KR102658596B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102658596B1
KR102658596B1 KR1020170002242A KR20170002242A KR102658596B1 KR 102658596 B1 KR102658596 B1 KR 102658596B1 KR 1020170002242 A KR1020170002242 A KR 1020170002242A KR 20170002242 A KR20170002242 A KR 20170002242A KR 102658596 B1 KR102658596 B1 KR 102658596B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
peripheral wall
cup
wall portion
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020170002242A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170084687A (ko
Inventor
지로 히가시지마
노부히로 오가타
유스케 하시모토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170084687A publication Critical patent/KR20170084687A/ko
Priority to KR1020240039482A priority Critical patent/KR20240041309A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102658596B1 publication Critical patent/KR102658596B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00—Methods preventing fouling
    • B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
    • B08B17/025—Prevention of fouling with liquids by means of devices for containing or collecting said liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0229—Suction chambers for aspirating the sprayed liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

[과제] 컵의 둘레벽부에 부착된 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법을 제공한다.
[해결수단] 실시형태의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 처리액 공급부와, 제1 컵과, 제2 컵과, 세정액 공급부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 처리액 공급부는, 기판에 대하여 제1 처리액 및 제2 처리액을 공급한다. 제1 컵은, 둘레벽부를 구비하고, 제1 처리액을 둘레벽부에 의해 형성된 회수부를 통해 회수한다. 제2 컵은, 제1 컵에 인접하여 배치되고, 제2 처리액을 회수한다. 세정액 공급부는, 제1 컵의 회수부에 세정액을 공급한다. 기판 처리 장치에 있어서는, 세정액 공급부에 의해 공급된 세정액을 둘레벽부로부터 제2 컵측으로 오버플로우시킴으로써 둘레벽부를 세정한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CLEANING SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시한 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼나 유리 기판과 같은 기판에 대하여, 미리 정해진 처리액을 공급하여 각종 처리를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
상기 기판 처리 장치에서는, 예를 들면, 기판으로부터 비산(飛散)되는 처리액을, 기판의 주위를 둘러싸도록 설치된 컵으로 받아서 배출하도록 하고 있다. 이러한 컵은, 예를 들면, 바닥부로부터 세워져 설치된 둘레벽부를 구비하고, 둘레벽부에 의해 형성되는 공간을 회수부로 하여 처리액을 회수하여 배출하도록 구성된다.
또한, 상기 기판 처리 장치에서는, 처리액이 복수종(複數種) 있는 경우, 처리액의 종류에 따라서 컵을 복수 구비하고 있다. 즉, 기판 처리 장치는, 기판에 제1 처리액, 제2 처리액을 공급하는 경우, 제1 처리액을 회수하는 제1 컵과, 제1 컵에 인접하여 배치되어 제2 처리액을 회수하는 제2 컵을 구비하고 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2013-089628호 공보
그러나, 상기 기판 처리 장치에서는, 각종 처리후에 처리액을 배출할 때, 예를 들면, 제1 처리액의 일부가 제1 컵에 잔류하는 경우가 있다. 마찬가지로, 제2 처리액도 일부가 제2 컵에 잔류하는 경우가 있다. 이러한 경우, 기판 처리 장치에서, 잔류한 제1 처리액과 제2 처리액이 반응하여 결정 등의 이물질이 발생하여, 이물질이 제1 컵의 둘레벽부에 부착된다는 것을 알았다.
실시형태의 일양태는, 컵의 둘레벽부에 부착된 이물질을 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 처리액 공급부와, 제1 컵과, 제2 컵과, 세정액 공급부를 구비한다. 유지부는 기판을 유지한다. 처리액 공급부는, 상기 기판에 대하여 제1 처리액 및 제2 처리액을 공급한다. 제1 컵은, 둘레벽부를 구비하고, 제1 처리액을 상기 둘레벽부에 의해 형성된 회수부를 통해 회수한다. 제2 컵은, 상기 제1 컵에 인접하여 배치되고, 제2 처리액을 회수한다. 세정액 공급부는, 상기 제1 컵의 상기 회수부에 세정액을 공급한다. 기판 처리 장치에서는, 상기 세정액 공급부에 의해 공급된 세정액을 상기 둘레벽부로부터 상기 제2 컵측으로 오버플로우시킴으로써 상기 둘레벽부를 세정한다.
실시형태의 일양태에 의하면, 컵의 둘레벽부에 부착된 이물질을 제거할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 처리 유닛의 구체적인 구성예를 나타내는 모식 단면도이다.
도 4a는 세정액 공급부 등의 구성 및 세정 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4b는 세정 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4c는 세정 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 6은 기판 처리 시스템에서 실행되는 제1 둘레벽부 등의 세정 처리의 처리 순서의 일례를 나타내는 플로우차트이다.
도 7은 제1∼제3 변형예에서의 처리 유닛의 구성예를 나타내는 모식 단면도이다.
도 8은 제2 실시형태에서의 세정액 공급부 등의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<1. 기판 처리 시스템의 구성>
(제1 실시형태)
도 1은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.
반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷옵티컬디스크(MO), 메모리카드 등이 있다.
상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
다음으로, 기판 처리 시스템(1)의 처리 유닛(16)의 개략 구성에 관해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는, 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)이 설치된다. FFU(21)는 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 수직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는 지주부(32)를 수직축 둘레에 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되어, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
<2. 처리 유닛의 구체적 구성>
다음으로, 상기 처리 유닛(16)의 구성에 관해 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 3은, 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예를 나타내는 모식 단면도이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, FFU(21)에는, 밸브(22)를 통해 불활성 가스 공급원(23)이 접속된다. FFU(21)는, 불활성 가스 공급원(23)으로부터 공급되는 N2 가스 등의 불활성 가스를 다운플로우 가스로서 챔버(20) 내에 토출한다. 이와 같이, 다운플로우 가스로서 불활성 가스를 이용함으로써, 웨이퍼(W)가 산화하는 것을 방지할 수 있다.
기판 유지 기구(30)의 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 설치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다.
처리 유체 공급부(40)는, 노즐(41)과, 노즐(41)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다. 노즐(41)에는, 도시하지 않은 배관의 일단이 접속되고, 이러한 배관의 타단은 복수로 분기되어 있다. 그리고, 분기된 배관의 각 단부에는, 각각 알칼리계 처리액 공급원(70a), 산계(酸系) 처리액 공급원(70b), 유기계(有機系) 처리액 공급원(70c) 및 DIW 공급원(70d)이 접속된다. 또한, 각 공급원(70a∼70d)과 노즐(41)의 사이에는 밸브(60a∼60d)가 설치된다.
처리 유체 공급부(40)는, 상기 각 공급원(70a∼70d)으로부터 공급되는 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW(상온의 순수)를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 공급하여 웨이퍼(W)를 액처리한다.
또한, 상기에서는, 웨이퍼(W)의 표면을 액처리하도록 했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 웨이퍼(W)의 이면이나 주연부를 액처리하도록 구성해도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW가 하나의 노즐(41)로부터 공급되는 것으로 하지만, 처리 유체 공급부(40)는, 각 처리액에 대응하는 복수의 노즐을 구비하고 있어도 좋다.
유지부(31)의 주연부에는, 유지부(31)와 함께 일체적으로 회전하는 제1, 제2 회전컵(101, 102)이 설치된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 제2 회전컵(102)은 제1 회전컵(101)보다 내측에 배치된다.
이들 제1 회전컵(101)이나 제2 회전컵(102)은, 전체적으로는 링형으로 형성된다. 제1, 제2 회전컵(101, 102)은, 유지부(31)와 함께 회전되면, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 회수컵(50)으로 안내한다.
회수컵(50)은, 유지부(31)에 의해 유지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 회전 중심에 가까운 내측으로부터 순서대로, 제1 컵(50a)과 제2 컵(50b)과 제3 컵(50c)을 구비한다. 또한, 회수컵(50)은, 제1 컵(50a)의 내주측에, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 중심으로 하는 원통형의 내벽부(54d)를 구비한다.
제1∼제3 컵(50a∼50c) 및 내벽부(54d)는, 회수컵(50)의 바닥부(53)의 위에 설치된다. 구체적으로는, 제1 컵(50a)은, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a)를 구비한다.
제1 둘레벽부(54a)는, 바닥부(53)로부터 세워져 설치됨과 함께 통형상(예컨대 원통형)으로 형성된다. 제1 둘레벽부(54a)와 내벽부(54d)의 사이에는 공간이 형성되고, 이러한 공간은, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제1 배액홈(501a)이 된다. 제1 액수용부(55a)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)의 상측에 설치된다.
또한, 제1 컵(50a)은 제1 승강 기구(56)를 구비하고, 이러한 제1 승강 기구(56)에 의해 승강 가능하게 구성된다. 자세하게는, 제1 승강 기구(56)는, 제1 지지 부재(56a)와 제1 승강 구동부(56b)를 구비한다.
제1 지지 부재(56a)는, 복수(예컨대 3개. 도 3에서는 1개만 도시)의 길이가 긴 부재이다. 제1 지지 부재(56a)는, 제1 둘레벽부(54a) 내에 형성되는 삽입 관통 구멍에 이동 가능하게 삽입 관통된다. 또한, 제1 지지 부재(56a)로는, 예를 들면 원기둥형의 로드를 이용할 수 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니다.
제1 지지 부재(56a)는, 상단이 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)로부터 노출되도록 위치됨과 함께, 제1 액수용부(55a)의 하면에 접속되어 제1 액수용부(55a)를 하측으로부터 지지한다. 한편, 제1 지지 부재(56a)의 하단에는 제1 승강 구동부(56b)가 접속된다.
