TWI558476B - 基板清潔方法及基板清潔裝置 - Google Patents

基板清潔方法及基板清潔裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI558476B
TWI558476B TW104113100A TW104113100A TWI558476B TW I558476 B TWI558476 B TW I558476B TW 104113100 A TW104113100 A TW 104113100A TW 104113100 A TW104113100 A TW 104113100A TW I558476 B TWI558476 B TW I558476B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
liquid
main surface
nozzle
ultrasonic
Prior art date
Application number
TW104113100A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201609279A (zh
Inventor
塙洋祐
宮勝彥
佐佐木悠太
Original Assignee
斯克林集團公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 斯克林集團公司 filed Critical 斯克林集團公司
Publication of TW201609279A publication Critical patent/TW201609279A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI558476B publication Critical patent/TWI558476B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0288—Ultra or megasonic jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
    • C11D2111/46—Specific cleaning or washing processes applying energy, e.g. irradiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Description

基板清潔方法及基板清潔裝置
本發明係關於一種對一主面形成有圖案之基板之另一主面進行清潔之基板清潔裝置及基板清潔方法。再者，該基板包含半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(場發射顯示器：Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光電磁碟用基板等各種基板。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等電子零件之製造步驟中，包含對基板之正面重複實施成膜或蝕刻等處理而形成微細圖案之步驟。此處，若該基板之背面附著有微粒，則成為光微影步驟中之散焦要因，難以形成所需之微細圖案。又，有時亦會因背面附著有微粒之基板而產生交叉污染。
進而，於基板搬送時大多係對基板之背面進行真空吸附，於此過程中基板之背面有時會附著微粒。因此，提出有多種對基板之背面進行清潔之技術。例如於日本專利特開2010-27816號公報所記載之裝置，係將對處理液施加超音波而成之超音波處理液供給至基板之背面而執行超音波清潔。又，於該裝置中，為防止超音波清潔時超音波傳遞至基板之正面側而對形成於基板之正面的圖案造成損壞，係於基板之正面形成液膜後使該液膜凍結而進行圖案補強。
上述日本專利特開2010-27816號公報所記載之裝置係利用如下原理之清潔裝置：藉由使超音波振動傳遞至清潔液，而於清潔液中產生微小尺寸之氣泡(空蝕氣泡)。伴隨空蝕氣泡之膨脹及衰變之類的活動，而於清潔液產生強烈之液流，藉此使附著於基板之正面之微粒自基板正面脫離，與清潔液一併流走，從而對基板正面進行清潔。
於日本專利特開2013-84667號公報中，與日本專利特開2010-27816號公報同樣地，以抑制形成於基板之正面之圖案之損壞為目的，揭示有如下技術：將基板收容於收容部，向收容部內供給脫氣後之處理液，並對該處理液賦予超音波振動，藉此對基板之主面及背面之全體進行清潔。藉由降低處理液中之溶存氣體濃度，減少空蝕氣泡之產生量，從而抑制對基板之圖案之損傷。
又，作為使用超音波處理液之其他基板清潔技術，於日本專利特開2004-363453號公報中揭示有如下裝置：一面使基板旋轉一面自噴嘴向基板正面供給賦予有超音波之超音波處理液，而進行基板之清潔。該裝置係一面將噴嘴之軸線與基板之正面及周緣區域所成之傾斜角度維持固定，一面使噴嘴沿特定方向移動。藉此，不僅對基板正面，對基板周緣區域亦吹送超音波處理液而進行超音波清潔。
對一主面(正面)形成有圖案之基板之另一主面(背面)進行清潔時，需要抑制該等圖案之崩壞等損傷，且良好地對另一主面進行清潔。近年來圖案進一步微小化，需要自基板除去之微粒之尺寸亦微小化，隨之對於另一主面亦需要微小微粒之除去。又，微粒之尺寸越小，向基板之附著力趨於越強，故而為確實地除去微小微粒，需要進一步增強用以除去微粒之清潔力(即，為使微粒自基板之主面脫離而對微粒賦予之物理力之強度)。
於日本專利特開2013-84667號公報所記載之裝置中，係供給脫氣 後之處理液並對該處理液賦予超音波振動，藉此對基板之主面及背面之全體進行清潔。藉此，抑制對基板之圖案之損傷。然而，與主面一樣，背面亦藉由脫氣後的處理液進行清潔，故而與處理液不脫氣之情形相比，對背面之清潔力降低，背面無法除去微小之微粒，結果有無法達成所需之微粒除去率之虞。
關於該點，於日本專利特開2010-27816號公報中，係將附加有超音波振動之液體自超音波清潔噴嘴直接向基板之背面供給，故而針對基板之背面，直接受到超音波清潔噴嘴之液體供給之部分可充分除去微粒。但是，於日本專利特開2010-27816號公報之方式中，附加有超音波振動之液體之向基板之背面之供給，係僅能自基板之斜下方或背面之噴嘴之類的有限位置進行，故而直接受到超音波清潔噴嘴之液體供給之部分於基板之背面亦僅限於特定之位置。距直接受到該液體之供給之部分越遠，則傳遞至基板之超音波振動越衰減，故而清潔力亦下降。因此，於日本專利特開2010-27816號公報之方式中，有基板之整個背面無法充分除去微粒之虞。
又，於日本專利特開2010-27816號公報所記載之裝置中，為防止圖案之損傷而需要執行液膜之凍結處理，且結束後需要進行基板之背面清潔。因此，基板之背面清潔所需之總時間、即節拍時間變長。又，為進行凍結處理而需要將冷卻氣體供給至液膜，運行成本不可避免地增大。
本發明係鑒於上述問題研究而成者，其目的在於提供一種基板清潔方法及基板清潔裝置，於藉由超音波除去附著於基板背面之污染物質，而對基板進行清潔之超音波清潔處理中，可防止因空蝕所致之基板正面之圖案之崩壞，且可對基板整個背面進行良好之清潔處理。
本發明之一之態樣係一種基板清潔方法，其特徵在於其係對一主面形成有圖案之基板之另一主面進行清潔者，且具備：基板保持步驟， 其係使上述另一主面朝向鉛垂方向下方，而將上述基板保持為水平；液膜形成步驟，其係對上述另一主面供給第1液體而形成液膜；及超音波清潔步驟，其係於上述液膜形成於上述另一主面之狀態下，將對第2液體施加超音波而成之超音波施加液供給至上述一主面，使超音波振動自上述一主面側經由上述基板而傳播至上述另一主面、及形成於上述另一主面之上述第1液體之上述液膜，從而對上述另一主面進行超音波清潔；且上述第1液體於對上述基板之主面上存在之液體傳播超音波時因該液體中產生之空蝕而作用於上述基板的單位面積之應力即空蝕強度高於上述第2液體。
本發明之另一態樣係一種基板清潔裝置，其特徵在於其係對一主面形成有圖案之基板之另一主面進行清潔者，且具備：基板保持機構，其使上述另一主面朝向鉛垂方向下方，而將上述基板保持為水平；第1液體噴出機構，其對上述另一主面噴出第1液體；液膜形成機構，其於上述另一主面形成上述第1液體之液膜；及第2液體噴出機構，其於在上述另一主面形成有上述第1液體之上述液膜之狀態下，將對第2液體施加超音波而成之超音波施加液噴出至上述一主面，使超音波振動自上述一主面側經由上述基板而傳播至上述另一主面、及形成於上述另一主面之上述第1液體之上述液膜，從而對上述另一主面進行超音波清潔；且上述液膜之上述第1液體於對上述基板之主面上存在之液體傳播超音波時因該液體中產生的空蝕而作用於上述基板之單位面積之應力即空蝕強度高於噴出至上述一主面之上述第2液體。
根據本發明，於藉由超音波除去附著於基板背面(另一主面)之污染物質，而對基板進行清潔之超音波清潔處理中，可防止空蝕所致之基板正面(一主面)之圖案之崩壞，且可對基板背面進行良好之清潔處理。
2‧‧‧清潔液噴出機構
3‧‧‧第2液體噴出機構
4‧‧‧第1液體噴出機構
9‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧基板保持部
13‧‧‧排液收集部
21‧‧‧清潔液噴出單元
23‧‧‧清潔液供給單元
31‧‧‧第2液體供給單元
33‧‧‧超音波施加單元
35‧‧‧第2液體噴出單元
41‧‧‧第1液體供給單元
43‧‧‧背面噴出部
51‧‧‧沖洗液供給單元
53‧‧‧乾燥氣體供給單元
55‧‧‧流體噴射單元
71‧‧‧圖案
81‧‧‧第1液體
82‧‧‧第2液體
91‧‧‧處理單元
92‧‧‧流體箱
93‧‧‧分度器單元
94‧‧‧開啟器
95‧‧‧搬運梭
96‧‧‧中心機器人
97‧‧‧控制單元
111‧‧‧基底單元
113‧‧‧自旋基底
115‧‧‧基板保持構件
117‧‧‧中心軸
119‧‧‧基板保持構件驅動機構
121‧‧‧基板旋轉機構
130‧‧‧杯狀體
131‧‧‧內部構成構件
133‧‧‧中部構成構件
135‧‧‧外部構成構件
137‧‧‧防護升降機構
211‧‧‧清潔液供給源
213‧‧‧配管
215‧‧‧開閉閥
231‧‧‧噴嘴
233‧‧‧基底構件
235‧‧‧迴旋上下軸
237‧‧‧迴旋驅動部
239‧‧‧上下驅動部
241‧‧‧臂
313‧‧‧脫氣機構
331‧‧‧高頻振盪電路
332‧‧‧給電線
333‧‧‧振子
334‧‧‧振動面
343‧‧‧振子
350‧‧‧噴嘴
351‧‧‧噴嘴本體
352‧‧‧噴出口
353‧‧‧導入部
354‧‧‧基底構件
355‧‧‧迴旋上下軸
356‧‧‧迴旋驅動部
357‧‧‧上下驅動部
358‧‧‧臂
360‧‧‧噴嘴
361‧‧‧噴嘴本體
362‧‧‧噴出口
363‧‧‧導入部
411‧‧‧DIW供給源
412‧‧‧配管
413‧‧‧氣體濃度調整機構
414‧‧‧開閉閥
431‧‧‧配管
432‧‧‧內管
433‧‧‧外管噴出口
434‧‧‧內管噴出口
511‧‧‧DIW供給源
512‧‧‧配管
513‧‧‧開閉閥
531‧‧‧氮氣供給源
532‧‧‧配管
533‧‧‧配管
534‧‧‧配管
535‧‧‧質量流量控制器
536‧‧‧質量流量控制器
537‧‧‧質量流量控制器
551‧‧‧噴射頭
552‧‧‧基底構件
553‧‧‧迴旋上下軸
554‧‧‧臂
555‧‧‧上下驅動部
556‧‧‧迴旋驅動部
561‧‧‧頭本體
562‧‧‧流體導入部
563‧‧‧供給通路
564‧‧‧供給通路
565‧‧‧DIW噴出口
566‧‧‧氣體噴出口
571‧‧‧流體導入部
572‧‧‧供給通路
573‧‧‧氣體噴射口
574‧‧‧緩衝空間
901‧‧‧側壁
902‧‧‧上側基底構件
903‧‧‧下側基底構件
904‧‧‧處理空間
905‧‧‧上側空間
906‧‧‧下側空間
907‧‧‧空氣導入路
908‧‧‧風扇過濾單元
909‧‧‧排氣口
911‧‧‧擋閘
931‧‧‧分度機器人
933‧‧‧手柄
941‧‧‧載置面
943‧‧‧開閉機構
949‧‧‧FOUP
951‧‧‧手柄
961‧‧‧手柄
963‧‧‧升降軸
965‧‧‧升降機構
967‧‧‧旋轉機構
973‧‧‧演算處理部
975‧‧‧記憶體
977‧‧‧基板處理程式
A1‧‧‧旋轉中心軸
BE‧‧‧直接傳播區域
FE‧‧‧噴擊區域
Lb‧‧‧液膜
P1‧‧‧中心位置
P2‧‧‧任意位置
P3‧‧‧周緣位置
P4‧‧‧退避位置
Pw‧‧‧收斂點
S101~S106‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
Wb‧‧‧基板背面
Wf‧‧‧基板正面
θ‧‧‧入射角度
圖1係表示本發明之基板處理裝置之概略構成之俯視圖。
圖2係沿圖1之B1-B1線之沿箭頭方向觀察之剖視圖。
圖3係自圖1之箭頭B2觀察之側視圖。
圖4係表示本發明之處理單元之全體構成之圖。
圖5係表示圖4之處理單元中之基板保持部及排液收集部之構成的圖。
圖6係表示圖4之處理單元中之清潔液噴出機構之構成的圖。
圖7係表示圖4之處理單元中之流體噴射單元及第1液體噴出機構之構成的圖。
圖8係表示圖7之流體噴射單元中之噴射頭之構成的圖。
圖9係表示圖4之處理單元中之第2液體噴出機構之構成的圖。
圖10係表示圖9之第2液體噴出單元中之噴嘴之構成的圖。
圖11係模式性表示圖9之基板及第2液體噴出單元中之噴嘴之移動的圖。
圖12係表示圖4之處理單元中之控制單元之構成的圖。
圖13係表示第1實施形態之基板處理裝置之動作的流程圖。
圖14係表示第1實施形態中之基板正面之狀況之圖。
圖15係表示自噴嘴向基板正面之超音波施加液之入射角度與基板背面之聲壓之關係的圖表。
圖16係表示第1實施形態中之基板正面之狀況之圖。
圖17係表示第1實施形態中之基板正面之狀況之圖。
圖18係表示第1實施形態中之基板正面之狀況之圖。
圖19係表示第2實施形態中之第2液體噴出機構之構成的圖。
圖20係自上方觀察第2實施形態中之超音波清潔步驟時之噴嘴及基板的模式圖。
圖21係概略表示第3實施形態之基板之周邊構成之模式圖。
圖22係概略表示第4實施形態之基板之周邊構成之模式圖。
於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板等各種基板。
