JP2024030355A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】排液量を削減できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、処理部１と、第１排液配管１２と、複数の第２排液配管１４と、切替ユニット１３と、制御部１０２とを備える。処理部１は、第１薬液、リンス液及び第２薬液を用いて、第１薬液処理、リンス処理及び第２薬液処理をこの順に実行する。第１排液配管１２には、処理部１から排出される排液が流入する。切替ユニット１３は、排液の流通先を複数の第２排液配管１４の間で切り替える。複数の第２排液配管１４は、第１薬液用の第１配管１４１と、第１薬液用の第２配管１４２と、第２薬液用の第３配管１４３とを含む。制御部１０２は、切替ユニット１３を制御して、第１薬液処理中の排液の流通先を第１配管１４１とし、リンス処理中に排液の流通先を第１配管１４１から第２配管１４２に切り替え、リンス処理後に排液の流通先を第２配管１４２から第３配管１４３に切り替える。【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

複数種類の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。例えば、特許文献１の基板処理装置は、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水溶液：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水溶液）、及び、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ；ＤＩＷ）、所謂「超純水」を用いてウェハを処理する。

特許文献１の基板処理装置は、ウェハを１枚づつ処理する枚葉式の装置である。特許文献１の基板処理装置は、ウェハを水平状態で保持して回転させ、回転中のウェハに複数種類の処理液を順次供給してウェハを処理する。

回転中のウェハから飛散する処理液は、ウェハの周囲に配置されたカップによって受け止められる。カップによって受け止められた処理液は、カップの底部に設けられた排液口から排液管に流入する。

排液管に流入した処理液は、基板処理装置が設置されている工場の排液ラインへ排出されることがある。例えば、工場の排液ラインは、ＳＰＭ用の排液ラインと、ＳＣ１用の排液ラインとを含む。この場合、基板処理装置は、排液ラインにおいてＳＰＭとＳＣ１とが接触することを避けるために、排液管に流入した処理液の流通先をＳＰＭ用排液ラインとＳＣ１用排液ラインとの間で選択的に切り替える切替弁を備える。

より詳しくは、基板処理装置は、ＳＰＭが高粘性の薬液であり流れ難いことから、ＳＰＭによる基板処理の終了時から所定時間（例えば、１３秒）が経過した後に、排液管に流入した処理液の流通先をＳＰＭ用排液ラインからＳＣ１用排液ラインへ切り替えて、ＳＣ１用排液ラインにＳＰＭが混入しないようにしている。

特開２０１７－１２６６１６号公報

しかしながら、第２薬液（例えば、ＳＣ１）用の排液ラインに第１薬液（例えば、ＳＰＭ）を混入させないために、排液配管に流入した処理液の流通先の切替タイミングを遅延させた場合、第１薬液ラインに流入する排液の量が増加する。排液を廃棄するために処理（回収処理）が必要な場合、排液量の増加は、工場側の負担の増加を招く。例えば、ＳＰＭは硫酸を含有するため、回収処理を行う必要がある。使用済みの硫酸の回収処理には、大量の工業用水と大量の電力が必要であり、排液量が増加すると、工場側の負担が増加する。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、排液量を削減できる基板処理装置を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、処理部と、第１排液配管と、複数の第２排液配管と、切替ユニットと、制御部とを備える。前記処理部は、複数種類の処理液を用いて、基板に対して基板処理を実行する。前記第１排液配管には、前記処理部から排出される前記処理液である排液が流入する。前記切替ユニットは、前記第１排液配管を流通する前記排液の流通先を前記複数の第２排液配管の間で切り替える。前記制御部は、前記切替ユニットを制御する。前記複数種類の処理液は、第１薬液と、リンス液と、前記第１薬液とは異なる第２薬液とを含む。前記基板処理は、前記第１薬液を用いる第１薬液処理と、前記リンス液を用いるリンス処理と、前記第２薬液を用いる第２薬液処理とを含む。前記処理部は、前記第１薬液処理と、前記リンス処理と、前記第２薬液処理とをこの順に実行する。前記複数の第２排液配管は、前記第１薬液用の第１配管と、前記第１薬液用の第２配管と、前記第２薬液用の第３配管とを含む。前記制御部は、前記切替ユニットを制御して、前記第１薬液処理中の前記排液の流通先を前記第１配管とし、前記第１薬液処理後の前記リンス処理中に前記排液の流通先を前記第１配管から前記第２配管に切り替え、前記リンス処理後に前記排液の流通先を前記第２配管から前記第３配管に切り替える。

ある実施形態において、前記リンス処理は、第１リンス処理であり、前記基板処理は、前記リンス液を用いる第２リンス処理を更に含む。前記処理部は、前記第１薬液処理と、前記第１リンス処理と、前記第２薬液処理と、前記第２リンス処理とをこの順に実行する。前記複数の第２排液配管は、前記リンス液用の第４配管を更に含む。前記制御部は、前記切替ユニットを制御して、前記第１薬液処理中の前記排液の流通先を前記第１配管とし、前記第１薬液処理後の前記第１リンス処理中に前記排液の流通先を前記第１配管から前記第２配管に切り替え、前記第１リンス処理後に前記排液の流通先を前記第２配管から前記第３配管に切り替え、前記第２薬液処理後に前記排液の流通先を前記第３配管から前記第４配管に切り替える。

ある実施形態において、前記切替ユニットは、切替弁を含む。前記切替弁は、前記第１排液配管、前記第１配管、前記第２配管、前記第３配管及び前記第４配管と接続する。前記第１配管、前記第２配管、前記第３配管、及び前記第４配管の各々と前記切替弁との接続箇所のうち、前記第１配管と前記切替弁との接続箇所が、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所に最も近い。

ある実施形態において、前記第２配管と前記切替弁との接続箇所は、前記第１配管及び前記第３配管の各々と前記切替弁との接続箇所よりも、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所から遠い。

ある実施形態において、前記切替ユニットは、切替弁と、前記第２配管に介装される開閉弁と、前記第４配管に介装される開閉弁とを含む。前記切替弁は、前記第１排液配管、前記第１配管及び前記第３配管と接続するとともに、前記第２配管又は前記第４配管と接続する。前記第４配管又は前記第２配管は、前記第２配管又は前記第４配管から分岐する。前記第１配管と前記切替弁との接続箇所、前記第３配管と前記切替弁との接続箇所、及び前記第２配管又は前記第４配管と前記切替弁との接続箇所のうち、前記第１配管と前記切替弁との接続箇所が、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所に最も近い。

ある実施形態において、前記第２配管又は前記第４配管と前記切替弁との接続箇所は、前記第１配管及び前記第３配管の各々と前記切替弁との接続箇所よりも、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所から遠い。

ある実施形態において、前記切替弁は、略水平な姿勢で直線状に延びる。

ある実施形態において、前記第１排液配管は、前記排液が略水平方向に流通する水平部を含む。

本発明に係る基板処理装置によれば、排液量を削減することができる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる処理部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる切替ユニットの周辺の構成を示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる切替ユニットの周辺の構成を示す別の図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる切替ユニットの周辺の構成を示す別の図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる切替ユニットの周辺の構成を示す別の図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置の動作を示すフロー図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる制御部による排液の流通先の切替タイミングの第１例を示す図である。（ｂ）は、排液の流通先の切替タイミングの比較例を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる制御部による排液の流通先の切替タイミングの第２例を示す図である。（ｂ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる制御部による排液の流通先の切替タイミングの第３例を示す図である。（ｃ）は、本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる制御部による排液の流通先の切替タイミングの第４例を示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる切替弁の構成の一例を示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる制御装置及び切替ユニットの構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる切替ユニットの周辺の構成を示す図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる切替ユニットの周辺の構成を示す別の図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置に含まれる制御装置及び切替ユニットの構成を示すブロック図である。

以下、図面（図１～図１４）を参照して本発明の基板処理装置に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

本発明に係る基板処理装置において基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウェハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置は、上記した半導体ウェハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置は、各種の形状の基板に対して適用可能である。

