KR102582532B1 - 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법 - Google Patents

웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 샘플링한 후, 샘플링 용액을 회수하고, 잔여 샘플링 용액을 세정하는 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법은 웨이퍼의 샘플링 용액을 회수하는 회수부의 표면을 세정하는 세정부를 포함함으로써, 웨이퍼 샘플링 공정의 정확도를 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법{Wafer sampling solution retrieving and cleaning system and wafer sampling solution retrieving and cleaning method using the same}
본 발명은 웨이퍼를 샘플링한 후, 샘플링 용액을 회수하고, 잔여 샘플링 용액을 세정하는 시스템에 관한 것이다.
반도체 산업, 디스플레이 산업 핵심 공정에는 매우 다양한 유해성 가스들을 필수적으로 사용하고 있으며, 이러한 유해성 가스들은 불소계, 염소계, 브롬계, 질산계, 황산계와 같은 산성가스와 암모니아, 아민류와 같은 염기성 가스, 유기성 화합물 , Cu, Al, Si과 같은 금속성 물질, P, B와 같은 도판트물질 등이 있다. 일반적으로 이들의 성질은 유독하고 산화력이 매우 강하여 제품의 패턴 이상이나 표면의 과산화 등을 유발하여 제품의 불량을 일으킨다.
반도체에서 웨이퍼(wafer)는 대개 실리콘웨이퍼(siliconwafer)를 의미하며, 이는 반도체의 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 규소판을 의미한다. 웨이퍼(wafer)는 순도 99.9999999%의 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 다듬은 것이다. 웨이퍼(wafer)의 표면은 결함이나 오염이 없어야 함은 물론, 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 고도의 평탄도가 요구된다. 최근에는 두께 0.3㎜, 지름 15~30㎝의 원판 모양의 것이 사용되고 있다.
상기 웨이퍼는 조립한 후에 검사가 끝나면 개별 칩으로 잘려져서 완성된 집적회로로 사용된다. 집적회로로 사용될 때까지 웨이퍼에는 패턴 공정, 식각 공정, 이온 주입공정 등을 거치며, 운송 인클로저에 수용되어 다음 공정을 위해 이송되거나 수용된 채로 대기하게 된다. 하지만, 웨이퍼는 상기와 같은 공정에서 많은 양의 케미컬(chemical)이 공급되어 화학적 오염이 발생하며, 오염된 웨이퍼에 의해 운송 인클로저 내부가 오염될 수 있다.
이와 같이 오염된 운송 인클로저 내부에서 웨이퍼가 장시간 보관되어 운송 인클로저가 특정 농도 수치이상으로 오염되는 경우 웨이퍼에 악영향을 끼쳐 제품 불량의 원인이 되었다. 따라서 웨이퍼 생산의 질적 향상을 위해 운송 인클로저 내부의 가스 오염 뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 오염 정도를 신속하고 정확하게 측정하는 샘플링 공정이 매우 중요하였다.
이에, 종래의 기술에서는 웨이퍼의 표면 중 오염물질을 확인하기 위해 웨이퍼의 표면에 샘플링 용액을 분사하고, 샘플링 용액을 회수하여 분석하는 방식을 채택해 왔으나, 이러한 방식은, 샘플링 용액을 회수하는 과정에서 샘플링 용액을 모아 저장하는 회수 장치에 일부 오염물질이 잔류하여 회수 장치 자체가 오염될 수 있다는 문제점이 있었다. 이는 웨이퍼 샘플링의 정확도를 크게 해쳤으므로, 이를 극복하기 위한 방안의 필요성이 대두되었다.