於以下之說明中，係以僅於一主面形成有電路圖案等(以下記載為「圖案」)之基板作為示例。此處，將形成有圖案之一主面稱為「正面」，將其相反側之未形成圖案之另一主面稱為「背面」。又，將朝下方之基板之面稱為「下表面」，將朝上方之基板之面稱為「上表面」。再者，以下係將上表面作為正面(一主面)而進行說明。
以下，採用半導體基板處理中使用之基板處理裝置為例，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，本發明並不限於半導體基板之處理，亦可適用於液晶顯示器用之玻璃基板等各種基板之處理。
<第1實施形態>圖1、圖2及圖3係表示本發明之基板處理裝置9之概略構成之圖。圖1係基板處理裝置9之前視圖，圖2係沿圖1之基板處理裝置9之B1-B1線之沿箭頭方向觀察之剖視圖。又，圖3係自箭頭B2側觀察圖1之基板處理裝置9之側視圖。該裝置係用以除去附著於半導體基板等基板W(以下僅記載為「基板W」)之微粒等污染物質(以下記載為「微粒等」)的清潔處理中使用之單片式基板處理裝置。
再者，各圖中為明確方向關係，適當地附加有以Z軸為鉛垂方向、以XY平面為水平面之座標系。又，於各座標系中，將箭頭之前端所指之方向設為+(正)方向，將相反方向設為-(負)方向。又，於各圖及以後之說明中，將基板之正面表示為「基板正面Wf」，將基板之背面表示為「基板背面Wb」。
<1-1.基板處理裝置之全體構成>
適當參照圖1、圖2及圖3，對第1實施形態之基板處理裝置之全體 構成進行說明。基板處理裝置9包括：開啟器(opener)94，其載置收容有例如25片基板W之FOUP(Front Open Unified Pod，前端開啟式統一規格片盒)949；分度器單元93，其自開啟器94上之FOUP949取出未處理之基板W，且將處理結束後之基板W收納於FOUP949內；搬運梭95，其於分度器單元93與中心機器人96之間進行基板W之接收；處理單元91，其將基板W藉由中心機器人96收容於其內部並進行清潔；及流體箱92，其收容供給至處理單元91之液體或氣體之配管、閥等。
首先，使用圖2對該等之平面配置進行說明。於基板處理裝置9之一端(圖2中為左端)配置複數個(本實施形態中為3台)開啟器94。分度器單元93與開啟器94之圖2中之右側(+Y側)鄰接而配置。搬運梭95於分度器單元93之X方向上之中央附近且與分度器單元之圖2中之右側(+Y側)鄰接而配置，於搬運梭95之圖2中之右側(+Y側)以與搬運梭95沿+Y方向排列之方式配置中心機器人96。如此，分度器單元93與搬運梭95及中心機器人96形成正交之兩條線之配置。
於以沿+Y方向排列之方式配置之搬運梭95及中心機器人96之圖2中之上側(-X側)與下側(+X側)配置有處理單元91及流體箱92。即，於搬運梭95與中心機器人96之圖2中之上側(-X側)或下側(+X側)，與分度器單元93之圖2中之右側(+Y側)鄰接，以流體箱92、處理單元91、處理單元91、流體箱92之順序配置。
再者，於分度器單元93之+X側(圖2中之下側)之側面設置有下述控制單元97之操作部971(參照圖1)。
繼而，對開啟器94進行說明。開啟器94具備：載置面941，於其上部載置FOUP949；及開閉機構943(參照圖3)，其與FOUP949之正面(圖1及圖2中之FOUP949之右側(+Y側)之面)相對配置，將處於FOUP949之正面之蓋部(省略圖示)進行開閉。
藉由自動搬送車輛等自基板處理裝置9之外部搬入之FOUP949載 置於開啟器94之載置面941上，藉由開閉機構943打開蓋部。藉此，下述分度器單元93之分度機器人931搬出FOUP949內之基板W，相反可將基板W搬入至FOUP949內。
繼而，對分度器單元93進行說明。分度器單元93中裝配有分度機器人931，該分度機器人931自FOUP949逐片取出處理步驟前之基板W，並且將處理步驟後之基板W逐片收容於FOUP949，進而於搬運梭95接收基板W，且具有沿Z軸方向上下配置之2組手柄933。分度機器人931構成為沿X軸方向水平移動自如，且沿Z軸方向升降移動自如，並且可環繞Z軸旋轉。
繼而，對搬運梭95進行說明。搬運梭95具備：2組手柄951，其等係於基板W之圖2中之上側(-X側)及下側(+X側)之周緣部附近，且沿保持分度機器人931之手柄933及下述中心機器人96之手柄961不干涉之位置之Z軸方向上下配置；及水平移動機構(未圖示)，其使2組手柄951分別獨立地沿Y軸方向水平移動。
搬運梭95構成為於分度機器人931與中心機器人96兩者之間可接收基板W。即，於手柄951藉由未圖示之水平移動機構向圖2中之左側(-Y側)移動之情形時，與分度機器人931之手柄933之間可進行基板W之接收，又，於手柄951向圖2中之右側(+Y側)移動之情形時，與中心機器人96之手柄961之間可進行基板W之接收。
繼而，對中心機器人96進行說明。中心機器人96具備：2組手柄961，其等逐片保持基板W，與搬運梭95或處理單元91之間進行基板W之接收且沿Z軸方向上下配置；升降軸963，其沿鉛垂方向(Z軸方向)延伸設置且成為手柄961之鉛垂方向之移動軸；升降機構965，其使手柄961升降移動；及旋轉機構967，其使手柄961環繞Z軸旋轉。中心機器人96構成為於Z軸方向上沿升降軸963升降移動自如，並且藉由旋轉機構967使手柄可環繞Z軸旋轉。
再者，於處理單元91之下述側壁且與中心機器人96對向之面設置有延伸中心機器人96之手柄961而用於將基板W搬入或搬出至處理單元91內之開口。又，於中心機器人96未進行處理單元91與基板W之接收之情形時，設置有堵塞上述開口而用於保持處理單元91內部空氣之清潔度之擋閘911。
再者，如圖1所示，處理單元91與流體箱92成為上下2段堆積之構成。因此，本實施形態中之基板處理裝置9中分別包括8台處理單元91及流體箱92。
繼而，對藉由分度機器人931、搬運梭95及中心機器人96對基板W之搬送之順序進行說明。藉由自動搬送車輛等自基板處理裝置9之外部搬入之FOUP949載置於開啟器94之載置面941上，並且藉由開閉機構943打開蓋部。分度機器人931藉由下側之手柄933自FOUP949之特定位置取出1片基板W。其後，分度機器人931移動至搬運梭95之前(圖2中之分度器單元93之X軸方向中央附近)。同時搬運梭95將下側之手柄951向分度器單元93之側(圖2中之左側(-Y側))移動。
移動至搬運梭95之前之分度機器人931將保持於下側之手柄933之基板W移載至搬運梭95之下側之手柄951。其後，搬運梭95將下側之手柄951移動至中心機器人96之側(圖2中之右側(+Y側))。又，中心機器人96移動至手柄961朝向搬運梭95之位置。
其後，中心機器人96藉由下側之手柄961取出保持於搬運梭95之下側之手柄951之基板W，並且使手柄961朝向8個處理單元91中之任一者之擋閘911移動。其後，打開擋閘911，中心機器人96延伸下側之手柄961將基板W搬入至處理單元91內，並且開始處理單元91內之基板W之清潔處理。
於處理單元91內結束處理之基板W藉由中心機器人96之上側之手柄961搬出，其後，與搬送上述未處理之基板W之情形相反，以中心機 器人96之上側之手柄961、搬運梭95之上側之手柄951、分度機器人931之上側之手柄933之順序移載，最終收容於FOUP949之特定位置。
<1-2.處理單元>
其次，使用圖4對處理單元91之全體構成進行說明。圖4係表示處理單元91之全體構成之模式圖。此處，本實施形態中之8個處理單元91分別為相同構成，故以下以圖2中之箭頭B3所示之處理單元91(圖1中為左下側之處理單元91)為代表進行說明。
處理單元91具備：基板保持部11，其將正面形成有圖案之基板W保持為大致水平並使其旋轉；及排液收集部13，其將基板保持部11收容於其內側，接住自基板保持部11及基板W之飛散物等並進行排氣‧排液。
又，處理單元91具備：清潔液噴出機構2，其對基板正面Wf噴出清潔液；第1液體噴出機構4，其對基板背面Wb噴出後述之第1液體；第2液體噴出機構3，其對基板正面Wf噴出後述之第2液體；流體噴射單元55，其對基板正面Wf噴射沖洗液或乾燥氣體；及控制單元97，其基於後述之基板處理程式而控制基板處理裝置9之各部之動作。
清潔液噴出機構2具有：清潔液噴出單元21，其對基板正面Wf噴出清潔液；及清潔液供給單元23，其對清潔液噴出單元21供給清潔液。
第1液體噴出機構4具有：背面噴出部43，其對基板背面Wb噴出第1液體等液體或乾燥氣體；及第1液體供給單元41，其對背面噴出部43供給第1液體。
第2液體噴出機構3具有：第2液體噴出單元35，其對基板正面Wf噴出第1液體；超音波施加單元33，其對第2液體施加超音波；及第2液體供給單元31，其對第2液體噴出單元35供給第2液體。
關於清潔液噴出機構2、第1液體噴出機構4、第2液體噴出機構3及流體噴射單元55之詳細構成，將於下文進行敍述。
其次，對處理單元91進行說明。處理單元91具備：具有中空之大致角柱形狀之側壁901；大致水平地固設於側壁901、且將處理單元91內之空間區隔之上側基底構件902及下側基底構件903；位於側壁901之內部且位於上側基底構件902之上方之上側空間905；位於側壁901之內部且位於上側基底構件902之下方、且位於下側基底構件903之上方的處理空間904；以及位於側壁901之內部且位於下側基底構件903之下方的下側空間906。再者，於本實施形態中係將側壁901設為大致角柱形狀，但側壁之形狀並不限定於此，亦可為大致圓柱形狀或其他形狀。
再者，如上所述於側壁901中與中心機器人96對向之側設置有中心機器人可將基板W搬入至處理單元91內或可搬出之開口、及堵塞該開口而用於保持處理單元91內部空氣之清潔度之擋閘911。
上側基底構件902大致水平地固設於側壁901之上方(圖4中之上側)，而間隔處理單元91之內部之空間之上側空間905與處理空間904之間。於上側基底構件902之中央附近設置有自上側基底構件902之下表面與處理單元91之上端連通之空氣導入路907。又，於空氣導入路907之上端附近設置有對處理空間904供給清潔之空氣之風扇過濾單元908。設置於上側空間905內之空氣導入路907之風扇過濾單元908自處理單元91上方吸入空氣，藉由內置之HEPA(High Efficiency Particulate Air，高效空氣)過濾器等收集空氣中之微粒子等，其後對下方之處理空間904內供給經清潔化之空氣。
下側基底構件903大致水平地固設於側壁901之中間(圖4中之(-Z)側)，並且間隔處理單元91之內部空間之處理空間904與下側空間906之間。於下側基底構件903中設置有複數個排氣口909，各排氣口909與未圖示之排氣系統連接，將處理空間904內之空氣排出至外部。
此處，處理空間904內保持有清潔之空氣，係進行基板W之清潔等 之空間。又，上側空間905及下側空間906係配設用於驅動設置於處理空間904內之各構件之驅動源等之空間。
通過風扇過濾單元908供給至處理空間904內之空氣自處理空間904之上方向下方流動，最終自排氣口909排出至處理空間904之外。藉此，使下述對基板W進行處理之各步驟中所產生微細之液體之微粒子等藉由在處理空間904中自上向下流動之氣流而向下移動並且自排氣口909排出。由此，可防止該等微粒子附著於基板W或處理空間904內之各構件。
其次，使用圖5對基板保持部11、及排液收集部13之構成進行說明。圖5係表示基板保持部11、及排液收集部13之構成之模式圖。
首先，對基板保持部11進行說明。基板保持部11之基底單元111固設於下側基底構件903上，中心部具有開口之圓板狀之自旋基底113可旋轉且大致水平地支持於基底單元111之上方。於自旋基底113之下表面中心，中心軸117之上端藉由螺絲等緊固零件而固定。又，於自旋基底113之周緣附近，立設有用於握持基板W之周緣部之複數個基板保持構件115。基板保持構件115為確實保持圓形基板W而設置3個以上即可，並且沿自旋基底113之周緣以等角度間隔配置。各基板保持構件115之各者包括自下方支持基板W之周緣部之基板支持銷、及按壓支持於基板支持部之基板W之外周端面而保持基板W之基板保持銷。
各基板保持構件115經由公知之連桿機構及滑動構件等與基板保持構件驅動機構119內之氣缸連結。再者，基板保持構件驅動機構119配置於自旋基底113之下側且基底單元111之內部。又，基板保持構件驅動機構119與控制單元97電性連接。而且，控制單元97對基板保持部11發出動作指令，基板保持構件驅動機構119之氣缸伸縮。藉此，各基板保持構件115可於其保持銷按壓基板W之外周端面之「閉狀態」、與其保持銷與基板W之外周端面分離之「開狀態」之間進行切換。再者， 作為基板保持構件115之驅動源，除氣缸以外，亦可使用馬達或螺線管等公知之驅動源。
而且，於對自旋基底113接收基板W時，將各基板保持構件115設為開狀態，於對基板W進行清潔處理等時，將各基板保持構件115設為閉狀態。若將各基板保持構件115設為閉狀態，則各基板保持構件115握持基板W之包含外周端面之周緣部，基板W與自旋基底113隔開特定間隔而保持為水平姿勢。藉此，保持為基板正面Wf朝向上方、基板背面Wb朝向下方之狀態。
又，於基板保持部11之中心軸117，連結有包含馬達之基板旋轉機構121之旋轉軸。再者，基板旋轉機構121係設置於下側基底構件903之上且基底單元111之內部。又，基板旋轉機構121與控制單元97電性連接。而且，控制單元97對基板保持部11發出動作指令，驅動基板旋轉機構121。藉此，固定於中心軸117之自旋基底113以旋轉中心軸A1為中心而旋轉。
於上述說明中，基板保持部11相當於本發明之「基板保持機構」。又，自旋基底113、基板保持構件115、中心軸117及基板旋轉機構121相當於本發明之「基板旋轉機構」。
其次，對排液收集部13進行說明。大致圓環狀之杯狀體130以包圍保持於基板保持部11之基板W之周圍之方式，設置於基板保持部11之周圍且下側基底構件903之上側。杯狀體130具有以可收集自基板保持部11及基板W飛散之液體等之方式相對於旋轉中心軸A1大致旋轉對稱的形狀。再者，於各圖中，表示有用於對杯狀體130進行說明之剖面形狀。
杯狀體130係藉由彼此獨立且可升降之內部構成構件131、中部構成構件133及外部構成構件135而構成。如圖5所示，具有於內部構成構件131之上重疊中部構成構件133及外部構成構件135之構造。內部構成 構件131、中部構成構件133及外部構成構件135分別與設於下側空間906之由馬達及滾珠螺桿等公知之驅動機構構成的防護升降機構137連接。又，防護升降機構137與控制單元97電性連接。而且，控制單元97對排液收集部13發出動作指令，驅動防護升降機構137。藉此，內部構成構件131、中部構成構件133及外部構成構件135分別獨立地、或複數之構件同步地沿旋轉中心軸A1而於上下方向移動。