［実施形態１］
以下、図１～図１１を参照して本発明の実施形態１を説明する。まず、図１を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、複数種類の処理液を用いて基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、基板Ｗを処理することを「基板処理」と記載する場合がある。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の処理部１と、流体キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。基板Ｗの各々には、例えば、不要になったレジストのマスク（レジスト膜）が付着していてもよい。

インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理部１との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。

複数の処理部１は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理部１（図１では３つの処理部１）を含む。

流体キャビネット１００Ａは、処理液を収容する。流体ボックス１００Ｂはそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１００Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理部１に供給される。

処理部１の各々は、複数種類の処理液を用いて基板Ｗを処理する。つまり、処理部１の各々は、基板Ｗに対して基板処理を実行する。具体的には、処理部１は、複数種類の処理液を順次基板Ｗに供給して、基板Ｗを処理する。複数種類の処理液は、薬液と、リンス液とを含む。薬液は、第１薬液と、第２薬液とを含む。本実施形態において、第１薬液はＳＰＭ（硫酸過酸化水素水溶液：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）であり、第２薬液はＳＣ１（アンモニア過酸化水素水溶液）である。ＳＰＭは、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）と過酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂）とを混合した混合液である。ＳＣ１は、水酸化アンモニウム（ＮＨ₄ＯＨ）と、過酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂）と、水（Ｈ₂Ｏ）とを混合した混合液である。

基板ＷにＳＰＭが供給されると、基板Ｗの表面に付着している有機物が除去される。具体的には、ＳＰＭは、レジスト膜を剥離するために用いられる。基板Ｗの上面にＳＣ１が供給されると、基板Ｗの上面に付着しているパーティクルが除去される。より具体的には、ＳＣ１は、有機物の溶解除去、及び非溶解性のパーティクルの剥離除去のために用いられる。

本実施形態において、リンス液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ；ＤＩＷ）、所謂「超純水」である。但し、リンス液は、脱イオン水に限定されない。例えば、リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）であり得る。

第１薬液は、高粘性の薬液である。具体的には、第１薬液の粘度は、第２薬液及びリンス液よりも大きい。本実施形態において、第１薬液はＳＰＭである。ＳＰＭは硫酸を含有する。硫酸は、高粘性の薬液である。したがって、ＳＰＭは、高粘性の薬液である。

処理部１は、第１薬液、第２薬液、及びリンス液を、第１薬液、リンス液、第２薬液、リンス液の順に基板Ｗに供給する。本実施形態において、処理部１は、ＳＰＭ、リンス液（脱イオン水）、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、リンス液（脱イオン水）、ＳＣ１、リンス液（脱イオン水）の順に基板Ｗに供給する。より詳しくは、処理部１は、ＳＰＭ、ＳＰＭの一成分である過酸化水素水、リンス液（脱イオン水）、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素、リンス液（脱イオン水）、ＳＣ１、リンス液（脱イオン水）の順に基板Ｗに供給する。

続いて、制御装置１０１を説明する。制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、処理部１、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、及びセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。

制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。

記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。各種情報（データ）は、レシピデータを含む。レシピデータは、基板Ｗの処理内容、処理条件、及び処理手順を規定するレシピを示す。レシピには、処理条件として、基板処理の実行時の各種設定値が設定される。

記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。

続いて、図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる処理部１の構成を模式的に示す断面図である。

図２に示すように、処理部１は、処理室２と、基板保持部３と、基板回転部４と、第１薬液供給部５と、第１ノズル移動機構６と、第２薬液供給部７と、第２ノズル移動機構８と、リンス液供給部９と、液受け部１１とを有する。

基板Ｗは、処理室２内に搬入されて、処理室２内で処理される。処理室２は、略箱形状を有する。処理室２は、基板保持部３と、基板回転部４と、第１薬液供給部５の一部と、第１ノズル移動機構６と、第２薬液供給部７の一部と、第２ノズル移動機構８と、リンス液供給部９の一部と、液受け部１１とを収容する。処理室２は、例えば、チャンバーである。

基板保持部３は、基板Ｗを保持する。基板保持部３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より具体的には、基板保持部３は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。基板保持部３は、例えば、スピンチャックである。基板保持部３は、スピンベース３１と、複数のチャック部材３２（図２では４つのチャック部材３２）とを有してもよい。

スピンベース３１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３２を支持する。複数のチャック部材３２は、スピンベース３１の周縁部に配置される。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材３２により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材３２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの中心がスピンベース３１の中心と一致するように配置されている。

基板回転部４は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗと基板保持部３とを一体に回転させる。基板回転部４の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

詳しくは、基板回転部４は、第１回転軸線ＡＸ１を中心としてスピンベース３１を回転させる。したがって、スピンベース３１は、第１回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。その結果、基板保持部３に保持された基板Ｗは、第１回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。より具体的には、第１回転軸線ＡＸ１は、スピンベース３１の中心を通る。したがって、スピンベース３１は、スピンベース３１の中心を回転中心として回転する。また、既に説明したように、基板保持部３は、基板Ｗの中心がスピンベース３１の中心と一致するように基板Ｗを保持する。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。

基板回転部４は、例えば、モータ本体４１と、シャフト４２とを有する。シャフト４２はスピンベース３１に結合される。モータ本体４１は、シャフト４２を回転させる。その結果、スピンベース３１が回転する。モータ本体４１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

続いて、第１薬液供給部５を説明する。第１薬液供給部５は、基板保持部３に保持されている基板Ｗに第１薬液を供給する。詳しくは、第１薬液供給部５は、回転中の基板Ｗに第１薬液を供給する。本実施形態において、第１薬液供給部５は、ＳＰＭを基板Ｗに供給する。

より具体的には、図２に示すように、第１薬液供給部５は、第１ノズル５１と、第１成分供給配管５２と、第２成分供給配管５３と、第１成分開閉弁５４と、第１流量調整弁５５と、ヒータ５６と、第２成分開閉弁５７と、第２流量調整弁５８とを有する。

処理室２は、第１ノズル５１と、第１成分供給配管５２の一部と、第２成分供給配管５３の一部とを収容する。本実施形態において、第１成分開閉弁５４、第１流量調整弁５５、ヒータ５６、第２成分開閉弁５７、及び第２流量調整弁５８は、処理室２の外側に配置される。具体的には、第１成分開閉弁５４、第１流量調整弁５５、ヒータ５６、第２成分開閉弁５７、及び第２流量調整弁５８は、図１を参照して説明した流体ボックス１００Ｂ内に収容される。

第１ノズル５１は、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けて第１薬液（ＳＰＭ）を吐出する。この結果、第１薬液（ＳＰＭ）が基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面に第１薬液（ＳＰＭ）の液膜が形成される。

本実施形態において、第１ノズル５１は、ＳＰＭの吐出終了後に、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けて過酸化水素水（第１薬液の一成分）を吐出する。この結果、過酸化水素水が基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜が形成される。

第１成分供給配管５２は管状の部材であり、第１成分供給配管５２の一端が第１ノズル５１に接続する。第１成分供給配管５２は、第１ノズル５１に硫酸（第１薬液の一成分）を供給する。

第２成分供給配管５３は管状の部材であり、第２成分供給配管５３の一端が第１ノズル５１に接続する。第２成分供給配管５３は、第１ノズル５１に過酸化水素水（第１薬液の一成分）を供給する。

第１成分開閉弁５４は、第１成分供給配管５２に介装される。第１成分開閉弁５４は、第１ノズル５１への硫酸の供給、及び第１ノズル５１への硫酸の供給停止を制御する。

具体的には、第１成分開閉弁５４は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１成分開閉弁５４の開閉動作を制御する。第１成分開閉弁５４のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第１成分開閉弁５４が開状態である場合、硫酸が第１成分供給配管５２を介して第１ノズル５１まで流通する。一方、第１成分開閉弁５４が閉状態である場合、第１成分供給配管５２を介した硫酸の流通が停止する。

第１流量調整弁５５は、第１成分供給配管５２に介装される。第１流量調整弁５５は、第１成分供給配管５２を流通する硫酸の流量を調整する。具体的には、第１流量調整弁５５は、開度を調整可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１流量調整弁５５の開度を制御する。第１流量調整弁５５のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。硫酸は、第１流量調整弁５５の開度に応じた流量で第１成分供給配管５２を流通する。

