JP2007150375A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板9に処理を施す基板処理装置1において、支持部21に支持された基板9の被処理面に対向してIPA噴出ノズル40を設ける。IPA噴出ノズル40はアーム42を介してノズル揺動機構43により揺動可能に支持される。IPA噴出ノズル40にはIPA供給管411および窒素ガス供給管412が接続される。各供給管より供給されたIPAおよび窒素ガスはIPA噴出ノズル40により混合され、IPA微小液滴が生成される。生成されたIPA微小液滴は基板9の被処理面に向けて噴出され、回転中の基板9の被処理面に衝突する。その結果、基板9の被処理面をIPAを用いて洗浄することができる。
【選択図】図1
Description
3 処理液吐出ノズル
9 基板
20 カバー
20b 仕切部材
21 支持部
40 IPA噴出ノズル
43 揺動機構
231 ファンユニット
403 IPA噴出口
404 ガス噴出口
415 IPA混合タンク
416 IPA供給部
P1 点(混合位置)
Claims (18)
- 基板に処理を施す基板処理装置であって、
基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持される基板の回転中に被処理面に向けてIPA微小液滴を噴出して前記被処理面に衝突させるノズル部と、
を備え、
前記ノズル部が、
液相のIPAを所定の混合位置に向けて噴出するIPA噴出口と、
不活性ガスを前記混合位置に向けて噴出するガス噴出口と、
を有し、
IPAと不活性ガスとが噴出直後に前記混合位置にて混合されることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理を施す基板処理装置であって、
基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持される基板の回転中に被処理面に向けてIPA微小液滴を噴出して前記被処理面に衝突させるノズル部と、
を備え、
前記ノズル部が、液相のIPAと不活性ガスとを混合することにより、IPA微小液滴を生成し、
前記ノズル部の先端が導電性樹脂により形成され接地されることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理を施す基板処理装置であって、
基板を支持する支持部と、
前記支持部に支持される基板の回転中に被処理面に向けてIPA微小液滴を噴出して前記被処理面に衝突させるノズル部と、
前記支持部の周囲を覆う静電気放電防止用の略円筒状の仕切部材と、
を備え、
前記ノズル部が、液相のIPAと不活性ガスとを混合することにより、IPA微小液滴を生成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記仕切部材の直径が700ミリメートル未満であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3または4に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部の先端が導電性樹脂により形成され接地されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部が、
液相のIPAを所定の混合位置に向けて噴出するIPA噴出口と、
不活性ガスを前記混合位置に向けて噴出するガス噴出口と、
を有し、
IPAと不活性ガスとが噴出直後に前記混合位置にて混合されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、
液相のIPAを貯留するIPA供給部と、
前記IPA供給部からのIPAを純水にて希釈する混合手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記支持部の周囲において基板の被処理面側から裏面側へと向かう気流を発生する気流発生手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理を施す基板処理装置であって、
基板を支持する支持部と、
液相のIPAを貯留するIPA供給部と、
前記IPA供給部からのIPAを純水にて希釈する混合手段と、
前記支持部に支持される基板の回転中に、前記混合手段からのIPAからIPA微小液滴を生成するとともに被処理面に向けて噴出して前記被処理面に衝突させるノズル部と、
前記支持部の周囲において基板の被処理面側から裏面側へと向かう気流を発生する気流発生手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部が、液相のIPAと不活性ガスとを混合することにより、IPA微小液滴を生成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9または10に記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部の先端が導電性樹脂により形成され接地されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1、2並びに請求項9ないし11のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記支持部の周囲を覆う静電気放電防止用の略円筒状の仕切部材をさらに備え、
前記仕切部材の直径が700ミリメートル未満であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1、2並びに請求項9ないし11のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記支持部および前記ノズル部が内部に配置され、基板の被処理面に垂直な方向に伸びる筒状のカバーをさらに備え、
基板の被処理面に平行な方向に関して前記カバーの最小幅が700ミリメートル未満であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし13のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部を基板の被処理面に沿って揺動させる揺動機構をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし14のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部の先端と基板の被処理面との距離が5ミリメートル以上50ミリメートル以下とされることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし15のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部の噴出方向が基板の被処理面となす角が45度以上であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし16のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ノズル部から噴出されるIPA微小液滴の速度が、秒速10メートル以上300メートル以下であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし17のいずれかに記載の基板処理装置であって、
基板に向けて処理液を吐出する吐出部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
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