於排液收集部13中，設有3個收集槽，該等收集槽係用於將內部構成構件131、中部構成構件133及外部構成構件135分別收集之液體分別經由其他路徑而導向排液處理系統。各收集槽設為以旋轉中心軸A1為中心之大致同心圓狀，各收集槽中分別管路連接有與未圖示之排液處理系統連接之配管。
杯狀體130係組合使用內部構成構件131、中部構成構件133及外部構成構件135之各自之上下方向之位置。即，內部構成構件131、中部構成構件133及外部構成構件135之全部處於下部位置之靜止位置、內部構成構件131及中部構成構件133為下部位置而僅外部構成構件135處於上部位置之外部收集位置、內部構成構件131為下部位置而中部構成構件133及外部構成構件135處於上部位置的中部收集位置、及內部構成構件131、中部構成構件133及外部構成構件135之全部處於上部位置的內部收集位置。
靜止位置係中心機器人96將基板W搬入搬出處理單元91內之情形時等所獲得之位置。外部收集位置係收集由外部構成構件135接住之液體並導引至外側之收集槽的位置，中部收集位置係將由中部構成構件133接住之液體導引至中間之收集槽的位置，又，內部收集位置係將由內部構成構件131接住之液體導引至內側之收集槽之位置。
藉由使用此種構成之排液收集部13，可根據處理使用之液體而變更內部構成構件131、中部構成構件133及外部構成構件135之各者之位 置而分類進行收集。因此，藉由將各液體分類，並排出至對應之排液處理系統，而可將液體之再利用或混合存在危險之複數種液體分類進行處理。
其次，使用圖6對清潔液噴出機構2之構成進行說明。圖6係表示清潔噴出機構2之構成之模式圖。
清潔液噴出機構2具有：清潔液噴出單元23，其對基板正面Wf噴出清潔液；及清潔液供給單元21，其對清潔液噴出單元23供給清潔液。
清潔液供給單元21具有：清潔液供給源211，其由貯存清潔液之槽等構成；配管213，其與後述之清潔液噴出單元23之噴嘴231管路連接；及開閉閥215，其介插於配管213而設置，藉由打開或關閉而控制清潔液自噴嘴231之噴出。
開閉閥215係與控制單元97電性連接，且始終關閉。控制單元97發出動作指令，而控制開閉閥215之開閉。
於清潔液供給源211中貯存有對基板W進行清潔之清潔液。於本實施形態中，作為清潔液係使用氫氧化銨、過氧化氫水及水之混合液(以下記載為「SC-1」)。
再者，本發明中用作清潔液之藥液並不限於SC-1，亦可使用鹽酸、過氧化氫水及水之混合液(以下記載為「SC-2」)、稀釋氫氟酸(以下記載為「DHF」)、硫酸、過氧化氫水及水之混合液(以下記載為「SPM」)、或者去離子水(De Ionized Water、以下記載為「DIW」)。又，亦可替代該等而使用複數種。
再者，清潔液供給單元21可設於基板處理裝置9之內部，亦可設於外部。
其次，對清潔液噴出單元23進行說明。清潔液噴出單元23係向基板正面Wf噴出清潔液之單元，且具有：噴出清潔液之噴嘴231；支持噴嘴231之臂241；使噴嘴231移動之迴旋上下軸235；固設於上側基底 構件902且支持迴旋上下軸235之基底構件233；使迴旋上下軸235上下移動之上下驅動部239；及使迴旋上下軸235以旋轉中心軸A2為中心而旋轉移動之迴旋驅動部237。
噴嘴231係經由配管213而管路連接於清潔液供給源211。若控制單元97向開閉閥215發出動作指令，而打開開閉閥215，經由配管213確保清潔液供給源211與噴嘴231之連通，將SC-1自清潔液供給源211經由配管213、及噴嘴231而供給至基板正面Wf。
基底構件233係固設於上側基底構件902，且於其下方支持迴旋上下軸235使其上下及旋轉自如。再者，基底構件233為將迴旋上下軸235、上下驅動部239及迴旋驅動部237連接，而構成為中空之大致圓筒形狀。於迴旋上下軸235之下表面結合有臂241之一端，且於臂241之另一端安裝有噴嘴231。
迴旋上下軸235穿過基底構件233中，而連接於由馬達及滾珠螺桿等公知之驅動機構構成之上下驅動部239、及由馬達及齒輪等公知之驅動機構構成的迴旋驅動部237。
上下驅動部239及迴旋驅動部237係與控制單元97電性連接。又，上下驅動部239及迴旋驅動部237係配設於上側空間905。
若控制單元97向上下驅動部239發出動作指令，而驅動上下驅動部239，則迴旋上下軸235上下移動，隨之，安裝於臂241之噴嘴231亦上下移動。又，若控制單元97向迴旋驅動部237發出動作指令，而驅動迴旋驅動部237，則迴旋上下軸235以旋轉中心軸A2為中心而旋轉，使臂241迴旋，藉此安裝於臂241之噴嘴231亦以旋轉中心軸A2為中心而迴旋。
其次，對流體噴射單元55及第1液體噴出機構4進行說明。圖7係對流體噴射單元55及第1液體噴出機構4之構成進行說明之圖。
流體噴射單元55係如下單元：與後述之沖洗液供給單元51及乾燥 氣體供給單元53分別連接，且對基板正面Wf噴射沖洗液或者乾燥氣體，藉此執行基板正面Wf之沖洗處理或者乾燥處理。
沖洗液供給單元51具有：DIW供給源511，其由貯存DIW之槽等構成；配管512，其與後述之噴射頭551之配管563管路連接；及開閉閥513，其介插於配管512而設置，藉由開閉而控制配管512之連通。開閉閥513係與控制單元97電性連接，且始終關閉。控制單元97藉由發出動作指令，而控制開閉閥513之開閉。
於DIW供給源511貯存有作為對基板W進行沖洗之沖洗液之DIW。再者，於本實施形態中，沖洗液係使用DIW，但實施本發明時並不限定於此，亦可使用碳酸水或氫水作為沖洗液。
再者，沖洗液供給單元51可設於基板處理裝置9之內部，亦可設於外部。
乾燥氣體供給單元53係對流體噴射單元55供給乾燥氣體之單元。於本實施形態中，係使用氮氣作為乾燥氣體。乾燥氣體供給單元53具有：氮氣供給源531，其貯藏氮氣；配管532，其一端與氮氣供給源531管路連接，另一端與後述之配管564管路連接；質量流量控制器535，其介插於配管532而設置，控制配管532中之氮氣之流量；配管533，其一端與氮氣供給源531管路連接，另一端與後述之配管572管路連接；質量流量控制器536，其介插於配管533而設置，控制配管533中之氮氣之流量；配管534，其一端與氮氣供給源531管路連接，另一端與後述之配管431管路連接；及質量流量控制器537，其介插於配管534而設置，控制配管534中之氮氣之流量。
氮氣供給源531係由貯藏氮氣之槽等而構成。於氮氣供給源531設有未圖示之壓送泵。壓送泵係與控制單元97電性連接。若控制單元97向壓送泵發出動作指令，則壓送泵對氮氣供給源531內之氮氣進行加壓，而向配管532、配管533及配管534供給氮氣。
再者，於本實施形態中，向配管532、配管533及配管534供給氮氣係使用壓送泵，但實施本發明時並不限定於此，亦可不使用壓送泵，而是構成為向氮氣供給源531內貯藏經高壓壓縮後之氮氣，藉此利用氮氣自身之壓力，自氮氣供給源531向配管532、配管533及配管534輸送氮氣。
質量流量控制器535、質量流量控制器536及質量流量控制器537分別與控制單元97電性連接。控制單元97向質量流量控制器535、質量流量控制器536及質量流量控制器537之各者獨立地發出動作指令，而驅動質量流量控制器535、質量流量控制器536及質量流量控制器537，藉此於配管532、配管533及配管534之各者中，將自氮氣供給源531流向配管564、配管572及配管431之氮氣之流量分別調整為特定之值。又，若藉由控制單元97而將質量流量控制器535、質量流量控制器536及質量流量控制器537中之流量分別設定為0，則分別停止向配管564、配管572及配管431之氮氣之供給。
其次，對流體噴射單元55進行說明。流體噴射單元55具有：噴射沖洗液及乾燥氣體之噴射頭551；支持噴射頭551之臂554；與臂554連接而使噴射頭551移動之迴旋上下軸553；固設於下側基底構件903且支持迴旋上下軸553之基底構件552；使迴旋上下軸553上下移動之上下驅動部555；及使迴旋上下軸553以旋轉中心軸A4為中心而旋轉移動的迴旋驅動部556。
基底構件552係固設於下側基底構件903且於其上方支持迴旋上下軸553使其上下及旋轉自如。再者，基底構件552為將迴旋上下軸553、上下驅動部555及迴旋驅動部556連接，而構成為中空之大致圓筒形狀。於迴旋上下軸553之上部結合有臂554之一端，於臂554之另一端安裝有噴射頭551。
迴旋上下軸553穿過基底構件552中，而連接於由馬達及滾珠螺桿 等公知之驅動機構構成之上下驅動部555、及由馬達及齒輪等公知之驅動機構構成的迴旋驅動部556。
上下驅動部555及迴旋驅動部556係與控制單元97電性連接。又，上下驅動部555及迴旋驅動部556係配設於下側空間906。
若控制單元97向上下驅動部555發出動作指令，而驅動上下驅動部555，則迴旋上下軸553上下移動，隨之，安裝於臂554之噴射頭551亦上下移動。又，若控制單元97向迴旋驅動部556發出動作指令，而驅動迴旋驅動部556，則迴旋上下軸553以旋轉中心軸A4為中心而旋轉，使臂554迴旋，藉此安裝於臂554之噴射頭551亦以旋轉中心軸A4為中心而迴旋。
使用圖8對噴射頭551進行說明。圖8係噴射頭之內部構造之概略圖。噴射頭551具有頭本體561，且於頭本體561之上部豎立設置有2個流體導入部562、571。該等之中流體導入部562具有獲得自外部之氮氣供給源531壓送而來之氮氣、及自DIW供給源511壓送而來之DIW的功能。更詳細而言，於流體導入部562連接有與外部之氮氣供給源531連接之配管532，且連接有與外部之DIW供給源511連接之配管512。另一方面，流體導入部571僅具有獲得自外部之氮氣供給源531壓送而來之氮氣之功能。
又，於流體導入部562之內部，2條供給通路563、564於上下方向延伸設置，各供給通路563、564之下方端於噴射頭551之下表面(與基板正面Wf對向之面)朝向基板W之大致中央開口，且分別作為DIW噴出口565及氣體噴出口566而發揮功能。又，各供給通路563、564之上方端分別連通於配管512、532。因此，若控制單元97向開閉閥513發出動作指令，而打開開閉閥513，則DIW自DIW供給源511供給至噴射頭551，並自DIW噴出口565噴出DIW。又，若控制單元97向質量流量控制器535發出動作指令而設定氮氣之流量，則根據設定值自氮氣供給源 531向噴射頭551供給氮氣，並自氣體噴出口566噴出氮氣。
設於噴射頭551之另一流體導入部571具有供給通路572，與氮氣供給源531連接且連接有介插質量流量控制器536之配管533。若控制單元97向質量流量控制器536發出動作指令而設定氮氣之流量，則根據設定值自氮氣供給源531經由供給通路572而向形成於噴射頭551之內部之緩衝空間574導引氮氣。進而，於頭本體561之側面外周部，設有與緩衝空間574連通且於大致水平方向延伸之狹縫狀之氣體噴射口573。
氮氣被送入緩衝空間574後，通過氣體噴射口573而朝外部噴射。此時，氮氣係通過於大致水平方向延伸之狹縫狀之氣體噴射口573而被擠出，故而噴射之氮氣之擴散係於上下方向規制其範圍，另一方面，於水平方向(周向)為大致均勻。即，藉由自氣體噴射口573噴射氮氣，於基板W之上部形成自其大致中央部朝向周緣部之薄層狀之氣流。尤其係於本實施形態中，係將壓送而來之氮氣暫時導引至緩衝空間574，並自該緩衝空間574通過氣體噴射口573而噴射，故而於周向獲得均勻之噴射量。又，藉由使加壓後之氮氣通過較小之縫隙噴出，而使流速變快，氮氣強勁地朝周圍噴射。其結果，自噴射頭551之周圍噴射氮氣流，從而阻止朝向基板正面Wf落下之灰塵或霧等及外部環境氣體接觸基板正面Wf。
以此方式構成之噴射頭551係藉由上下驅動部555及迴旋驅動部556，而相對於被基板保持部11保持之基板W之基板正面Wf，於位於特定間隔(例如2~10mm左右)之對向位置、與自基板正面Wf隔開之隔開位置之間進行定位。
返回至圖7中。其次，對第1液體噴出機構進行說明。第1液體噴出機構具有對基板背面Wb噴出第1液體之背面噴出部43、及對背面噴出部43供給第1液體之第1液體供給單元41。
背面噴出部43係向基板背面Wb噴出第1液體或者作為乾燥氣體之 氮氣之管路，其設於基板保持部11之內部，具有外管431與內管432之雙重管構造。更詳細而言，向自基板保持部11之自旋基底113之上表面穿過中心軸117而到達下側空間906之連通空間之內部插通外管431，且於外管431插通內管432，藉此形成雙重管構造。
外管431及內管432之上方端部係於自旋基底113之與基板背面Wb對向之面開口，分別形成外管噴出口433及內管噴出口434。
外管431之下方端部與乾燥氣體供給單元53之配管534管路連接。若控制單元97藉由向質量流量控制器537發出動作指令，而設定氮氣之流量，則根據設定值，自氮氣供給源531經由配管534而向外管432供給氮氣，並自外管噴出口433朝向基板背面Wb噴出氮氣。內管432之下方端部與後述之第1液體供給單元41之配管412管路連接。
第1液體供給單元41具有：DIW供給源411，其由貯存DIW之槽等構成；配管412，其與背面噴出部43之內管432管路連接；開閉閥414，其介插配管412而設置，藉由開閉而控制配管412之連通；及氣體濃度調整機構413，其介插於配管412而設置，位於開閉閥414與DIW供給源411之間，使氮氣溶解於自DIW供給源411供給之DIW。
氣體濃度調整機構413具有如下功能：使氮氣溶解於自DIW供給源411供給之DIW，提高DIW中之氣體濃度直至飽和水準之程度，藉此製作含大量氣體之DIW。作為具體之構成，可使用例如日本專利特開2004-79990號公報所記載者。如此，若增大DIW中之溶存氣體濃度，藉由對DIW施加超音波而促進氣泡之產生及衰變、即空蝕，獲得優異之清潔效果。因此，於本實施形態中，為獲得上述清潔效果而製作含大量氣體之DIW(以下稱為「第1液體」)。此處，第1液體可較未增大氣體濃度之DIW更促進空蝕，故而亦可稱為「空蝕促進液」。
再者，本實施形態中之氣體濃度調整機構413係使用氮氣作為溶解於DIW之氣體，但實施本發明時並不限定於此，只要為可促進空蝕 者，亦可使用二氧化碳、氫氣、氧氣、臭氧氣體或者空氣等其他氣體。然而，氮氣為惰性氣體，對基板W、形成於基板W之圖案不具有腐蝕性等，且比較廉價，故而更佳為使用氮氣作為溶解於DIW之氣體。