대한민국 등록특허 10-1581376"기판 오염물 분석 장치 및 이를 이용한 오염물 분석 방법"
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 샘플링 용액을 회수하는 회수부의 표면을 세정하는 세정부를 포함함으로써, 웨이퍼 샘플링 공정의 정확도를 높일 수 있는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법을 제공함에 있다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템은 일면에 웨이퍼가 안착되며 웨이퍼를 회전시키는 안착부와 웨이퍼의 표면에 샘플링 용액을 분사하는 샘플링 노즐을 포함하는 웨이퍼 샘플링 장치에 적용되는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템에 있어서, 상기 안착부에 고정되며, 상기 웨이퍼의 외곽을 따라 배치되어 웨이퍼의 상면의 샘플링 용액을 회수하는 회수부, 상기 회수부로부터 샘플링 용액을 전달받아 외부로 배출하는 드레인부, 상기 회수부에 세정 용액을 분사하여 잔여 샘플링 용액을 세정하는 세정부;를 포함하고, 상기 회수부는, 샘플링 용액이 보관되는 소정 깊이의 공간인 샘플링 용액 보관부와, 상기 샘플링 용액 보관부의 일측에 배치되되, 상기 샘플링 용액 보관부로부터 연직방향으로 연장형성되는 차단벽을 포함하는 제 1 하우징을 포함하고, 상기 세정부는, 상기 차단벽에 세정 용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐을 포함하고, 상기 벽면 세정 노즐은 상기 차단벽 측 또는 상기 웨이퍼의 최외곽 표면 측에 직접 세정용액을 분사하며, 상기 벽면 세정 노즐의 분사방향은 상기 차단벽 상에 부착된 파티클의 예상 부착강도에 따라 자동으로 조절되는 것을 특징으로 한다.
또한, 회수부는, 샘플링 용액이 보관되는 소정 깊이의 공간인 샘플링 용액 보관부와, 샘플링 용액 보관부의 일측에 배치되되, 샘플링 용액 보관부로부터 연직방향으로 연장형성되는 차단벽을 포함하는 제 1 하우징을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 세정부는, 제 1 하우징에 소정 깊이로 형성되는 공간인 세정 용액 보관부와, 제 1 하우징의 상부에 결합되는 제 2 하우징을 포함하고, 제 2 하우징은, 세정 용액 보관부의 상부의 전면을 덮도록 형성되는 커버부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 2 하우징은, 커버부로부터 연장되며, 차단벽의 상단을 감싸되, 차단벽의 상단으로부터 소정 간격 이격되는 세정 유량 조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 제 2 하우징은, 세정 유량 조절부의 높이를 조절하는 높이 조절부를 포함하고, 높이 조절부는, 제 2 하우징과 제 1 하우징을 관통하는 볼트인 것을 특징으로 한다.
또한, 차단벽은, 일면이 웨이퍼 및 샘플링 용액 보관부와 마주보도록 배치되며, 차단벽의 일면은 연직방향으로부터 소정 각도만큼 기울어져 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 샘플링 용액 보관부는, 타측이 드레인부와 연결되며, 타측면이 연직방향으로부터 소정 각도만큼 기울어져 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 세정부는, 차단벽에 세정 용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐을 포함하고, 벽면 세정 노즐은 차단벽에 직접 세정용액을 분사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 세정부는, 차단벽에 세정 용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐을 포함하고, 벽면 세정 노즐은 웨이퍼 최외곽 표면에 세정용액을 분사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 벽면 세정 노즐의 분사 방향은, 샘플링 노즐의 분사방향과 수직이 아닌 소정 각도를 이루는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법은 (a) 회수부를 통해 웨이퍼 샘플링 용액을 수신하는 단계, (b) 세정부를 통해 회수부의 차단벽을 세정하는 단계, (c) 드레인부를 통해 샘플링 용액을 외부로 배출하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계는, (b1) 세정 용액의 분사 방향을 결정하는 