JP6494536B2 - 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法 Download PDF

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Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板といった基板に対し、所定の処理液を供給して各種の処理を行う基板処理装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。
上記した基板処理装置にあっては、たとえば、基板から飛散する処理液を、基板の周囲を囲むように設けられたカップで受けて排出するようにしている。かかるカップは、たとえば、底部から立設された周壁部を備え、周壁部によって形成される空間を回収部として処理液を回収し排出するように構成される。
また、上記の基板処理装置においては、処理液が複数種ある場合、処理液の種類に応じてカップを複数備えている。すなわち、基板処理装置は、基板に第１処理液、第２処理液を供給する場合、第１処理液を回収する第１カップと、第１カップに隣接して配置され第２処理液を回収する第２カップとを備えている。
特開２０１３−０８９６２８号公報
しかしながら、上記した基板処理装置においては、各種の処理後に処理液を排出する際、たとえば、第１処理液の一部が第１カップに残留することがある。同様に、第２処理液も一部が第２カップに残留することがある。かかる場合、基板処理装置において、残留した第１処理液と第２処理液とが反応して結晶などの異物が発生し、異物が第１カップの周壁部に付着することが分かった。
実施形態の一態様は、カップの周壁部に付着した異物を除去することのできる基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持部と、処理液供給部と、第１カップと、第２カップと、洗浄液供給部とを備える。保持部は、基板を保持する。処理液供給部は、前記基板に対して第１処理液および第２処理液を供給する。第１カップは、周壁部を備え、第１処理液を前記周壁部によって形成された回収部において回収する。第２カップは、前記第１カップに隣接して配置され、第２処理液を回収する。洗浄液供給部は、前記第１カップの前記回収部に洗浄液を供給する。また、前記第１カップは、液受部と、支持部材と、挿通孔とを備える。液受部は、前記保持部に保持された前記基板の周囲を囲むように前記周壁部の上方に設けられ前記基板から飛散した第１処理液を受ける。支持部材は、前記液受部を支持し、前記液受部を前記周壁部に対して昇降させる。挿通孔は、前記周壁部内に形成され前記支持部材が挿通される。また、前記挿通孔には、途中に挿通孔用バルブが介挿された挿通孔用排液管が接続される。基板処理装置においては、前記洗浄液供給部により供給された洗浄液を前記周壁部から前記第２カップ側へオーバーフローさせることで、前記周壁部を洗浄するとともに、前記挿通孔用バルブが閉弁されているときに前記周壁部からオーバーフローさせる洗浄液を前記挿通孔へ流入させて前記挿通孔内に溜めることで、前記支持部材を洗浄する。
実施形態の一態様によれば、カップの周壁部に付着した異物を除去することができる。
図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、処理ユニットの具体的な構成例を示す模式断面図である。 図４Ａは、洗浄液供給部などの構成および洗浄処理を説明するための図である。 図４Ｂは、洗浄処理を説明するための図である。 図４Ｃは、洗浄処理を説明するための図である。 図５は、第１の実施形態に係る基板処理システムが実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。 図６は、基板処理システムにおいて実行される第１周壁部などの洗浄処理の処理手順の一例を示すフローチャートである。 図７は、第１〜第３変形例における処理ユニットの構成例を示す模式断面図である。 図８は、第２の実施形態における洗浄液供給部等の概略構成を示す模式図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
＜１．基板処理システムの構成＞
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
次に、基板処理システム１の処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
＜２．処理ユニットの具体的構成＞
次に、上記した処理ユニット１６の構成について図３を参照してより具体的に説明する。図３は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式断面図である。
図３に示すように、ＦＦＵ２１には、バルブ２２を介して不活性ガス供給源２３が接続される。ＦＦＵ２１は、不活性ガス供給源２３から供給されるＮ２ガス等の不活性ガスをダウンフローガスとしてチャンバ２０内に吐出する。このように、ダウンフローガスとして不活性ガスを用いることにより、ウェハＷが酸化することを防止することができる。
基板保持機構３０の保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１１によって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。
処理流体供給部４０は、ノズル４１と、ノズル４１を水平に支持するアーム４２と、アーム４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３とを備える。ノズル４１には、図示しない配管の一端が接続され、かかる配管の他端は複数に分岐している。そして、分岐した配管の各端部には、それぞれアルカリ系処理液供給源７０ａ、酸系処理液供給源７０ｂ、有機系処理液供給源７０ｃおよびＤＩＷ供給源７０ｄが接続される。また、各供給源７０ａ〜７０ｄとノズル４１との間には、バルブ６０ａ〜６０ｄが設けられる。
処理流体供給部４０は、上記した各供給源７０ａ〜７０ｄから供給されるアルカリ系処理液、酸系処理液、有機系処理液およびＤＩＷ（常温の純水）をノズル４１からウェハＷの表面に対して供給し、ウェハＷを液処理する。
なお、上記では、ウェハＷの表面を液処理するようにしたが、これに限定されるものではなく、たとえばウェハＷの裏面や周縁部を液処理するように構成してもよい。また、本実施形態では、アルカリ系処理液、酸系処理液、有機系処理液およびＤＩＷが１つのノズル４１から供給されるものとするが、処理流体供給部４０は、各処理液に対応する複数のノズルを備えていてもよい。
保持部３１の周縁部には、保持部３１とともに一体的に回転する第１、第２回転カップ１０１，１０２が設けられる。図３に示すように、第２回転カップ１０２は、第１回転カップ１０１よりも内側に配置される。
これら第１回転カップ１０１や第２回転カップ１０２は、全体的にはリング状に形成される。第１、第２回転カップ１０１，１０２は、保持部３１とともに回転させられると、回転するウェハＷから飛散した処理液を回収カップ５０へ案内する。
回収カップ５０は、保持部３１によって保持され回転するウェハＷの回転中心に近い内側から順に、第１カップ５０ａと、第２カップ５０ｂと、第３カップ５０ｃとを備える。また、回収カップ５０は、第１カップ５０ａの内周側に、ウェハＷの回転中心を中心とする円筒状の内壁部５４ｄを備える。
第１〜第３カップ５０ａ〜５０ｃおよび内壁部５４ｄは、回収カップ５０の底部５３の上に設けられる。具体的には、第１カップ５０ａは、第１周壁部５４ａと、第１液受部５５ａとを備える。
第１周壁部５４ａは、底部５３から立設されるとともに、筒状（例えば円筒状）に形成される。第１周壁部５４ａと内壁部５４ｄとの間には空間が形成され、かかる空間は、処理液などを回収して排出するための第１排液溝５０１ａとされる。第１液受部５５ａは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１の上方に設けられる。
また、第１カップ５０ａは、第１昇降機構５６を備え、かかる第１昇降機構５６によって昇降可能に構成される。詳しくは、第１昇降機構５６は、第１支持部材５６ａと、第１昇降駆動部５６ｂとを備える。
第１支持部材５６ａは、複数（例えば３本。図３では１本のみ図示）の長尺状の部材である。第１支持部材５６ａは、第１周壁部５４ａ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第１支持部材５６ａとしては、たとえば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限定されるものではない。