제1 승강 구동부(56b)는 제1 지지 부재(56a)를 예를 들면 Z축 방향으로 승강시키고, 이에 따라 제1 지지 부재(56a)는 제1 액수용부(55a)를 제1 둘레벽부(54a)에 대하여 승강시킨다. 또한, 제1 승강 구동부(56b)로는 에어 실린더를 이용할 수 있다. 또한, 제1 승강 구동부(56b)는 제어 장치(4)에 의해 제어된다.
제1 승강 구동부(56b)에 의해 구동되는 제1 액수용부(55a)는, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 받는 처리 위치와, 처리 위치로부터 하방측으로 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 이동되게 된다.
자세하게는, 제1 액수용부(55a)가 처리 위치에 있을 때, 제1 액수용부(55a)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로가 형성된다.
한편, 도 3에 나타낸 바와 같이, 내벽부(54d)는, 유지부(31)의 주연부를 향해 경사지도록 하여 연장되어 설치되는 연장 설치부(54d1)를 구비한다. 제1 액수용부(55a)는, 후퇴 위치에 있을 때, 내벽부(54d)의 연장 설치부(54d1)에 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로가 폐색된다.
제2 컵(50b)은, 제1 컵(50a)과 동일한 구성이다. 구체적으로는, 제2 컵(50b)은, 제2 둘레벽부(54b)와 제2 액수용부(55b)와 제2 승강 기구(57)를 구비하고, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a)측에 인접하여 배치된다.
제2 둘레벽부(54b)는, 바닥부(53)에 있어서 제1 둘레벽부(54a)의 외주측에 세워져 설치되고, 통형상으로 형성된다. 그리고, 제2 둘레벽부(54b)와 제1 둘레벽부(54a) 사이에 형성되는 공간이, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제2 배액홈(501b)이 된다.
제2 액수용부(55b)는, 제1 액수용부(55a)의 외주측에 위치됨과 함께, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)의 상측에 설치된다.
제2 승강 기구(57)는, 제2 지지 부재(57a)와 제2 승강 구동부(57b)를 구비한다. 제2 지지 부재(57a)는, 복수(예컨대 3개. 도 3에서는 1개만 도시)의 길이가 긴 부재이며, 제2 둘레벽부(54b) 내에 형성되는 삽입 관통 구멍에 이동 가능하게 삽입 관통된다. 또한, 제2 지지 부재(57a)로는, 예를 들면 원기둥형의 로드를 이용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
제2 지지 부재(57a)는, 상단이 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)으로부터 노출되도록 위치됨과 함께, 제2 액수용부(55b)의 하면에 접속되어 제2 액수용부(55b)를 하측으로부터 지지한다. 또한, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 대하여 수직 방향에 있어서 하측이 되도록 위치된다.
제2 지지 부재(57a)의 하단에는 제2 승강 구동부(57b)가 접속된다. 제2 승강 구동부(57b)는, 제2 지지 부재(57a)를 예를 들면 Z축 방향으로 승강시킨다. 이에 따라, 제2 지지 부재(57a)는, 제2 액수용부(55b)를 제2 둘레벽부(54b)에 대하여 승강시킨다.
또한, 제2 승강 구동부(57b)로는 에어 실린더를 이용할 수 있다. 또한, 제2 승강 구동부(57b)도 제어 장치(4)에 의해 제어된다.
그리고, 제2 액수용부(55b)도 처리 위치와 후퇴 위치의 사이에서 이동되게 된다. 자세하게는, 제2 액수용부(55b)가 처리 위치에 있고, 또한, 제1 액수용부(55a)가 후퇴 위치에 있을 때, 제2 액수용부(55b)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로가 형성된다.
한편, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제2 액수용부(55b)는, 후퇴 위치에 있을 때 제1 액수용부(55a)에 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로가 폐색된다. 또한, 상기에서는, 후퇴 위치의 제2 액수용부(55b)는 제1 액수용부(55a)에 접촉하도록 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 내벽부(54d)에 접촉하여 상단 내측의 개구를 폐쇄하도록 해도 좋다.
제3 컵(50c)은, 제3 둘레벽부(54c)와 제3 액수용부(55c)를 구비하고, 제2 컵(50b)에 대하여 제1 컵(50a)과는 반대측에 인접하여 배치된다. 제3 둘레벽부(54c)는, 바닥부(53)에서 제2 둘레벽부(54b)의 외주측에 세워져 설치되고, 통형상으로 형성된다. 그리고, 제3 둘레벽부(54c)와 제2 둘레벽부(54b) 사이의 공간이, 처리액 등을 회수하여 배출하기 위한 제3 배액홈(501c)이 된다.
제3 액수용부(55c)는, 제3 둘레벽부(54c)의 상단으로부터 연속하도록 형성된다. 제3 액수용부(55c)는, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러쌈과 함께, 제1 액수용부(55a)나 제2 액수용부(55b)의 상측까지 연장되도록 형성된다.
제3 액수용부(55c)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)가 함께 후퇴 위치에 있을 때, 제3 액수용부(55c)의 상단의 내측에 개구가 형성되고, 개구로부터 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로가 형성된다.
한편, 제3 액수용부(55c)는, 제2 액수용부(55b)가 상승된 위치에 있는 경우, 또는 제1 액수용부(55a) 및 제2 액수용부(55b)의 양방이 상승된 위치에 있는 경우, 제2 액수용부(55b)가 접촉하고, 상단 내측의 개구가 폐쇄되어 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로가 폐색된다.
상기 제1∼제3 컵(50a∼50c)에 대응하는 바닥부(53), 정확하게는 제1∼제3 배액홈(501a∼501c)에 대응하는 바닥부(53)에는 각각, 배액구(51a∼51c)가 회수컵(50)의 원주 방향을 따라서 간격을 두면서 형성된다.
여기서, 배액구(51a)로부터 배출되는 처리액이 산계 처리액, 배액구(51b)로부터 배출되는 처리액이 알칼리계 처리액, 배액구(51c)로부터 배출되는 처리액이 유기계 처리액인 경우를 예를 들어 설명한다. 또한, 상기 각 배액구(51a∼51c)로부터 배출되는 처리액의 종류는, 어디까지나 예시이며 한정되는 것이 아니다.
배액구(51a)는 배액관(91a)에 접속된다. 배액관(91a)은, 도중에 밸브(62a)가 개삽(介揷)되고, 이러한 밸브(62a)의 위치에서 제1 배액관(91a1)과 제2 배액관(91a2)으로 분기된다. 또한, 밸브(62a)로는, 예를 들면, 폐쇄 위치와, 배출 경로를 제1 배액관(91a1)측으로 개방하는 위치와, 제2 배액관(91a2)측으로 개방하는 위치의 사이에서 전환 가능한 크로스밸브를 이용할 수 있다.
상기 산계 처리액이 재이용 가능한 경우, 제1 배액관(91a1)은 산계 처리액 공급원(70b)(예를 들면 산계 처리액을 저류하는 탱크)에 접속되고, 배액을 산계 처리액 공급원(70b)으로 복귀시킨다. 즉, 제1 배액관(91a1)은 순환 라인으로서 기능한다. 또한, 제2 배액관(91a2)에 관해서는 후술한다.
배액구(51b)는 배액관(91b)에 접속된다. 배액관(91b)의 도중에는 밸브(62b)가 개삽된다. 또한, 배액구(51c)는 배액관(91c)에 접속된다. 배액관(91c)의 도중에는 밸브(62c)가 개삽된다. 또한, 밸브(62b, 62c)는 제어 장치(4)에 의해 제어된다.
그리고, 처리 유닛(16)은, 기판 처리를 행할 때, 기판 처리중의 각 처리에서 사용하는 처리액의 종류 등에 따라서, 제1 컵(50a)의 제1 액수용부(55a)나 제2 컵(50b)의 제2 액수용부(55b)를 승강시켜 배액구(51a∼51c)의 전환을 실행한다.
예를 들면, 산계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 기판 유지 기구(30)의 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 미리 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60b)를 개방한다.
이 때, 제어 장치(4)는 제1 컵(50a)을 상승시켜 놓는다. 즉, 제어 장치(4)는, 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 통해 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)를 상승시키고, 제1 액수용부(55a)를 처리 위치까지 상승시킴으로써, 제1 액수용부(55a)의 상단 내측의 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 산계 처리액은, 하측으로 흘러 제1 배액홈(501a)에 유입되게 된다.
또한, 제어 장치(4)는, 밸브(62a)를 제어하여 배출 경로를 제1 배액관(91a1)측에 개방하도록 해 놓는다. 이에 따라, 제1 배액홈(501a)에 유입된 산계 처리액은, 배액관(91a) 및 제1 배액관(91a1)을 통해 산계 처리액 공급원(70b)으로 복귀된다. 그리고, 산계 처리액 공급원(70b)에 복귀된 산계 처리액은, 웨이퍼(W)에 다시 공급된다. 이와 같이, 제1 컵(50a)은, 회수한 산계 처리액을 순환시켜 웨이퍼(W)에 다시 공급하는 순환 라인에 접속된다.
또한, 예를 들면 알칼리계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 동일하게 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 미리 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60a)를 개방한다.
이 때, 제어 장치(4)는 제2 컵(50b)만을 상승시켜 놓는다. 즉, 제어 장치(4)는, 제2 승강 구동부(57b)를 통해 제2 지지 부재(57a)를 상승시키고, 제2 액수용부(55b)를 처리 위치까지 상승시킴으로써, 제2 액수용부(55b)의 상단 내측의 개구로부터 제2 배액홈(501b)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 또한, 여기서 제1 컵(50a)은 하강하고 있는 것으로 한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 알칼리계 처리액은, 하측으로 흘러 제2 배액홈(501b)에 유입되게 된다.