ヒータ５６は、第１成分供給配管５２に介装される。ヒータ５６は、第１成分供給配管５２を流通する硫酸を加熱する。ヒータ５６の駆動開始及び駆動停止は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、ヒータ５６の温度又は設定温度を制御してもよい。ヒータ５６は、ＳＰＭの温度が１００℃以上となるように、第１成分供給配管５２を流通する硫酸を加熱する。

第２成分開閉弁５７は、第２成分供給配管５３に介装される。第２成分開閉弁５７は、第１ノズル５１への過酸化水素水の供給、及び第１ノズル５１への過酸化水素水の供給停止を制御する。

具体的には、第２成分開閉弁５７は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２成分開閉弁５７の開閉動作を制御する。第２成分開閉弁５７のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第２成分開閉弁５７が開状態である場合、過酸化水素水が第２成分供給配管５３を介して第１ノズル５１まで流通する。一方、第２成分開閉弁５７が閉状態である場合、第２成分供給配管５３を介した過酸化水素水の流通が停止する。

第２流量調整弁５８は、第２成分供給配管５３に介装される。第２流量調整弁５８は、第２成分供給配管５３を流通する過酸化水素水の流量を調整する。具体的には、第２流量調整弁５８は、開度を調整可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２流量調整弁５８の開度を制御する。第２流量調整弁５８のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。過酸化水素水は、第２流量調整弁５８の開度に応じた流量で第２成分供給配管５３を流通する。

制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＰＭを供給する際に、第１成分開閉弁５４及び第２成分開閉弁５７を開状態にする。この結果、硫酸及び過酸化水素水が第１ノズル５１に供給される。そして、第１ノズル５１において硫酸と過酸化水素水とが混合されてＳＰＭが生成され、第１ノズル５１から下方にＳＰＭが連続的に吐出される。

詳しくは、第１流量調整弁５５の開度に対応する流量で第１成分供給配管５２から第１ノズル５１へ硫酸が供給される。また、第２流量調整弁５８の開度に対応する流量で第２成分供給配管５３から第１ノズル５１へ過酸化水素水が供給される。したがって、硫酸と過酸化水素水との混合比は、第１流量調整弁５５の開度及び第２流量調整弁５８の開度に対応する。よって、第１流量調整弁５５の開度及び第２流量調整弁５８の開度を調整して、硫酸と過酸化水素水との混合比を調整することができる。

ＳＰＭの温度は、硫酸と過酸化水素水との混合比と、混合前の硫酸の温度と、混合前の過酸化水素水の温度とに対応する温度となる。混合前の過酸化水素水の温度は、例えば、室温と同程度である。ヒータ５６による硫酸の加熱温度を調整することで、ＳＰＭの温度を１００℃以上にすることができる。なお、混合前の過酸化水素水の温度は、室温より高い温度であってもよい。例えば、過酸化水素水の温度を室温より高くするために、第２成分供給配管５３にヒータが介装されてもよい。

制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗに過酸化水素水を供給する際に、第１成分開閉弁５４を閉状態にするとともに、第２成分開閉弁５７を開状態にする。この結果、過酸化水素水が第１ノズル５１に供給されて、第１ノズル５１から下方に過酸化水素水が連続的に吐出される。

続いて、第１ノズル移動機構６を説明する。第１ノズル移動機構６は、第１ノズル５１を水平面に沿って移動させる。第１ノズル移動機構６の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より詳しくは、第１ノズル移動機構６は、退避領域と処理位置との間で第１ノズル５１を移動させる。退避領域は、基板保持部３の外側の領域である。例えば、退避領域は、液受け部１１の外側の領域であってもよい。本実施形態において、第１ノズル５１の処理位置は基板Ｗの中心に対向する位置である。第１ノズル５１は、処理位置から基板ＷにＳＰＭ及び過酸化水素水を供給する。

図２に示すように、第１ノズル移動機構６は、第１ノズルアーム６１と、第１ノズル基台６２と、第１ノズル移動部６３とを有してもよい。第１ノズル基台６２は鉛直方向に延びる。第１ノズルアーム６１の基端部は第１ノズル基台６２に結合している。第１ノズルアーム６１は、第１ノズル基台６２から水平方向に延びる。

第１ノズルアーム６１は、第１ノズル５１を支持する。第１ノズル５１は、第１ノズルアーム６１から鉛直下方に向けて突出する。第１ノズル５１は、第１ノズルアーム６１の先端部に配置されてもよい。

第１ノズル移動部６３は、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１ノズル基台６２を回転させる。この結果、第１ノズル５１が第２回転軸線ＡＸ２を中心とする周方向に沿って第１ノズル基台６２の周りを移動する。

詳しくは、第２回転軸線ＡＸ２は、第１ノズル基台６２の中心を通る。したがって、第１ノズル移動部６３は、第１ノズル基台６２の中心を回転中心として第１ノズル基台６２を回転させる。この結果、第１ノズルアーム６１が第１ノズル基台６２の中心を回転中心として旋回し、第１ノズル５１が第１ノズル基台６２の中心を中心とする周方向に沿って移動する。第１ノズル移動部６３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１ノズル移動部６３は、例えば、ステッピングモータを含む。あるいは、第１ノズル移動部６３は、モータと、減速機とを含んでもよい。

続いて、第２薬液供給部７を説明する。第２薬液供給部７は、基板保持部３に保持されている基板Ｗに第２薬液を供給する。詳しくは、第２薬液供給部７は、回転中の基板Ｗに第２薬液を供給する。本実施形態において、第２薬液供給部７は、ＳＣ１を基板Ｗに供給する。

より具体的には、図２に示すように、第２薬液供給部７は、第２ノズル７１と、第２薬液供給配管７２と、第２薬液開閉弁７３とを有する。処理室２は、第２ノズル７１と、第２薬液供給配管７２の一部とを収容する。本実施形態において、第２薬液開閉弁７３は、処理室２の外側に配置される。具体的には、第２薬液開閉弁７３は、図１を参照して説明した流体ボックス１００Ｂ内に収容される。

第２ノズル７１は、回転中の基板Ｗの上方から、基板Ｗの上面に向けて第２薬液（ＳＣ１）を吐出する。この結果、第２薬液（ＳＣ１）が基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面に第２薬液（ＳＣ１）の液膜が形成される。

第２薬液供給配管７２は管状の部材であり、第２薬液供給配管７２の一端が第２ノズル７１に接続する。第２薬液供給配管７２は、第２ノズル７１に第２薬液（ＳＣ１）を供給する。

第２薬液開閉弁７３は、第２薬液供給配管７２に介装される。第２薬液開閉弁７３は、第２ノズル７１への第２薬液（ＳＣ１）の供給、及び第２ノズル７１への第２薬液（ＳＣ１）の供給停止を制御する。

具体的には、第２薬液開閉弁７３は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２薬液開閉弁７３の開閉動作を制御する。第２薬液開閉弁７３のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第２薬液開閉弁７３が開状態である場合、第２薬液（ＳＣ１）が第２薬液供給配管７２を介して第２ノズル７１まで流通する。一方、第２薬液開閉弁７３が閉状態である場合、第２薬液供給配管７２を介した第２薬液（ＳＣ１）の流通が停止する。

制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗに第２薬液（ＳＣ１）を供給する際に、第２薬液開閉弁７３を開状態にする。この結果、第２薬液（ＳＣ１）が第２ノズル７１に供給される。そして、第２ノズル７１から下方に第２薬液（ＳＣ１）が連続的に吐出される。なお、第２薬液（ＳＣ１）の温度は、例えば、室温と同程度である。

続いて、リンス液供給部９を説明する。リンス液供給部９は、基板保持部３に保持されている基板Ｗにリンス液を供給する。詳しくは、リンス液供給部９は、回転中の基板Ｗにリンス液を供給する。本実施形態において、リンス液供給部９は、脱イオン水を基板Ｗに供給する。