第１支持部材５６ａは、上端が第１周壁部５４ａの上面５４ａ１から露出するように位置されるとともに、第１液受部５５ａの下面に接続されて第１液受部５５ａを下方から支持する。一方、第１支持部材５６ａの下端には、第１昇降駆動部５６ｂが接続される。
第１昇降駆動部５６ｂは、第１支持部材５６ａをたとえばＺ軸方向に昇降させ、これにより第１支持部材５６ａは、第１液受部５５ａを第１周壁部５４ａに対して昇降させる。なお、第１昇降駆動部５６ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第１昇降駆動部５６ｂは、制御装置４によって制御される。
第１昇降駆動部５６ｂによって駆動される第１液受部５５ａは、回転するウェハＷから飛散した処理液を受ける処理位置と、処理位置から下方側に退避した退避位置との間で移動させられることとなる。
詳しくは、第１液受部５５ａが処理位置にあるとき、第１液受部５５ａの上端の内側に開口が形成され、開口から第１排液溝５０１ａへと通じる流路が形成される。
他方、図３に示すように、内壁部５４ｄは、保持部３１の周縁部へ向けて傾斜するようにして延設される延設部５４ｄ１を備える。第１液受部５５ａは、退避位置にあるとき、内壁部５４ｄの延設部５４ｄ１に当接し、上端内側の開口が閉じて第１排液溝５０１ａへと通じる流路が閉塞される。
第２カップ５０ｂは、第１カップ５０ａと同様な構成とされる。具体的には、第２カップ５０ｂは、第２周壁部５４ｂと、第２液受部５５ｂと、第２昇降機構５７とを備え、第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａ側に隣接して配置される。
第２周壁部５４ｂは、底部５３において第１周壁部５４ａの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第２周壁部５４ｂと第１周壁部５４ａとの間に形成される空間が、処理液などを回収して排出するための第２排液溝５０１ｂとされる。
第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａの外周側に位置されるとともに、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１の上方に設けられる。
第２昇降機構５７は、第２支持部材５７ａと、第２昇降駆動部５７ｂとを備える。第２支持部材５７ａは、複数（例えば３本。図３では１本のみ図示）の長尺状の部材であり、第２周壁部５４ｂ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第２支持部材５７ａとしては、たとえば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限られない。
第２支持部材５７ａは、上端が第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１から露出するように位置されるとともに、第２液受部５５ｂの下面に接続されて第２液受部５５ｂを下方から支持する。なお、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１は、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１に対して鉛直方向において下方となるように位置される。
第２支持部材５７ａの下端には、第２昇降駆動部５７ｂが接続される。第２昇降駆動部５７ｂは、第２支持部材５７ａをたとえばＺ軸方向に昇降させる。これにより、第２支持部材５７ａは、第２液受部５５ｂを第２周壁部５４ｂに対して昇降させる。
なお、第２昇降駆動部５７ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第２昇降駆動部５７ｂも、制御装置４によって制御される。
そして、第２液受部５５ｂも処理位置と退避位置との間で移動させられることとなる。詳しくは、第２液受部５５ｂが処理位置にあり、かつ、第１液受部５５ａが退避位置にあるとき、第２液受部５５ｂの上端の内側に開口が形成され、開口から第２排液溝５０１ｂへと通じる流路が形成される。
他方、図３に示すように、第２液受部５５ｂは、退避位置にあるとき、第１液受部５５ａに当接し、上端内側の開口が閉じて第２排液溝５０１ｂへと通じる流路が閉塞される。なお、上記では、退避位置の第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａに当接するようにしたが、これに限られず、たとえば内壁部５４ｄに当接して上端内側の開口を閉じるようにしてもよい。
第３カップ５０ｃは、第３周壁部５４ｃと、第３液受部５５ｃとを備え、第２カップ５０ｂに対して第１カップ５０ａとは反対側に隣接して配置される。第３周壁部５４ｃは、底部５３において第２周壁部５４ｂの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第３周壁部５４ｃと第２周壁部５４ｂとの間の空間が、処理液などを回収して排出するための第３排液溝５０１ｃとされる。
第３液受部５５ｃは、第３周壁部５４ｃの上端から連続するように形成される。第３液受部５５ｃは、保持部３１に保持されたウェハＷの周囲を囲むとともに、第１液受部５５ａや第２液受部５５ｂの上方まで延びるように形成される。
第３液受部５５ｃは、図３に示すように、第１、第２液受部５５ａ，５５ｂがともに退避位置にあるとき、第３液受部５５ｃの上端の内側に開口が形成され、開口から第３排液溝５０１ｃへと通じる流路が形成される。
一方、第３液受部５５ｃは、第２液受部５５ｂが上昇させられた位置にある場合、または第１液受部５５ａおよび第２液受部５５ｂの両方が上昇させられた位置にある場合、第２液受部５５ｂが当接し、上端内側の開口が閉じて第３排液溝５０１ｃへと通じる流路が閉塞される。
上記した第１〜第３カップ５０ａ〜５０ｃに対応する底部５３、正確には第１〜第３排液溝５０１ａ〜５０１ｃに対応する底部５３にはそれぞれ、排液口５１ａ〜５１ｃが、回収カップ５０の円周方向に沿って間隔をあけつつ形成される。
ここで、排液口５１ａから排出される処理液が酸系処理液、排液口５１ｂから排出される処理液がアルカリ系処理液、排液口５１ｃから排出される処理液が有機系処理液である場合を例にとって説明する。なお、上記した各排液口５１ａ〜５１ｃから排出される処理液の種類は、あくまでも例示であって限定されるものではない。
排液口５１ａは、排液管９１ａに接続される。排液管９１ａは、途中にバルブ６２ａが介挿され、かかるバルブ６２ａの位置で第１排液管９１ａ１と第２排液管９１ａ２とに分岐される。なお、バルブ６２ａとしては、たとえば、閉弁位置と、排出経路を第１排液管９１ａ１側に開放する位置と、第２排液管９１ａ２側に開放する位置との間で切り替え可能な三方弁を用いることができる。
上記した酸系処理液が再利用可能である場合、第１排液管９１ａ１は、酸系処理液供給源７０ｂ（たとえば酸系処理液を貯留するタンク）に接続され、排液を酸系処理液供給源７０ｂへ戻す。すなわち、第１排液管９１ａ１は、循環ラインとして機能する。なお、第２排液管９１ａ２については後述する。
排液口５１ｂは、排液管９１ｂに接続される。排液管９１ｂの途中には、バルブ６２ｂが介挿される。また、排液口５１ｃは、排液管９１ｃに接続される。排液管９１ｃの途中には、バルブ６２ｃが介挿される。なお、バルブ６２ｂ，６２ｃは、制御装置４によって制御される。
そして、処理ユニット１６は、基板処理を行う際、基板処理中の各処理にて使用する処理液の種類などに応じて、第１カップ５０ａの第１液受部５５ａや第２カップ５０ｂの第２液受部５５ｂを昇降させ、排液口５１ａ〜５１ｃの切り替えを実行する。
たとえば、酸系処理液をウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、基板保持機構３０の駆動部３３を制御して保持部３１を所定回転速度で回転させた状態でバルブ６０ｂを開放する。
このとき、制御装置４は、第１カップ５０ａを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ，５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ，５７ａを上昇させ、第１液受部５５ａを処理位置まで上昇させることで、第１液受部５５ａの上端内側の開口から第１排液溝５０１ａへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷへ供給された酸系処理液は、下方へと流れて第１排液溝５０１ａに流れ込むこととなる。