開閉閥414與控制單元97電性連接，且始終關閉。控制單元97發出動作指令，而控制開閉閥414之開閉。若開閉閥414根據控制單元97之動作指令而打開，自氣體濃度調整機構413壓送之第1液體經由配管412而供給至背面噴出部43之內管432，並自內管噴出口433朝向基板背面Wb噴出第1液體。
於第1實施形態中，如後述般於藉由基板旋轉機構121使基板W旋轉之狀態下進行第1液體之噴出。藉此，噴出至基板背面Wb之第1液體因離心力而向基板W之周緣部擴散，利用第1液體形成液膜Lb(參照圖14)。
即，於第1實施形態中，第1液體噴出機構4構成本發明之對基板之另一主面(基板背面Wb)噴出第1液體(空蝕促進液)之「第1液體噴出機構」。又，自旋基底113、基板保持構件115、中心軸117、及基板旋轉機構121構成本發明之「液膜形成機構」。
再者，第1液體供給單元41可設於基板處理裝置9之內部，亦可設於外部。
其次，對第2液體噴出機構3進行說明。圖9係對第2液體噴出機構3之構成進行說明之圖。第2液體噴出機構3具有：超音波施加單元33，其對第2液體施加超音波；第2液體噴出單元35，其對基板正面Wb噴出施加超音波之第2液體；及第2液體供給單元31，其對第2液體噴出單元35供給第2液體。
第2液體供給單元31具有：DIW供給源311，其由貯存DIW之槽等構成；配管312，其與後述之第2液體噴出單元35之導入部353管路連接；開閉閥314，其介插於配管312而設置，藉由開閉而控制配管312 之連通；及脫氣機構313，其介插於配管312而設置，位於開閉閥314與DIW供給源311之間，對自DIW供給源311供給之DIW進行脫氣。
脫氣機構313係如下機構：自DIW供給源311輸送來的DIW中除去溶存氣體，降低DIW中之溶存氣體濃度，執行脫氣處理。若DIW中之溶存氣體濃度降低，則DIW中之空蝕之產生率降低，後述之空蝕強度降低。再者，此處，將對DIW實施脫氣處理而降低空蝕強度後之液體稱為「第2液體」，關於其技術含義於下文敍述。此處，第2液體可較未實施脫氣處理之DIW更抑制空蝕，故而亦可稱為「空蝕抑制液」。
開閉閥314與控制單元97電性連接，且始終關閉。控制單元97發出動作指令，而控制開閉閥314之開閉。若開閉閥314根據控制單元97之動作指令而打開，則自脫氣機構313壓送來的第2液經由配管312而供給至第2液體噴出單元35之導入部353，並藉由後述之振子333被施加超音波，然後自後述之噴出口352向基板正面Wf噴出。
超音波施加單元33係對第2液體施加超音波之單元，具有高頻振盪電路331、配線332及振子333。高頻振盪電路331係與控制單元97電性連接，基於來自控制單元97之控制信號而產生高頻信號之電路。配線332係將該高頻信號輸入至振子333之公知之電線，例如使用同軸纜線。振子333內置於後述之噴嘴350，若自配線332輸入有該高頻信號，便基於該高頻信號而振動，產生超音波。關於振子333之詳細構造將於下文敍述。
第2液體噴出單元35係將施加超音波之第2液體(以下記載為「超音波施加液」)噴出至基板正面Wf之單元。第2液體噴出單元35具有：噴出超音波施加液之噴嘴350；支持噴嘴350之臂358；移動噴嘴350之迴旋上下軸355；固設於上側基底構件902且支持迴旋上下軸355之基底構件354；使迴旋上下軸355上下移動之上下驅動部357；及使迴旋上下軸355以旋轉中心軸A3為中心而旋轉移動的迴旋驅動部356。
噴嘴350具有：噴嘴本體351；導入部353，其管路連接於配管312，向噴嘴本體351導入作為空蝕抑制液之第2液體；及噴出口352，其設於噴嘴本體351之前端，噴出對第2液體施加超音波而得之超音波施加液。又，如上述般，超音波施加單元33中之振子333係設於噴嘴350之內部。
基底構件354固設於上側基底構件902，且於其下方支持迴旋上下軸355使其上下及旋轉自如。再者，基底構件354為將迴旋上下軸355、上下驅動部357及迴旋驅動部356連接，而構成為中空之大致圓筒形狀。於迴旋上下軸355之下表面結合有臂358之一端，於臂358之另一端安裝有噴嘴350。
迴旋上下軸355穿過基底構件354之中，連接於由馬達及滾珠螺桿等公知之驅動機構構成的上下驅動部357、及由馬達及齒輪等公知之驅動機構構成之迴旋驅動部356。
上下驅動部357及迴旋驅動部356係與控制單元97電性連接。又，上下驅動部357及迴旋驅動部356係配設於上側空間905。
若控制單元97向上下驅動部357發出動作指令，而驅動上下驅動部357，則迴旋上下軸355上下移動，隨之，安裝於臂358之噴嘴350亦上下移動。又，若控制單元97向迴旋驅動部356發出動作指令，而驅動迴旋驅動部356，則迴旋上下軸355以旋轉中心軸A3為中心而旋轉，使臂358迴旋，藉此安裝於臂358之噴嘴350亦以旋轉中心軸A3為中心而迴旋。關於噴嘴350之迴旋動作之詳細內容，將於下文敍述。
此處，使用圖10，對噴嘴350之構成進行詳細說明。圖10係表示噴嘴350之構成之局部剖視圖。噴嘴350係經由省略圖示之方向調整部而安裝於臂358之前端部。方向調整部係由馬達及齒輪等公知之驅動機構構成，藉由該方向調整部，而可調整自噴嘴350噴出之超音波施加液之向基板W入射之入射角度(圖10中之符號θ)。
噴嘴350具備前端形成有用於噴出超音波施加液之噴出口352之圓錐狀之噴嘴本體351。於該噴嘴本體351之側面，設有用於將用以施加超音波之第2液體導入噴嘴本體351之內部的導入部353。
該導入部353係如圖9所示經由配管312而與DIW供給源311連接。若開閉閥314根據控制單元97之動作指令而打開，則噴嘴350自DIW供給源311接受通過脫氣機構313而脫氣之DIW(即第2液體)之供給，並經由噴嘴本體351而自噴出口352噴出第2液體。
又，若控制單元97向超音波施加單元33發出動作指令，而使振子333作動，則自噴出口352噴出對第2液體施加超音波之超音波施加液。另一方面，若根據控制單元97之動作指令而停止振子333之作動，則自噴出口352直接噴出未施加超音波之第2液體。
此處，詳細說明振子333之構造。於本實施形態中，振子333係由PZT(鋯鈦酸鉛，Pbbased Lanthanumdoped Zirconate Titanates)等壓電元件構成。振子333係將噴出口352側之振動面334加工為曲率半徑R之凹狀之凹面球型振子。若振子333接收來自圖9之高頻振盪電路331之高頻信號而振動，則於噴嘴本體351內對第2液體附加超音波而產生超音波施加液。又，由於振動面334為凹球面型，故而超音波於該凹球面之中心處之點Pw收斂。於本實施形態中，係以該點Pw位於噴出口352之外側附近之方式設計振動面334，超音波係於噴出口352之外側收斂。該點Pw相當於本發明之「收斂點」。
此處，使用圖11對噴嘴350之迴旋動作進行說明。圖11係概略表示噴嘴350、臂358、迴旋上下軸355及基板W之位置之處理單元91內部之概略俯視圖。藉由迴旋上下軸355及臂358，噴嘴350可於基板W之旋轉中心軸A1之上方之位置P1(以下記載為「中心位置P1」)、與基板W之側方且杯狀體130(參照圖5)之周向外側即退避位置P4之間往復移動。
噴嘴350係以迴旋上下軸355中之旋轉中心軸A3為中心而迴旋，故 而若使噴嘴350於自中心位置P1朝向基板W之周緣部之徑向移動，便會沿圖11所示之路徑T1，按照位置P2、位置P3之順序依序通過基板W之上方。此處，位置P3係基板W之周緣部之上方，以下記載為「周緣位置P3」。又，位置P2係位於中心位置P1與周緣位置P3之間、且路徑T1上之基板正面Wf之任意之位置，以下記載為「任意位置P2」。
再者，中心位置P1並非必須在基板W之旋轉中心軸A1之正上方，將以上述噴嘴350之噴出口352之外側附近之點Pw位於基板正面Wf中之旋轉中心軸A1之方式配置噴嘴350的位置，表現為中心位置P1。
此處，於本實施形態中，根據控制單元97之動作指令，圖9所示之上下驅動部357調整噴嘴350之Z軸方向之位置，使點Pw位於基板正面Wf。又，XY方向之點Pw之位置係如上述般藉由迴旋驅動部356及基板旋轉機構121之驅動而得到調整。因此，於本實施形態中，上下驅動部357、迴旋驅動部356及基板旋轉機構121構成本發明中之調整收斂點之位置之「位置調整部」。又，迴旋驅動部356具有作為使噴嘴350相對於基板W而相對移動之移動機構之功能。進而，中心位置P1及周緣位置P3分別相當於本發明之「第1位置」及「第2位置」之一例。
同樣地，周邊位置P3亦無須在基板W之周緣部之正上方，將以點Pw位於基板W之周緣部之方式配置噴嘴350的位置，表現為周邊位置P3。
其次，使用圖12對控制單元97之構成進行說明。圖12係表示控制單元97之構成之模式圖。控制單元97與基板處理裝置9之各部電性連接，控制各部之動作。控制單元97係由具有演算處理部973及記憶體975之電腦而構成。作為演算處理部973，係使用進行各種演算處理之CPU。又，記憶體975具備作為記憶基本程式之讀出專用之記憶體的ROM、作為記憶各種資訊之讀寫自如之記憶體的RAM及記憶控制用軟體及資料等的磁碟。磁碟中，將與基板W相應之基板處理條件作為基 板處理程式977(亦稱為配方)預先儲存，CPU將其內容讀出至RAM，依照讀出至RAM之基板處理程式之內容，CPU控制基板處理裝置9之各部。再者，於控制單元97連接有用於基板處理程式977之作成‧變更、自複數之基板處理程式977中選擇所需者的操作部971(參照圖1)。
於上述說明中，控制單元97相當於本發明中之「控制部」。
<1-3.基板處理之步驟>
其次，對如上述般構成之基板處理裝置9之基板處理動作進行說明。此處，於基板W上藉由前步驟而形成有凹凸之圖案。圖案具備凸部及凹部。於本實施形態中，凸部係100~200nm之範圍之高度、10~20nm之範圍之寬度。又，鄰接之凸部間之距離(凹部之寬度)為10~1000nm之範圍。又，於基板正面Wf及基板背面Wb附著有形成上述圖案時產生之微粒等。
再者，於本實施形態中，係使用形成有如上所述之標度之圖案的基板W，但實施本發明時並不限定於此，可使用不包含於上述範圍之標度之圖案，亦可對正面未形成凹凸之圖案之基板W進行後述之基板處理動作。
以下，參照圖13對基板處理之步驟進行說明。圖13係表示本實施形態之基板處理裝置9之全體動作之流程圖。
首先，藉由操作部971選擇與特定之基板W相應之基板處理程式，並執行指示。其後，作為將基板W搬入處理單元91之準備，控制單元97向各部發出動作指令，執行以下之動作。
作為準備動作，首先基板保持部11停止自旋基底113之旋轉，將自旋基底113定位於適於交接基板W之位置。又，於排液收集部13將杯狀體130定位於靜止位置。將自旋基底113定位於適於交接基板W之位置後，將基板保持構件115設為開狀態。
又，使噴嘴231、噴嘴350分別移動至退避位置(各部向杯狀體130 之周向外側離開之位置)。又，使噴射頭551移動至隔開位置。進而，將開閉閥215、開閉閥314、開閉閥414、及開閉閥513關閉。又，將質量流量控制器535、質量流量控制器536及質量流量控制器537設定為流量0(零)。
將基板W搬入處理單元91之準備結束後，進行將未處理之基板W搬入處理單元91之基板搬入步驟(步驟S101)。即，分度機器人931藉由下側之手柄933將位於開啟器94上之FOUP949之特定位置的基板W取出，並載置於搬運梭95之下側之手柄951。其後，將搬運梭95之下側之手柄951移動至中心機器人96之側，中心機器人96藉由下側之手柄961將搬運梭95之下側之手柄951上之基板W提起。
其後，將處理單元91之擋閘911打開，中心機器人96將下側之手柄961伸入處理單元91中，將基板W載置於基板保持部11之基板保持構件115之基板支持部上。若基板W向處理單元91之搬入結束，則中心機器人96縮回下側之手柄961而自處理單元91內出來，並關閉擋閘911。
若未處理之基板W被搬入處理單元91內，並載置於基板保持構件115之基板支持部上，則控制單元97向基板保持部11發出動作指令，將基板保持構件115設為閉狀態。藉此，使基板背面Wb朝向鉛垂方向下方，水平地保持基板W(基板保持步驟)。
將未處理之基板W保持於基板保持部11之後，對基板正面Wf進行供給作為清潔液之SC-1之基板正面清潔步驟(步驟S102)。首先，控制單元97向基板保持部11發出動作指令，開始自旋基底113之旋轉，並於基板正面清潔步驟之期間維持旋轉(基板旋轉步驟)。又，控制單元97向排液收集部13發出動作指令，將杯狀體130定位於中部收集位置。再者，噴射頭551維持隔開位置。
此處，基板W之旋轉速度較佳為以供給至基板正面Wf之清潔液可擴散至基板正面Wf之整個面的方式設為100~1000rpm。於本實施形態 中，係將基板正面清潔步驟中之基板W之旋轉速度設為200rpm而進行說明。
其次，控制單元97向清潔液噴出機構2發出動作指令，將噴嘴231定位於基板正面Wf之中心附近上空。當噴嘴231之定位結束之後，控制單元97向清潔液噴出機構2發出動作指令，打開開閉閥215。藉此，將SC-1自清潔液供給源211經由配管213及噴嘴231而噴出至基板正面Wf之中心附近。
供給至基板正面Wf之中心附近之SC-1藉由因基板W旋轉產生之離心力，而自基板W之中心朝向基板W之周緣部流動，並擴散至基板正面Wf整個面。伴隨該SC-1之流動，SC-1滲入形成於基板正面Wf之圖案之凹部為止，將附著於基板正面Wf之微粒等除去。
當SC-1擴散至基板正面Wf之整個面之後，控制單元97向清潔液噴出機構2發出動作指令，關閉開閉閥215。又，控制單元97向清潔液噴出機構2發出動作指令，將噴嘴231定位於退避位置(噴嘴231向杯狀體130之周向外側離開之位置)。
繼而，對附著有SC-1之基板正面Wf供給DIW，自基板正面Wf除去SC-1。DIW可自第2液體噴出機構3供給，亦可自流體噴射單元55供給。於本實施形態中，為了於後面的步驟S104中縮短定位第2液體噴出機構3之步驟時間等，係將DIW自第2液體噴出機構3供給至基板正面Wf。
控制單元97向第2液體噴出機構3發出動作指令，將噴嘴350定位於基板正面Wf之中心附近上空。該位置可為以將超音波振動之收斂點Pw配置於基板正面Wf之旋轉中心軸A1(即基板正面Wf與旋轉中心軸A1相交之基板正面Wf上之點)的方式配置噴嘴350之中心位置P1，亦可為較中心位置P1更靠Z軸方向上方之位置。當噴嘴350之定位結束之後，控制單元97向第2液體噴出機構3發出動作指令，打開開閉閥314。藉此，將DIW自DIW供給源311經由配管312及噴嘴350而噴出至基板正 面Wf之中心附近。此處，可使脫氣機構313動作而供給經脫氣之DIW(第2液體)，亦可供給藉由超音波施加單元33而對第2液體施加超音波之超音波施加液。或者，亦可使脫氣機構313及超音波施加單元33均不動作，而是自DIW供給源311直接將DIW供給至基板正面。
