエハの中心の反対側で、前記扇形をした前記超音波または高周波超音波装置の中心線上において前記半導体ウエハの中央部を僅かに越えた位置に配置されており、
前記サイドディスペンサから洗浄液を噴射する場合、前記サイドディスペンサは、前記超音波または高周波超音波装置の側面に沿って、前記半導体ウエハの中央部付近から前記半導体ウエハの外まで前記半導体ウエハの略径方向に延在していることを特徴とする方法。 - 前記半導体ウエハの表面は親水性であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記中央ディスペンサから洗浄液を噴射する場合において、前記チャックを駆動して10~30rpmの範囲の回転速度で回転させることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記サイドディスペンサから洗浄液を噴射する場合において、前記チャックを駆動して10~45rpmの範囲の回転速度で回転させることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記サイドディスペンサは、前記超音波または高周波超音波装置の側面に沿って一列に配置される複数の吐出口が設けられていることを特徴とする請求項10に記載の方法。
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