また、制御装置４は、バルブ６２ａを制御して排出経路を第１排液管９１ａ１側に開放するようにしておく。これにより、第１排液溝５０１ａに流れ込んだ酸系処理液は、排液管９１ａおよび第１排液管９１ａ１を介して酸系処理液供給源７０ｂへ戻される。そして、酸系処理液供給源７０ｂへ戻された酸系処理液は、ウェハＷへ再び供給される。このように、第１カップ５０ａは、回収した酸系処理液を循環させてウェハＷへ再度供給する循環ラインに接続される。
また、たとえばアルカリ系処理液をウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、同じく駆動部３３を制御して保持部３１を所定回転速度で回転させた状態でバルブ６０ａを開放する。
このとき、制御装置４は、第２カップ５０ｂのみを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第２昇降駆動部５７ｂを介して第２支持部材５７ａを上昇させ、第２液受部５５ｂを処理位置まで上昇させることで、第２液受部５５ｂの上端内側の開口から第２排液溝５０１ｂへと通じる流路を形成しておく。なお、ここで第１カップ５０ａは、下降しているものとする。これにより、ウェハＷへ供給されたアルカリ系処理液は、下方へと流れて第２排液溝５０１ｂに流れ込むこととなる。
また、制御装置４は、バルブ６２ｂを開放しておく。これにより、第２排液溝５０１ｂのアルカリ系処理液は、排液管９１ｂを介して処理ユニット１６の外部へ排出される。このように、排液管９１ｂは、回収した第２処理液を処理ユニット１６外部へ排出する排液ラインとして機能する。すなわち、第２カップ５０ｂは排液ラインに接続されている。
また、たとえば有機系処理液をウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、同じく駆動部３３を制御して保持部３１を所定回転速度で回転させた状態でバルブ６０ｃを開放する。
このとき、制御装置４は、第１、第２カップ５０ａ，５０ｂを下降させておく（図３参照）。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ，５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ，５７ａを下降させ、第１、第２液受部５５ａ，５５ｂを退避位置まで下降させる。このようにすることで、第３液受部５５ｃの上端内側の開口から第３排液溝５０１ｃへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷへ供給された有機系処理液は、下方へと流れて第３排液溝５０１ｃに流れ込むこととなる。
また、制御装置４は、バルブ６２ｃを開放しておき、よって第３排液溝５０１ｃの有機系処理液は、排液管９１ｃを介して処理ユニット１６の外部へ排出される。このように、第３カップ５０ｃも、回収した第３処理液を処理ユニット１６外部へ排出する排液ライン（たとえば排液管９１ｃ）に接続されている。
なお、上記した酸系処理液、アルカリ系処理液、有機系処理液および洗浄液の排出経路は例示であって限定されるものではない。すなわち、たとえば、各排液口５１ａ〜５１ｃが１本の排液管に接続され、１本の排液管に、酸性やアルカリ性といった処理液の性質に応じた複数個のバルブが設けられ、そのバルブの位置から排出経路を分岐させてもよい。
また、排液管９１ｂには、第１周壁部５４ａにおいて第１支持部材５６ａが挿通された挿通孔と連通する排液管９２ａが接続される。排液管９２ａは、第１周壁部５４ａの挿通孔に侵入した洗浄液（後述）などを排出し、かかる洗浄液は、排液管９１ｂを介して処理ユニット１６の外部へ排出される。
また、排液管９１ｃにも、第２周壁部５４ｂにおいて第２支持部材５７ａが挿通された挿通孔と連通する排液管９２ｂが接続される。排液管９２ｂは、第２周壁部５４ｂの挿通孔に侵入した洗浄液などを排出し、かかる洗浄液は、排液管９１ｃを介して処理ユニット１６の外部へ排出される。
回収カップ５０の底部５３、第１周壁部５４ａおよび第２周壁部５４ｂにはそれぞれ、排気口５２ａ，５２ｂ，５２ｃが形成される。また、排気口５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、１本の排気管に接続され、かかる排気管は排気の下流側において第１〜第３排気管９３ａ〜９３ｃに分岐される。また、第１排気管９３ａにはバルブ６４ａが介挿され、第２排気管９３ｂにはバルブ６４ｂが、第３排気管９３ｃにはバルブ６４ｃが介挿される。
第１排気管９３ａは酸性の排気用の排気管であり、第２排気管９３ｂはアルカリ性の排気用、第３排気管９３ｃは有機系排気用の排気管である。これらは、基板処理の各処理に応じて制御装置４によって切り替えられる。
たとえば、酸性の排気を生じる処理の実行に際しては、第１排気管９３ａへの切り替えが制御装置４によって行われ、バルブ６４ａを介して酸性の排気が排出される。同様に、アルカリ性の排気を生じる処理の場合、第２排気管９３ｂへの切り替えが制御装置４によって行われ、バルブ６４ｂを介してアルカリ性の排気が排出される。また、有機系排気を生じる処理の場合、第３排気管９３ｃへの切り替えが制御装置４によって行われ、バルブ６４ｃを介して有機系排気が排出される。
以下、本実施形態では、酸系処理液としてＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）が用いられるものとする。また、アルカリ系処理液としてはＳＣ１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）、有機系処理液としてはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられるものとする。
なお、ＳＰＭは第１処理液の一例であり、またＳＣ１は第２処理液、ＩＰＡは第３処理液の一例である。なお、酸系処理液、アルカリ系処理液および有機系処理液の種類は、これらに限定されるものではない。
ところで、上記のように、処理ユニット１６においてＳＰＭとＳＣ１とが使用されると、たとえば第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａなどに結晶等の異物が付着することが分かった。
詳しくは、たとえば、ＳＣ１によってウェハＷが処理される場合、ウェハＷに供給されたＳＣ１は第２カップ５０ｂによって回収された後、排液管９１ｂを介して排出される。また、ＳＰＭによる処理が行われると、ウェハＷに供給されたＳＰＭは第１カップ５０ａによって回収された後、排液管９１ａを介して排出される。
しかしながら、各処理液の排出環境などによっては、ＳＣ１やＳＰＭの一部が第１、第２カップ５０ａ，５０ｂ内に残留する場合がある。かかる場合、残留したＳＣ１とＳＰＭとが反応して結晶が発生することがある。
具体的には、ＳＣ１のアンモニア成分とＳＰＭの硫酸成分とが反応し、硫酸アンモニウムの結晶が発生することがあり、かかる結晶は異物として第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａなどに付着することが分かった。なお、上記したような結晶は、ＳＣ１とＳＰＭとの組み合わせに限られず、その他の種類の処理液の組み合わせでも生じ得る。
そこで、本実施形態に係る処理ユニット１６においては、第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａなどに洗浄液を供給する洗浄液供給部を備える構成とした。これにより、第１周壁部５４ａなどに付着した結晶などの異物を除去することができる。
＜３．洗浄液供給部の具体的構成＞
以下、第１周壁部５４ａなどに洗浄液を供給する洗浄液供給部８０について図４Ａ以降を参照して詳しく説明する。図４Ａは、洗浄液供給部８０および第１〜第３カップ５０ａ〜５０ｃの構成を説明するための模式拡大断面図である。
図４Ａに示すように、処理ユニット１６の洗浄液供給部８０は、洗浄液供給管８１ａと、バルブ８２ａとを備える。洗浄液供給管８１ａは、一端が洗浄液供給源８３に接続される一方、他端が第１カップ５０ａの排液管９１ａに接続される。詳しくは、バルブ６２ａは、排液管９１ａにおけるＳＰＭの排出を制御するためのバルブであり、上記した洗浄液供給管８１ａの他端は、かかるバルブ６２ａよりも排液の流れ方向における上流側の排液管９１ａの位置に接続される。
バルブ８２ａは、洗浄液供給管８１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。なお、洗浄液供給部８０が供給する洗浄液としては、ＤＩＷを用いることができるが、これに限定されるものではない。
ここで、洗浄液供給管８１ａの接続先の排液管９１ａについて説明する。排液管９１ａを流れるＳＰＭ（酸系処理液）は、上述したように再利用可能であることから、酸系処理液供給源７０ｂへ戻され、酸系処理液供給源７０ｂからウェハＷへ再び供給される。