단계를 포함하고, 상기 (b1) 단계는, (b11) 상기 차단벽에 세정용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐을 구비하는 단계를 포함하고, 상기 차단벽의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 높을 시, (b12) 상기 벽면 세정 노즐의 분사 방향을 상기 차단벽 측으로 조정하는 단계를 포함하며, 상기 차단벽의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 낮거나 같을 시, (b13) 상기 벽면 세정 노즐의 분사 방향을 웨이퍼 측으로 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, (b) 단계는, (b2) 세정 용액의 분사세기를 결정하는 단어를 더 포함하고, (b1) 단계 또는 (b2) 단계에 후행되며, (b3) 세정 용액을 차단벽에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, (b1) 단계는, (b11) 차단벽에 세정용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐을 구비하는 단계를 포함하고, 차단벽의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 높을 시, (b12) 벽면 세정 노즐의 분사 방향을 차단벽 측으로 조정하는 단계를 포함하며, 차단벽의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 낮거나 같을 시, (b13) 벽면 세정 노즐의 분사 방향을 웨이퍼 측으로 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, (b2) 단계는, (b21) 제 2 하우징을 제 1 하우징의 상부에 체결하는 단계, (b22) 세정 용액을 세정 용액 보관부에 주입하여 차단벽에 1차적으로 공급하는 단계를 포함하고, 차단벽의 샘플링 용액이 기준치 이상으로 잔여한 경우, (b23) 높이 조절부를 통해 제 2 하우징의 높이를 하향조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법은 웨이퍼의 샘플링 용액을 회수하는 회수부의 표면을 세정하는 세정부를 포함함으로써, 웨이퍼 샘플링 공정의 정확도를 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 세정부의 제 1 실시 예를 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 세정부의 제 2 실시 예를 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 세정부의 제 3 실시 예를 도시한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법을 도시한 순서도이다.
도 6은 본 발명의 차단벽 세정 단계의 세부 단계를 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 세정액 방향 결정 단계의 세부 단계를 도시한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 세정액 세기 결정 단계의 세부 단계를 도시한 순서도이다.
이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
이하로, 도 1을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템(1000)의 기본 구성에 대해 설명한다.
본 발명은 일면에 웨이퍼(W)가 안착되며 웨이퍼(W)를 회전시키는 안착부(C)와 웨이퍼(W)의 표면에 샘플링 용액을 분사하는 샘플링 노즐(N)을 포함하는 웨이퍼(W) 샘플링 장치에 적용되는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템(1000)에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템(1000)은 웨이퍼(W) 표면을 샘플링한 용액을 회수하는 회수부(100)를 포함할 수 있다. 회수부(100)는 안착부(C)에 고정될 수 있고, 안착부(C)가 회전할 시, 함께 회전될 수 있다. 또는, 회수부(100)는 안착부(C)에 고정되되, 안착부(C)가 웨이퍼(W)를 회전시키는 파트와는 별개의 부품으로 구성되어, 웨이퍼(W)의 회전에 상관 없이 고정된 위치를 유지할 수 있다. 회수부(100)는 웨이퍼(W)의 외곽을 따라 배치되어 웨이퍼(W)가 회전할 시, 그 원심력으로 비산된 웨이퍼(W)의 상면의 샘플링 용액을 회수할 수 있다.