より具体的には、図２に示すように、リンス液供給部９は、第３ノズル９１と、リンス液供給配管９２と、リンス液開閉弁９３とを有する。処理室２は、第３ノズル９１と、リンス液供給配管９２の一部とを収容する。本実施形態において、リンス液開閉弁９３は、処理室２の外側に配置される。具体的には、リンス液開閉弁９３は、図１を参照して説明した流体ボックス１００Ｂ内に収容される。

第３ノズル９１は固定ノズルであり、一定の位置から、基板保持部３に保持されている回転中の基板Ｗの上面に向けてリンス液（脱イオン水）を吐出する。この結果、リンス液が基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面にリンス液（脱イオン水）の液膜が形成される。

リンス液供給配管９２は管状の部材であり、リンス液供給配管９２の一端が第３ノズル９１に接続する。リンス液供給配管９２は、第３ノズル９１にリンス液（脱イオン水）を供給する。

リンス液開閉弁９３は、リンス液供給配管９２に介装される。リンス液開閉弁９３は、第３ノズル９１へのリンス液（脱イオン水）の供給、及び第３ノズル９１へのリンス液（脱イオン水）の供給停止を制御する。

具体的には、リンス液開閉弁９３は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液開閉弁９３の開閉動作を制御する。リンス液開閉弁９３のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。リンス液開閉弁９３が開状態である場合、リンス液（脱イオン水）がリンス液供給配管９２を介して第３ノズル９１まで流通する。一方、リンス液開閉弁９３が閉状態である場合、リンス液供給配管９２を介したリンス液（脱イオン水）の流通が停止する。

制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗにリンス液（脱イオン水）を供給する際に、リンス液開閉弁９３を開状態にする。この結果、リンス液（脱イオン水）が第３ノズル９１に供給される。そして、基板Ｗの上面中央部に向けて、第３ノズル９１からリンス液が吐出（脱イオン水）される。

続いて、液受け部１１を説明する。液受け部１１は、基板保持部３に保持されている基板Ｗの周囲を取り囲み、基板Ｗから排出された処理液である排液ＲＬを受け止める。より具体的には、液受け部１１は、ガード部１１１と、カップ部１１２とを有する。

ガード部１１１は略円筒状であり、基板保持部３に保持されている基板Ｗの周囲を取り囲む。ガード部１１１は、基板Ｗから排出された処理液（排液ＲＬ）を受け止める。より具体的には、ガード部１１１は、回転する基板Ｗから飛散する処理液（排液ＲＬ）を受け止める。

カップ部１１２は、ガード部１１１の下端に連結する。カップ部１１２は環状であり、上部が開放された円環状の液受け溝を形成する。ガード部１１１で受け止められた排液ＲＬは、自重によってカップ部１１２まで流れ落ちる。また、ガード部１１１に衝突して跳ね返った排液ＲＬが、自重によってカップ部１１２内に落ちる。この結果、カップ部１１２内（液受け溝）に排液ＲＬが集められる。

続いて、図２を参照して、基板処理装置１００を更に説明する。図２に示すように、基板処理装置１００は、第１排液配管１２と、切替ユニット１３と、複数の第２排液配管１４と、第１ポートＰ１～第４ポートＰ４とを更に備える。

第１排液配管１２は管状の部材であり、処理室２の内部から外部に延びる。第１排液配管１２の一端１２ａは、液受け部１１に接続する。具体的には、第１排液配管１２の一端１２ａは、カップ部１１２の底部（液受け溝の底部）に接続する。より詳しくは、カップ部１１２の底部（液受け溝の底部）には排出穴が設けられている。第１排液配管１２は、排出穴と連通するようにカップ部１１２の底部（液受け溝の底部）に接続される。この結果、カップ部１１２内（液受け溝）に集められた排液ＲＬが自重によって第１排液配管１２に流入する。

切替ユニット１３及び複数の第２排液配管１４は、処理部１の外部に配置される。切替ユニット１３は、第１排液配管１２を流通する排液ＲＬの流通先を複数の第２排液配管１４の間で切り替える。具体的には、切替ユニット１３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、切替ユニット１３を制御して、第１排液配管１２を流通する排液ＲＬの流通先を複数の第２排液配管１４の間で切り替える。以下、第１排液配管１２を流通する排液ＲＬの流通先を、「排液ＲＬの流通先」と記載する場合がある。

本実施形態において、複数の第２排液配管１４は、第１配管１４１～第４配管１４４を含み、切替ユニット１３は、排液ＲＬの流通先を第１配管１４１～第４配管１４４の間で切り替える。

詳しくは、切替ユニット１３は、切替弁１３１を含む。切替弁１３１は、第１切替弁１３１ａ～第４切替弁１３１ｄを含む。第１切替弁１３１ａ～第４切替弁１３１ｄは、この順に直線状に並ぶ。すなわち、第１切替弁１３１ａと第２切替弁１３１ｂとが隣り合い、第２切替弁１３１ｂと第３切替弁１３１ｃとが隣り合い、第３切替弁１３１ｃと第４切替弁１３１ｄとが隣り合う。したがって、第１切替弁１３１ａと第２切替弁１３１ｂとは接続している。同様に、第２切替弁１３１ｂと第３切替弁１３１ｃとが接続しており、第３切替弁１３１ｃと第４切替弁１３１ｄとが接続している。本実施形態では、切替弁１３１は、略水平な姿勢で直線状に延びる。

第１排液配管１２の他端１２ｂは第１切替弁１３１ａに接続する。より具体的には、本実施形態において、第１排液配管１２は、水平方向に延びる水平部１２１を含み、水平部１２１の一端が第１切替弁１３１ａに接続する。第１切替弁１３１ａには、第１配管１４１の一端が更に接続する。第１配管１４１の他端は第１ポートＰ１に接続する。第１排液配管１２を流通する排液ＲＬは、水平部１２１において略水平方向に流通する。したがって、水平部１２１において排液ＲＬは流れ難い。

第２切替弁１３１ｂには、第３配管１４３の一端が接続する。第３配管１４３の他端は第３ポートＰ３に接続する。第３切替弁１３１ｃには、第２配管１４２の一端が接続する。第２配管１４２の他端は第２ポートＰ２に接続する。第４切替弁１３１ｄには、第４配管１４４の一端が接続する。第４配管１４４の他端は第４ポートＰ４に接続する。

制御装置１０１（制御部１０２）は、第１切替弁１３１ａ～第４切替弁１３１ｄを制御して、排液ＲＬの流通先を第１配管１４１～第４配管１４４の間で切り替える。換言すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、排液ＲＬの流通先を第１ポートＰ１～第４ポートＰ４の間で切り替える。例えば、排液ＲＬの流通先として第１配管１４１（第１ポートＰ１）が選択された場合、排液ＲＬは、切替弁１３１を介して第１配管１４１に流入し、第１配管１４１によって第１ポートＰ１へ導かれる。

続いて、図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる切替ユニット１３の周辺の構成を示す図である。

図３に示すように、第１ポートＰ１には、第１排液ラインＧＬ１が接続する。第１排液ラインＧＬ１は、基板処理装置１００が設置されている工場に敷設されている。第１排液ラインＧＬ１は、基板処理装置１００から排出される硫酸（ＳＰＭ）を回収するためのラインである。硫酸は、廃棄するために処理する必要がある薬液であり、使用済みの硫酸の回収処理には、大量の工業用水と大量の電力が必要である。そのため、第１排液ラインＧＬ１に流入する排液ＲＬの量が増加すると、工場側の負担が増加する。

図３に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）が、排液ＲＬの流通先として第１配管１４１（第１ポートＰ１）を選択した場合、排液ＲＬは切替弁１３１を介して第１配管１４１に流入し、第１配管１４１から第１ポートＰ１を介して第１排液ラインＧＬ１に流入する。

続いて、図３及び図４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる切替ユニット１３の周辺の構成を示す別の図である。

図３及び図４に示すように、第２ポートＰ２は第１配管１４１に接続する。したがって、図４に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）が、排液ＲＬの流通先として第２配管１４２（第２ポートＰ２）を選択した場合、排液ＲＬは切替弁１３１を介して第２配管１４２に流入し、第２配管１４２から第２ポートＰ２を介して第１配管１４１に流入する。その結果、排液ＲＬは、第１配管１４１から第１ポートＰ１を介して第１排液ラインＧＬ１に流入する。