또한, 제어 장치(4)는 밸브(62b)를 개방해 놓는다. 이에 따라, 제2 배액홈(501b)의 알칼리계 처리액은, 배액관(91b)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 배액관(91b)은, 회수한 제2 처리액을 처리 유닛(16) 외부로 배출하는 배액 라인으로서 기능한다. 즉, 제2 컵(50b)은 배액 라인에 접속되어 있다.
또한, 예를 들면 유기계 처리액을 웨이퍼(W)에 토출하여 웨이퍼(W)를 처리하는 경우, 제어 장치(4)는, 동일하게 구동부(33)를 제어하여 유지부(31)를 미리 정해진 회전 속도로 회전시킨 상태로 밸브(60c)를 개방한다.
이 때, 제어 장치(4)는 제1, 제2 컵(50a, 50b)을 하강시켜 놓는다(도 3 참조). 즉, 제어 장치(4)는, 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 통해 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)를 하강시키고, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)를 후퇴 위치까지 하강시킨다. 이와 같이 함으로써, 제3 액수용부(55c)의 상단 내측의 개구로부터 제3 배액홈(501c)으로 통하는 유로를 형성해 놓는다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 공급된 유기계 처리액은, 하측으로 흘러 제3 배액홈(501c)에 유입되게 된다.
또한, 제어 장치(4)는 밸브(62c)를 개방해 놓고, 따라서 제3 배액홈(501c)의 유기계 처리액은, 배액관(91c)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 제3 컵(50c)도, 회수한 제3 처리액을 처리 유닛(16) 외부로 배출하는 배액 라인(예를 들면 배액관(91c))에 접속되어 있다.
또한, 상기 산계 처리액, 알칼리계 처리액, 유기계 처리액 및 세정액의 배출 경로는 예시이며 한정되는 것이 아니다. 즉, 예를 들면, 각 배액구(51a∼51c)가 1개의 배액관에 접속되고, 1개의 배액관에, 산성이나 알칼리성과 같은 처리액의 성질에 따른 복수개의 밸브가 설치되고, 그 밸브의 위치로부터 배출 경로를 분기시켜도 좋다.
또한, 배액관(91b)에는, 제1 둘레벽부(54a)에서 제1 지지 부재(56a)가 삽입 관통된 삽입 관통 구멍과 연통하는 배액관(92a)이 접속된다. 배액관(92a)은, 제1 둘레벽부(54a)의 삽입 관통 구멍에 침입한 세정액(후술) 등을 배출하고, 이러한 세정액은, 배액관(91b)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다.
또한, 배액관(91c)에도, 제2 둘레벽부(54b)에서 제2 지지 부재(57a)가 삽입 관통된 삽입 관통 구멍과 연통하는 배액관(92b)이 접속된다. 배액관(92b)은, 제2 둘레벽부(54b)의 삽입 관통 구멍에 침입한 세정액 등을 배출하고, 이러한 세정액은, 배액관(91c)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다.
회수컵(50)의 바닥부(53), 제1 둘레벽부(54a) 및 제2 둘레벽부(54b)에는 각각 배기구(52a, 52b, 52c)가 형성된다. 또한, 배기구(52a, 52b, 52c)는 1개의 배기관에 접속되고, 이러한 배기관은 배기의 하류측에서 제1∼제3 배기관(93a∼93c)으로 분기된다. 또한, 제1 배기관(93a)에는 밸브(64a)가 개삽되고, 제2 배기관(93b)에는 밸브(64b)가, 제3 배기관(93c)에는 밸브(64c)가 개삽된다.
제1 배기관(93a)은 산성의 배기용 배기관이고, 제2 배기관(93b)은 알칼리성의 배기용, 제3 배기관(93c)은 유기계 배기용의 배기관이다. 이들은, 기판 처리의 각 처리에 따라서 제어 장치(4)에 의해 전환된다.
예를 들면, 산성의 배기를 생성하는 처리의 실행시에는, 제1 배기관(93a)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64a)를 통해 산성의 배기가 배출된다. 마찬가지로, 알칼리성의 배기를 생성하는 처리의 경우, 제2 배기관(93b)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64b)를 통해 알칼리성의 배기가 배출된다. 또한, 유기계 배기를 생성하는 처리의 경우, 제3 배기관(93c)으로의 전환이 제어 장치(4)에 의해 행해지고, 밸브(64c)를 통해 유기계 배기가 배출된다.
이하, 본 실시형태에서는, 산계 처리액으로서 SPM(황산과 과산화수소수의 혼합액)이 이용되는 것으로 한다. 또한, 알칼리계 처리액으로는 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액), 유기계 처리액으로는 IPA(이소프로필알콜)이 이용되는 것으로 한다.
또한, SPM은 제1 처리액의 일례이며, 또한 SC1은 제2 처리액, IPA는 제3 처리액의 일례이다. 또한, 산계 처리액, 알칼리계 처리액 및 유기계 처리액의 종류는, 이들에 한정되는 것은 아니다.
그런데, 상기와 같이, 처리 유닛(16)에 있어서 SPM과 SC1이 사용되면, 예를 들면 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a) 등에 결정 등의 이물질이 부착된다는 것을 알았다.
자세하게는, 예를 들면, SC1에 의해 웨이퍼(W)가 처리되는 경우, 웨이퍼(W)에 공급된 SC1은 제2 컵(50b)에 의해 회수된 후, 배액관(91b)을 통해 배출된다. 또한, SPM에 의한 처리가 행해지면, 웨이퍼(W)에 공급된 SPM은 제1 컵(50a)에 의해 회수된 후 배액관(91a)을 통해 배출된다.
그러나, 각 처리액의 배출 환경 등에 따라서는, SC1이나 SPM의 일부가 제1, 제2 컵(50a, 50b) 내에 잔류하는 경우가 있다. 이러한 경우, 잔류한 SC1과 SPM이 반응하여 결정이 발생하는 경우가 있다.
구체적으로는, SC1의 암모니아 성분과 SPM의 황산 성분이 반응하여 황산암모늄의 결정이 발생하는 경우가 있고, 이러한 결정은 이물질로서 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a) 등에 부착된다는 것을 알았다. 또한, 상기한 바와 같은 결정은, SC1과 SPM의 조합에 한정되지 않고, 그 밖의 종류의 처리액의 조합에서도 생길 수 있다.
따라서, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a) 등에 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 구비하는 구성으로 했다. 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a) 등에 부착된 결정 등의 이물질을 제거할 수 있다.
<3. 세정액 공급부의 구체적 구성>
이하, 제1 둘레벽부(54a) 등에 세정액을 공급하는 세정액 공급부(80)에 관해 도 4a 이후를 참조하여 자세히 설명한다. 도 4a는, 세정액 공급부(80) 및 제1∼제3 컵(50a∼50c)의 구성을 설명하기 위한 모식 확대 단면도이다.
도 4a에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)의 세정액 공급부(80)는, 세정액 공급관(81a)과 밸브(82a)를 구비한다. 세정액 공급관(81a)은, 일단이 세정액 공급원(83)에 접속되는 한편, 타단이 제1 컵(50a)의 배액관(91a)에 접속된다. 자세하게는, 밸브(62a)는, 배액관(91a)에서의 SPM의 배출을 제어하기 위한 밸브이며, 상기 세정액 공급관(81a)의 타단은, 이러한 밸브(62a)보다 배액의 흐름 방향에서의 상류측의 배액관(91a)의 위치에 접속된다.
밸브(82a)는, 세정액 공급관(81a)에 설치되고, 제어 장치(4)에 의해 제어된다. 또한, 세정액 공급부(80)가 공급하는 세정액으로는, DIW를 이용할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
여기서, 세정액 공급관(81a)의 접속선(接續先)인 배액관(91a)에 관해 설명한다. 배액관(91a)을 흐르는 SPM(산계 처리액)은, 전술한 바와 같이 재이용 가능하기 때문에, 산계 처리액 공급원(70b)으로 복귀되어, 산계 처리액 공급원(70b)으로부터 웨이퍼(W)에 다시 공급된다.
구체적으로는, 도 4a에 나타낸 바와 같이, 처리 유체 공급부(40)의 산계 처리액 공급원(70b)은, SPM을 저류하는 탱크(110)와, 탱크(110)와 노즐(41)을 접속하는 순환 라인(111)을 갖고 있다.
탱크(110)에는, 상기 배액관(91a)의 후류측에 있는 제1 배액관(91a1)의 단부가 접속되고, 제1 배액관(91a1)을 흐르는 SPM이 탱크(110) 내에 유입되어 저류된다. 또한, 탱크(110)에는, SPM을 보충하는 보충부(114)가 접속됨과 함께, 탱크(110) 내의 SPM을 폐기하기 위한 드레인부(115)도 접속된다.
순환 라인(111)에는 펌프(112)가 설치되어 있다. 펌프(112)는, 탱크(110)로부터 나오는 SPM을 노즐(41)을 향해 압송한다. 또한, 펌프(112)의 하류측에 있어서 순환 라인(111)에는, SPM에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거하는 필터(113)가 설치되어 있다. 필요에 따라서, 순환 라인(111)에 보조 기계류(예를 들면 히터 등)를 더 설치해도 좋다.
다음으로, 제1 컵(50a) 및 제2 컵(50b)의 구성에 관해 더 설명한다. 도 4a에 나타낸 바와 같이, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a) 내에는, 상기한 바와 같이, 제1 지지 부재(56a)가 삽입 관통되는 삽입 관통 구멍(59a)이 형성된다. 이러한 삽입 관통 구멍(59a)은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 형성되는 개구부(59a1)를 갖고 있다.
또한, 제1 컵(50a)에 있어서, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a) 사이, 자세하게는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)과, 상면(54a1)과 대향하는 부위인 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)의 사이에는, 공간이 형성된다. 이러한 공간에는 세정액이 유통되지만, 이것에 관해서는 후술한다. 또한, 제1 둘레벽부(54a)는 둘레벽부의 일례이며, 제1 액수용부(55a)는 액수용부의 일례이다.