회수부(100)는 샘플링 용액이 보관되는 소정 깊이의 공간인 샘플링 용액 보관부(111)와, 샘플링 용액 보관부(111)의 일측에 배치되되, 샘플링 용액 보관부(111)로부터 연직방향으로 연장형성되는 차단벽(112)을 포함하는 제 1 하우징(110)을 포함할 수 있다. 샘플링 용액 보관부(111)와 차단벽(112)은 하나의 부품으로 구성될 수 있다. 차단벽(112)의 연직방향 최고 높이는 안착부(C)에 부착된 웨이퍼(W)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 이에 따라 웨이퍼(W)의 외곽에서 비산되는 샘플링 용액 방울이 차단벽(112)에 부딪혀 샘플링 용액 보관부(111)에 수용될 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템(1000)은 드레인부(200)를 포함할 수 있다. 드레인부(200)는 회수부(100)로부터 샘플링 용액을 전달받아 외부로 배출할 수 있다. 배출된 샘플링 용액은 분석되어 웨이퍼(W) 표면의 오염물질 유무가 확인될 수 있다. 드레인부(200)를 통해 외부로 배출되기 전까지 샘플링 용액은 회수부(100)에 저장되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템(1000)은 세정부(300)를 포함할 수 있다. 세정부(300)는 회수부(100)에 세정 용액을 분사하여 회수부(100)에 잔여하고 있는 샘플링 용액을 세정할 수 있다. 세정액은 초순수 또는 Hot UPW일 수 있다. 세정부(300)를 포함함으로써 회수부(100)의 표면을 깨끗하게 유지할 수 있고, 이에 따라 샘플링 용액을 분석함에 있어 정확도를 높일 수 있다. 보다 자세히, 세정부(300)는 샘플링 용액 보관부(111)에 샘플링 용액에 내포된 오염물질 등이 침전되거나 샘플링 용액이 차단벽(112)에 튀어 부착될 경우, 세정부(300)를 통해 회수부(100)의 표면을 세정하여 샘플링 용액 분석에 있어 정확도를 높일 수 있다.
더 나아가, 차단벽(112)은 일면이 웨이퍼(W) 및 샘플링 용액 보관부(111)와 마주보도록 배치될 수 있다. 이에 따라 웨이퍼(W)의 표면에서 샘플링 용액이 비산될 때, 차단벽(112)에 샘플링 용액이 부딪혀 샘플링 용액 보관부(111)로 샘플링 용액이 모일 수 있다. 또한, 보다 세부적으로 차단벽(112)의 일면은 연직방향으로부터 소정 각도만큼 기울어져 형성될 수 있다. 이에 따라 차단벽(112)에 부딪혀 맺힌 샘플링 용액이 경사면을 따라 샘플링 용액 보관부(111)로 흐르도록 유도할 수 있다.
또한, 샘플링 용액 보관부(111)는, 타측이 드레인부(200)와 연결되며, 타측면이 연직방향으로부터 소정 각도만큼 기울어져 형성될 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 샘플링 용액 보관부(111)의 연직방향 최하단으로부터 상단으로 갈수록 내부 단면적이 커지도록 설계될 수 있다. 이에 따라 샘플링 용액에 포함된 오염물질이 샘플링 용액 보관부(111)의 하면에 침전되는 것을 최소화 할 수 있다.
이하로, 도 2를 참조하여 본 발명의 세정부(300)의 제 1 실시 예에 대해 보다 자세히 설명한다.
도 2에 도시된 세정부(300)의 제 1 실시 예에서, 세정부(300)는 제 1 하우징(110)에 소정 깊이로 형성되는 공간인 세정 용액 보관부(310)와, 제 1 하우징(110)의 상부에 결합되는 제 2 하우징(320)을 포함할 수 있다. 제 2 하우징(320)은, 세정 용액 보관부(310)의 상부의 전면을 덮도록 형성되는 커버부(321)를 포함할 수있다. 이에 따라, 세정 용액은 세정 용액 보관부(310)와 커버부(321) 및 차단벽(112)으로 둘러싸인 공간에 수용될 수 있다. 세정 용액 보관부(310)는 세정 용액을 제공하는 펌프와 연결될 수 있다.
또한, 제 2 하우징(320)은, 커버부(321)로부터 연장되며, 차단벽(112)의 상단을 감싸되, 차단벽(112)의 상단으로부터 소정 간격 이격되는 세정 유량 조절부(322)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 세정 용액 보관부(310)에 펌프 등으로 세정 용액을 주입하고 세정 용액이 세정 용액 보관부(310)와 커버부(321) 및 차단벽(112)으로 둘러싸인 공간에 꽉 차게 되면, 넘치는 세정 용액이 세정 유량 조절부(322)와 차단벽(112)의 사이 틈으로 새어나와 차단벽(112)을 세정할 수 있다.