具体的には、図４Ａに示すように、処理流体供給部４０の酸系処理液供給源７０ｂは、ＳＰＭを貯留するタンク１１０と、タンク１１０とノズル４１とを接続する循環ライン１１１とを有している。
タンク１１０には、上記した排液管９１ａの後流側にある第１排液管９１ａ１の端部が接続され、第１排液管９１ａ１を流れるＳＰＭがタンク１１０内へ流入し貯留される。また、タンク１１０には、ＳＰＭを補充する補充部１１４が接続されるとともに、タンク１１０内のＳＰＭを廃棄するためのドレン部１１５も接続される。
循環ライン１１１にはポンプ１１２が設けられている。ポンプ１１２は、タンク１１０から出るＳＰＭをノズル４１へ向けて圧送する。また、ポンプ１１２の下流側において循環ライン１１１には、ＳＰＭに含まれるパーティクル等の汚染物質を除去するフィルタ１１３が設けられている。必要に応じて、循環ライン１１１に補機類（たとえばヒータ等）をさらに設けてもよい。
次に、第１カップ５０ａおよび第２カップ５０ｂの構成についてさらに説明する。図４Ａに示すように、第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａ内には、上記したように、第１支持部材５６ａが挿通される挿通孔５９ａが形成される。かかる挿通孔５９ａは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１に形成される開口部５９ａ１を有している。
また、第１カップ５０ａにおいて、第１周壁部５４ａと第１液受部５５ａとの間、詳しくは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１と、上面５４ａ１と対向する部位である第１液受部５５ａの下面５５ａ１との間には、空間が形成される。かかる空間には、洗浄液が流通させられるが、これについては後述する。なお、第１周壁部５４ａは周壁部の一例であり、第１液受部５５ａは液受部の一例である。
第２カップ５０ｂの第２周壁部５４ｂ内にも、第２支持部材５７ａが挿通される挿通孔５９ｂが形成される。第２周壁部５４ｂの挿通孔５９ｂは、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１に形成される開口部５９ｂ１を有している。
また、第２カップ５０ｂにおいて、第２周壁部５４ｂと第２液受部５５ｂとの間、詳しくは、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１と、上面５４ｂ１と対向する部位である第２液受部５５ｂの下面５５ｂ１との間にも、洗浄液が流通可能な空間が形成される。
そして、上記のように構成された第１周壁部５４ａなどに対し、洗浄処理が行われる。なお、図４Ａおよび図４Ｂ，４Ｃは、本実施形態における洗浄処理を説明するための図である。
詳説すると、制御装置４は、第１周壁部５４ａなどの洗浄処理を行う際、バルブ８２ａを開放する。なお、このとき制御装置４は、バルブ６２ａ、バルブ６２ｂおよびバルブ６２ｃを閉弁させるものとする。
これにより、図４Ａに示すように、洗浄液供給源８３の洗浄液Ｌは、洗浄液供給管８１ａ、バルブ８２ａ、排液管９１ａを通って排液口５１ａから第１排液溝５０１ａへ吐出される。このように、洗浄液供給部８０は、バルブ６２ａ等が閉弁されているときに、排液管９１ａから第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに洗浄液Ｌを供給する。なお、第１排液溝５０１ａは回収部の一例である。
そして、洗浄液供給部８０により供給された洗浄液Ｌは、第１排液溝５０１ａに貯留され、水位が徐々に上昇する。さらに洗浄液供給部８０により洗浄液Ｌが供給され、洗浄液Ｌの水位が第１周壁部５４ａの上面５４ａ１まで到達すると、図４Ｂに示すように、洗浄液Ｌは第１周壁部５４ａの上面５４ａ１を乗り越え、第１周壁部５４ａから第２カップ５０ｂ側へオーバーフローする。なお、オーバーフローされた洗浄液Ｌは、第２カップ５０ｂの第２排液溝５０１ｂに貯留され、水位が徐々に上昇する。
これにより、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１や側面が洗浄液Ｌによって洗浄され、よって第１周壁部５４ａに付着した結晶などの異物を除去することができる。なお、硫酸アンモニウムの結晶は、比較的高い水溶性を有するため、洗浄液Ｌに溶け出しながら除去されることとなる。
また、上記したように、第１周壁部５４ａと第１液受部５５ａとの間には空間が形成されていることから、洗浄液Ｌは、第１周壁部５４ａと第１液受部５５ａとの間を流通しながら、第１周壁部５４ａから第２カップ５０ｂ側へオーバーフローすることとなる。このように、本実施形態にあっては、洗浄液供給部８０により供給された洗浄液Ｌを、第１周壁部５４ａと第１液受部５５ａとの間から第２カップ５０ｂ側へオーバーフローさせる。これにより、第１周壁部５４ａと第１液受部５５ａとの間に存在する異物も除去することができる。
また、第１液受部５５ａは、第１周壁部５４ａから洗浄液Ｌをオーバーフローさせる際に、第１液受部５５ａのうち第１周壁部５４ａの上面５４ａ１と対向する部位が洗浄液Ｌにより洗浄される程度に下降されているようにしてもよい。すなわち、図４Ｂに示すように、たとえば第１液受部５５ａが下降させられた退避位置にある場合、第１周壁部５４ａからオーバーフローする洗浄液Ｌは、第１液受部５５ａのうち第１周壁部５４ａの上面５４ａ１と対向する部位、すなわち下面５５ａ１に供給される。これにより、第１液受部５５ａの下面５５ａ１を洗浄し、付着した異物を除去することができる。
なお、上記した「第１液受部５５ａは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１と対向する部位が洗浄液Ｌにより洗浄される程度に下降されている」とは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１と第１液受部５５ａの下面５５ａ１との離間距離が、下面５５ａ１に洗浄液Ｌがかかるような距離まで、第１液受部５５ａを下降させることを意味するが、これに限定されるものではない。
また、上記した第１周壁部５４ａの上面５４ａ１や第１液受部５５ａの下面５５ａ１、第１周壁部５４ａと第１液受部５５ａとの間などの各部位は、第１カップ５０ａに残留したＳＰＭと第２カップ５０ｂに残留したＳＣ１とが混合した液が付着し易い部位である。本実施形態にあっては、そのようなＳＰＭとＳＣ１とが混合した液が付着し、結晶が発生するおそれのある部位に対し、洗浄液Ｌを供給して洗浄を行うようにしている。
すなわち、本実施形態では、第１周壁部５４ａにおいて洗浄液供給部８０によって洗浄される部位は、ＳＰＭ（第１処理液）とＳＣ１（第２処理液）とが混合した液が付着する部位を含むようにした。これにより、第１周壁部５４ａなどにおいて結晶などの異物が付着し易い部位を洗浄することができ、異物を効果的に除去することができる。
また、上記した結晶などの異物は、たとえば第１支持部材５６ａなど第１周壁部５４ａ以外にも付着することがある。そこで、本実施形態に係る洗浄液供給部８０は、第１支持部材５６ａにも洗浄液Ｌを供給して洗浄するようにした。
詳しくは、本実施形態に係る挿通孔５９ａは、上記したように、開口部５９ａ１が第１周壁部５４ａの上面５４ａ１に形成される。従って、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１を流れて第２カップ５０ｂへオーバーフローする洗浄液Ｌは、図４Ｂに示すように、上面５４ａ１から開口部５９ａ１を介して挿通孔５９ａへ流入し、挿通孔５９ａ内に溜まることとなる。これにより、第１支持部材５６ａの外周および挿通孔５９ａを洗浄することが可能となり、第１支持部材５６ａの外周や挿通孔５９ａに付着した異物を除去することができる。
なお、上記では、第１液受部５５ａを下降させた状態で洗浄処理が行われる場合を例に挙げて説明したが、これに限られず、第１液受部５５ａを上昇させた状態で洗浄処理が行われるようにしてもよい。
また、制御装置４は、第１昇降駆動部５６ｂを制御して第１支持部材５６ａを昇降させ、第１液受部５５ａを上下動させながら、洗浄処理が行われるようにしてもよい。これにより、第１支持部材５６ａは、洗浄液Ｌで満たされた挿通孔５９ａ内を移動することとなり、よって第１支持部材５６ａの外周に付着した異物を効率よく除去することができる。
さらに洗浄液供給部８０から洗浄液Ｌが供給されると、第２排液溝５０１ｂにおける洗浄液Ｌの水位が第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１まで到達する。なお、第２排液溝５０１ｂは第２回収部の一例である。