続いて、図３～図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる切替ユニット１３の周辺の構成を示す別の図である。

図３～図５に示すように、第３ポートＰ３には、第２排液ラインＧＬ２が接続する。第２排液ラインＧＬ２は、基板処理装置１００が設置されている工場に敷設されている。第２排液ラインＧＬ２は、基板処理装置１００から排出されるＳＣ１を回収するためのラインである。

図５に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）が、排液ＲＬの流通先として第３配管１４３（第３ポートＰ３）を選択した場合、排液ＲＬは切替弁１３１を介して第３配管１４３に流入し、第３配管１４３から第３ポートＰ３を介して第２排液ラインＧＬ２に流入する。

続いて、図３～図６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる切替ユニット１３の周辺の構成を示す別の図である。

図３～図６に示すように、基板処理装置１００は、第５配管１４５と、排液タンク２１とを更に備える。第５配管１４５は管状の部材である。第４ポートＰ４には、第５配管１４５の一端が接続する。第５配管１４５の他端は排液タンク２１に接続する。第５配管１４５は、第４ポートＰ４と排液タンク２１とを連通させる。

図６に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）が、排液ＲＬの流通先として第４配管１４４（第４ポートＰ４）を選択した場合、排液ＲＬは切替弁１３１を介して第４配管１４４に流入し、第４配管１４４から第４ポートＰ４を介して第５配管１４５に流入する。その結果、排液ＲＬが排液タンク２１に集められる。

続いて、図１～図７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図７は、本実施形態の基板処理装置１００の動作を示すフロー図である。より詳しくは、図７は、基板処理を実行する際の処理シーケンスを示す。

図７に示すように、基板処理を実行する際には、センターロボットＣＲが、複数の処理部１のうちの一の処理部１の処理室２内に基板Ｗを搬入する（ステップＳ１）。処理室２内に搬入された基板Ｗは、基板保持部３によって水平に保持される。

基板保持部３が基板Ｗを保持すると、制御部１０２は、基板回転部４を駆動させる。この結果、基板Ｗの回転が開始する（ステップＳ２）。具体的には、制御部１０２は、モータ本体４１を駆動させる。

モータ本体４１の回転速度（基板Ｗの回転速度）が所定速度に達すると、処理部１は、第１薬液処理を実行して、基板Ｗに第１薬液（ＳＰＭ）を供給する（ステップＳ３）。

具体的には、モータ本体４１の回転速度（基板Ｗの回転速度）が所定速度に達すると、制御部１０２は、まず第１ノズル移動機構６を制御して、第１ノズル５１を退避位置から処理位置へ移動させる。その後、制御部１０２は、第１成分開閉弁５４及び第２成分開閉弁５７を開状態にする。この結果、第１ノズル５１から基板Ｗに向けて第１薬液（ＳＰＭ）が吐出されて、基板Ｗの上面に第１薬液（ＳＰＭ）の液膜が形成される。このとき、基板Ｗから飛散した第１薬液（ＳＰＭ）がカップ部１１２に集められて、第１排液配管１２に流入する。

本実施形態では、第１薬液の供給開始から所定時間（Ｘ１秒）が経過した後、処理部１は基板Ｗに第１薬液の一成分（過酸化水素水）を供給する。具体的には、制御部１０２が、第１成分開閉弁５４を開状態から閉状態へ遷移させ、第２成分開閉弁５７を開状態で維持する。この結果、第１ノズル５１から基板Ｗに向けて第１薬液の一成分（過酸化水素水）が吐出されて、基板Ｗの上面に第１薬液の一成分（過酸化水素水）の液膜が形成される。

詳しくは、基板Ｗの上面の液膜が、第１薬液（ＳＰＭ）の液膜から第１薬液の一成分（過酸化水素水）の液膜に置換される。このとき、基板Ｗから飛散した第１薬液（ＳＰＭ）と第１薬液の一成分（過酸化水素水）とがカップ部１１２に集められて、第１排液配管１２に流入する。

第１薬液の一成分（過酸化水素水）の供給開始から所定時間（Ｘ２秒）が経過した後、処理部１は、第１リンス処理を実行して、基板Ｗにリンス液（脱イオン水）を供給する（ステップＳ４）。

具体的には、制御部１０２が、第２成分開閉弁５７を開状態から閉状態へ遷移させて、第１薬液の一成分（過酸化水素水）の供給を停止させる。そして、制御部１０２は、第１ノズル移動機構６を制御して、第１ノズル５１を処理位置から退避位置へ移動させる。あるいは、制御部１０２は、第１薬液の一成分（過酸化水素水）の供給を停止させる前に、第１ノズル５１を処理位置から退避位置へ移動させてもよい。また、制御部１０２は、第１薬液の一成分（過酸化水素水）の供給を停止させた後、リンス液開閉弁９３を閉状態から開状態に遷移させる。この結果、第３ノズル９１から基板Ｗに向けてリンス液（脱イオン水）が吐出されて、基板Ｗの上面にリンス液（脱イオン水）の液膜が形成される。

詳しくは、基板Ｗの上面の液膜が、第１薬液の一成分（過酸化水素水）の液膜からリンス液（脱イオン水）の液膜に置換される。このとき、基板Ｗから飛散した第１薬液の一成分（過酸化水素水）とリンス液（脱イオン水）とがカップ部１１２に集められて、第１排液配管１２に流入する。

リンス液（脱イオン水）の供給開始から所定時間（Ｘ３秒）が経過した後、処理部１は、第２薬液処理を実行して、基板Ｗに第２薬液（ＳＣ１）を供給する（ステップＳ５）。

具体的には、制御部１０２は、リンス液開閉弁９３を開状態から閉状態へ遷移させて、リンス液（脱イオン水）の供給を停止させる。そして、制御部１０２は、第２ノズル移動機構８を制御して、第２ノズル７１を退避位置から処理位置へ移動させる。その後、制御部１０２は、第２薬液開閉弁７３を開状態にする。この結果、第２ノズル７１から基板Ｗに向けて第２薬液（ＳＣ１）が吐出されて、基板Ｗの上面に第２薬液（ＳＣ１）の液膜が形成される。

詳しくは、基板Ｗの上面の液膜が、リンス液（脱イオン水）の液膜から第２薬液（ＳＣ１）の液膜に置換される。このとき、基板Ｗから飛散したリンス液（脱イオン水）と第２薬液（ＳＣ１）とがカップ部１１２に集められて、第１排液配管１２に流入する。

第２薬液（ＳＣ１）の供給開始から所定時間（Ｘ４秒）が経過した後、処理部１は、第２リンス処理を実行して、基板Ｗにリンス液（脱イオン水）を供給する（ステップＳ６）。

具体的には、制御部１０２が、第２薬液開閉弁７３を開状態から閉状態へ遷移させて、第２薬液（ＳＣ１）の供給を停止させる。そして、制御部１０２は、第２ノズル移動機構８を制御して、第２ノズル７１を処理位置から退避位置へ移動させる。あるいは、制御部１０２は、第２薬液（ＳＣ１）の供給を停止させる前に、第２ノズル７１を処理位置から退避位置へ移動させてもよい。また、制御部１０２は、第２薬液（ＳＣ１）の供給を停止させた後、リンス液開閉弁９３を閉状態から開状態に遷移させる。この結果、第３ノズル９１から基板Ｗに向けてリンス液（脱イオン水）が吐出されて、基板Ｗの上面にリンス液（脱イオン水）の液膜が形成される。

詳しくは、基板Ｗの上面の液膜が、第２薬液（ＳＣ１）の液膜からリンス液（脱イオン水）の液膜に置換される。このとき、基板Ｗから飛散した第２薬液（ＳＣ１）とリンス液（脱イオン水）とがカップ部１１２に集められて、第１排液配管１２に流入する。