제2 컵(50b)의 제2 둘레벽부(54b) 내에도, 제2 지지 부재(57a)가 삽입 관통되는 삽입 관통 구멍(59b)이 형성된다. 제2 둘레벽부(54b)의 삽입 관통 구멍(59b)은, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)에 형성되는 개구부(59b1)를 갖고 있다.
또한, 제2 컵(50b)에 있어서, 제2 둘레벽부(54b)와 제2 액수용부(55b) 사이, 자세하게는, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)과, 상면(54b1)과 대향하는 부위인 제2 액수용부(55b)의 하면(55b1)의 사이에도, 세정액이 유통 가능한 공간이 형성된다.
그리고, 상기와 같이 구성된 제1 둘레벽부(54a) 등에 대하여 세정 처리가 행해진다. 또한, 도 4a 및 도 4b, 도 4c는, 본 실시형태에서의 세정 처리를 설명하기 위한 도면이다.
상세히 설명하면, 제어 장치(4)는, 제1 둘레벽부(54a) 등의 세정 처리를 행할 때 밸브(82a)를 개방한다. 또한, 이 때 제어 장치(4)는, 밸브(62a), 밸브(62b) 및 밸브(62c)를 폐쇄하는 것으로 한다.
이에 따라, 도 4a에 나타낸 바와 같이, 세정액 공급원(83)의 세정액(L)은, 세정액 공급관(81a), 밸브(82a), 배액관(91a)을 통과하여 배액구(51a)로부터 제1 배액홈(501a)에 토출된다. 이와 같이, 세정액 공급부(80)는, 밸브(62a) 등이 폐쇄되어 있을 때에, 배액관(91a)으로부터 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 세정액(L)을 공급한다. 또한, 제1 배액홈(501a)은 회수부의 일례이다.
그리고, 세정액 공급부(80)에 의해 공급된 세정액(L)은, 제1 배액홈(501a)에 저류되고, 수위가 서서히 상승한다. 또한 세정액 공급부(80)에 의해 세정액(L)이 공급되고, 세정액(L)의 수위가 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)까지 도달하면, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 세정액(L)은 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 타고 넘어, 제1 둘레벽부(54a)로부터 제2 컵(50b)측으로 오버플로우한다. 또한, 오버플로우된 세정액(L)은, 제2 컵(50b)의 제2 배액홈(501b)에 저류되고, 수위가 서서히 상승한다.
이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)나 측면이 세정액(L)에 의해 세정되고, 따라서 제1 둘레벽부(54a)에 부착된 결정 등의 이물질을 제거할 수 있다. 또한, 황산암모늄의 결정은 비교적 높은 수용성을 갖기 때문에, 세정액(L)에 용출되면서 제거되게 된다.
또한, 상기와 같이, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a) 사이에는 공간이 형성되어 있기 때문에, 세정액(L)은, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a) 사이를 유통하면서, 제1 둘레벽부(54a)로부터 제2 컵(50b)측으로 오버플로우하게 된다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 세정액 공급부(80)에 의해 공급된 세정액(L)을, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a)의 사이로부터 제2 컵(50b)측으로 오버플로우시킨다. 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a) 사이에 존재하는 이물질도 제거할 수 있다.
또한, 제1 액수용부(55a)는, 제1 둘레벽부(54a)로부터 세정액(L)을 오버플로우시킬 때에, 제1 액수용부(55a) 중 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)과 대향하는 부위가 세정액(L)에 의해 세정될 정도로 하강되어 있도록 해도 좋다. 즉, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 제1 액수용부(55a)가 하강된 후퇴 위치에 있는 경우, 제1 둘레벽부(54a)로부터 오버플로우하는 세정액(L)은, 제1 액수용부(55a) 중 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)과 대향하는 부위, 즉 하면(55a1)에 공급된다. 이에 따라, 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)을 세정하여, 부착된 이물질을 제거할 수 있다.
또한, 상기 「제1 액수용부(55a)는, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)과 대향하는 부위가 세정액(L)에 의해 세정될 정도로 하강되어 있다」란, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)과 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1)의 이격 거리가, 하면(55a1)에 세정액(L)이 튀는 거리까지, 제1 액수용부(55a)를 하강시키는 것을 의미하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)이나 제1 액수용부(55a)의 하면(55a1), 제1 둘레벽부(54a)와 제1 액수용부(55a) 사이 등의 각 부위는, 제1 컵(50a)에 잔류한 SPM과 제2 컵(50b)에 잔류한 SC1이 혼합한 액이 부착되기 쉬운 부위이다. 본 실시형태에서는, 그와 같은 SPM과 SC1이 혼합한 액이 부착되어 결정이 발생할 우려가 있는 부위에 대하여, 세정액(L)을 공급하여 세정을 행하도록 하고 있다.
즉, 본 실시형태에서는, 제1 둘레벽부(54a)에서 세정액 공급부(80)에 의해 세정되는 부위는, SPM(제1 처리액)과 SC1(제2 처리액)이 혼합한 액이 부착되는 부위를 포함하도록 했다. 이에 따라, 제1 둘레벽부(54a) 등에서 결정 등의 이물질이 부착되기 쉬운 부위를 세정할 수 있어, 이물질을 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 상기 결정 등의 이물질은, 예를 들면 제1 지지 부재(56a) 등 제1 둘레벽부(54a) 이외에도 부착되는 경우가 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 세정액 공급부(80)는, 제1 지지 부재(56a)에도 세정액(L)을 공급하여 세정하도록 했다.
자세하게는, 본 실시형태에 따른 삽입 관통 구멍(59a)은, 상기와 같이, 개구부(59a1)가 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 형성된다. 따라서, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)을 흘러 제2 컵(50b)에 오버플로우하는 세정액(L)은, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 상면(54a1)으로부터 개구부(59a1)를 통해 삽입 관통 구멍(59a)에 유입되어, 삽입 관통 구멍(59a) 내에 머무르게 된다. 이에 따라, 제1 지지 부재(56a)의 외주 및 삽입 관통 구멍(59a)을 세정하는 것이 가능해져, 제1 지지 부재(56a)의 외주나 삽입 관통 구멍(59a)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다.
또한, 상기에서는, 제1 액수용부(55a)를 하강시킨 상태로 세정 처리가 행해지는 경우를 예를 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 제1 액수용부(55a)를 상승시킨 상태로 세정 처리가 행해지도록 해도 좋다.
또한, 제어 장치(4)는, 제1 승강 구동부(56b)를 제어하여 제1 지지 부재(56a)를 승강시키고, 제1 액수용부(55a)를 상하 이동시키면서 세정 처리가 행해지도록 해도 좋다. 이에 따라, 제1 지지 부재(56a)는, 세정액(L)으로 채워진 삽입 관통 구멍(59a) 내를 이동하게 되고, 따라서 제1 지지 부재(56a)의 외주에 부착된 이물질을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 세정액 공급부(80)로부터 세정액(L)이 공급되면, 제2 배액홈(501b)에서의 세정액(L)의 수위가 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)까지 도달한다. 또한, 제2 배액홈(501b)은 제2 회수부의 일례이다.
이에 따라, 세정액(L)은, 도 4c에 나타낸 바와 같이, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)을 타고 넘어, 제2 둘레벽부(54b)로부터 제3 컵(50c)측으로 오버플로우한다. 또한, 오버플로우된 세정액(L)은, 제3 컵(50c)의 제3 배액홈(501c)에 저류된다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 제1 액수용부(55a)로부터 제2 컵(50b)측으로 오버플로우한 세정액(L)은, 제2 컵(50b)의 제2 배액홈(501b)에 의해 회수된다. 그리고, 회수된 세정액(L)의 일부를 제2 둘레벽부(54b)로부터 제3 컵(50c)측으로 오버플로우시킨다.
이에 따라, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)이나 측면이 세정액(L)에 의해 세정되고, 따라서 제2 둘레벽부(54b)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다. 또한, 세정액(L)은, 제1 둘레벽부(54a)와 마찬가지로, 제2 둘레벽부(54b)와 제2 액수용부(55b) 사이를 유통하기 때문에, 제2 둘레벽부(54b)와 제2 액수용부(55b) 사이에 존재하는 이물질도 제거할 수 있다.
또한, 제2 액수용부(55b)는, 제2 둘레벽부(54b)로부터 세정액(L)을 오버플로우시킬 때에, 제2 액수용부(55b) 중 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)과 대향하는 부위(하면(55b1))가 세정액(L)에 의해 세정될 정도로 하강되어 있도록 해도 좋다. 즉, 도 4c에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 제2 액수용부(55b)가 하강된 후퇴 위치에 있는 경우, 제2 둘레벽부(54b)로부터 오버플로우하는 세정액(L)은, 제2 액수용부(55b)의 하면(55b1)에 공급된다. 이에 따라, 제2 액수용부(55b)의 하면(55b1)에 부착된 이물질도 제거할 수 있다.
또한, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)을 흘러 제3 컵(50c)에 오버플로우하는 세정액(L)은, 도 4c에 나타낸 바와 같이, 상면(54b1)으로부터 개구부(59b1)를 통해 삽입 관통 구멍(59b)에 유입되어, 삽입 관통 구멍(59b) 내에 머무른다. 이에 따라, 제2 지지 부재(57a)의 외주 및 삽입 관통 구멍(59b)을 세정하는 것이 가능해져, 제2 지지 부재(57a)의 외주나 삽입 관통 구멍(59b)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다.
또한, 제2 액수용부(55b)에서도 제1 액수용부(55a)와 마찬가지로, 상승시킨 상태로 세정 처리가 행해지도록 해도 좋고, 또한 상하 이동시키면서 세정 처리가 행해지도록 해도 좋다.