再者，於本實施形態中，為藉由超音波振動良好地除去殘留於圖案之凹部等之SC-1，使脫氣機構313及超音波施加單元33動作，將超音波施加液供給至基板正面Wf。
其次，對基板背面Wb執行形成第1液體之液膜之液膜形成步驟(步驟S103)。首先，控制單元97向排液收集部13發出動作指令，將杯狀體130定位於外部收集位置。又，流體噴射單元55維持隔開位置。於步驟S102中執行之自噴嘴350之DIW之供給可維持亦可停止。
再者，於本實施形態中，為防止基板正面Wf之自然乾燥所致之水印之產生，自步驟S102後繼續維持自噴嘴350向基板正面Wf之中心附近之超音波施加液的供給。
液膜形成步驟中之基板W之旋轉速度必須設為最佳旋轉速度，以便使供給至基板背面Wb之第1液體可擴散至基板背面Wb之整個面，且基板背面Wb可形成第1液體之液膜。其原因在於，若旋轉速度較最佳速度慢，則第1液體未擴散至整個面，若旋轉速度較最佳速度快，則供給至基板背面Wb之第1液體不會形成液膜，而是立即向基板W之周緣部方向擴散。又，供給至基板背面Wb之第1液體之流量亦必須以特定流量以上進行供給，以形成該液膜。
於本實施形態中，為使第1液體之液膜可形成於基板背面Wb而將基板W之旋轉速度較佳設為100rpm以上且1000rpm以下之範圍。又，自背面噴出部43供給至基板背面Wb之第1液體之流量較佳設為0.5L/m以上。於本實施形態中，係將液膜形成步驟中之基板W之旋轉速度設為200rpm，將第1液體之流量設為1.5L/m。
控制單元97向基板保持部11發出動作指令，將基板W之旋轉速度設為200rpm。然後，控制單元97向第1液體噴出機構4發出動作指令，打開開閉閥414。
藉此，將DIW中溶解有氮氣之第1液體自第1液體供給單元41經由內管432及內管噴出口434而供給至基板背面Wb。供給至基板背面Wb之中心附近之第1液體藉由基板W之旋轉所致之離心力，而自基板W之中心附近向周緣部方向流動，並最終自基板W之周緣部向基板W外飛散，由排液收集部13收集後進行排液。
圖14係對液膜形成步驟中之基板背面Wb之液膜之形成狀況進行說明的模式圖。藉由基板W之旋轉，供給至基板背面Wb之中心附近之第1液體朝向基板W之周緣部擴散，而於基板背面Wb形成第1液體之液膜Lb。
當執行液膜形成步驟之後，自噴嘴350對基板正面Wf供給超音波施加液，且使噴嘴350沿路徑T1(參照圖11)在基板正面Wf之上方移動(即掃描基板正面Wf)，藉此執行對基板背面Wb之全體進行超音波清潔的超音波清潔步驟(步驟S104)。
若超音波清潔步驟開始，首先，控制單元97向排液收集部13發出動作指令，杯狀體130維持外部收集位置。又，流體噴射單元55維持隔開位置。然後，將基板保持部11之基板W之旋轉速度維持為液膜形成步驟(步驟S103)中之200rpm，向基板背面Wb之第1液體之供給亦維持流量1.5L/m。藉此，自步驟S103之後繼續於基板背面Wb維持第1液體之液膜Lb之形成。又，自步驟S102之後繼續自噴嘴350維持超音波施加液之供給。
其次，控制單元97向第2液體噴出機構3發出動作指令，使方向調整部動作而將入射角度(參照圖10)設定為θ1。以下，將該入射角度θ1記載為「處理角度θ1」。又，控制單元97向第2液體噴出機構3發出動作 指令，驅動上下驅動部357而使作為收斂點之點Pw(參照圖10)位於旋轉中心軸A1上之基板正面Wf。即，將噴嘴350定位於中心位置P1。
再者，將上述噴嘴350定位於中心位置P1時，可暫時停止超音波施加液之供給，亦可維持超音波施加液之供給。於本實施形態中，係於維持超音波施加液之供給之狀態下，執行噴嘴350向中心位置P1之定位。又，於基板正面清潔步驟(步驟S102)中，已將噴嘴350定位於中心位置P1，入射角度亦變成處理角度θ1之情形時，則無需噴嘴350之位置及入射角度之再調整，控制單元97以維持中心位置P1及處理角度θ1之方式向第2液體噴出機構3發出動作指令。
此處，對噴嘴350相對於基板W之處理角度θ1之含義進行說明。圖15係表示自基板正面Wf供給超音波施加液時之、傳播至基板背面Wb之超音波振動之大小(聲壓)、與入射角度θ之關係的圖。於測定中，自基板正面Wf以流量1.5L/m供給超音波輸出20W之超音波施加液，於基板背面Wb配置水聽器，藉由該水聽器測定聲壓。認為聲壓對於入射角度θ具有明顯之依存性。更具體而言，入射角度θ=82°時聲壓極大化。
於超音波清潔中，對基板W賦予之聲壓越大，則清潔力越強，故而為了對基板背面Wb進行良好之清潔，根據圖15之圖表，入射角度θ較理想設為75°至90°之範圍，較佳設定為82°。如此，若考慮角度依存性，較理想為藉由方向調整部調整噴嘴350相對於臂358之角度，從而調整對基板正面Wf供給超音波施加液之方向(入射角度θ)。
根據以上，於本實施形態中，將處理角度θ1設為82°。然而，最佳入射角度θ係根據噴嘴350之形狀、超音波振動輸出等各種條件而每次都發生變化，故而實施本發明時處理角度θ1並不限定於82°，可如圖15般對各裝置測定聲壓最大之入射角度θ，藉此針對各裝置選擇最佳處理角度θ1。因此，於噴嘴350與臂358之間設有方向調整部，以便能應對各種處理角度θ1。
其次，控制單元97向第2液體噴出機構3發出動作指令，使迴旋驅動部356動作，使噴嘴350自中心位置P1沿路徑T1而移動至周緣位置P3。此時，維持相對於基板正面Wf之處理角度θ1。基板W係處於藉由基板保持部11而以旋轉中心軸A1為中心旋轉之狀態，故而藉由使噴嘴350自中心位置P1沿路徑T1移動至周緣位置P3，噴嘴350可相對於基板正面Wf之整個面而定位出點Pw。即，藉由迴旋驅動部356之噴嘴350之迴旋動作、及基板保持部11之基板W之旋轉動作，噴嘴350可掃描基板正面Wf之整個面。
如上述般，噴嘴350相對於基板正面Wf之整個面而依序定位出點Pw，對基板正面Wf供給超音波施加液，藉此自基板正面Wf經由基板W而向基板背面Wb及形成於基板背面Wb之液膜Lb傳播來自超音波施加液之超音波振動。該超音波振動於作為收斂點之點Pw最強，隨著遠離點Pw而逐漸衰減。
於基板背面Wb，在點Pw所處之基板正面Wf之正好裏側之位置上，超音波振動傳播最強，隨著遠離該裏側之位置而超音波振動衰減。若超音波振動傳播至基板背面Wb，則自基板背面Wb接著向液膜Lb傳播超音波振動。
若對液膜Lb施加超音波，則因液中溶存之氮氣而產生空蝕，利用空蝕產生之能量，使附著於基板背面Wb之微粒等自基板背面Wb脫離。脫離後之微粒等混入液膜Lb，隨著基板W之旋轉而被運往基板W之周緣部方向，並最終自基板W之周緣部向基板W外，與構成液膜Lb之第1液體一併飛散，由排液收集部13收集，藉此自基板背面Wb除去。藉此，完成基板背面Wb之清潔。
進而，構成液膜Lb之第1液體係藉由氣體濃度調整機構413而將液中之氮氣濃度提高至飽和水準之程度，故而因超音波之施加產生之空蝕之空蝕強度，強於氮氣濃度未提高至飽和水準程度之DIW。藉此， 可對附著於基板背面Wb之微粒等賦予更強之能量，可良好地除去對基板背面Wb之附著力強、且小粒之微粒等。
又，空蝕強度係所施加之超音波振動越大則越強。由此，於基板背面Wb，點Pw所處之基板正面Wf之正好裏側之位置上，超音波振動傳播最強，故而該裏側之位置變成可最良好地除去微粒等之位置。於本實施形態中，藉由迴旋驅動部356之噴嘴350之迴旋動作、及基板保持部11之基板W之旋轉動作，噴嘴350可掃描基板正面Wf之整個面，且噴嘴350可相對於基板正面Wf之整個面而定位出點Pw，故而可對基板背面Wb之整個面良好地除去微粒等。
於本實施形態中，係自基板正面Wf供給超音波施加液，故而有損傷形成於基板正面Wf之圖案之可能性。然而，供給至基板正面Wf之第2液體係如上述般藉由脫氣機構313而降低DIW中之溶存氣體濃度，故而藉由超音波之施加產生之空蝕之空蝕強度弱於未執行脫氣處理之DIW。藉此，對形成於基板正面Wf之圖案賦予更弱之能量，與未執行脫氣處理之情形相比，可抑制因空蝕之能量引起之圖案之崩壞。
此處，所謂「空蝕強度」，係指因超音波而於液中產生之空蝕作用於基板W之單位面積之應力，該空蝕強度係由空蝕係數α及氣泡衰變能U決定。即，空蝕係數係藉由(式1)求出，空蝕係數α越小，則空蝕強度越大。
α=(Pe-Pv)/(ρV2/2)...(式1)
此處，Pe係環境氣壓，Pv係蒸氣壓，ρ係密度，V係流速。
又，氣泡衰變能U係藉由(式2)而求出，氣泡衰變能U越大則空蝕強度越大。
U=4πr2σ=16πσ3/(Pe-Pv)2...(式2)
此處，r係衰變前之氣泡半徑，σ係表面張力。
於本實施形態中，具有作為空蝕促進液之功能之第1液體係藉由 將溶存氮氣濃度提高至飽和水準，而蒸汽壓Pv增加，空蝕係數α變小，另一方面，氣泡衰變能U變大，第1液體之空蝕強度變大。其結果，於自基板正面Wf向基板背面Wb或液膜Lb傳播超音波振動時，更強之應力作用於微粒等而可使微粒等自基板W脫離，從而可執行更良好之微粒等之除去。
又，於本實施形態中，具有作為空蝕抑制液之功能之第2液體係藉由脫氣處理而將溶存氣體濃度抑制得較低，而蒸汽壓Pv大幅下降。因此，空蝕係數α變大，另一方面，氣泡衰變能U變小，第2液體之空蝕強度變小。其結果，於上述基板背面Wb之清潔時雖亦向基板正面Wf傳播超音波，但藉由將空蝕強度抑制得較低，而作用於圖案之應力亦被抑制得較低，可有效抑制因超音波施加引起之基板正面Wf之圖案損壞。
此處，使用圖16至圖18，對基板正面Wf及基板背面Wb之超音波振動之傳播進行說明。
圖16係表示於超音波清潔步驟(步驟S104)中噴嘴350位於中心位置P1之狀況的模式圖，且亦一併顯示形成於基板正面Wf之圖案71之放大圖。圖17、圖18同樣係表示於超音波清潔步驟中噴嘴350分別位於任意位置P2、周緣位置P3之狀況的模式圖。
如圖16所示，若開始超音波清潔步驟，則於基板背面Wb形成有第1液體81之液膜Lb之狀態下，自定位於中心位置P1之噴嘴350將超音波施加液82供給至基板正面Wf。此時，將超音波施加液82自噴嘴350直接噴擊之基板正面Wf之一部分區域表現為「直接噴擊區域FE」。於中心位置P1，超音波振動之收斂點Pw係位於直接噴擊區域FE內，故而該區域係超音波振動傳播最強之區域，隨著遠離直接噴擊區域FE而超音波振動衰減。
又，將直接噴擊區域FE之正好裏側之基板背面Wb之一部分區域 表現為「直接傳播區域BE」。於基板背面Wb，在作為點Pw所處之直接噴擊區域FE之正好裏側之區域的直接傳播區域BE，超音波振動傳播最強，隨著遠離直接傳播區域BE而超音波振動衰減。
再者，超音波振動經由基板W而自基板正面Wf傳播至基板背面Wb時，係根據基板W之厚度而自直接噴擊區域FE呈輻射狀擴散傳播，故而直接傳播區域BE為較直接噴擊區域FE大之區域。
於該直接傳播區域BE，基板背面Wb之清潔被更良好地執行。又，超音波施加液係對第2液體施加超音波而成之液體，如上述般空蝕強度被抑制得較低，故而形成於基板正面Wf之圖案71之崩壞亦得到抑制。
其次，如圖17所示，控制單元97向第2液體噴出機構3發出動作指令，使迴旋驅動部356動作，而使噴嘴350自中心位置P1沿路徑T1移動至任意位置P2位置。基板保持部11之基板W之旋轉係自液膜形成步驟(步驟S103)起一直維持，故而噴嘴350若於任意位置P2供給超音波施加液，則基板正面Wf之直接噴擊區域FE係如圖17所示般隨著基板W之旋轉而繪出以旋轉中心軸A1為中心的圓狀軌跡。同樣地，直接傳播區域BE亦於基板背面Wb繪出以旋轉中心軸A1為中心之圓狀軌跡。
若進而使迴旋驅動部356動作而使噴嘴350自任意位置P2沿路徑T1移動至周緣位置P3，則如圖18所示，直接噴擊區域FE繪出沿基板W之周緣部之軌跡。同樣地，直接傳播區域BE亦繪出沿基板W之周緣部之軌跡。於圖18中，直接噴擊區域FE與直接傳播區域BE係表示於不同位置，但於清潔對象之基板W之周緣部並非如圖18般之角型、而是形成為半圓狀之情形時，隨著靠近周緣部而直接噴擊區域FE與直接傳播區域BE靠近，於端部有時兩區域並無區別。即，於周緣部之最端部，為僅存在直接噴擊區域FE之狀態。
再者，噴嘴350相對於基板W而沿路徑T1自中心位置P1向周緣位置P3之移動，可僅往路執行，亦可於沿路徑T1在中心位置P1與周緣位 置P3間往復複數次之期間維持超音波施加液之供給。或者，亦可構成為不對基板正面Wf之整個面進行掃描。即，亦可自中心位置P1沿路徑T1移動至任意位置P2後，不移動至周緣位置P3而是移動返回至中心位置P1。又，噴嘴350相對於基板W之移動速度、超音波施加液對各直接噴擊區域FE之供給時間亦可並不均勻，於要重點清潔基板背面Wb之特定區域之情形時，亦可構成為噴嘴350較長時間停留在與該特定區域對應之任意位置P2。該等掃描條件可根據基板背面Wb所要求之微粒等之除去率等而適當地設定。
若藉由以上之超音波清潔步驟，完成基板背面Wb之微粒等之除去，然後藉由沖洗液將附著於基板正面Wf及基板背面Wb之DIW除去後，執行對基板W進行乾燥之沖洗‧乾燥步驟(步驟S105)。
若開始沖洗‧乾燥步驟，首先控制單元97向各部發出動作指令，進行以下之動作。首先，停止第2液體噴出機構3之噴嘴350之振子333之振動，停止向第2液體之超音波施加。其次，分別關閉第2液體噴出機構3之開閉閥314及第1液體噴出機構4之開閉閥414，而分別停止向基板正面Wf及基板背面Wb之第1液體及第2液體之噴出。繼而，將噴嘴350定位於退避位置P4。基板保持部11之基板W之旋轉一直維持。
其次，控制單元97向流體噴射單元55發出動作指令，將噴射頭551定位於與基板正面Wf相對之對向位置。繼而，控制單元97向沖洗液供給單元51發出動作指令，打開開閉閥513，自DIW供給源511經由配管512而將作為沖洗液之DIW自DIW噴出口565供給至基板正面Wf。又，控制單元97向乾燥氣體供給單元53發出動作指令，將質量流量控制器536設定為特定流量，藉此將氮氣供給至緩衝空間574，並自設於頭本體561周圍之氣體噴射口573開始氮氣之噴射。
自氣體噴射口573供給之氮氣之流速較快，且上下方向之噴射方向收縮，因此於基板W之上部形成自中央部朝向周圍呈輻射狀流動之 氮氣氣簾。該氣簾具有將基板正面Wf附近之環境氣體與外部環境氣體隔斷之效果，防止來自外部環境氣體之污染物質之附著，同時可執行基板正面Wf之沖洗。