これにより、洗浄液Ｌは、図４Ｃに示すように、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１を乗り越え、第２周壁部５４ｂから第３カップ５０ｃ側へオーバーフローする。なお、オーバーフローされた洗浄液Ｌは、第３カップ５０ｃの第３排液溝５０１ｃに貯留される。
このように、本実施形態にあっては、第１液受部５５ａから第２カップ５０ｂ側へオーバーフローした洗浄液Ｌは、第２カップ５０ｂの第２排液溝５０１ｂにより回収される。そして、回収された洗浄液Ｌの一部を第２周壁部５４ｂから第３カップ５０ｃ側へオーバーフローさせる。
これにより、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１や側面が洗浄液Ｌによって洗浄され、よって第２周壁部５４ｂに付着した異物を除去することができる。また、洗浄液Ｌは、第１周壁部５４ａと同様、第２周壁部５４ｂと第２液受部５５ｂとの間を流通するため、第２周壁部５４ｂと第２液受部５５ｂとの間に存在する異物も除去することができる。
また、第２液受部５５ｂは、第２周壁部５４ｂから洗浄液Ｌをオーバーフローさせる際に、第２液受部５５ｂのうち第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１と対向する部位（下面５５ｂ１）が洗浄液Ｌにより洗浄される程度に下降されているようにしてもよい。すなわち、図４Ｃに示すように、たとえば第２液受部５５ｂが下降させられた退避位置にある場合、第２周壁部５４ｂからオーバーフローする洗浄液Ｌは、第２液受部５５ｂの下面５５ｂ１に供給される。これにより、第２液受部５５ｂの下面５５ｂ１に付着した異物も除去することができる。
また、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１を流れて第３カップ５０ｃへオーバーフローする洗浄液Ｌは、図４Ｃに示すように、上面５４ｂ１から開口部５９ｂ１を介して挿通孔５９ｂへ流入し、挿通孔５９ｂ内に溜まる。これにより、第２支持部材５７ａの外周および挿通孔５９ｂを洗浄することが可能となり、第２支持部材５７ａの外周や挿通孔５９ｂに付着した異物を除去することができる。
なお、第２液受部５５ｂにあっても、第１液受部５５ａと同様、上昇させた状態で洗浄処理が行われるようにしてもよく、また、上下動させながら洗浄処理が行われるようにしてもよい。
また、本実施形態に係る処理ユニット１６にあっては、上記のように構成することで、ＳＣ１やＩＰＡを含む洗浄後の洗浄液Ｌが、ＳＰＭの供給源たる酸系処理液供給源７０ｂへ流入することを防止することができる。
詳しくは、洗浄液供給部８０は、ＳＰＭの循環ラインとして機能する排液管９１ａが接続される第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに対して洗浄液Ｌを供給する。そして、第１カップ５０ａに供給された洗浄液Ｌは、排液ラインとして機能する排液管９１ｂ，９１ｃが接続される第２カップ５０ｂ、第３カップ５０ｃへと順次オーバーフローする。
そのため、たとえば第２排液溝５０１ｂに溜まったＳＣ１を含む洗浄後の洗浄液Ｌは、第２カップ５０ｂから第３カップ５０ｃへ流れるが、第１カップ５０ａへは流入しない。同様に、第３排液溝５０１ｃに溜まったＩＰＡを含む洗浄後の洗浄液Ｌは、第３カップ５０ｃに留まり、第３カップ５０ｃから第２カップ５０ｂや第１カップ５０ａへは流入しない。
これにより、ＳＣ１やＩＰＡを含む洗浄後の洗浄液Ｌが、ＳＰＭの供給源たる酸系処理液供給源７０ｂへ流入することを防止することができる。このように、ＳＰＭの供給源たる酸系処理液供給源７０ｂに対してＳＣ１やＩＰＡの混入を防止できることから、回収したＳＰＭを再利用してウェハＷへ再度供給することが可能となる。
また、上記したように、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１は、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１に対して鉛直方向において下方となるように位置される。そのため、第２カップ５０ｂの第２排液溝５０１ｂに溜まった洗浄後の洗浄液Ｌは、第３カップ５０ｃ側へ確実にオーバーフローし、第１カップ５０ａ側への流入を防止することができる。これにより、ＳＣ１等を含む洗浄後の洗浄液Ｌが、ＳＰＭの供給源たる酸系処理液供給源７０ｂへ流入することをより一層防止することができる。
＜４．基板処理システムの具体的動作＞
次に、本実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の内容について図５を参照して説明する。
図５は、本実施形態に係る基板処理システム１が実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図５に示す各処理手順は、制御装置４の制御部１８の制御に従って実行される。
図５に示すように、処理ユニット１６では、まず、ウェハＷの搬入処理が行われる（ステップＳ１）。かかる搬入処理では、基板搬送装置１７（図１参照）によって保持部３１上にウェハＷが載置された後、保持部３１によってウェハＷが保持される。
続いて、処理ユニット１６では、第１薬液処理が行われる（ステップＳ２）。第１薬液処理では、制御部１８はまず、駆動部３３によって保持部３１を回転させてウェハＷを回転させる。続いて、制御部１８は、バルブ６０ａを所定時間開放し、ＳＣ１をノズル４１からウェハＷの表面へ供給する。これにより、ウェハＷの表面がＳＣ１によって処理される。
続いて、処理ユニット１６では、第１リンス処理が行われる（ステップＳ３）。かかる第１リンス処理では、制御部１８は、バルブ６０ｄを所定時間開放し、ＤＩＷをノズル４１からウェハＷへ供給する。これにより、ウェハＷに残存するＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。
次に、処理ユニット１６では、第２薬液処理が行われる（ステップＳ４）。かかる第２薬液処理では、制御部１８は、バルブ６０ｂを所定時間開放し、ＳＰＭをノズル４１からウェハＷの表面へ供給する。これにより、ウェハＷの表面がＳＰＭによって処理される。
続いて、処理ユニット１６では、第２リンス処理が行われる（ステップＳ５）。第２リンス処理では、制御部１８は、バルブ６０ｄを所定時間開放し、ＤＩＷをノズル４１からウェハＷの表面へ供給する。これにより、ウェハＷに残存するＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。
次に、処理ユニット１６では、乾燥処理が行われる（ステップＳ６）。かかる乾燥処理では、制御部１８は、バルブ６０ｃを所定時間開放し、ＩＰＡをノズル４１からウェハＷの表面へ供給する。これにより、ウェハＷの表面に残存するＤＩＷが、ＤＩＷよりも揮発性の高いＩＰＡに置換される。その後、ウェハＷ上のＩＰＡを振り切ってウェハＷを乾燥させる。
続いて、処理ユニット１６では、搬出処理が行われる（ステップＳ７）。かかる搬出処理では、制御部１８は、駆動部３３によるウェハＷの回転を停止させた後、ウェハＷが基板搬送装置１７（図１参照）によって処理ユニット１６から搬出される。かかる搬出処理が完了すると、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が完了する。
次に、処理ユニット１６では、第１周壁部５４ａなどを洗浄する洗浄処理が行われる（ステップＳ８）。なお、この洗浄処理は、１枚のウェハＷが搬出される度に実行されることを要しない。すなわち、洗浄処理が実行されるタイミングは、任意に設定することが可能であり、たとえば複数枚のウェハＷについての基板処理を行った後に、洗浄処理を１度行うようにしてもよい。また、ステップＳ８の処理の際、後述する基板保持機構３０の洗浄も行うようにしてもよい。
第１周壁部５４ａなどの洗浄処理について、図６を参照して説明する。図６は、基板処理システム１において実行される第１周壁部５４ａなどの洗浄処理の処理手順の一例を示すフローチャートである。
図６に示すように、制御装置４の制御部１８は、バルブ６２ａ，６２ｂ，６２ｃを閉弁させる（ステップＳ１０）。続いて、制御部１８は、洗浄液供給部８０のバルブ８２ａを開弁し、洗浄液Ｌを第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａへ供給する（ステップＳ１１）。これにより、第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａには洗浄液Ｌが溜まり、第１排液溝５０１ａに溜まった洗浄液Ｌは、時間の経過とともに第２カップ５０ｂ、第３カップ５０ｃへとオーバーフローし、第１周壁部５４ａや第２周壁部５４ｂなどが洗浄される。