또한, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 상기와 같이 구성함으로써, SC1나 IPA를 포함하는 세정후의 세정액(L)이, SPM의 공급원인 산계 처리액 공급원(70b)에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
자세하게는, 세정액 공급부(80)는, SPM의 순환 라인으로서 기능하는 배액관(91a)이 접속되는 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 대하여 세정액(L)을 공급한다. 그리고, 제1 컵(50a)에 공급된 세정액(L)은, 배액 라인으로서 기능하는 배액관(91b, 91c)이 접속되는 제2 컵(50b), 제3 컵(50c)으로 순차적으로 오버플로우한다.
그 때문에, 예를 들면 제2 배액홈(501b)에 머무른 SC1을 포함하는 세정후의 세정액(L)은, 제2 컵(50b)으로부터 제3 컵(50c)으로 흐르지만, 제1 컵(50a)에는 유입되지 않는다. 마찬가지로, 제3 배액홈(501c)에 머무른 IPA를 포함하는 세정후의 세정액(L)은 제3 컵(50c)에 머무르고, 제3 컵(50c)으로부터 제2 컵(50b)이나 제1 컵(50a)으로는 유입되지 않는다.
이에 따라, SC1나 IPA를 포함하는 세정후의 세정액(L)이, SPM의 공급원인 산계 처리액 공급원(70b)에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이와 같이, SPM의 공급원인 산계 처리액 공급원(70b)에 대하여 SC1나 IPA의 혼입을 방지할 수 있기 때문에, 회수한 SPM을 재이용하여 웨이퍼(W)에 다시 공급하는 것이 가능해진다.
또한, 상기와 같이, 제2 둘레벽부(54b)의 상면(54b1)은, 제1 둘레벽부(54a)의 상면(54a1)에 대하여 수직 방향에 있어서 하측이 되도록 위치된다. 그 때문에, 제2 컵(50b)의 제2 배액홈(501b)에 머무른 세정후의 세정액(L)은, 제3 컵(50c)측으로 확실하게 오버플로우하여, 제1 컵(50a)측으로의 유입을 방지할 수 있다. 이에 따라, SC1 등을 포함하는 세정후의 세정액(L)이, SPM의 공급원인 산계 처리액 공급원(70b)에 유입되는 것을 한층 더 방지할 수 있다.
<4. 기판 처리 시스템의 구체적 동작>
다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 내용에 관해 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. 또한, 도 5에 나타내는 각 처리 순서는, 제어 장치(4)의 제어부(18)의 제어에 따라서 실행된다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는 우선 웨이퍼(W)의 반입 처리가 행해진다(단계 S1). 이러한 반입 처리에서는, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 유지부(31) 상에 웨이퍼(W)가 배치된 후, 유지부(31)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제1 약액 처리가 행해진다(단계 S2). 제1 약액 처리에서는, 제어부(18)는 우선 구동부(33)에 의해 유지부(31)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 계속해서, 제어부(18)는 밸브(60a)를 미리 정해진 시간 개방하여, SC1을 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면이 SC1에 의해 처리된다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제1 린스 처리가 행해진다(단계 S3). 이러한 제1 린스 처리에서는, 제어부(18)는 밸브(60d)를 미리 정해진 시간 개방하여, DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 잔존하는 SC1이 DIW에 의해 씻겨나간다.
다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제2 약액 처리가 행해진다(단계 S4). 이러한 제2 약액 처리에서는, 제어부(18)는 밸브(60b)를 미리 정해진 시간 개방하여, SPM을 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면이 SPM에 의해 처리된다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는 제2 린스 처리가 행해진다(단계 S5). 제2 린스 처리에서는, 제어부(18)는 밸브(60d)를 미리 정해진 시간 개방하여, DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에 잔존하는 SPM이 DIW에 의해 씻겨나간다.
다음으로, 처리 유닛(16)에서는 건조 처리가 행해진다(단계 S6). 이러한 건조 처리에서는, 제어부(18)는 밸브(60c)를 미리 정해진 시간 개방하여, IPA를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 DIW가, DIW보다 휘발성이 높은 IPA로 치환된다. 그 후, 웨이퍼(W) 상의 IPA를 털어내어 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는 반출 처리가 행해진다(단계 S7). 이러한 반출 처리에서는, 제어부(18)는 구동부(33)에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨 후, 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 이러한 반출 처리가 완료하면, 1장의 웨이퍼(W)에 관한 일련의 기판 처리가 완료한다.
다음으로, 처리 유닛(16)에서는 제1 둘레벽부(54a) 등을 세정하는 세정 처리가 행해진다(단계 S8). 또한, 이 세정 처리는, 1장의 웨이퍼(W)가 반출될 때마다 실행되는 것을 요하지 않는다. 즉, 세정 처리가 실행되는 타이밍은 임의로 설정하는 것이 가능하고, 예를 들면 복수매의 웨이퍼(W)에 관한 기판 처리를 행한 후에, 세정 처리를 1번 행하도록 해도 좋다. 또한, 단계 S8의 처리시에, 후술하는 기판 유지 기구(30)의 세정도 행하도록 해도 좋다.
제1 둘레벽부(54a) 등의 세정 처리에 관해, 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 제1 둘레벽부(54a) 등의 세정 처리의 처리 순서의 일례를 나타내는 플로우차트이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(4)의 제어부(18)는 밸브(62a, 62b, 62c)를 폐쇄한다(단계 S10). 계속해서, 제어부(18)는, 세정액 공급부(80)의 밸브(82a)를 개방하여, 세정액(L)을 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 공급한다(단계 S11). 이에 따라, 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에는 세정액(L)이 머무르고, 제1 배액홈(501a)에 저장된 세정액(L)은, 시간의 경과와 함께 제2 컵(50b), 제3 컵(50c)으로 오버플로우하여, 제1 둘레벽부(54a)나 제2 둘레벽부(54b) 등이 세정된다.
다음으로, 제어부(18)는, 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)에 의해 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)를 구동시켜, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)를 승강시킨다(단계 S12). 이와 같이, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)를 승강시킴으로써, 제1, 제2 지지 부재(56a, 57a)는 세정액(L)으로 채워진 삽입 관통 구멍(59a, 59b) 내를 이동하여, 효율적으로 세정된다.
또한, 상기 단계 S12의 처리는 반드시 필요한 것은 아니며, 예를 들면 단계 S12의 처리를 행하지 않고, 제1, 제2 액수용부(55a, 55b)를 하강시킨 상태 또는 상승시킨 상태인 채로 제1 둘레벽부(54a) 등의 세정을 행해도 좋다.
계속해서, 제어부(18)는, 미리 정해진 시간이 경과하여 제1 둘레벽부(54a) 등의 세정이 완료하면, 세정액 공급부(80)의 밸브(82a)를 폐쇄하여, 세정액(L)의 제1 배액홈(501a)으로의 공급을 정지한다(단계 S13).
다음으로, 제어부(18)는 밸브(62a, 62b, 62c)를 개방한다(단계 S14). 또한, 단계 S14에서는, 밸브(62a)는, 배출 경로를 제2 배액관(91a2)측으로 개방하도록 개방되는 것으로 한다.
이에 따라, 제1 배액홈(501a)의 세정후의 세정액(L)은, 배액관(91a), 밸브(62a), 제2 배액관(91a2)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 제2 배액홈(501b) 및 삽입 관통 구멍(59a)의 세정후의 세정액(L)은, 배액관(91b)이나 배액관(92a)을 통해 밸브(62b)로 흘러, 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 마찬가지로, 제3 배액홈(501c) 및 삽입 관통 구멍(59b)의 세정후의 세정액(L)은, 배액관(91c)이나 배액관(92b)을 통해 밸브(62c)로 흘러, 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 이와 같이 하여, 제1 둘레벽부(54a) 등의 세정 처리가 완료한다.
또한, 상기에서는, 단계 S10에서 밸브(62a, 62b, 62c)를 폐쇄한 후, 단계 S11에서 세정액(L)의 공급을 개시하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 예를 들면, 단계 S10 및 단계 S11의 처리를 동시에 행하거나, 단계 S11의 처리의 후에 단계 S10의 처리를 행하거나 해도 좋다.
또한, 단계 S13에서 세정액(L)의 공급을 정지한 후, 단계 S14에서 밸브(62a, 62b, 62c)를 개방하도록 했지만, 이것에 한정되지 않고, 단계 S13, S14의 처리를 동시에 행해도 좋고, 단계 S14, S13의 순으로 처리를 행해도 좋다.
또한, 상기에서는, 밸브(62c)를 폐쇄하여 세정 처리를 행하도록 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 밸브(62c)를 개방하여, 제3 컵(50c)이나 삽입 관통 구멍(59b)에 유입되는 세정후의 세정액(L)을 순차적으로 배출하면서 세정 처리를 행해도 좋다.
또한, 세정액 공급부(80)로부터 제1 배액홈(501a)에 공급되는 세정액(L)의 공급량이, 배액관(91a, 91b, 91c)으로부터 배출되는 세정액(L)의 배출량보다 커지도록 설정되어도 좋다. 이와 같이 세정액(L)의 공급량을 설정하면, 밸브(62a, 62b, 62c)를 개방한 상태라 하더라도, 세정액(L)은 제1 컵(50a)으로부터 제2 컵(50b), 제3 컵(50c)으로 오버플로우하여, 제1 둘레벽부(54a) 등을 세정할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 유지부(31)와, 처리 유체 공급부(40)(「처리액 공급부」의 일례에 상당)와, 제1 컵(50a)과, 제2 컵(50b)과, 세정액 공급부(80)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 유지한다. 처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 SPM(제1 처리액) 및 SC1(제2 처리액)을 공급한다.