若基板正面Wf之沖洗結束，根據控制單元97之動作指令，關閉開閉閥513，停止向基板正面Wf供給作為沖洗液之DIW。繼而，質量流量控制器535及質量流量控制器537中分別設定特定流量，藉此自氣體噴出口566及外管噴出口433向基板正面Wf及基板背面Wb分別供給氮氣。
又，自氣體噴射口573之氮氣之噴射一直維持，從而維持自氣體噴射口573之流速較快之氮氣之氣簾形成。另一方面，自氣體噴出口566供給之氮氣之流速較自氣體噴射口573之氮氣流速慢。且以不會向基板正面Wf強勁吹送之方式，藉由質量流量控制器535限制流量。因此，自氣體噴出口566供給之氮氣之作用在於，對自氣體噴射口573噴射之氣簾狀之氣體層與基板正面Wf圍住之空間內殘存之空氣進行沖洗，將該空間保持為氮氣環境。此處，將自氣體噴射口573供給之氮氣稱為「氣簾用氣體」，將自氣體噴出口566噴出之氮氣稱為「沖洗用氣體」。
如此於在基板W之上方形成氮氣之氣簾，且將基板正面Wf保持為氮氣環境之狀態下，控制單元97向基板保持部11發出動作指令，提高基板W之轉速。於本實施形態中，該轉速為800rpm。藉由使基板W高速旋轉，將附著於基板正面Wf及基板背面Wb之DIW甩開，使基板W乾燥。於乾燥處理之執行中，藉由持續供給氣簾用氣體及沖洗用氣體，而防止霧等對乾燥後之基板正面Wf之附著或氧化。
若基板W之乾燥結束，最後執行自處理單元91搬出基板W之基板搬出步驟(步驟S106)。若開始基板搬出步驟，首先控制單元97向基板保持部11發出動作指令，停止基板W之旋轉。又，控制單元97向乾燥氣體供給單元53發出動作指令，將質量流量控制器535、質量流量控制 器536依序設定為流量0，藉此依序停止沖洗用氣體及氣簾用氣體之供給。然後，控制單元97向流體噴射單元55發出動作指令，將頭本體561定位於隔開位置。
進而，控制單元97向排液收集部13發出動作指令，將杯狀體130定位於靜止位置。當基板W之旋轉停止之後，控制單元97向基板保持部11發出動作指令，將自旋基底113定位於適於交接基板W之位置。將基板保持部11定位於適於交接基板W之位置後，控制單元97向基板保持部11發出動作指令，將基板保持構件115設為開狀態而將基板W載置於基板支持部之上。
其後，打開擋閘911，中心機器人96使上側之手柄961伸入處理單元91之中，將基板W搬出至處理單元91之外，並移載至搬運梭95之上側之手柄951。然後，搬運梭95將上側之手柄951移動至分度器單元93之側。
接著，分度機器人931藉由上側之手柄933將保持於搬運梭95之上側之手柄951之基板W取出，搬入FOUP949之特定位置，結束一系列處理。
如以上般，於本實施形態中，藉由迴旋驅動部356之噴嘴350之迴旋動作、及基板保持部11之基板W之旋轉動作，噴嘴350可掃描基板正面Wf之整個面，故而可相對於基板背面Wb之整個面依序定位出直接傳播區域BE。由此，可對基板背面Wb之整個面依序傳播較強之超音波振動，故而可良好地清潔基板背面Wb。
即，於本實施形態中，並非自噴嘴配置之自由度一般較低之基板背面供給超音波施加液，而是自可相對自由地配置‧移動噴嘴之基板之正面供給超音波施加液，故而噴嘴可掃描基板正面之整個面，藉此實現基板背面之良好清潔。
又，構成形成於基板背面Wb之液膜Lb之第1液體係提高了溶存氮 氣濃度，故而空蝕強度大於未提高溶存氮氣濃度之DIW，因此，可藉由更大之能量除去微粒等，從而可良好地清潔基板背面Wb。
又，藉由將超音波施加液對基板W之入射角度θ1設定為最佳角度，而可對基板W有效率地施加超音波振動，而能以更大之能量除去微粒等，故而可良好地清潔基板背面Wb。
進而，對供給至基板正面Wf之超音波施加液預先施加了脫氣處理，故而可防止形成於基板正面Wf之圖案之崩壞。
<第2實施形態>
於第1實施形態中，係藉由單純之具有噴出口352之噴嘴350之迴旋、及基板W自身之旋轉，而使噴嘴350相對於基板W進行相對移動。藉由該相對移動而使直接傳播區域BE依序定位於基板背面Wb之整個面。實施本發明時並不限定於此，亦可僅驅動噴嘴350及基板W之任一者而使噴嘴350相對於基板W進行相對移動。例如，亦可構成為，藉由設置具有複數個噴出口352之噴嘴350，於超音波清潔步驟時產生複數之直接傳播區域BE，噴嘴350於超音波清潔步驟時並不移動，而是僅藉由基板W之旋轉使該複數之直接傳播區域BE移動。
<2-1.處理單元之構成>
圖19中表示第2實施形態之第2液體噴出單元之構成。於第2實施形態中，與第1實施形態(參照圖9)之構成上之不同點在於，噴嘴350具有複數之噴出口352，其他方面係與第1實施形態相同之構成，故而對相同之構成省略說明。
如圖19所示，第2實施形態中之噴嘴350具有5個噴出口352。5個噴出口352係自基板W之旋轉中心軸A1起，直至基板W之周緣部附近為止，沿基板W之徑向排成一排而設置。
自DIW供給源311供給之DIW經由導入部353而被導入至各噴出口352。於本實施形態中，係將1個導入部353設於噴嘴350，藉由噴嘴350 之本體內部省略圖示之分支流路，向各噴出口352供給DIW。再者，實施本發明時並不限定於此，亦可構成為，對應於噴出口352之數量，將複數之導入部353設於噴嘴350。
又，於噴嘴350設有振子333。於本實施形態中，設有作為一個長條狀振子板之振子333，向自各噴出口352噴出之DIW同樣地施加超音波振動。再者，實施本發明時並不限定於此，亦可構成為設置與各噴出口352之各者對應之複數之振子333，藉由分別獨立地控制各振子333，而施加與基板W之位置相應的最佳超音波輸出。
<2-2.基板處理之步驟>
其次，對如上述般構成之第2實施形態之基板處理裝置9中之基板處理動作進行說明。此處，第2實施形態之基板處理動作與第1實施形態之不同點在於，於超音波清潔步驟時(參照圖13)，噴嘴350是否迴旋，其他步驟係與第1實施形態相同之步驟，故而對相同步驟省略說明。
與第1實施形態同樣地執行液膜形成步驟(步驟S103)之後，於第2實施形態中，自噴嘴350之複數之噴出口352向基板正面Wf之複數部位供給超音波施加液，藉此執行對基板背面Wb之全體進行良好之超音波清潔的超音波清潔步驟(步驟S104)。此時，於第1實施形態中，噴嘴350係沿路徑T1(參照圖11)而於基板正面Wf之上方移動，但於第2實施形態中，使噴嘴350位於基板正面Wf之上空之處理位置後並不移動。
圖20係自上方觀察第2實施形態之超音波清潔步驟中之噴嘴350與基板W之狀況之模式圖。若自噴嘴350之複數之噴出口352噴出超音波施加液，則於各噴出口352產生被直接噴出超音波施加液之基板正面Wf之一部分區域即直接噴擊區域FE。
如圖20所示，於超音波清潔步驟中，自液膜形成步驟起基板W持續藉由基板保持部11而旋轉，故而隨著基板W之旋轉，基板正面Wf中成為直接噴擊區域FE之一部分區域依序移動。藉此，成為直接噴擊區 域FE之區域繪出以圖20之虛線箭頭所示之軌跡。因此，即便於超音波清潔時噴嘴350不迴旋，亦可遍及基板正面Wf之大致整個面而定位直接噴擊區域FE，其結果，可對基板背面Wb之整個面依序傳播較強之超音波振動，故而可良好地清潔基板背面Wb。
此處，於本發明中，並非必須使直接噴擊區域FE正好位於基板正面Wf之整個面。若將基板正面Wf中，直接噴擊區域FE之超音波振動衰減一半而傳播之區域表現為間接噴擊區域，則只要以該間接噴擊區域可位於基板正面Wf之整個面之方式，使直接噴擊區域FE依序位於基板正面Wf，便可對基板背面Wb之整個面進行良好之超音波清潔。
於第2實施形態中，由於無需超音波清潔步驟時之噴嘴350之迴旋，故而抑制因迴旋驅動引發產生之灰塵等，藉此可抑制基板處理步驟時對基板W之污染。
又，於本實施形態中，係將具有排成一排之複數之噴出口352之噴嘴350配置於基板正面Wf之上方。於如本實施形態般自背面保持基板之情形時，基板之背面之噴嘴配置自由度較低，故而難以於基板之背面側配置該噴嘴，並遍及基板之主面之大致整個面而供給超音波施加液。相對於此，於本實施形態中，並非自基板之背面供給超音波施加液，而是自可相對自由地配置‧移動噴嘴之基板之正面供給超音波施加液，故而可自由地設計要使用之噴嘴形狀，對基板正面之大致整個面供給超音波施加液，藉此實現基板背面之良好之清潔。
<第3實施形態>
於第1實施形態及第2實施形態中，係僅自基板正面Wf供給超音波施加液，藉此經由基板W向基板背面Wb及液膜Lb傳播超音波振動。然而，實施本發明時並不限於上述實施形態，亦可構成為，使用第1實施形態或者第2實施形態之噴嘴350自基板正面Wf供給對第2液體施加超音波之超音波施加液，且具備向基板背面Wb直接供給超音波施加液之 噴嘴(噴嘴360)。
根據此種構成，可自基板正面Wf及基板背面Wb之兩面對基板W賦予超音波振動，故而對基板背面Wb之微粒之清潔力變得更強，與第1實施形態及第2實施形態相比，實現基板背面Wf之更良好之清潔。以下，對本發明之第3實施形態進行說明。
<3-1.處理單元之構成>
使用圖21，對第3實施形態之基板處理單元91之概略構成進行說明。圖21係概略表示第3實施形態之基板W之周邊構成之模式圖。於第3實施形態中，與第1實施形態(參照圖14)之構成上之不同點在於，除了具備噴嘴350外，新具備噴嘴360，其他方面係與第1實施形態相同之構成，故而對相同構成省略說明。
第3實施形態係第1實施形態之基板處理單元91，其進而具備噴嘴360，該噴嘴360朝向基板背面Wb噴出對第1液體施加超音波之超音波施加液(以下，於本實施形態中稱為施加超音波之第1液體)。噴嘴360具備噴嘴本體361、將第1液體導入至噴嘴本體361內之導入部363、將噴嘴本體361內之第1液體朝向基板背面Wb噴出之噴出口362、及對噴嘴本體361內之第1液體施加超音波之振子343。
噴嘴360具有與噴嘴350大致相同之構成，噴嘴350係構成為由臂358支持，相對於此，噴嘴360係構成為於下方空間906(參照圖4)中，被固設於下側基底構件903。再者，實施本發明時並不限定於此，噴嘴360可設於基板保持部11之內部，亦可固設於下側空間906之下側基底構件903以外之其他構件。
導入部363係與第1液體供給單元41(參照圖7)之配管412連接。根據控制單元97之動作指令，打開開閉閥414時，將對自DIW供給源411供給之DIW藉由氣體濃度調整機構413而提高溶存氮氣濃度所得之第1液體，經由配管412而導入至導入部363。
振子343係藉由省略圖示之配線而與超音波施加單元33(參照圖9)中之高頻振盪電路331連接，並基於來自高頻振盪電路331之高頻信號，對自導入部363導入至噴嘴本體361內之第1液體施加超音波。
再者，於第3實施形態中，振子343係與振子333同樣地自高頻振盪電路331接收高頻信號而振動，但實施本發明時並不限定於此，亦可與振子333不同地，另外準備高頻振盪電路來使振子343振動。
噴出口362係與內管432管路連接。若自噴出口362噴出第1液體，則第1液體經由內管432而供給至基板背面Wb之中央部。根據以上，噴嘴360係構成將對於DIW中溶解氮氣所得之第1液體施加超音波而獲得之施加超音波之第1液體，噴出至基板背面Wb的「施加超音波之第1液體噴出機構」。
<3-2.基板處理之步驟>
其次，使用圖13之流程圖及圖21之模式圖，對如上述般構成之第3實施形態之基板處理裝置9中之基板處理動作進行說明。此處，第3實施形態之基板處理動作與第1實施形態之不同點在於，於超音波清潔步驟時，噴嘴360是否對第1液體施加超音波，其他步驟係與第1實施形態相同之步驟，故而對相同步驟省略說明。
與第1實施形態同樣地執行至基板正面清潔步驟(步驟S102)之後，於第3實施形態中，在液膜形成步驟(步驟S103)中，將第1液體自第1液體供給單元41經由噴嘴360而通過內管432供給至基板背面Wb，藉此形成液膜Lb(參照圖21)。與第1實施形態之不同點在於，是否經由噴嘴360(即，是否自導入部363導入至噴嘴本體361，並自噴出口362噴出)，其他方面係與第1實施形態之液膜形成步驟相同。再者，於液膜形成步驟中，並不利用振子343對第1液體賦予超音波。
若於基板背面Wb形成液膜Lb，繼而執行超音波清潔步驟(步驟S104)。於超音波清潔步驟中，與第1實施形態同樣地，將噴嘴350中藉 由振子333而對第2液體施加超音波所得之超音波施加液(以下，於本實施形態中，稱為施加超音波之第2液體)，自噴出口352供給至基板正面Wf，且噴嘴350沿路徑T1(參照圖11)掃描基板正面Wf，藉此使直接噴擊區域FE位於基板W之大致整個面。藉此，經由基板W向基板背面Wb及液膜Lb均勻地傳播超音波振動，藉此除去基板背面Wb之微粒等。
於第3實施形態中，進而將於基板W之下方具備之噴嘴360中藉由振子343對第1液體施加超音波所得之施加超音波之第1液體，自噴出口362供給至基板背面Wb。藉此，於藉由施加超音波之第1液體形成之液膜Lb中，重疊有由施加超音波之第2液體賦予之超音波振動、及由施加超音波之第1液體賦予之超音波振動，從而對微粒等賦予更強之振動。如此，自基板正面Wf及基板背面Wb之雙方供給施加超音波之液體，藉此可更良好地自基板背面Wb除去微粒等。
<第4實施形態>
於上述第3實施形態中，係構成為使噴嘴360與背面噴出單元43之內管432連接，將對第1液體施加超音波所得之施加超音波之第1液體噴出至基板背面Wb之中央部。然而，實施本發明時並不限定於此，亦可構成為，將朝向基板W之周緣部或者基板背面Wb噴出施加超音波之液體的噴嘴，設置於自基板W之中心朝向周緣部之徑向上之基板W之外側、且基板W之下方，而自基板W之斜下方供給超音波施加液。
若設為此種構成，便可自基板正面Wf及基板背面Wb之兩面對基板W賦予超音波振動，故而對基板背面Wb之微粒之清潔力變得更強，較第1實施形態及第2實施形態，實現基板背面Wf之更良好之清潔。
又，於第3實施形態中，需要將噴嘴360配置於基板保持部11等受限之空間內，根據裝置構成不同而有配置困難之情形。相對於此，第4實施形態可於處理單元91之內部、且自基板W之中心朝向周緣部之徑向上之基板W之外側、且基板W之下方設置噴嘴360，故而即便於無法 如上述般在基板保持部11內設置噴嘴360之情形時，亦可實施本實施形態。以下，對本發明之第4實施形態進行說明。
<4-1.處理單元之構成>
使用圖22，對第4實施形態之基板處理單元91之概略構成進行說明。圖22係概略表示第4實施形態之基板W之周邊構成之模式圖。於第4實施形態中，與第1實施形態(參照圖14)之構成上之不同點在於，除了具備噴嘴350外，新具備噴嘴360，其他方面係與第1實施形態相同之構成，故而對相同構成省略說明。