次に、制御部１８は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ，５７ｂによって第１、第２支持部材５６ａ，５７ａを駆動し、第１、第２液受部５５ａ，５５ｂを昇降させる（ステップＳ１２）。このように、第１、第２液受部５５ａ，５５ｂを昇降させることで、第１、第２支持部材５６ａ，５７ａは、洗浄液Ｌで満たされた挿通孔５９ａ，５９ｂ内を移動し、効率よく洗浄される。
なお、上記したステップＳ１２の処理は、必ずしも必要なものではなく、たとえばステップＳ１２の処理を行わず、第１、第２液受部５５ａ，５５ｂを下降させた状態、または、上昇させた状態のまま第１周壁部５４ａなどの洗浄を行ってもよい。
続いて、制御部１８は、所定時間が経過して第１周壁部５４ａなどの洗浄が完了すると、洗浄液供給部８０のバルブ８２ａを閉弁し、洗浄液Ｌの第１排液溝５０１ａへの供給を停止する（ステップＳ１３）。
次に、制御部１８は、バルブ６２ａ，６２ｂ，６２ｃを開弁させる（ステップＳ１４）。なお、ステップＳ１４では、バルブ６２ａは、排出経路を第２排液管９１ａ２側に開放するように開弁させられるものとする。
これにより、第１排液溝５０１ａの洗浄後の洗浄液Ｌは、排液管９１ａ、バルブ６２ａ、第２排液管９１ａ２を介して処理ユニット１６の外部へ排出される。また、第２排液溝５０１ｂおよび挿通孔５９ａの洗浄後の洗浄液Ｌは、排液管９１ｂや排液管９２ａを介してバルブ６２ｂへ流れ、処理ユニット１６の外部へ排出される。同様に、第３排液溝５０１ｃおよび挿通孔５９ｂの洗浄後の洗浄液Ｌは、排液管９１ｃや排液管９２ｂを介してバルブ６２ｃへ流れ、処理ユニット１６の外部へ排出される。このようにして、第１周壁部５４ａなどの洗浄処理が完了する。
なお、上記では、ステップＳ１０でバルブ６２ａ，６２ｂ，６２ｃを閉弁した後、ステップＳ１１で洗浄液Ｌの供給を開始するようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば、ステップＳ１０およびステップＳ１１の処理を同時に行ったり、ステップＳ１１の処理の後にステップＳ１０の処理を行ったりしてもよい。
また、ステップＳ１３で洗浄液Ｌの供給を停止した後、ステップＳ１４でバルブ６２ａ，６２ｂ，６２ｃを開弁するようにしたが、これに限られず、ステップＳ１３，Ｓ１４の処理を同時に行っても、ステップＳ１４，Ｓ１３の順で処理を行ってもよい。
また、上記では、バルブ６２ｃを閉弁させて洗浄処理を行うようにしたが、これに限られず、たとえば、バルブ６２ｃを開弁させ、第３カップ５０ｃや挿通孔５９ｂに流れ込む洗浄後の洗浄液Ｌを順次排出しながら洗浄処理を行ってもよい。
さらに、洗浄液供給部８０から第１排液溝５０１ａへ供給される洗浄液Ｌの供給量が、排液管９１ａ，９１ｂ，９１ｃから排出される洗浄液Ｌの排出量よりも大きくなるように設定されてもよい。このように洗浄液Ｌの供給量を設定すると、バルブ６２ａ，６２ｂ，６２ｃを開弁したままであっても、洗浄液Ｌは、第１カップ５０ａから第２カップ５０ｂ、第３カップ５０ｃへとオーバーフローし、第１周壁部５４ａなどを洗浄することができる。
上述してきたように、第１の実施形態に係る処理ユニット１６（「基板処理装置」の一例に相当）は、保持部３１と、処理流体供給部４０（「処理液供給部」の一例に相当）と、第１カップ５０ａと、第２カップ５０ｂと、洗浄液供給部８０とを備える。保持部３１は、ウェハＷを保持する。処理流体供給部４０は、ウェハＷに対してＳＰＭ（第１処理液）およびＳＣ１（第２処理液）を供給する。
第１カップ５０ａは、第１周壁部５４ａを備え、ＳＰＭを第１周壁部５４ａによって形成された第１排液溝５０１ａにおいて回収する。第２カップ５０ｂは、第１カップ５０ａに隣接して配置され、ＳＣ１を回収する。洗浄液供給部８０は、第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに洗浄液Ｌを供給する。処理ユニット１６においては、洗浄液供給部８０により供給された洗浄液Ｌを第１周壁部５４ａから第２カップ５０ｂ側へオーバーフローさせることで、第１周壁部５４ａを洗浄する。これにより、第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａに付着した異物を除去することができる。
また、洗浄液供給部８０は、バルブ６２ａが閉弁されているときに、排液管９１ａから第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａへ洗浄液Ｌを供給するようにした。これにより、たとえば排液管９１ａに洗浄液供給管８１ａを接続するという簡易な構成で、第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａへ洗浄液Ｌを供給することができる。
なお、上記では、排液管９１ａから第１排液溝５０１ａへ洗浄液Ｌが供給されるようにしたが、これに限られない。すなわち、図示は省略するが、たとえば第１排液溝５０１ａを臨む位置にノズルを配置し、かかるノズルから第１排液溝５０１ａへ直接、洗浄液Ｌが供給されるような構成であってもよい。
＜５．変形例＞
次に、第１の実施形態に係る処理ユニット１６の第１〜第３変形例について説明する。第１〜第３変形例における処理ユニット１６では、第１排液溝５０１ａまでの洗浄液Ｌの供給経路を変更するようにした。
図７は、第１〜第３変形例における処理ユニット１６の構成例を示す模式断面図である。なお、第１〜第３変形例では、第１の実施形態における洗浄液供給管８１ａやバルブ８２ａなどは除去されているものとする。
図７に示すように、第１変形例にあっては、ウェハＷを洗浄するための基板用洗浄液を、第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに供給するようにした。
具体的には、第１変形例における洗浄液供給部８０は、基板用洗浄液を吐出するノズル４１を含むように構成される。なお、ノズル４１は基板用ノズルの一例である。そして、洗浄処理の際、制御装置４の制御部１８は、第１、第２カップ５０ａ，５０ｂを上昇させ、第１液受部５５ａを処理位置とすることで、第１液受部５５ａの上端内側の開口から第１排液溝５０１ａへと通じる流路を形成する。
そして、制御部１８は、バルブ６０ｄを開弁し、ＤＩＷ供給源７０ｄから供給される基板用洗浄液（ＤＩＷ）をノズル４１から保持部３１へ供給する。このとき制御部１８は、駆動部３３（図３参照）によって保持部３１を回転させておく。
これにより、図７に破線の矢印で示すように、ノズル４１から保持部３１へ供給された基板用洗浄液は、保持部３１の回転に伴う遠心力によって保持部３１の外周外方へ向けて振り切られ、第１液受部５５ａは、保持部３１から飛散した基板用洗浄液を受ける。第１液受部５５ａで受けた基板用洗浄液は、下方へと流れて第１排液溝５０１ａに流れ込み、流れ込んだ基板用洗浄液は、第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして利用される。
このように、第１変形例では、処理流体供給部４０が洗浄液供給部８０として機能し、洗浄液供給部８０のノズル４１は、基板用洗浄液を第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして第１排液溝５０１ａに供給することとした。これにより、第１変形例にあっては、既存のＤＩＷ供給源７０ｄやノズル４１などを用いて、第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに洗浄液Ｌを供給することができる。
次に、第２変形例および第３変形例について説明する。第２、第３変形例にあっては、保持部３１を含む基板保持機構３０を洗浄するための保持機構用洗浄液を、第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに供給するようにした。
具体的には、第２、第３変形例に係る処理ユニット１６において、洗浄液供給部８０は、たとえば上記した基板処理の各処理が行われていないタイミングで、基板保持機構３０などに対して保持機構用洗浄液を供給し、基板保持機構３０などの洗浄を行う。
詳しくは、洗浄液供給部８０は、ノズル８４，８５と、洗浄液供給管８１ｂ，８１ｃと、バルブ８２ｂ，８２ｃとを備える。ノズル８４は、支柱部３２を臨む位置に配置される。ノズル８４は、洗浄液供給管８１ｂ、バルブ８２ｂを介して洗浄液供給源８３に接続される。
ノズル８５は、保持部３１の裏面を洗浄するためのノズルであり、たとえば内壁部５４ｄの上端付近に配置される。また、ノズル８５は、第１〜第３ノズル８５ａ〜８５ｃを含む。
第１ノズル８５ａは、たとえば保持部３１の裏面における中心部付近を臨む位置に配置される。また、第２ノズル８５ｂは保持部３１の裏面の中心部付近よりも外周側を、第３ノズル８５ｃは保持部３１の裏面における周縁部付近を臨む位置に配置される。すなわち、保持部３１の裏面を中心部から周縁部側へ向けて３つの領域に分け、各領域に対して第１〜第３ノズル８５ａ〜８５ｃが向けられるようにした。