제1 컵(50a)은, 제1 둘레벽부(54a)를 구비하고, SPM을 제1 둘레벽부(54a)에 의해 형성된 제1 배액홈(501a)에서 회수한다. 제2 컵(50b)은, 제1 컵(50a)에 인접하여 배치되고, SC1을 회수한다. 세정액 공급부(80)는, 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 세정액(L)을 공급한다. 처리 유닛(16)에서는, 세정액 공급부(80)에 의해 공급된 세정액(L)을 제1 둘레벽부(54a)로부터 제2 컵(50b)측으로 오버플로우시킴으로써 제1 둘레벽부(54a)를 세정한다. 이에 따라, 제1 컵(50a)의 제1 둘레벽부(54a)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다.
또한, 세정액 공급부(80)는, 밸브(62a)가 폐쇄되어 있을 때에, 배액관(91a)으로부터 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)으로 세정액(L)을 공급하도록 했다. 이에 따라, 예를 들면 배액관(91a)에 세정액 공급관(81a)을 접속한다고 하는 간편한 구성으로, 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)으로 세정액(L)을 공급할 수 있다.
또한, 상기에서는, 배액관(91a)으로부터 제1 배액홈(501a)으로 세정액(L)이 공급되도록 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉, 도시는 생략하지만, 예를 들면 제1 배액홈(501a)을 향하는 위치에 노즐을 배치하고, 이러한 노즐로부터 제1 배액홈(501a)에 직접 세정액(L)이 공급되는 구성이어도 좋다.
<5. 변형예>
다음으로, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 제1∼제3 변형예에 관해 설명한다. 제1∼제3 변형예에서의 처리 유닛(16)에서는, 제1 배액홈(501a)까지의 세정액(L)의 공급 경로를 변경하도록 했다.
도 7은, 제1∼제3 변형예에서의 처리 유닛(16)의 구성예를 나타내는 모식 단면도이다. 또한, 제1∼제3 변형예에서는, 제1 실시형태에서의 세정액 공급관(81a)이나 밸브(82a) 등은 제거되어 있는 것으로 한다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제1 변형예에서는, 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 기판용 세정액을, 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 공급하도록 했다.
구체적으로는, 제1 변형예에서의 세정액 공급부(80)는, 기판용 세정액을 토출하는 노즐(41)을 포함하도록 구성된다. 또한, 노즐(41)은 기판용 노즐의 일례이다. 그리고, 세정 처리시에, 제어 장치(4)의 제어부(18)는 제1, 제2 컵(50a, 50b)을 상승시켜, 제1 액수용부(55a)를 처리 위치로 함으로써, 제1 액수용부(55a)의 상단 내측의 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로를 형성한다.
그리고, 제어부(18)는, 밸브(60d)를 개방하여, DIW 공급원(70d)으로부터 공급되는 기판용 세정액(DIW)을 노즐(41)로부터 유지부(31)에 공급한다. 이 때 제어부(18)는, 구동부(33)(도 3 참조)에 의해 유지부(31)를 회전시켜 놓는다.
이에 따라, 도 7에 파선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 노즐(41)로부터 유지부(31)에 공급된 기판용 세정액은, 유지부(31)의 회전에 따르는 원심력에 의해 유지부(31)의 외주 외측을 향해 털어내어지고, 제1 액수용부(55a)는, 유지부(31)로부터 비산된 기판용 세정액을 받는다. 제1 액수용부(55a)에서 받은 기판용 세정액은, 하측으로 흘러 제1 배액홈(501a)에 유입되고, 유입된 기판용 세정액은, 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 이용된다.
이와 같이, 제1 변형예에서는, 처리 유체 공급부(40)가 세정액 공급부(80)로서 기능하고, 세정액 공급부(80)의 노즐(41)은, 기판용 세정액을 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 제1 배액홈(501a)에 공급하는 것으로 했다. 이에 따라, 제1 변형예에서는, 기존의 DIW 공급원(70d)이나 노즐(41) 등을 이용하여, 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 세정액(L)을 공급할 수 있다.
다음으로, 제2 변형예 및 제3 변형예에 관해 설명한다. 제2, 제3 변형예에서는, 유지부(31)를 포함하는 기판 유지 기구(30)를 세정하기 위한 유지 기구용 세정액을, 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 공급하도록 했다.
구체적으로는, 제2, 제3 변형예에 따른 처리 유닛(16)에 있어서, 세정액 공급부(80)는, 예를 들면 상기 기판 처리의 각 처리가 행해지지 않은 타이밍에, 기판 유지 기구(30) 등에 대하여 유지 기구용 세정액을 공급하여, 기판 유지 기구(30) 등의 세정을 행한다.
자세하게는, 세정액 공급부(80)는, 노즐(84, 85)과, 세정액 공급관(81b, 81c)과, 밸브(82b, 82c)를 구비한다. 노즐(84)은, 지주부(32)를 향하는 위치에 배치된다. 노즐(84)은, 세정액 공급관(81b), 밸브(82b)를 통해 세정액 공급원(83)에 접속된다.
노즐(85)은, 유지부(31)의 이면을 세정하기 위한 노즐이며, 예를 들면 내벽부(54d)의 상단 부근에 배치된다. 또한, 노즐(85)은 제1∼제3 노즐(85a∼85c)을 포함한다.
제1 노즐(85a)은, 예를 들면 유지부(31)의 이면에서의 중심부 부근을 향하는 위치에 배치된다. 또한, 제2 노즐(85b)은 유지부(31)의 이면의 중심부 부근보다 외주측을, 제3 노즐(85c)은 유지부(31)의 이면에서의 주연부 부근을 향하는 위치에 배치된다. 즉, 유지부(31)의 이면을 중심부로부터 주연부측을 향해 3개의 영역으로 나누고, 각 영역에 대하여 제1∼제3 노즐(85a∼85c)이 향해지도록 했다.
또한, 제1∼제3 노즐(85a∼85c)은, 세정액 공급관(81c) 및 밸브(82c)를 통해 세정액 공급원(83)에 접속된다. 또한, 도 3에 나타내는 예에서는, 제1∼제3 노즐(85a∼85c)은, 도중에 분기된 세정액 공급관(81c)에 접속되도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 제1∼제3 노즐(85a∼85c)이 각각 별개의 세정액 공급관에 접속되어도 좋다. 또한, 상기에서는, 노즐(85)이 3개의 노즐(85a∼85c)을 포함하도록 구성했지만, 노즐의 갯수는 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 노즐(84, 85)은, 유지 기구용 세정액을 토출하는 유지 기구용 노즐의 일례이다.
그리고, 제어 장치(4)는, 지주부(32)를 세정하는 처리를 행할 때, 밸브(82b)를 개방하여, 노즐(84)로부터 지주부(32) 등에 대하여 유지 기구용 세정액을 공급한다. 또한, 제어 장치(4)는, 유지부(31)의 이면을 세정하는 처리를 행할 때, 밸브(82c)를 개방하여, 노즐(85)로부터 유지부(31)의 이면에 대하여 유지 기구용 세정액을 공급한다.
그리고, 기판 유지 기구(30)를 세정한 후의 유지 기구용 세정액은, 내벽부(54d)의 내주측의 중앙 부근에 형성되는 중앙 배액홈(501d) 등에 떨어져, 중앙 배액홈(501d)으로부터 회수컵(50)의 바닥부(53)에 형성된 배액구(51d, 51e)를 통해 배출된다. 구체적으로는, 배액구(51d)는, 예를 들면 개구가 바닥부(53)에 있어서 내벽부(54d)보다 내주측에 설치되어, 중앙 배액홈(501d)에 흘러 떨어진 유지 기구용 세정액이 유입된다.
또한, 배액구(51e)는, 개구가 내벽부(54d)의 연장 설치부(54d1)의 기단 부근에 설치되고, 연장 설치부(54d1)로부터 흘러오는 유지 기구용 세정액이 유입된다. 배액구(51d)는 배액관(91d)에 접속되는 한편, 배액구(51e)는 배액관(91e)에 접속된다. 이들 배액관(91d, 91e)은, 상기 배액관(91a)에 있어서 밸브(62a)의 배액의 흐름 방향에서의 상류측의 위치에 접속되어 있다.
제어 장치(4)는, 기판 유지 기구(30)의 세정 처리시에, 밸브(62a)를 제어하여 배출 경로를 제2 배액관(91a2)측으로 개방해 놓는다. 이에 따라, 기판 유지 기구(30)를 세정한 후의 유지 기구용 세정액은, 배액구(51d)로부터 배액관(91d), 또는, 배액구(51e)로부터 배액관(91e)을 통해 배액관(91a)으로 흐르고, 그 후 밸브(62a), 제2 배액관(91a2)을 통해 처리 유닛(16)의 외부로 배출되게 된다.
이에 따라, 유지 기구용 세정액이 산계 처리액 공급원(70b)에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 산계 처리액의 배출 경로와 유지 기구용 세정액의 배출 경로를 일부 공통화함으로써, 처리 유닛(16)의 소형화도 도모할 수 있다.
제2, 제3 변형예에서는, 상기와 같이 구성된 처리 유닛(16)에서, 제1 둘레벽부(54a) 등의 세정 처리가 행해진다. 구체적으로는, 제2 변형예에서의 제어부(18)는, 밸브(82b)를 개방하여, 유지 기구용 세정액(DIW)을 노즐(84)로부터 지주부(32) 등으로 공급한다.
이에 따라, 도 7에 이점쇄선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 지주부(32) 등에 공급된 유지 기구용 세정액은, 중앙 배액홈(501d)에 떨어져 배액구(51d)로부터 배액관(91d)으로 흘러나온다. 또한, 제1 둘레벽부(54a) 등의 세정 처리에서는, 상기한 바와 같이 밸브(62a)는 폐쇄된다. 따라서, 중앙 배액홈(501d)으로부터 배액관(91d)으로 흘러나온 유지 기구용 세정액은, 배액관(91a)을 통과하여 배액구(51a)로부터 제1 배액홈(501a)에 유입되고, 유입된 유지 기구용 세정액은, 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 이용된다.