第4實施形態係第1實施形態之基板處理單元91，其進而具備噴嘴360，該噴嘴360朝向基板背面Wb或者基板W之周緣部噴出對第1液體施加超音波所得之超音波施加液(以下，於本實施形態中，稱為施加超音波之第1液體)。噴嘴360具備噴嘴本體361、將第1液體導入至噴嘴本體361內之導入部363、將噴嘴本體361內之第1液體朝向基板背面Wb噴出之噴出口362、及對噴嘴本體361內之第1液體施加超音波的振子343。
噴嘴360具有與噴嘴350大致相同之構成，噴嘴350係構成為由臂358支持，相對於此，噴嘴360係配置於杯狀體130之外部構成構件135之上。作為此種噴嘴360之具體配置，可使用例如日本專利特開2010-27816號公報所記載者。再者，本發明並不限定於此，噴嘴360亦可構成為，與噴嘴350同樣地藉由臂等而設為於處理單元91內可上下迴旋。
於第4實施形態中，第1液體供給單元41(參照圖7)之配管412係如圖22所示般於與DIW供給源411或開閉閥414連接之一端的相反側之另一端分支為2個，一者係與第1實施形態同樣地連接於內管432，另一者與本實施形態中之噴嘴360之導入部363連接。又，於噴嘴360側之分支配管，設有對來自噴嘴360之第1液體之噴出進行控制之未圖示之開閉 閥。該開閉閥係與控制單元97電性連接，並根據控制單元97之動作指令而被控制開閉。
如上述般導入部363係與配管412分支出之一配管連接。根據控制單元97之動作指令，而打開開閉閥414時，將對自DIW供給源411供給之DIW藉由氣體濃度調整機構413而提高溶存氮氣濃度所得之第1液體，經由配管412而供給至內管432。進而，若噴嘴360側之分支配管之開閉閥(省略圖示)根據控制單元97之動作指令而打開，則亦向導入部363導入第1液體。
振子343係藉由省略圖示之配線而與超音波施加單元33(參照圖9)中之高頻振盪電路331連接，並基於來自高頻振盪電路331之高頻信號，對自導入部363導入至噴嘴本體361內之第1液體施加超音波。
再者，於第4實施形態中，振子343係與振子333同樣地自高頻振盪電路331接收高頻信號而振動，但實施本發明時並不限定於此，亦可與振子333不同地，另外準備高頻振盪電路來使振子343振動。
噴出口362係朝向基板背面Wb之周緣部開口。若自噴出口362噴出第1液體，則如圖22所示，第1液體係自基板W之中心朝向周緣部之徑向上之基板W之外側，通過自旋基底113與基板W之縫隙，而被供給至基板背面Wb。根據以上，噴嘴360構成將對於DIW溶解氮氣所得之第1液體施加超音波而獲得之施加超音波之第1液體，自基板W之中心朝向周緣部之徑向上之基板W之外側，噴出至基板背面Wb(或者基板背面Wb之周緣部附近)的「施加超音波之第1液體噴出機構」。
<4-2.基板處理之步驟>
其次，使用圖13之流程圖及圖22之模式圖，對如上述般構成之第4實施形態之基板處理裝置9中之基板處理動作進行說明。此處，第4實施形態之基板處理動作與第1實施形態之不同點在於，於超音波清潔步驟時，是否自噴嘴360噴出施加超音波之第1液體，其他步驟係與第1 實施形態相同之步驟，故而對相同步驟省略說明。
與第1實施形態同樣地執行至基板正面清潔步驟(步驟S102)之後，於第4實施形態中，在液膜形成步驟(步驟S103)中，將第1液體自第1液體供給單元41通過內管432而供給至基板背面Wb，藉此形成液膜Lb(參照圖22)。再者，於第4實施形態之液膜形成步驟中，將噴嘴360側之分支配管之開閉閥(省略圖示)關閉，並不向導入部363導入第1液體。
若於基板背面Wb形成液膜Lb，則繼而執行超音波清潔步驟(步驟S104)。於超音波清潔步驟中，與第1實施形態同樣地，將於噴嘴350中藉由振子333對第2液體施加超音波所得之超音波施加液(以下，於本實施形態中，稱為施加超音波之第2液體)，自噴出口352供給至基板正面Wf，且噴嘴350沿路徑T1(參照圖11)掃描基板正面Wf，藉此使直接噴擊區域FE位於基板W之大致整個面。藉此，經由基板W向基板背面Wb及液膜Lb均勻地傳播超音波振動，藉此除去基板背面Wb之微粒等。
於第4實施形態中，進而將於基板W之斜下方具備之噴嘴360中藉由振子343而對第1液體施加超音波所得之施加超音波之第1液體，自噴出口362供給至基板背面Wb。
即，使噴嘴360側之分支配管之開閉閥(省略圖示)根據控制單元97之動作指令而打開，向導入部363導入第1液體，然後藉由振子343對第1液體施加超音波，獲得施加超音波之第1液體，並自噴出口362朝向基板背面Wb噴出施加超音波之第1液體。
藉此，於藉由自內管432供給之第1液體所形成之液膜Lb中，重疊有由施加超音波之第2液體賦予之超音波振動、及由施加超音波之第1液體賦予之超音波振動，從而對微粒等賦予更強之振動。如此，自基板正面Wf及基板背面Wb之雙方供給施加超音波之液體，藉此可更良好地自基板背面Wb除去微粒等。
<第5實施形態>
於第1實施形態至第4實施形態中，係使用第1液體及第2液體以及DIW，分別進行提高溶存氮氣濃度之處理、及脫氣處理，藉此調整空蝕強度之大小。於本發明中，只要可藉由噴嘴350之全面掃描等而充分達成基板背面Wb之清潔，則亦可構成為，不調整供給至基板背面Wb之第1液體之溶存氮氣濃度，而僅進行第2液體之脫氣處理。
於第5實施形態中，自DIW供給源411供給之DIW係直接使用，而不藉由氣體濃度調整機構413提高氮氣濃度。於該情形時，亦可設為起初便不設置氣體濃度調整機構413之構成。
又，可對貯存於DIW供給源411之DIW自最初便溶存氮氣，亦可將溶存有二氧化碳之碳酸水、或溶存有氫氣之氫水等功能水貯存於DIW供給源411進行使用。即，即便於將本發明之「第1液體」及「第2液體」使用相同組成之液體(DIW)之情形時，亦可藉由將「第2液體」中之氣體濃度設定為低於「第1液體」中之氣體濃度，而獲得上述作用效果。又，該點並不限定於DIW，對於以異丙醇(IPA)、乙醇、氫醚氟(HFE)為主成分之液體、SC-1等用於基板清潔之一般清潔液亦相同。
<第6實施形態>
於第1實施形態至第4實施形態中，係使用第1液體及第2液體以及DIW，分別進行提高溶存氮氣濃度之處理、及脫氣處理，藉此調整空蝕強度之大小。於本發明中，空蝕強度之大小之調整並不限於調整溶存氣體濃度，亦可藉由變更第1液體及第2液體中使用之液體之組成而達成。
即，本發明之「第1液體」及「第2液體」可使用組成互不相同之液體，亦可藉由構成為「第2液體」之空蝕強度低於「第1液體」而獲得與第1實施形態相同之作用效果。
於第1實施形態中，第2液體(空蝕抑制液)係使用經脫氣處理之 DIW，但並不限定於此，可使用空蝕強度較形成於基板背面Wb之液膜Lb小之液體作為第2液體。即，作為抑制空蝕之第2液體，較佳使用空蝕係數α較大及/或氣泡衰變能U較小之液體。此處，於將DIW之空蝕係數α及氣泡衰變能U設為「1」之情形時，IPA、HFE7300、HFE7100之空蝕係數α及氣泡衰變能U係如以下之(表1)所示。再者，HFE7300、HFE7100分別係指住友3M股份有限公司製造之商品名NOVEC(註冊商標)7300、7100。
例如IPA之空蝕係數α大於DIW，且氣泡衰變能U遠小於DIW。因此，可較佳使用IPA或IPA與DIW混合而成之混合液作為第2液體(空蝕抑制液)。又，IPA及上述混合液為所謂之低表面張力液，故而較理想為，藉由將該等供給至基板正面Wf，於超音波清潔步驟中之噴嘴350之迴旋動作時，圖案未被超音波清潔液覆蓋時(參照圖17)等，有效地防止圖案崩壞。
<變化例>
再者，本發明並不限定於上述實施形態，只要不脫離其主旨，除上述以外可進行各種變更。
於第1實施形態中，基板W係藉由基板保持部11而被保持為水平姿勢。此處，所謂水平姿勢之保持，並不限於基板以完全與圖4之XY平面平行，與Z方向(即鉛垂方向)垂直之姿勢被保持，亦包含自與Z方向垂直之姿勢傾斜微小角度之情形。此種微小傾斜(例如相對於XY平面傾斜3°)實質上係水平，且即便於基板背面Wb形成液膜Lb後傾斜該微小角度之情形時亦可實施本發明。
於第2實施形態中，係使用具有複數之噴出口352之噴嘴350(參照圖19)，但實施本發明時並不限定於此，亦可使具有單一之噴出口352之複數之噴嘴350分別單獨地由臂358、上下旋轉軸355、基底構件354支持。藉由設為此種構成，基板W中可於分別單獨之位置產生複數之直接噴擊區域FE及複數之直接傳播區域BE，期待超音波清潔步驟中基板背面Wb之清潔力提高、噴嘴350之掃描時間之縮短而帶來的步驟時間之縮短。
以上，如例示具體實施形態而進行之說明般，例如本發明之基板清潔方法之上述超音波清潔步驟中，將上述超音波施加液供給至上述一主面之噴嘴亦可構成為，一面噴出上述超音波施加液一面相對於上述一主面而相對移動。藉此，可對基板整個背面進行良好之清潔處理。
於本發明之基板清潔方法中，亦可進而具備使藉由上述基板保持步驟所保持之基板繞旋轉中心而旋轉之基板旋轉步驟，上述液膜形成步驟於藉由上述基板旋轉步驟使上述基板旋轉之狀態下，藉由對上述另一主面供給上述第1液體而形成上述液膜，上述超音波清潔步驟於藉由上述基板旋轉步驟使上述基板旋轉之狀態下對上述一主面供給上述超音波施加液。
本發明之基板清潔方法之上述超音波清潔步驟亦可為，於藉由上述基板旋轉步驟使上述基板旋轉之狀態對上述一主面供給上述超音波施加液，且對上述另一主面供給對上述第1液體施加超音波所得之施加超音波之第1液體。
本發明之基板清潔方法之上述超音波清潔步驟亦可使用與上述第1液體相同組成、且氣體濃度低於上述第1液體之液體作為第2液體。
本發明之基板清潔方法之上述超音波清潔步驟亦可包含如下步驟：於對上述一主面供給上述第2液體前，對上述第2液體進行脫氣而降低上述第2液體之空蝕強度。
本發明之基板清潔裝置之上述第2液體噴出機構亦可具有將上述超音波施加液直接噴出至上述一主面之一部分區域的噴嘴，上述噴嘴相對於上述基板而相對移動。藉此，可對基板整個背面進行良好之清潔處理。
本發明之基板清潔裝置亦可進而具備使由上述基板保持機構所保持之上述基板繞旋轉中心而旋轉之基板旋轉機構，上述第2液體噴出機構具備使上述噴嘴相對於上述基板相對移動之移動機構，上述移動機構使上述噴嘴於朝向上述基板之旋轉中心噴出上述超音波施加液之第1位置、與朝向上述基板之周緣部噴出上述超音波施加液之第2位置之間，在自上述基板之旋轉中心朝向上述基板之周緣部的徑向上移動。
本發明之基板清潔裝置亦可進而具備朝向上述另一主面噴出對上述第1液體施加超音波所得之施加超音波之第1液體的施加超音波之第1液體噴出機構。
本發明之基板清潔裝置之上述噴嘴亦可包括具有朝向上述一主面開口且噴出上述超音波施加液之噴出口的噴嘴本體、向上述噴嘴本體之內部導入液體之導入部、以及對導入至上述噴嘴本體之內部之上述液體賦予超音波而產生上述超音波施加液之振子，且上述振子具有與上述噴出口對向之凹面，使上述超音波施加液所含之超音波於上述噴出口之外側收斂。
本發明之基板清潔裝置亦可進而具備：位置調整部，其調整上述超音波施加液所含之超音波收斂之收斂點之位置；及方向調整部，其調整上述超音波施加液相對於上述一主面之入射角度。
本發明之基板清潔裝置之上述第2液體噴出機構亦可具有對上述第2液體進行脫氣之脫氣機構，藉由對經上述脫氣機構脫氣之上述第2液體施加超音波而產生超音波施加液。
本發明之基板清潔裝置之上述第1液體噴出機構亦可具有藉由使 氮氣、二氧化碳、氫氣、氧氣、臭氧氣體或者空氣溶解於上述第1液體而提高上述第1液體中之氣體濃度的氣體濃度調整機構，並將藉由上述氣體濃度調整機構而提高了氣體濃度之上述第1液體噴出至上述另一主面。
本發明適用於對一主面形成有圖案之基板之另一主面進行清潔之基板清潔技術。
71‧‧‧圖案
81‧‧‧第1液體
82‧‧‧超音波施加液(第2液體)
350‧‧‧噴嘴
A1‧‧‧旋轉中心軸
BE‧‧‧直接傳播區域
FE‧‧‧噴擊區域
Lb‧‧‧液膜
P1‧‧‧中心位置
W‧‧‧基板
Wb‧‧‧基板背面
Wf‧‧‧基板正面

Claims (14)

  1. 一種基板清潔方法，其特徵在於，其係對一主面形成有圖案之基板之另一主面進行清潔者，且具備：基板保持步驟，其係使上述另一主面朝向鉛垂方向下方，而將上述基板保持為水平；液膜形成步驟，其係向上述另一主面供給第1液體而形成液膜；及超音波清潔步驟，其係於上述液膜形成於上述另一主面之狀態下，將對第2液體施加超音波所得之超音波施加液供給至上述一主面，並自上述一主面側經由上述基板向上述另一主面、及形成於上述另一主面之上述第1液體之上述液膜傳播超音波振動，而對上述另一主面進行超音波清潔；且上述第1液體之空蝕強度高於上述第2液體，其中，該空蝕強度係藉由對存在於上述基板之主面上之液體傳播超音波時於該液體中所產生之空蝕，而作用於上述基板的單位面積之應力。
  2. 如請求項1之基板清潔方法，其中，於上述超音波清潔步驟中，將上述超音波施加液供給至上述一主面之噴嘴係一面噴出上述超音波施加液一面相對於上述一主面而相對移動。
  3. 如請求項2之基板清潔方法，其中，進而具備使藉由上述基板保持步驟所保持之基板繞旋轉中心而旋轉之基板旋轉步驟，上述液膜形成步驟係於藉由上述基板旋轉步驟使上述基板旋轉之狀態下藉由對上述另一主面供給上述第1液體而形成上述液膜， 上述超音波清潔步驟係於藉由上述基板旋轉步驟使上述基板旋轉之狀態下對上述一主面供給上述超音波施加液。
  4. 如請求項3之基板清潔方法，其中，上述超音波清潔步驟係於藉由上述基板旋轉步驟使上述基板旋轉之狀態下對上述一主面供給上述超音波施加液，且對上述另一主面供給對上述第1液體施加超音波所得之施加超音波之第1液體。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板清潔方法，其中，上述超音波清潔步驟係使用與上述第1液體相同組成、且氣體濃度低於上述第1液體之液體作為第2液體。
  6. 如請求項5之基板清潔方法，其中，上述超音波清潔步驟進而包含如下步驟：於對上述一主面供給上述第2液體前，對上述第2液體進行脫氣而降低上述第2液體之空蝕強度。
  7. 一種基板清潔裝置，其特徵在於，其係對一主面形成有圖案之基板之另一主面進行清潔者，且具備：第1液體噴出機構，其對上述另一主面噴出第1液體；液膜形成機構，其使上述另一主面朝向鉛垂方向下方，而將上述基板保持為水平，並於上述另一主面形成上述第1液體之液膜；及第2液體噴出機構，其於上述另一主面形成有上述第1液體之上述液膜之狀態下，將對第2液體施加超音波所得之超音波施加液噴出至上述一主面，自上述一主面側經由上述基板而向上述另一主面、及形成於上述另一主面之上述第1液體之上述液膜傳播超音波振動，而對上述另一主面進行超音波清潔；且上述液膜中之上述第1液體之空蝕強度，高於噴出至上述一主 面之上述第2液體，其中，該空蝕強度係藉由對存在於上述基板之主面上之液體傳播超音波時於該液體中所產生之空蝕，而作用於上述基板的單位面積之應力。