リンス液（脱イオン水）の供給開始から所定時間（Ｘ５秒）が経過した後、処理部１は、乾燥処理を実行して、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ７）。具体的には、基板Ｗの回転速度を増大させる。この結果、基板Ｗ上のリンス液に大きな遠心力が付与され、基板Ｗに付着しているリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗからリンス液を除去して基板Ｗを乾燥させる。このとき、基板Ｗから飛散したリンス液（脱イオン水）がカップ部１１２に集められて、第１排液配管１２に流入する。

基板Ｗの高速回転を開始してから所定時間（Ｘ６秒）が経過した後、制御部１０２は、モータ本体４１の駆動を停止させることにより、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ８）。この結果、乾燥処理が終了する。

乾燥処理が終了すると、基板保持部３による基板Ｗの保持が解除され、センターロボットＣＲが処理室２の外へ基板Ｗを搬出して（ステップＳ９）、図７に示す動作が終了する。

続いて、図１～図９を参照して、第１薬液処理（図７のステップＳ３）、第１リンス処理（図７のステップＳ４）及び第２薬液処理（図７のステップＳ５）を説明する。図８（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる制御部１０２による排液ＲＬの流通先の切替タイミングの第１例を示す図である。図８（ｂ）は、排液ＲＬの流通先の切替タイミングの比較例を示す図である。

図８（ａ）に示すように、制御部１０２は、第１薬液処理の実行中に、排液ＲＬの流通先として第１ポートＰ１（第１配管１４１）を選択する。その結果、図３を参照して説明したように、ＳＰＭ（第１薬液）及び過酸化水素水（第１薬液の一成分）が第１ポートＰ１を介して第１排液ラインＧＬ１に流入する。つまり、第１薬液の各成分（硫酸及び過酸化水素水）が第１排液ラインＧＬ１に流入する。

図８（ａ）に示す例では、第１薬液処理の終了後も、排液ＲＬの流通先は第１ポートＰ１（第１配管１４１）に維持される。この結果、図３を参照して説明したように、リンス液（脱イオン水）と、リンス液（脱イオン水）によって洗い流された硫酸とが第１排液ラインＧＬ１に流入する。

詳しくは、硫酸は高粘性の薬液であるため、流れ難い。そのため、硫酸は、第１薬液処理の終了時点で、第１排液配管１２や、切替弁１３１の内部に滞留している。特に、本実施形態では、第１排液配管１２の水平部１２１に硫酸が滞留し易い。また、本実施形態では、切替弁１３１が略水平な姿勢で直線状に延びているので、切替弁１３１の内部に硫酸が滞留し易い。したがって、第１リンス処理が実行されると、滞留している硫酸がリンス液によって洗い流されて、第１排液ラインＧＬ１に流入する。

図８（ａ）に示す例では、制御部１０２は、第１リンス処理の実行中に、排液ＲＬの流通先を第１ポートＰ１（第１配管１４１）から第２ポートＰ２（第２配管１４２）に切り替える。具体的には、制御部１０２は、第１リンス処理を開始してから所定時間（Ｙ１秒）が経過した後に、排液ＲＬの流通先を第１ポートＰ１（第１配管１４１）から第２ポートＰ２（第２配管１４２）に切り替える。この結果、図４を参照して説明したように、リンス液（脱イオン水）と、リンス液（脱イオン水）によって洗い流された硫酸が第１排液ラインＧＬ１に流入する。

図８（ａ）に示すように、制御部１０２は、第１リンス処理の実行後に、排液ＲＬの流通先を第２ポートＰ２（第２配管１４２）から第３ポートＰ３（第３配管１４３）に切り替える。図８（ａ）に示す例では、制御部１０２は、第１リンス処理の終了タイミングから遅れたタイミングで、排液ＲＬの流通先を第２ポートＰ２から第３ポートＰ３に切り替える。換言すると、制御部１０２は、第２薬液処理の開始タイミングから遅れたタイミングで、排液ＲＬの流通先を第２ポートＰ２から第３ポートＰ３に切り替える。具体的には、制御部１０２は、排液ＲＬの流通先を第１ポートＰ１から第２ポートＰ２に切り替えてから所定時間（Ｙ２秒）が経過した後に、排液ＲＬの流通先を第２ポートＰ２から第３ポートＰ３に切り替える。

なお、以下の説明において、第１薬液処理が終了してから、排液ＲＬの流通先を第３ポートＰ３（第３配管１４３）以外のポート（第３配管１４３以外の配管）から第３ポートＰ３（第３配管１４３）に切り替えるまでの遅延時間を、「切替遅延時間」と記載する場合がある。図８（ａ）に示す例では、切替遅延時間は、「Ｙ１秒＋Ｙ２秒」である。

図８（ａ）に示すように、第２薬液処理の実行中の排液ＲＬの流通先は第３ポートＰ３（第３配管１４３）であるため、図５を参照して説明したように、第２薬液（ＳＣ１）が第３ポートＰ３を介して第２排液ラインＧＬ２に流入する。

なお、制御部１０２は、第２薬液処理の終了後に、排液ＲＬの流通先を第３ポートＰ３（第３配管１４３）から第４ポートＰ４（第４配管１４４）に切り替える。より詳しくは、制御部１０２は、第２リンス処理（図７のステップＳ６）以降の排液ＲＬの流通先として第４ポートＰ４（第４配管１４４）を選択する。その結果、図６を参照して説明したように、リンス液（脱イオン水）や、リンス液（脱イオン水）によって洗い流されたＳＣ１の各成分（水酸化アンモニウム、過酸化水素水、及び水）が第４ポートＰ４を介して排液タンク２１に導かれて、排液タンク２１に収容される。

続いて、図８（ｂ）を参照して、比較例を説明する。図８（ｂ）に示す比較例では、第１薬液処理が終了してから所定時間（Ｚ秒）が経過したタイミングで、排液ＲＬの流通先が第１ポートＰ１から第３ポートＰ３に切り替わる。つまり、図８（ｂ）に示す比較例では、リンス液（脱イオン水）と、リンス液（脱イオン水）によって洗い流された硫酸とが、第１配管１４１を介してのみ、第１排液ラインＧＬ１に流入する。

既に説明したように、硫酸は高粘性の薬液であり、流れ難いため、硫酸が第１配管１４１のみを流通する構成では、第１配管１４１において発生する硫酸の滞留によって、硫酸が更に流れ難くなる。そのため、硫酸をより充分に第１排液ラインＧＬ１に流入させるためには、排液ＲＬの流通先を第１ポートＰ１から第３ポートＰ３に切り替えるタイミングを、第１薬液処理の終了タイミングから充分に遅延させる必要がある。つまり、切替遅延時間を充分に長くする必要がある。比較例において、切替遅延時間は、例えば、１３秒である。

これに対し、本実施形態によれば、硫酸を第１配管１４１と第２配管１４２とに分散させて流通させることができる。したがって、硫酸が第１配管１４１のみを流通する構成（比較例）と比べて、切替遅延時間を短くできる（Ｙ１＋Ｙ２＜Ｚ）。よって、第１排液ラインＧＬ１に流入する排液の量を比較例よりも減少させることができる。

また、既に説明したように、第１排液ラインＧＬ１は、硫酸を回収するためのラインであり、使用済みの硫酸の回収処理には、大量の工業用水と大量の電力が必要である。そのため、第１排液ラインＧＬ１に流入する排液の量が増加すると、工場側の負担が増加する。本実施形態によれば、第１排液ラインＧＬ１に流入する排液の量を減少させて、工場側の負担を軽減することができる。

続いて、図９（ａ）～図９（ｃ）を参照して、第１薬液処理（図７のステップＳ３）、第１リンス処理（図７のステップＳ４）及び第２薬液処理（図７のステップＳ５）を説明する。図９（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる制御部１０２による排液ＲＬの流通先の切替タイミングの第２例を示す図である。図９（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる制御部１０２による排液ＲＬの流通先の切替タイミングの第３例を示す図である。図９（ｃ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる制御部１０２による排液ＲＬの流通先の切替タイミングの第４例を示す図である。