이와 같이, 제2 변형예에서는, 지주부(32) 등을 세정하는 노즐(84)이, 유지 기구용 세정액을 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 공급하도록 했다. 이에 따라, 지주부(32)를 세정하는 구성과 제1 둘레벽부(54a) 등을 세정하는 구성을 공통화할 수 있기 때문에, 처리 유닛(16)의 소형화나 저비용화를 도모할 수 있다.
다음으로, 제3 변형예에서의 처리 유닛(16)의 동작에 관해 설명한다. 제3 변형예에서의 제어부(18)는, 제1, 제2 컵(50a, 50b)을 상승시켜, 제1 액수용부(55a)를 처리 위치로 함으로써, 제1 액수용부(55a)의 상단 내측의 개구로부터 제1 배액홈(501a)으로 통하는 유로를 형성한다.
그리고, 제어부(18)는, 밸브(82c)를 개방하여, 세정액 공급원(83)으로부터 공급되는 유지 기구용 세정액(DIW)을 노즐(85)로부터 유지부(31)의 이면에 공급한다. 이 때 제어부(18)는, 구동부(33)에 의해 유지부(31)를 회전시켜 놓는다.
이에 따라, 도 7에 일점쇄선의 화살표로 나타낸 바와 같이, 유지부(31)의 이면에 공급된 유지 기구용 세정액은, 중앙 배액홈(501d)에 떨어져 배액구(51d)로부터 배액관(91d)으로 흘러나온다. 또한, 유지부(31)의 이면에 공급된 유지 기구용 세정액은, 연장 설치부(54d1)에도 떨어져, 연장 설치부(54d1)로부터 배액구(51e)를 통해 배액관(91e)으로 흘러나온다. 그리고, 배액관(91d, 91e)으로 흘러나온 유지 기구용 세정액은, 밸브(62a)가 폐쇄되어 있기 때문에, 배액관(91a)을 통과하여 배액구(51a)로부터 제1 배액홈(501a)으로 유입된다.
또한, 유지부(31)의 이면에 공급된 유지 기구용 세정액은, 유지부(31)의 회전에 따르는 원심력에 의해 유지부(31)의 외주 외측을 향해 털어내어지고, 제1 액수용부(55a)는, 유지부(31)의 이면으로부터 비산된 유지 기구용 세정액을 받는다. 제1 액수용부(55a)에서 받은 유지 기구용 세정액은, 하측으로 흘러 제1 배액홈(501a)에 유입된다. 상기와 같이 하여 제1 배액홈(501a)에 유입된 유지 기구용 세정액은, 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 이용된다.
이와 같이, 제3 변형예에서는, 유지부(31)의 이면을 세정하는 노즐(85)이, 유지 기구용 세정액을 제1 둘레벽부(54a)를 세정하는 세정액(L)으로서 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)에 공급하도록 했다. 이에 따라, 유지부(31)의 이면을 세정하는 구성과 제1 둘레벽부(54a) 등을 세정하는 구성을 공통화할 수 있기 때문에, 처리 유닛(16)의 소형화나 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 상기 제1 실시형태 및 제1∼제3 변형예에서의 제1 배액홈(501a)까지의 세정액(L)의 공급 경로는, 적절하게 조합해도 좋다. 즉, 예를 들면 제1 실시형태와 제1 변형예를 조합하여, 세정액 공급관(81a) 및 노즐(41)의 양쪽으로부터 제1 배액홈(501a)으로 세정액(L)을 공급하도록 해도 좋다.
또한, 상기 실시형태 및 각 변형예에서는, 제1 둘레벽부(54a) 및 제2 둘레벽부(54b)의 삽입 관통 구멍(59a, 59b)에 침입한 세정액(L)을 배출하기 위해 배액관(92a, 92b)을 설치했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 배액관(92a, 92b)을 설치하지 않고, 제1 둘레벽부(54a) 및 제2 둘레벽부(54b)의 삽입 관통 구멍(59a, 59b)에 침입한 세정액(L)을 바닥부(53)의 하부로부터 누출시켜, 챔버(20)의 바닥부에서 세정액(L)을 받도록 해도 좋다. 이 경우, 도 7에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 챔버(20)의 바닥부에 공통의 배액관(201)을 설치하여 제1 둘레벽부(54a) 및 제2 둘레벽부(54b)의 삽입 관통 구멍(59a, 59b)으로부터 받은 세정액(L)을 일괄적으로 배출시킨다. 이러한 구성으로 함으로써, 배액관(92a, 92b)을 설치하는 경우와 비교하여, 장치 구조를 간단히 할 수 있고, 또한 저비용으로 할 수 있다.
(제2 실시형태)
이어서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 관해 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 관해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복 설명을 생략한다.
제2 실시형태에서는, 세정액(L)을 가열하여 온도를 상승시킴으로써, 제1 둘레벽부(54a) 등에 부착된 이물질을 한층 더 제거할 수 있는 구성으로 했다. 도 8은, 제2 실시형태에서의 세정액 공급부(80) 등의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 탱크(110)에는 SPM이 저류된다. 이러한 SPM은, 황산과 과산화수소수가 혼합되었을 때의 화학 반응에 의한 반응열에 의해, 비교적 고온의 혼합액이 된다.
제2 실시형태에서, 탱크(110)에는, SPM(혼합액)과 세정액(L) 사이에서 열교환을 행하는 열교환부(200)가 설치된다. 열교환부(200)는, 탱크(100) 내에 설치됨과 함께, 세정액 공급관(81a)이 내부를 통과하도록 구성된다.
이에 따라, 열교환부(200)에서, 세정액 공급관(81a)의 세정액(L)은, 비교적 고온의 SPM에 의해 가열되어 승온된다. 승온된 세정액(L)은, 승온전과 비교해서 황산암모늄의 결정이 용출되기 쉬워지기 때문에, 승온된 세정액(L)을 세정 처리에 이용함으로써, 제1 둘레벽부(54a) 등에 부착된 결정 등의 이물질을 한층 더 제거할 수 있다.
또한, 상기에서는, 탱크(110)에 열교환부(200)를 설치하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 도시는 생략하지만, 예를 들면 물 등의 냉각 매체가 흐르는 냉매관이 탱크(110) 내에 배관되고, 이러한 냉매관과 세정액 공급관(81a)이 탱크(110) 밖에 설치된 열교환부에 접속되는 구성이어도 좋다. 상기 구성이라 하더라도, SPM과 세정액(L) 사이에서 열교환이 행해지게 되어, 세정액(L)을 가열하여 승온시킬 수 있다.
또한, 제2 실시형태에서는, 세정액 공급관(81a)을 흐르는 세정액(L)을 가열하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 제1∼제3 변형예에서, 세정액(L)으로서 이용되는 기판용 세정액이나 유지 기구용 세정액을 가열하도록 구성해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)으로부터, 제2 컵(50b), 제3 컵(50c)으로 세정액(L)을 오버플로우시키도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
즉, 제2 컵(50b)의 제2 배액홈(501b)으로부터 제1 컵(50a)이나 제3 컵(50c)으로 세정액(L)을 오버플로우시키거나, 제3 컵(50c)의 제3 배액홈(501c)으로부터 제2 컵(50b), 제1 컵(50a)으로 세정액(L)을 오버플로우시키거나 해도 좋다. 또한, 제1 컵(50a)의 제1 배액홈(501a)으로부터 제2 컵(50b)으로 세정액(L)을 오버플로우시키는 한편, 밸브(62b)를 개방하거나 하여, 제3 컵(50c)에는 세정액(L)을 오버플로우시키지 않는 구성이어도 좋다.
또한, 상기 처리 유닛(16)에서는, 산계 처리액을 제1 배액관(91a1)을 통해 회수하여 재이용하도록 했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 산계 처리액을 재이용하지 않는 구성이어도 좋다. 또한, 상기에서는, 제1 승강 구동부(56b)와 제2 승강 구동부(57b)를 별개의 부재로 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 제1, 제2 승강 구동부(56b, 57b)를 공통화시키도록 해도 좋다.
또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러가지 변경이 가능하다.