더 나아가, 제 2 하우징(320)은, 세정 유량 조절부(322)의 높이를 조절하는 높이 조절부(323)를 포함하고, 높이 조절부(323)는, 제 2 하우징(320)과 제 1 하우징(110)을 관통하는 볼트일 수 있다. 높이 조절부(323)를 통해 제 2 하우징(320)의 높이가 조절될 시, 세정 유량 조절부(322)와 차단벽(112) 간의 거리가 조절될 수 있고, 이에 따라 세정 용액의 유속이 결정될 수 있다. 즉, 세정 용액이 펌프 등으로 일정 유량으로 주입된다고 가정하였을 때, 세정 유량 조절부(322)와 차단벽(112) 간 이격 거리가 길수록 유속이 느려질 수 있고, 이격 거리가 짧을수록 유속이 빨라질 수 있다(분사 세기가 커질 수 있다.).
이하로, 도 3을 참조하여 세정부(300)의 제 2 실시 예에 대해 보다 자세히 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 세정부(300)는, 차단벽(112)에 세정 용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐(330)을 포함할 수 있다. 세정부(300)의 제 2 실시 예에서, 벽면 세정 노즐(330)은 차단벽(112)에 직접 세정용액을 분사할 수 있다. 이에 따라, 차단벽(112)의 표면에 부착된 오염물질을 세정액을 통해 직접 세정할 수 있다. 이 때, 벽면 세정 노즐(330)의 분사 강도를 조절하는 것으로 세정 강도를 용이하게 조절할 수 있다.
이하로, 도 4를 참조하여 세정부(300)의 제 2 실시 예에 대해 보다 자세히 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 세정부(300)는, 차단벽(112)에 세정 용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐(330)을 포함할 수 있다. 세정부(300)의 제 3 실시 예에서, 벽면 세정 노즐(330)은 웨이퍼(W) 최외곽 표면에 세정용액을 분사할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상의 샘플링 용액과 세정 용액이 함께 원심력으로 비산되어 차단벽(112)을 세정할 수 있다. 이에 따라 차단벽(112)에 손상을 최소화 함과 동시에, 차단벽(112) 상의 오염물질을 제거할 수 있다.
이 때, 벽면 세정 노즐(330)의 분사 방향은, 샘플링 노즐(N)의 분사방향과 수직이 아닌 소정 각도를 이룰 수 있다. 주로 샘플링 노즐(N)의 경우, 웨이퍼(W) 표면의 수직한 방향으로 샘플링 용액을 분사하는데, 벽면 세정 노즐(330)은, 비산 효율을 극대화 하기 위해, 또는 노즐 및 펌프의 배치를 고려하여 웨이퍼(W) 표면에 수직이 아닌 소정의 경사각을 갖는 방향에서 세정 용액을 분사할 수 있다. 이에 따라 세정 효율을 극대화 할 수 있다.
이하로, 도 5 내지 8을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법에 대해 설명한다.
웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템(1000)을 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법은 도 5에 도시된 바와 같이, (a) 회수부(100)를 통해 웨이퍼(W) 샘플링 용액을 수신하는 단계, (b) 세정부(300)를 통해 회수부(100)의 차단벽(112)을 세정하는 단계, (c) 드레인부(200)를 통해 샘플링 용액을 외부로 배출하는 단계를 포함할 수 있다. 이 때, (a) 단계에서 회수부(100)는 웨이퍼(W)의 외곽을 따라 배치되어 웨이퍼(W)가 회전할 시, 그 원심력으로 비산된 웨이퍼(W)의 상면의 샘플링 용액을 회수할 수 있다. 또한, (c) 단계에서 드레인부(200)는 샘플링 용액 보관부(111)와 연결되어 샘플링 용액 보관부(111)에 소정 이상의 샘플링 용액이 수용되었을 시 샘플링 용액을 전달받아 외부로 배출할 수 있다. 배출된 샘플링 용액은 분석되어 웨이퍼(W) 표면의 오염물질 유무가 확인될 수 있다. 드레인부(200)를 통해 외부로 배출되기 전까지 샘플링 용액은 회수부(100)에 저장되는 것이 바람직하다.
이 때, 도 6에 도시된 바와 같이, (b) 단계는, (b1) 세정 용액의 분사 방향을 결정하는 단계와 (b2) 세정 용액의 분사세기를 결정하는 단계 중 적어도 어느 하나를 포함하고, (b1) 단계 또는 (b2) 단계에 후행되며, (b3) 세정 용액을 차단벽(112)에 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
보다 세부적으로, 도 7에 도시된 바와 같이, (b1) 단계는, (b11) 차단벽(112)에 세정용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐(330)을 구비하는 단계를 포함하고, 차단벽(112)의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 높을 시, (b12) 벽면 세정 노즐(330)의 분사 방향을 차단벽(112) 측으로 조정하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 차단벽(112)의 표면에 부착된 오염물질을 세정액을 통해 직접 세정할 수 있다. 이 때, 벽면 세정 노즐(330)의 분사 강도를 조절하는 것으로 세정 강도를 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 차단벽(112)의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 낮거나 같을 시, (b13) 벽면 세정 노즐(330)의 분사 방향을 웨이퍼(W) 측으로 조정하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 상의 샘플링 용액과 세정 용액이 함께 원심력으로 비산되어 차단벽(112)을 세정할 수 있다. 이에 따라 차단벽(112)에 손상을 최소화 하며, 차단벽(112) 상의 오염물질을 제거할 수 있다. 이 때, (b12) 단계 및 (b13) 단계의 벽면 세정 노즐(330)의 분사 방향조절 방식은 수동일 수 있고, 제어기와 연결된 자동 조절 방식일 수 있다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, (b2) 단계는, (b21) 제 2 하우징(320)을 제 1 하우징(110)의 상부에 체결하는 단계, (b22) 세정 용액을 세정 용액 보관부(310)에 주입하여 차단벽(112)에 1차적으로 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 보다 자세히, 세정 용액 보관부(310)에 펌프 등으로 세정 용액을 주입하고 세정 용액이 세정 용액 보관부(310)와 커버부(321) 및 차단벽(112)으로 둘러싸인 공간에 꽉 차게 되면, 넘치는 세정 용액이 세정 유량 조절부(322)와 차단벽(112)의 사이 틈으로 새어나와 차단벽(112)을 세정할 수 있다.
이 때, (b22) 단계 이후 차단벽(112)의 샘플링 용액이 기준치 이상으로 잔여한 경우, 세정 용액의 세기가 지나치게 낮은 것이므로, (b23) 높이 조절부(323)를 통해 제 2 하우징(320)의 높이를 하향조절하는 단계를 포함할 수 있다. 높이 조절부(323)는, 제 2 하우징(320)과 제 1 하우징(110)을 관통하는 볼트일 수 있다. 이에 따라 세정 유량 조절부(322)와 차단벽(112) 간 이격거리가 짧아져 유속이 빨라질 수 있다(분사 세기가 커질 수 있다.).
본 발명의 상기한 실시 예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.
1000 : 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템
100 : 회수부
110 : 제 1 하우징
111 : 샘플링 용액 보관부
112 : 차단벽
200 : 드레인부
300 : 세정부
310 : 세정 용액 보관부
320 : 제 2 하우징
321 : 커버부
322 : 세정 유량 조절부
323 : 높이 조절부
330 : 벽면 세정 노즐
W : 웨이퍼
N : 샘플링 노즐
C : 안착부

Claims (14)

  1. 일면에 웨이퍼가 안착되며 웨이퍼를 회전시키는 안착부와 웨이퍼의 표면에 샘플링 용액을 분사하는 샘플링 노즐을 포함하는 웨이퍼 샘플링 장치에 적용되는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템에 있어서,
    상기 안착부에 고정되며, 상기 웨이퍼의 외곽을 따라 배치되어 웨이퍼의 상면의 샘플링 용액을 회수하는 회수부;
    상기 회수부로부터 샘플링 용액을 전달받아 외부로 배출하는 드레인부;
    상기 회수부에 세정 용액을 분사하여 잔여 샘플링 용액을 세정하는 세정부;를 포함하고,
    상기 회수부는,
    샘플링 용액이 보관되는 소정 깊이의 공간인 샘플링 용액 보관부와,
    상기 샘플링 용액 보관부의 일측에 배치되되, 상기 샘플링 용액 보관부로부터 연직방향으로 연장형성되는 차단벽을 포함하는 제 1 하우징을 포함하고,
    상기 세정부는,
    상기 차단벽에 세정 용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐을 포함하고,
    상기 벽면 세정 노즐은 상기 차단벽 측 또는 상기 웨이퍼의 최외곽 표면 측에 직접 세정용액을 분사하며,
    상기 벽면 세정 노즐의 분사방향은 상기 차단벽 상에 부착된 파티클의 예상 부착강도에 따라 자동으로 조절되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 세정부는,
    상기 제 1 하우징에 소정 깊이로 형성되는 공간인 세정 용액 보관부와,
    상기 제 1 하우징의 상부에 결합되는 제 2 하우징을 포함하고,
    상기 제 2 하우징은,
    상기 세정 용액 보관부의 상부의 전면을 덮도록 형성되는 커버부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 2 하우징은,
    상기 커버부로부터 연장되며,
    상기 차단벽의 상단을 감싸되, 상기 차단벽의 상단으로부터 소정 간격 이격되는 세정 유량 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2 하우징은,
    상기 세정 유량 조절부의 높이를 조절하는 높이 조절부를 포함하고,
    상기 높이 조절부는,
    상기 제 2 하우징과 상기 제 1 하우징을 관통하는 볼트인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 차단벽은,
    일면이 상기 웨이퍼 및 상기 샘플링 용액 보관부와 마주보도록 배치되며,
    상기 차단벽의 일면은 연직방향으로부터 소정 각도만큼 기울어져 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 샘플링 용액 보관부는,
    타측이 상기 드레인부와 연결되며,
    타측면이 연직방향으로부터 소정 각도만큼 기울어져 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 벽면 세정 노즐의 분사 방향은,
    상기 샘플링 노즐의 분사방향과 수직이 아닌 소정 각도를 이루는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템.
  11. 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템을 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법에 있어서,
    (a) 회수부를 통해 웨이퍼 샘플링 용액을 수신하는 단계;
    (b) 세정부를 통해 회수부의 차단벽을 세정하는 단계;
    (c) 드레인부를 통해 샘플링 용액을 외부로 배출하는 단계를 포함하고,
    상기 (b) 단계는,
    (b1) 세정 용액의 분사 방향을 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 (b1) 단계는,
    (b11) 상기 차단벽에 세정용액을 공급하는 적어도 하나의 벽면 세정 노즐을 구비하는 단계를 포함하고,
    상기 차단벽의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 높을 시,
    (b12) 상기 벽면 세정 노즐의 분사 방향을 상기 차단벽 측으로 조정하는 단계를 포함하며,
    상기 차단벽의 파티클의 예상부착강도가 소정의 기준 부착강도보다 낮거나 같을 시,
    (b13) 상기 벽면 세정 노즐의 분사 방향을 웨이퍼 측으로 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    (b2) 세정 용액의 분사세기를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 (b1) 단계 또는 상기 (b2) 단계에 후행되며,
    (b3) 세정 용액을 상기 차단벽에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법.
  13. 삭제
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 (b2) 단계는,
    (b21) 제 2 하우징을 제 1 하우징의 상부에 체결하는 단계,
    (b22) 세정 용액을 세정 용액 보관부에 주입하여 상기 차단벽에 1차적으로 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 차단벽의 샘플링 용액이 기준치 이상으로 잔여한 경우,
    (b23) 높이 조절부를 통해 상기 제 2 하우징의 높이를 하향조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법.
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