図９（ａ）に示すように、制御部１０２は、第１リンス処理が終了するタイミングで、排液ＲＬの流通先を第２ポートＰ２から第３ポートＰ３に切り替えてもよい。また、図９（ｂ）及び図９（ｃ）に示すように、制御部１０２は、第１薬液処理が終了するタイミングで、排液ＲＬの流通先を第１ポートＰ１から第２ポートＰ２に切り替えてもよい。

続いて、図１０を参照して、切替弁１３１の構成の一例を説明する。図１０は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる切替弁１３１の構成の一例を示す図である。

図１０に示すように、切替弁１３１は、第１弁体１３３ａ～第４弁体１３３ｄと、共通流路ＭＲと、第１分岐流路ＢＲ１～第４分岐流路ＢＲ４とを有してもよい。第１弁体１３３ａ及び第１分岐流路ＢＲ１は、第１切替弁１３１ａに含まれる。第２弁体１３３ｂ及び第２分岐流路ＢＲ２は、第２切替弁１３１ｂに含まれる。第３弁体１３３ｃ及び第３分岐流路ＢＲ３は、第３切替弁１３１ｃに含まれる。第４弁体１３３ｄ及び第４分岐流路ＢＲ４は、第４切替弁１３１ｄに含まれる。

共通流路ＭＲは、略水平な姿勢で直線状に延びる。共通流路ＭＲの一端は開放されており、共通流路ＭＲの他端は閉塞されている。第１排液配管１２は、共通流路ＭＲの一端に接続し、第１排液配管１２の流路Ｒ１は共通流路ＭＲと連通する。

第１分岐流路ＢＲ１～第４分岐流路ＢＲ４はそれぞれ、共通流路ＭＲから分岐する流路であり、共通流路ＭＲと連通している。第１分岐流路ＢＲ１～第４分岐流路ＢＲ４はそれぞれ、共通流路ＭＲが延びる方向に対して交差する方向に延びる。

第１分岐流路ＢＲ１の一端は、共通流路ＭＲと接続している。第１配管１４１は、第１分岐流路ＢＲ１の他端に接続し、第１配管１４１の流路Ｒ２ａは第１分岐流路ＢＲ１と連通する。

第２分岐流路ＢＲ２の一端は、共通流路ＭＲと接続している。第３配管１４３は、第２分岐流路ＢＲ２の他端に接続し、第３配管１４３の流路Ｒ２ｃは第２分岐流路ＢＲ２と連通する。

第３分岐流路ＢＲ３の一端は、共通流路ＭＲと接続している。第２配管１４２は、第３分岐流路ＢＲ３の他端に接続し、第２配管１４２の流路Ｒ２ｂは第３分岐流路ＢＲ３と連通する。

第４分岐流路ＢＲ４の一端は、共通流路ＭＲと接続している。第４配管１４４は、第４分岐流路ＢＲ４の他端に接続し、第４配管１４４の流路Ｒ２ｄは第４分岐流路ＢＲ４と連通する。

第１弁体１３３ａは、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。第１弁体１３３ａの閉塞位置は、第１弁体１３３ａが第１分岐流路ＢＲ１の一端を閉塞する位置を示す。第１弁体１３３ａの開放位置は、第１弁体１３３ａが第１分岐流路ＢＲ１の一端を開放して、第１分岐流路ＢＲ１と共通流路ＭＲとを連通させる位置を示す。

第１弁体１３３ａが開放位置から閉塞位置に移動すると、第１分岐流路ＢＲ１の一端が閉塞されて、第１分岐流路ＢＲ１と共通流路ＭＲとは連通しなくなる。したがって、第１分岐流路ＢＲ１と第１排液配管１２の流路Ｒ１とは連通しなくなる。一方、第１弁体１３３ａが閉塞位置から開放位置に移動すると、第１分岐流路ＢＲ１の一端が開放されて、第１分岐流路ＢＲ１と共通流路ＭＲとが連通する。つまり、第１分岐流路ＢＲ１と第１排液配管１２の流路Ｒ１とが連通する。

第２弁体１３３ｂは、第１弁体１３３ａと同様に、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。第２弁体１３３ｂの閉塞位置は、第２弁体１３３ｂが第２分岐流路ＢＲ２の一端を閉塞する位置を示す。第２弁体１３３ｂの開放位置は、第２弁体１３３ｂが第２分岐流路ＢＲ２の一端を開放して、第２分岐流路ＢＲ２と共通流路ＭＲとを連通させる位置を示す。

第２弁体１３３ｂが開放位置から閉塞位置に移動すると、第２分岐流路ＢＲ２の一端が閉塞されて、第２分岐流路ＢＲ２と共通流路ＭＲとは連通しなくなる。したがって、第２分岐流路ＢＲ２と第１排液配管１２の流路Ｒ１とは連通しなくなる。一方、第２弁体１３３ｂが閉塞位置から開放位置に移動すると、第２分岐流路ＢＲ２の一端が開放されて、第２分岐流路ＢＲ２と共通流路ＭＲとが連通する。つまり、第２分岐流路ＢＲ２と第１排液配管１２の流路Ｒ１とが連通する。

第３弁体１３３ｃは、第１弁体１３３ａ及び第２弁体１３３ｂと同様に、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。第３弁体１３３ｃの閉塞位置は、第３弁体１３３ｃが第３分岐流路ＢＲ３の一端を閉塞する位置を示す。第３弁体１３３ｃの開放位置は、第３弁体１３３ｃが第３分岐流路ＢＲ３の一端を開放して、第３分岐流路ＢＲ３と共通流路ＭＲとを連通させる位置を示す。

第３弁体１３３ｃが開放位置から閉塞位置に移動すると、第３分岐流路ＢＲ３の一端が閉塞されて、第３分岐流路ＢＲ３と共通流路ＭＲとは連通しなくなる。したがって、第３分岐流路ＢＲ３と第１排液配管１２の流路Ｒ１とは連通しなくなる。一方、第３弁体１３３ｃが閉塞位置から開放位置に移動すると、第３分岐流路ＢＲ３の一端が開放されて、第３分岐流路ＢＲ３と共通流路ＭＲとが連通する。つまり、第３分岐流路ＢＲ３と第１排液配管１２の流路Ｒ１とが連通する。

第４弁体１３３ｄは、第１弁体１３３ａ～第３弁体１３３ｃと同様に、閉塞位置と開放位置との間で移動可能である。第４弁体１３３ｄの閉塞位置は、第４弁体１３３ｄが第４分岐流路ＢＲ４の一端を閉塞する位置を示す。第４弁体１３３ｄの開放位置は、第４弁体１３３ｄが第４分岐流路ＢＲ４の一端を開放して、第４分岐流路ＢＲ４と共通流路ＭＲとを連通させる位置を示す。

第４弁体１３３ｄが開放位置から閉塞位置に移動すると、第４分岐流路ＢＲ４の一端が閉塞されて、第４分岐流路ＢＲ４と共通流路ＭＲとは連通しなくなる。したがって、第４分岐流路ＢＲ４と第１排液配管１２の流路Ｒ１とは連通しなくなる。一方、第４弁体１３３ｄが閉塞位置から開放位置に移動すると、第４分岐流路ＢＲ４の一端が開放されて、第４分岐流路ＢＲ４と共通流路ＭＲとが連通する。つまり、第４分岐流路ＢＲ４と第１排液配管１２の流路Ｒ１とが連通する。

図１０は、第１弁体１３３ａが開放位置に位置し、第２弁体１３３ｂ～第４弁体１３３ｄが閉塞位置に位置している切替弁１３１を例示している。この場合、第１配管１４１が、第１排液配管１２を流通する排液ＲＬの流通先となる。

図１０に示す例では、第１配管１４１と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ａ、第３配管１４３と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ｃ、第２配管１４２と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ｂ、及び第４配管１４４と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ｄのうち、第１配管１４１と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ａが、切替弁１３１と第１排液配管１２との接続箇所ＣＰ１に最も近い。そのため、第１薬液処理中に切替弁１３１に流入するＳＰＭの一部は、共通流路ＭＲから第１分岐流路ＢＲ１に流入せずに、共通流路ＭＲを流れる。この結果、切替弁１３１の内部に硫酸が滞留する。