1 : 기판 처리 시스템
4 : 제어 장치
16 : 처리 유닛
18 : 제어부
30 : 기판 유지 기구
31 : 유지부
40 : 처리 유체 공급부
50 : 회수컵
50a : 제1 컵
50b : 제2 컵
50c : 제3 컵
54a : 제1 둘레벽부
54b : 제2 둘레벽부
55a : 제1 액수용부
55b : 제2 액수용부
56a : 제1 지지 부재
57a : 제2 지지 부재
59a : 삽입 관통 구멍
59b : 삽입 관통 구멍
70 : 처리 유체 공급원
80 : 세정액 공급부
111 : 순환 라인
200 : 열교환부

Claims (13)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 유지하는 유지부와,
    상기 기판에 대하여 제1 처리액 및 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    둘레벽부를 구비하고, 제1 처리액을 상기 둘레벽부에 의해 형성된 회수부에서 회수하는 제1 컵과,
    상기 제1 컵에 인접하여 배치되고, 제2 처리액을 회수하는 제2 컵과,
    상기 제1 컵의 상기 회수부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부
    를 구비하고,
    상기 제1 컵은,
    상기 유지부에 유지된 상기 기판의 주위를 둘러싸도록 상기 둘레벽부의 상측에 설치되어 상기 기판으로부터 비산된 제1 처리액을 받는 액수용부와,
    상기 액수용부를 지지하고, 상기 액수용부를 상기 둘레벽부에 대하여 승강시키는 지지 부재와,
    상기 둘레벽부 내에 형성되어 상기 지지 부재가 삽입 관통되는 삽입 관통 구멍
    을 구비하고,
    상기 삽입 관통 구멍에는, 도중에 삽입 관통 구멍용 밸브가 개삽(介揷)된 삽입 관통 구멍용 배액관이 접속되고,
    상기 세정액 공급부에 의해 공급된 세정액을 상기 둘레벽부로부터 상기 제2 컵측으로 오버플로우시킴으로써, 상기 둘레벽부를 세정하고, 상기 삽입 관통 구멍용 밸브가 폐쇄되어 있을 때에 상기 둘레벽부로부터 오버플로우시키는 세정액을 상기 삽입 관통 구멍에 유입시켜서 상기 삽입 관통 구멍 내에 저류시킴으로써, 상기 지지 부재를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정액 공급부에 의해 공급된 세정액을 상기 둘레벽부와 상기 액수용부의 사이로부터 상기 제2 컵측으로 오버플로우시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액수용부는 상기 둘레벽부에 대하여 승강 가능하고,
    상기 액수용부는,
    상기 둘레벽부로부터 세정액을 오버플로우시킬 때에, 상기 액수용부 중 상기 둘레벽부의 상면과 대향하는 부위가 세정액에 의해 세정될 정도로 하강되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액수용부는, 상기 지지 부재의 승강에 의해, 상기 둘레벽부에 대하여 승강 가능하고,
    상기 둘레벽부로부터 오버플로우한 세정액이 저류된 상기 삽입 관통 구멍 내에서 상기 지지 부재를 승강 시킴으로써, 상기 지지 부재를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 컵은,
    회수한 제1 처리액을 순환시켜 상기 기판에 다시 공급하는 순환 라인에 접속되고,
    상기 제2 컵은,
    회수한 제2 처리액을 장치 외부로 배출하는 배액 라인에 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 컵에 대하여 상기 제1 컵과는 반대측에 인접하여 배치되고, 상기 처리액 공급부로부터 공급된 제3 처리액을 회수하는 제3 컵
    을 구비하고,
    상기 제2 컵은,
    제2 둘레벽부와, 상기 제2 둘레벽부와 상기 둘레벽부에 의해 형성된 제2 회수부를 구비하고,
    상기 둘레벽부로부터 상기 제2 컵측으로 오버플로우한 세정액은, 상기 제2 컵의 상기 제2 회수부를 통해 회수되고,
    회수된 세정액의 일부를 상기 제2 둘레벽부로부터 상기 제3 컵측으로 오버플로우시킴으로써, 상기 제2 둘레벽부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회수부에 접속되고, 상기 회수부에 있어서 회수된 제1 처리액을 배출하는 배액관과,
    상기 배액관에서의 제1 처리액의 배출을 제어하기 위한 밸브
    를 구비하고,
    상기 세정액 공급부는,
    상기 밸브보다 흐름 방향에서의 상류측의 상기 배액관의 위치에 접속되어 있고, 상기 밸브가 폐쇄되어 있을 때에, 상기 배액관으로부터 상기 제1 컵의 상기 회수부에 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
    상기 기판을 세정하기 위한 기판용 세정액을 토출하는 기판용 노즐을 포함하고,
    상기 기판용 노즐은,
    기판용 세정액을 상기 둘레벽부를 세정하는 세정액으로서 상기 제1 컵의 상기 회수부에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정액 공급부는,
    상기 유지부를 포함하는 유지 기구를 세정하기 위한 유지 기구용 세정액을 토출하는 유지 기구용 노즐을 포함하고,
    상기 유지 기구용 노즐은,
    유지 기구용 세정액을 상기 둘레벽부를 세정하는 세정액으로서 상기 제1 컵의 상기 회수부에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 처리액은, 황산과 과산화수소수의 혼합액을 포함하고,
    혼합액과 세정액 사이에서 열교환을 행하는 열교환부
    를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 유지하는 유지부와, 상기 기판에 대하여 제1 처리액 및 제2 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 둘레벽부를 구비하고, 제1 처리액을 상기 둘레벽부에 의해 형성된 회수부에서 회수하는 제1 컵과, 상기 제1 컵에 인접하여 배치되고, 제2 처리액을 회수하는 제2 컵을 구비하고, 상기 제1 컵은, 상기 유지부에 유지된 상기 기판의 주위를 둘러싸도록 상기 둘레벽부의 상측에 설치되어 상기 기판으로부터 비산된 제1 처리액을 받는 액수용부와, 상기 액수용부를 지지하고, 상기 액수용부를 상기 둘레벽부에 대하여 승강시키는 지지 부재와, 상기 둘레벽부 내에 형성되어 상기 지지 부재가 삽입 관통되는 삽입 관통 구멍을 구비하고, 상기 삽입 관통 구멍에는, 도중에 삽입 관통 구멍용 밸브가 개삽된 삽입 관통용 배액관이 접속되는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서,
    상기 제1 컵의 상기 회수부에 세정액을 공급하고, 공급된 세정액을 상기 둘레벽부로부터 상기 제2 컵측으로 오버플로우시킴으로써, 상기 둘레벽부를 세정하고, 상기 삽입 관통 구멍용 밸브가 폐쇄되어 있을 때에 상기 둘레벽부로부터 오버플로우시키는 세정액을 상기 삽입 관통 구멍에 유입시켜서 상기 삽입 관통 구멍 내에 저류시킴으로써, 상기 지지 부재를 세정하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 공급된 세정액을 상기 둘레벽부와 상기 액수용부의 사이로부터 상기 제2 컵측으로 오버플로우시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 액수용부는, 상기 지지 부재의 승강에 의해, 상기 둘레벽부에 대하여 승강 가능하고,
    상기 둘레벽부로부터 오버플로우한 세정액이 저류된 상기 삽입 관통 구멍 내에서 상기 지지 부재를 승강 시킴으로써, 상기 지지 부재를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
KR1020170002242A 2016-01-12 2017-01-06 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법 KR102658596B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020240039482A KR20240041309A (ko) 2016-01-12 2024-03-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-003869 2016-01-12
JP2016003869A JP6494536B2 (ja) 2016-01-12 2016-01-12 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020240039482A Division KR20240041309A (ko) 2016-01-12 2024-03-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170084687A KR20170084687A (ko) 2017-07-20
KR102658596B1 true KR102658596B1 (ko) 2024-04-17

Family

ID=59275819

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170002242A KR102658596B1 (ko) 2016-01-12 2017-01-06 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
KR1020240039482A KR20240041309A (ko) 2016-01-12 2024-03-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020240039482A KR20240041309A (ko) 2016-01-12 2024-03-22 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10475671B2 (ko)
JP (1) JP6494536B2 (ko)
KR (2) KR102658596B1 (ko)
CN (2) CN106960807B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10832902B2 (en) * 2015-12-28 2020-11-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2019009054A1 (ja) * 2017-07-03 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP7017342B2 (ja) * 2017-08-31 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7058094B2 (ja) * 2017-09-19 2022-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN108436683B (zh) * 2018-04-03 2019-12-06 抚州市东乡区东红光学科技有限公司 片状晶圆加工用的载具
CN108436682B (zh) * 2018-04-03 2020-06-19 李德良 片状晶圆加工用的磨盘及专用磨床
WO2020100829A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
CN109860086A (zh) * 2019-04-11 2019-06-07 德淮半导体有限公司 一种利用spm废液对溶液进行加热的装置
JP2021012944A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板の受け渡し方法
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2024033966A1 (ja) * 2022-08-08 2024-02-15 株式会社荏原製作所 プリウェットモジュール
JP2024030355A (ja) 2022-08-24 2024-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102582532B1 (ko) * 2023-01-31 2023-09-26 주식회사 위드텍 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282417A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および飛散防止部材の洗浄方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3164048B2 (ja) * 1997-12-16 2001-05-08 日本電気株式会社 半導体製造装置
US6708702B2 (en) * 1999-12-06 2004-03-23 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus with storage tank having an internal and external tank
US7171973B2 (en) * 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2006024793A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
ES2431051T5 (es) * 2006-10-12 2018-03-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Método para proporcionar una selección de modo de acceso a un terminal multimodo y sistema y aparato correspondientes
JP4929144B2 (ja) * 2007-12-10 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5864232B2 (ja) * 2011-02-01 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5375871B2 (ja) * 2011-04-18 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体
JP5885989B2 (ja) 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5913167B2 (ja) * 2012-07-26 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および洗浄方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282417A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および飛散防止部材の洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240041309A (ko) 2024-03-29
CN106960807B (zh) 2022-03-04
CN114256103A (zh) 2022-03-29
US20170200624A1 (en) 2017-07-13
US10475671B2 (en) 2019-11-12
JP2017126616A (ja) 2017-07-20
KR20170084687A (ko) 2017-07-20
CN106960807A (zh) 2017-07-18
JP6494536B2 (ja) 2019-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102658596B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
JP4426036B2 (ja) 基板処理装置
JP6971365B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN107221491B (zh) 基板清洗装置
JP4757882B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体
TWI791037B (zh) 液處理裝置及液處理方法
JP2008153521A (ja) 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
JP2003059884A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012164957A (ja) 液処理装置および液処理方法
KR101551995B1 (ko) 액 처리 장치
JP3958594B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20190112639A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102346529B1 (ko) 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102629296B1 (ko) 기판 세정 장치
KR20140112299A (ko) 기판처리장치
US10832902B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2002110612A (ja) 洗浄処理方法および洗浄処理装置
JP6914050B2 (ja) 基板処理装置
JP4995237B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN107202006B (zh) 泵和液体供应装置
JP2004304138A (ja) 基板処理装置
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102232835B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102161794B1 (ko) 부품 세정 장치 및 방법
KR102331356B1 (ko) 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant