JP5912325B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄処理を実行可能な枚葉式の基板洗浄装置としての基板処理装置である。
図7はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態の要部を示す図である。この実施形態にかかる基板処理装置の基本的な構成は第1実施形態と同様であるので、ここでは相違する部分について主に説明する。この実施形態では、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfのほぼ全面を覆うように、本発明の「基板対向部」として機能する板状部材329を、その下面(基板対向面)329aを基板表面Wfに対向させて近接配置する。この板状部材329は遮断部材9とは別体に形成されて支持軸328によって略水平状態に保持され、基板表面に向けて冷却ガスを供給するプロセス(図4のステップS103〜S104)の間のみ基板上方に配置されるものである。また、遮断部材9とは異なり、板状部材329は回転しない。
上記した第1、第2実施形態では、ガス吐出口を有する冷却ガス吐出ノズルを基板表面に沿って相対的に走査移動させることにより、基板に対するガス吐出口の位置を順次変化させている。これに対して、以下に説明するこの発明にかかる第3実施形態の基板処理装置では、基板対向部に複数設けられた開口のうち1つを選択的に開放して当該開口から冷却ガスを吐出させることでガス吐出口として機能させるとともに、開放する開口を順次切り換えることにより、基板に対するガス吐出口の位置を変化させるようにしている。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、DIWによって本発明の「液膜」を形成しているが、液膜を構成する液体はこれに限定されない。例えば、炭酸水、水素水、希薄濃度(例えば1ppm程度)のアンモニア水、希薄濃度の塩酸などを用いたり、DIWに少量の界面活性剤を加えたものを用いてもよい。
3,320,330 冷却ガスノズル(冷却ガス吐出手段)
30 吐出口(ガス吐出口)
31 第1の回動モータ(位置変更手段)
312 フランジ(基板対向部)
97 ノズル(除去手段)
329,339 板状部材(基板対向部)
W 基板
Claims (7)
- 表面に液膜が形成された基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温にした冷却ガスをガス吐出口から前記基板の表面に向けて吐出する冷却ガス吐出手段と、
前記基板に対する前記ガス吐出口の相対位置を変更して、前記基板表面における前記冷却ガスの供給位置を変更する位置変更手段と、
前記液膜が凝固してなる前記液膜の凝固体を前記基板表面から除去する除去手段と
を備え、
前記冷却ガス吐出手段は、下面が前記基板の表面に対して略平行に近接対向する基板対向面となった板状の基板対向部を有し、前記ガス吐出口が前記基板対向面に配置されて、前記冷却ガスが前記基板表面と前記基板対向面との間隙空間に供給される
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持手段は前記基板を略鉛直軸周りに回転可能に構成され、
前記位置変更手段は、前記基板対向面を前記基板表面に対向させつつ前記ガス吐出口を前記基板表面に沿って相対的に走査移動させる請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記位置変更手段は、前記ガス吐出口が前記基板対向面に穿設された前記基板対向部を前記基板表面に沿って走査移動させる請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記冷却ガス吐出手段は前記ガス吐出口を有するノズルを備え、該ノズル下端の外周部が外側に延伸されて前記基板対向部を構成する請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記冷却ガス吐出手段は前記ガス吐出口を有するノズルを備え、前記位置変更手段は前記ノズルを前記基板表面に沿って走査移動させ、
前記基板対向部は、前記基板表面のほぼ全面を覆うように構成された板状部材であり、前記ノズルの通過経路に対応する切り欠き部が前記板状部材に設けられた請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記基板対向部は、前記基板表面のほぼ全面を覆うように構成されて、前記ガス吐出口となる開口が前記基板対向面に複数穿設された板状部材であり、
前記位置変更手段は、前記複数の開口のうちの一部から選択的に前記冷却ガスを吐出させることで当該開口を前記ガス吐出口として機能させるとともに、前記ガス吐出口として機能させる前記開口を順番に切り換える請求項2に記載の基板処理装置。 - 基板の表面に液膜を形成する液膜形成工程と、
冷却ガス吐出手段から前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温にした冷却ガスを供給して前記液膜を凝固させる凝固工程と、
凝固した前記液膜の凝固体を融解して除去する除去工程と
を備え、
前記凝固工程では、前記基板の表面に対して略平行な基板対向面を有する板状の基板対向部を近接対向させ、前記基板対向面に配したガス吐出口から前記基板表面と前記基板対向面との間隙空間に前記冷却ガスを供給しながら、前記基板表面に対する前記ガス吐出口の相対位置を変化させる
ことを特徴とする基板処理方法。
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