また、第１〜第３ノズル８５ａ〜８５ｃは、洗浄液供給管８１ｃおよびバルブ８２ｃを介して洗浄液供給源８３に接続される。なお、図３に示す例では、第１〜第３ノズル８５ａ〜８５ｃは、途中で分岐された洗浄液供給管８１ｃに接続されるようにしたが、これに限定されるものではなく、第１〜第３ノズル８５ａ〜８５ｃがそれぞれ個別の洗浄液供給管に接続されてもよい。また、上記では、ノズル８５が３個のノズル８５ａ〜８５ｃを含むように構成したが、ノズルの個数はこれに限られるものではない。なお、上記したノズル８４，８５は、保持機構用洗浄液を吐出する保持機構用ノズルの一例である。
そして、制御装置４は、支柱部３２を洗浄する処理を行う際、バルブ８２ｂを開放し、ノズル８４から支柱部３２などに対して保持機構用洗浄液を供給する。また、制御装置４は、保持部３１の裏面を洗浄する処理を行う際、バルブ８２ｃを開放し、ノズル８５から保持部３１の裏面に対して保持機構用洗浄液を供給する。
そして、基板保持機構３０を洗浄した後の保持機構用洗浄液は、内壁部５４ｄの内周側の中央付近に形成される中央排液溝５０１ｄなどに落ち、中央排液溝５０１ｄから回収カップ５０の底部５３に形成された排液口５１ｄ，５１ｅを介して排出される。具体的には、排液口５１ｄは、たとえば開口が底部５３において内壁部５４ｄよりも内周側に設けられ、中央排液溝５０１ｄに流れ落ちた保持機構用洗浄液が流入される。
また、排液口５１ｅは、開口が内壁部５４ｄの延設部５４ｄ１の基端付近に設けられ、延設部５４ｄ１から流れてくる保持機構用洗浄液が流入される。排液口５１ｄは排液管９１ｄに接続される一方、排液口５１ｅは排液管９１ｅに接続される。これら排液管９１ｄ，９１ｅは、上記した排液管９１ａにおいてバルブ６２ａの排液の流れ方向における上流側の位置に接続されている。
制御装置４は、基板保持機構３０の洗浄処理の際、バルブ６２ａを制御して排出経路を第２排液管９１ａ２側に開放しておく。これにより、基板保持機構３０を洗浄した後の保持機構用洗浄液は、排液口５１ｄから排液管９１ｄ、または、排液口５１ｅから排液管９１ｅを介して排液管９１ａへ流れ、その後バルブ６２ａ、第２排液管９１ａ２を介して処理ユニット１６の外部へ排出されることとなる。
これにより、保持機構用洗浄液が酸系処理液供給源７０ｂへ流入することを防止することができる。また、酸系処理液の排出経路と保持機構用洗浄液の排出経路とを一部共通化することで、処理ユニット１６の小型化も図ることができる。
第２、第３変形例では、上記のように構成された処理ユニット１６において、第１周壁部５４ａなどの洗浄処理が行われる。具体的には、第２変形例における制御部１８は、バルブ８２ｂを開弁し、保持機構用洗浄液（ＤＩＷ）をノズル８４から支柱部３２などへ供給する。
これにより、図７に二点鎖線の矢印で示すように、支柱部３２などへ供給された保持機構用洗浄液は、中央排液溝５０１ｄに落ち排液口５１ｄから排液管９１ｄへ流れ出る。なお、第１周壁部５４ａ等の洗浄処理では、上記したようにバルブ６２ａは閉弁される。従って、中央排液溝５０１ｄから排液管９１ｄへ流れ出た保持機構用洗浄液は、排液管９１ａを通って排液口５１ａから第１排液溝５０１ａへ流れ込み、流れ込んだ保持機構用洗浄液は、第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして利用される。
このように、第２変形例にあっては、支柱部３２などを洗浄するノズル８４が、保持機構用洗浄液を第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに供給するようにした。これにより、支柱部３２を洗浄する構成と第１周壁部５４ａ等を洗浄する構成とを共通化できるため、処理ユニット１６の小型化や低コスト化を図ることができる。
次に、第３変形例における処理ユニット１６の動作について説明する。第３変形例における制御部１８は、第１、第２カップ５０ａ，５０ｂを上昇させ、第１液受部５５ａを処理位置とすることで、第１液受部５５ａの上端内側の開口から第１排液溝５０１ａへと通じる流路を形成する。
そして、制御部１８は、バルブ８２ｃを開弁し、洗浄液供給源８３から供給される保持機構用洗浄液（ＤＩＷ）をノズル８５から保持部３１の裏面へ供給する。このとき制御部１８は、駆動部３３によって保持部３１を回転させておく。
これにより、図７に一点鎖線の矢印で示すように、保持部３１の裏面へ供給された保持機構用洗浄液は、中央排液溝５０１ｄに落ち排液口５１ｄから排液管９１ｄへ流れ出る。また、保持部３１の裏面へ供給された保持機構用洗浄液は、延設部５４ｄ１にも落ち、延設部５４ｄ１から排液口５１ｅを介して排液管９１ｅへ流れ出る。そして、排液管９１ｄ，９１ｅへ流れ出た保持機構用洗浄液は、バルブ６２ａが閉弁されているため、排液管９１ａを通って排液口５１ａから第１排液溝５０１ａへ流れ込む。
さらに、保持部３１の裏面へ供給された保持機構用洗浄液は、保持部３１の回転に伴う遠心力によって保持部３１の外周外方へ向けて振り切られ、第１液受部５５ａは、保持部３１の裏面から飛散した保持機構用洗浄液を受ける。第１液受部５５ａで受けた保持機構用洗浄液は、下方へと流れて第１排液溝５０１ａに流れ込む。上記のようにして第１排液溝５０１ａに流れ込んだ保持機構用洗浄液は、第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして利用される。
このように、第３変形例にあっては、保持部３１の裏面を洗浄するノズル８５が、保持機構用洗浄液を第１周壁部５４ａを洗浄する洗浄液Ｌとして第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａに供給するようにした。これにより、保持部３１の裏面を洗浄する構成と第１周壁部５４ａ等を洗浄する構成とを共通化できるため、処理ユニット１６の小型化や低コスト化を図ることができる。
なお、上記した第１の実施形態および第１〜第３変形例における、第１排液溝５０１ａまでの洗浄液Ｌの供給経路は、適宜に組み合わせてもよい。すなわち、たとえば第１の実施形態と第１変形例とを組み合わせ、洗浄液供給管８１ａおよびノズル４１の両方から第１排液溝５０１ａへ洗浄液Ｌを供給するようにしてもよい。
また、上記した実施形態および各変形例では、第１周壁部５４ａおよび第２周壁部５４ｂの挿通孔５９ａ，５９ｂに侵入した洗浄液Ｌを排出するために排液管９２ａ，９２ｂを設けたが、これに限られるものではない。
たとえば、排液管９２ａ，９２ｂを設けることなく、第１周壁部５４ａおよび第２周壁部５４ｂの挿通孔５９ａ，５９ｂに侵入した洗浄液Ｌを底部５３の下部から漏出させ、チャンバ２０の底部で洗浄液Ｌを受けるようにしても良い。この場合、図７に想像線で示すように、チャンバ２０の底部に共通の排液管２０１を設けて第１周壁部５４ａおよび第２周壁部５４ｂの挿通孔５９ａ，５９ｂから受けた洗浄液Ｌを一括して排出させる。このような構成にすることで、排液管９２ａ，９２ｂを設ける場合と比較して、装置構造を簡単にすることができ、かつ低コストにすることができる。
（第２の実施形態）
次いで、第２の実施形態に係る基板処理システム１について説明する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
第２の実施形態においては、洗浄液Ｌを加熱して温度を上昇させることで、第１周壁部５４ａなどに付着した異物をより一層除去できるような構成とした。図８は、第２の実施形態における洗浄液供給部８０等の概略構成を示す模式図である。
図８に示すように、タンク１１０にはＳＰＭが貯留される。かかるＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水とが混合したときの化学反応による反応熱により、比較的高温の混合液となる。
第２の実施形態において、タンク１１０には、ＳＰＭ（混合液）と洗浄液Ｌとの間で熱交換を行う熱交換部２００が設けられる。熱交換部２００は、タンク１００内に設置されるとともに、洗浄液供給管８１ａが内部を通過するように構成される。
これにより、熱交換部２００において、洗浄液供給管８１ａの洗浄液Ｌは、比較的高温のＳＰＭによって加熱され、昇温させられる。昇温した洗浄液Ｌは、昇温前と比べて硫酸アンモニウムの結晶が溶け出し易くなることから、昇温した洗浄液Ｌを洗浄処理に用いることで、第１周壁部５４ａなどに付着した結晶などの異物をより一層除去することができる。