  8. 如請求項7之基板清潔裝置，其中，上述第2液體噴出機構具有將上述超音波施加液直接噴出至上述一主面之一部分區域之噴嘴，上述噴嘴相對於上述基板而相對移動。
  9. 如請求項8之基板清潔裝置，其中，上述液膜形成機構使上述液膜形成機構所保持之上述基板繞旋轉中心而旋轉，上述第2液體噴出機構具備使上述噴嘴相對於上述基板而相對移動之移動機構，上述移動機構使上述噴嘴於朝向上述基板之旋轉中心噴出上述超音波施加液之第1位置、與朝向上述基板之周緣部噴出上述超音波施加液的第2位置之間，在自上述基板之旋轉中心朝向上述基板之周緣部之徑向上移動。
  10. 如請求項8或9之基板清潔裝置，其中，進而具備朝向上述另一主面噴出對上述第1液體施加超音波所得之施加超音波之第1液體的施加超音波第1液體噴出機構。
  11. 如請求項8或9之基板清潔裝置，其中，上述噴嘴包括具有朝向上述一主面開口且噴出上述超音波施加液之噴出口之噴嘴本體、向上述噴嘴本體之內部導入液體之導入部、以及對導入至上述噴嘴本體之內部的上述液體賦予超音波而產生上述超音波施加液之振子，上述振子具有與上述噴出口對向之凹面，使上述超音波施加液所含之超音波於上述噴出口之外側收斂。
  12. 如請求項11之基板清潔裝置，其中進而具備：包含上述移動機構並對上述超音波施加液所含之超音波收斂之收斂點之位置進行調整的位置調整部、以及調整上述超音波施加液相對於上述一主面之入射角度之方向調整部。
  13. 如請求項7至9中任一項之基板清潔裝置，其中上述第2液體噴出機構具有對上述第2液體進行脫氣之脫氣機構，藉由對經上述脫氣機構脫氣後之上述第2液體施加超音波而產生超音波施加液。
  14. 如請求項7至9中任一項之基板清潔裝置，其中上述第1液體噴出機構具有藉由使氮氣、二氧化碳、氫氣、氧氣、臭氧氣體或者空氣溶解於上述第1液體而提高上述第1液體中之氣體濃度的氣體濃度調整機構，並將藉由上述氣體濃度調整機構而提高了氣體濃度之上述第1液體噴出至上述另一主面。
TW104113100A 2014-09-12 2015-04-23 基板清潔方法及基板清潔裝置 TWI558476B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014185758A JP2016058665A (ja) 2014-09-12 2014-09-12 基板洗浄方法および基板洗浄装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201609279A TW201609279A (zh) 2016-03-16
TWI558476B true TWI558476B (zh) 2016-11-21

Family

ID=55453874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104113100A TWI558476B (zh) 2014-09-12 2015-04-23 基板清潔方法及基板清潔裝置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9728396B2 (zh)
JP (1) JP2016058665A (zh)
KR (1) KR101677839B1 (zh)
TW (1) TWI558476B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI837412B (zh) * 2019-08-29 2024-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6718714B2 (ja) 2016-03-25 2020-07-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI626506B (zh) * 2016-07-28 2018-06-11 非接觸式光罩／晶圓潔淨裝置
TWI623359B (zh) * 2017-03-17 2018-05-11 亞智科技股份有限公司 基板清洗方法與清洗設備
US10707070B2 (en) * 2017-09-29 2020-07-07 Tokyo Electron Limited Methods and systems for coating a substrate with a fluid
WO2019144273A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning substrates
JP7258915B2 (ja) * 2018-04-27 2023-04-17 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウエハの洗浄に用いられる方法及び装置
US10871722B2 (en) 2018-07-16 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask purging system and method
WO2020110858A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置
CN110147030A (zh) * 2019-05-29 2019-08-20 德淮半导体有限公司 掩膜图形清洗方法
US20220035244A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Photomask cleaning tool
CN114981486B (zh) * 2020-12-22 2023-03-24 株式会社荏原制作所 镀覆装置、预湿处理方法以及清洗处理方法
KR102385093B1 (ko) * 2021-03-31 2022-04-11 주식회사 올도완 웨이퍼 레벨링 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11300301A (ja) * 1998-04-27 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法及びその装置
JP2011077144A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5368054A (en) * 1993-12-17 1994-11-29 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
JP2944598B2 (ja) * 1997-11-21 1999-09-06 株式会社プレテック 洗浄装置および精密基板を洗浄する方法
JP4088810B2 (ja) * 1998-09-01 2008-05-21 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP3403677B2 (ja) 1999-09-06 2003-05-06 マイクロ・テック株式会社 半田ボール形成方法
JP3974340B2 (ja) * 2001-03-16 2007-09-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP4319445B2 (ja) 2002-06-20 2009-08-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004039843A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2004335525A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2004363453A (ja) 2003-06-06 2004-12-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd 基板洗浄装置
JP5127257B2 (ja) * 2007-02-07 2013-01-23 株式会社日立プラントテクノロジー 超音波洗浄方法
JP5202865B2 (ja) * 2007-04-05 2013-06-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008288541A (ja) * 2007-04-19 2008-11-27 Pre-Tech Co Ltd 枚葉式洗浄装置
US7682457B2 (en) * 2007-10-04 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Frontside structure damage protected megasonics clean
JP2009136726A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Hitachi Plant Technologies Ltd 超音波洗浄装置
JP2010027816A (ja) 2008-07-18 2010-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5759856B2 (ja) 2011-10-06 2015-08-05 株式会社日立国際電気エンジニアリング 超音波処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11300301A (ja) * 1998-04-27 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法及びその装置
JP2011077144A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI837412B (zh) * 2019-08-29 2024-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9859110B2 (en) 2018-01-02
KR20160031393A (ko) 2016-03-22
TW201609279A (zh) 2016-03-16
JP2016058665A (ja) 2016-04-21
US20170309472A1 (en) 2017-10-26
US20160074913A1 (en) 2016-03-17
US9728396B2 (en) 2017-08-08
KR101677839B1 (ko) 2016-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI558476B (zh) 基板清潔方法及基板清潔裝置
US11676827B2 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, substrate processing apparatus, and substrate drying apparatus
KR101612633B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
JPH1154471A (ja) 処理装置及び処理方法
JP5156488B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP5771035B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPWO2006038472A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010027816A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4767204B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2013065795A (ja) 基板処理方法
JP2013168422A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7290695B2 (ja) 超音波洗浄装置および洗浄具のクリーニング装置
KR102264352B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6029975B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2011121009A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4955586B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2008066401A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018046259A (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP2004146439A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP6542613B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2004247752A (ja) クローズドマニュファクチャリング装置およびこの装置を用いて被洗浄基板を処理する方法
JP6506582B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2017059744A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2987132B2 (ja) 基板洗浄装置
JP2010010416A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法