なお、上記では、タンク１１０に熱交換部２００を設けるようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、図示は省略するが、たとえば水などの冷却媒体が流れる冷媒管がタンク１１０内に配管され、かかる冷媒管と洗浄液供給管８１ａとがタンク１１０外に設けられた熱交換部に接続される構成であってもよい。上記した構成であっても、ＳＰＭと洗浄液Ｌとの間で熱交換が行われることとなり、洗浄液Ｌを加熱して昇温させることができる。
また、第２の実施形態では、洗浄液供給管８１ａを流れる洗浄液Ｌを加熱するようにしたが、これに限定されるものではなく、たとえば第１〜第３変形例において、洗浄液Ｌとして用いられる基板用洗浄液や保持機構用洗浄液を加熱するように構成してもよい。
なお、上記した実施形態では、第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａから、第２カップ５０ｂ、第３カップ５０ｃへと洗浄液Ｌをオーバーフローさせるようにしたが、これに限定されるものではない。
すなわち、第２カップ５０ｂの第２排液溝５０１ｂから第１カップ５０ａや第３カップ５０ｃへ洗浄液Ｌをオーバーフローさせたり、第３カップ５０ｃの第３排液溝５０１ｃから第２カップ５０ｂ、第１カップ５０ａへと洗浄液Ｌをオーバーフローさせたりしてもよい。また、第１カップ５０ａの第１排液溝５０１ａから第２カップ５０ｂへ洗浄液Ｌをオーバーフローさせる一方、バルブ６２ｂを開弁させるなどして、第３カップ５０ｃには洗浄液Ｌをオーバーフローさせない構成であってもよい。
また、上記した処理ユニット１６では、酸系処理液を第１排液管９１ａ１を介して回収して再利用するようにしたが、これに限定されるものでなく、酸系処理液を再利用しない構成であってもよい。また、上記では、第１昇降駆動部５６ｂと第２昇降駆動部５７ｂとを別体としたが、これに限られず、たとえば第１、第２昇降駆動部５６ｂ，５７ｂを共通化させるようにしてもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
１ 基板処理システム
４ 制御装置
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板保持機構
３１ 保持部
４０ 処理流体供給部
５０ 回収カップ
５０ａ 第１カップ
５０ｂ 第２カップ
５０ｃ 第３カップ
５４ａ 第１周壁部
５４ｂ 第２周壁部
５５ａ 第１液受部
５５ｂ 第２液受部
５６ａ 第１支持部材
５７ａ 第２支持部材
５９ａ 挿通孔
５９ｂ 挿通孔
７０ 処理流体供給源
８０ 洗浄液供給部
１１１ 循環ライン
２００ 熱交換部

Claims (11)

  1. 基板を保持する保持部と、
    前記基板に対して第１処理液および第２処理液を供給する処理液供給部と、
    周壁部を備え、第１処理液を前記周壁部によって形成された回収部において回収する第１カップと、
    前記第１カップに隣接して配置され、第２処理液を回収する第２カップと、
    前記第１カップの前記回収部に洗浄液を供給する洗浄液供給部と
    を備え、
    前記第１カップは、
    前記保持部に保持された前記基板の周囲を囲むように前記周壁部の上方に設けられ前記基板から飛散した第１処理液を受ける液受部と、
    前記液受部を支持し、前記液受部を前記周壁部に対して昇降させる支持部材と、
    前記周壁部内に形成され前記支持部材が挿通される挿通孔と
    を備え、
    前記挿通孔には、途中に挿通孔用バルブが介挿された挿通孔用排液管が接続され、
    前記洗浄液供給部により供給された洗浄液を前記周壁部から前記第２カップ側へオーバーフローさせることで、前記周壁部を洗浄するとともに、前記挿通孔用バルブが閉弁されているときに前記周壁部からオーバーフローさせる洗浄液を前記挿通孔へ流入させて前記挿通孔内に溜めることで、前記支持部材を洗浄すること
    を特徴とする基板処理装置。
  2. 前記洗浄液供給部により供給された洗浄液を前記周壁部と前記液受部との間から前記第２カップ側へオーバーフローさせること
    を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記液受部は前記周壁部に対して昇降可能であり、
    前記液受部は、
    前記周壁部から洗浄液をオーバーフローさせる際に、前記液受部のうち前記周壁部の上面と対向する部位が洗浄液により洗浄される程度に下降されていること
    を特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記液受部は、前記支持部材の昇降により、前記周壁部に対して昇降可能であり、
    前記周壁部からオーバーフローした洗浄液が溜められた前記挿通孔内で前記支持部材を昇降させることで、前記支持部材を洗浄すること
    を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記第１カップは、
    回収した第１処理液を循環させて前記基板へ再度供給する循環ラインに接続され、
    前記第２カップは、
    回収した第２処理液を装置外部へ排出する排液ラインに接続されること
    を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記第２カップに対して前記第１カップとは反対側に隣接して配置され、前記処理液供給部から供給された第３処理液を回収する第３カップ
    を備え、
    前記第２カップは、
    第２周壁部と、前記第２周壁部と前記周壁部とによって形成された第２回収部とを備え、
    前記周壁部から前記第２カップ側へオーバーフローした洗浄液は、前記第２カップの前記第２回収部により回収され、
    回収された洗浄液の一部を前記第２周壁部から前記第３カップ側へオーバーフローさせることで、前記第２周壁部を洗浄すること
    を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記回収部に接続され、前記回収部において回収された第１処理液を排出する排液管と、
    前記排液管における第１処理液の排出を制御するためのバルブと
    を備え、
    前記洗浄液供給部は、
    前記バルブよりも流れ方向における上流側の前記排液管の位置に接続されており、前記バルブが閉弁されているときに、前記排液管から前記第１カップの前記回収部へ洗浄液を供給すること
    を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記洗浄液供給部は、
    前記基板を洗浄するための基板用洗浄液を吐出する基板用ノズルを含み、
    前記基板用ノズルは、
    基板用洗浄液を前記周壁部を洗浄する洗浄液として前記第１カップの前記回収部に供給すること
    を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 前記洗浄液供給部は、
    前記保持部を含む保持機構を洗浄するための保持機構用洗浄液を吐出する保持機構用ノズルを含み、
    前記保持機構用ノズルは、
    保持機構用洗浄液を前記周壁部を洗浄する洗浄液として前記第１カップの前記回収部に供給すること
    を特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  10. 前記第１処理液は、硫酸と過酸化水素水との混合液を含み、
    混合液と洗浄液との間で熱交換を行う熱交換部
    をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  11. 基板を保持する保持部と、前記基板に対して第１処理液および第２処理液を供給する処理液供給部と、周壁部を備え、第１処理液を前記周壁部によって形成された回収部において回収する第１カップと、前記第１カップに隣接して配置され、第２処理液を回収する第２カップとを備え、前記第１カップは、前記保持部に保持された前記基板の周囲を囲むように前記周壁部の上方に設けられ前記基板から飛散した第１処理液を受ける液受部と、前記液受部を支持し、前記液受部を前記周壁部に対して昇降させる支持部材と、前記周壁部内に形成され前記支持部材が挿通される挿通孔とを備え、前記挿通孔には、途中に挿通孔用バルブが介挿された挿通孔用排液管が接続される基板処理装置の洗浄方法であって、
    前記第１カップの前記回収部に洗浄液を供給し、供給された洗浄液を前記周壁部から前記第２カップ側へオーバーフローさせることで、前記周壁部を洗浄するとともに、前記挿通孔用バルブが閉弁されているときに前記周壁部からオーバーフローさせる洗浄液を前記挿通孔へ流入させて前記挿通孔内に溜めることで、前記支持部材を洗浄する工程
    を含むことを特徴とする基板処理装置の洗浄方法。
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