なお、以下の説明において、第１配管１４１と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ａを、「第１接続箇所ＣＰ２ａ」と記載する場合がある。同様に、第３配管１４３と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ｃ、第２配管１４２と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ｂ、及び第４配管１４４と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ｄをそれぞれ、「第３接続箇所ＣＰ２ｃ」、「第２接続箇所ＣＰ２ｂ」及び「第４接続箇所ＣＰ２ｄ」と記載する場合がある。

本実施形態によれば、図１０に示すように、切替弁１３１の構造が、切替弁１３１の内部に硫酸が滞留し易い構造であっても、切替弁１３１の内部に滞留している硫酸をより充分に第１排液ラインＧＬ１に流入させることができる。

また、図１０に示す例では、第２接続箇所ＣＰ２ｂが、第１接続箇所ＣＰ２ａ及び第３接続箇所ＣＰ２ｃよりも、切替弁１３１と第１排液配管１２との接続箇所ＣＰ１から遠い。したがって、第１排液配管１２から共通流路ＭＲに流入した液体は、第１配管１４１及び第３配管１４３よりも、第２配管１４２に流入し易い。本実施形態によれば、第１薬液処理後に、排液ＲＬの流通先を第１配管１４１から第２配管１４２に切り替えて、リンス液（脱イオン水）と、リンス液（脱イオン水）によって洗い流された硫酸とを第２配管１４２を介して第１排液ラインＧＬ１に流入させる際に、リンス液によって洗い流された硫酸を第１排液ラインＧＬ１により流入させ易くなる。

続いて、図１～図１１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる制御装置１０１及び切替ユニット１３の構成を示すブロック図である。

図１１に示すように、切替弁１３１は、第１弁駆動部１３２ａ～第４弁駆動部１３２ｄを更に有する。第１弁駆動部１３２ａは、第１切替弁１３１ａに含まれる。同様に、第２弁駆動部１３２ｂ～第４弁駆動部１３２ｄはそれぞれ、第２切替弁１３１ｂ～第４切替弁１３１ｄに含まれる。

第１弁駆動部１３２ａは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第１弁体１３３ａを閉塞位置と開放位置との間で移動させる。第１弁駆動部１３２ａは、例えば、第１弁体１３３ａの動力源としてモータを含み得る。

同様に、第２弁駆動部１３２ｂは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第２弁体１３３ｂを閉塞位置と開放位置との間で移動させる。第３弁駆動部１３２ｃは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第３弁体１３３ｃを閉塞位置と開放位置との間で移動させる。第４弁駆動部１３２ｄは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御されて、第４弁体１３３ｄを閉塞位置と開放位置との間で移動させる。第２弁駆動部１３２ｂ～第４弁駆動部１３２ｄはそれぞれ、例えば、第２弁体１３３ｂ～第４弁体１３３ｄの動力源としてモータを含み得る。

以上、図１～図１１を参照して、本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、廃棄するために処理が必要な排液の量を削減することができる。

［実施形態２］
続いて図１２～図１４を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、切替ユニット１３の構成が実施形態１と異なる。

図１２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる切替ユニット１３の周辺の構成を示す図である。図１３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる切替ユニット１３の周辺の構成を示す別の図である。図１４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる制御装置１０１及び切替ユニット１３の構成を示すブロック図である。

図１２～図１４に示すように、切替ユニット１３は、切替弁１３１と、第１開閉弁ＶＡ１と、第２開閉弁ＶＡ２とを有する。また、切替弁１３１は、第１切替弁１３１ａと、第２切替弁１３１ｂと、第３切替弁１３１ｃとを含む。

本実施形態において、切替弁１３１には、第１排液配管１２と、第１配管１４１と、第２配管１４２と、第３配管１４３とが接続する。第４配管１４４は、第２配管１４２から分岐する。

図１２及び図１３に示すように、第１開閉弁ＶＡ１は、第２配管１４２に介装される。詳しくは、第１開閉弁ＶＡ１は、第２配管１４２と第４配管１４４との接続箇所と、第２ポートＰ２との間に配置される。また、第２開閉弁ＶＡ２は、第４配管１４４に介装される。

第１開閉弁ＶＡ１及び第２開閉弁ＶＡ２はそれぞれ、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。図１４に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１開閉弁ＶＡ１及び第２開閉弁ＶＡ２の開閉動作を制御する。第１開閉弁ＶＡ１及び第２開閉弁ＶＡ２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。

制御装置１０１（制御部１０２）は、排液ＲＬの流通先を第１ポートＰ１（第１配管１４１）から第２ポートＰ２（第２配管１４２）に切り替える際に、第１開閉弁ＶＡ１を開状態にし、第２開閉弁ＶＡ２の閉状態にする。この結果、図１２に示すように、排液ＲＬは切替弁１３１を介して第２配管１４２に流入し、第２配管１４２から第２ポートＰ２を介して第１配管１４１に流入する。

また、制御装置１０１（制御部１０２）は、排液ＲＬの流通先を第３ポートＰ３から第４ポートＰ４に切り替える際に、第１開閉弁ＶＡ１を閉状態にし、第２開閉弁ＶＡ２の開状態にする。この結果、図１３に示すように、排液ＲＬは切替弁１３１を介して第２配管１４２に流入した後、第２配管１４２から第４配管１４４に流入し、第４ポートＰ４及び第５配管１４５を介して排液タンク２１に集められる。

本実施形態において、第２配管１４２と切替弁１３１との接続箇所ＣＰ２ｂ（第２接続箇所ＣＰ２ｂ）は、第１配管１４１及び第３配管１４３の各々と切替弁１３１との接続箇所（第１接続箇所ＣＰ２ａ及び第３接続箇所ＣＰ２ｃ）よりも、切替弁１３１と第１排液配管１２との接続箇所ＣＰ１から遠い。より具体的には、切替弁１３１の共通流路ＭＲの終端側で第２配管１４２が共通流路ＭＲと連通する。その結果、第１排液配管１２から共通流路ＭＲに流入した液体は、第１配管１４１及び第３配管１４３よりも、第２配管１４２に流入し易い。

本実施形態によれば、第１薬液処理後に、排液ＲＬの流通先を第１配管１４１から第２配管１４２に切り替えて、リンス液（脱イオン水）と、リンス液（脱イオン水）によって洗い流された硫酸とを第２配管１４２を介して第１排液ラインＧＬ１に流入させる際に、リンス液によって洗い流された硫酸を第１排液ラインＧＬ１により流入させ易くなる。

以上、図１２～図１４を参照して、本発明の実施形態２を説明した。本実施形態によれば、実施形態１と同様に、廃棄するために処理が必要な排液の量を削減することができる。なお、本実施形態では、第２配管１４２が切替弁１３１に接続し、第４配管１４４が第２配管１４２から分岐したが、第４配管１４４が切替弁１３１に接続し、第２配管１４２が第４配管１４４から分岐してもよい。

以上、図面（図１～図１４）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

例えば、図１～図１４を参照して説明した実施形態では、液受け部１１は、ガード部１１１及びカップ部１１２のそれぞれ１つ含むが、第１薬液、第２薬液及びリンス液が同一のカップ部１１２で回収される構成である限り、液受け部１１は、複数のガード部１１１及び複数のカップ部１１２を含んでもよい。

また、図１～図１４を参照して説明した実施形態では、第１薬液はＳＰＭであったが、第１薬液はＳＰＭに限定されない。例えば、第１薬液は、燐酸や、混酸、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム＝ヒドロキシド）のような高粘性の薬液であってもよい。

また、図１～図１４を参照して説明した実施形態では、基板処理装置１００は枚葉式の装置であったが、基板処理装置１００はバッチ式の装置であってもよい。

また、図１～図１４を参照して説明した実施形態では、基板保持部３は挟持式のチャックであったが、基板保持部３は挟持式のチャックに限定されない。例えば、基板保持部３は、バキューム式のチャックであってもよい。

本発明は、基板を処理する装置に有用である。

１ ：処理部
１２ ：第１排液配管
１３ ：切替ユニット
１４ ：第２排液配管
１００ ：基板処理装置
１０２ ：制御部
１２１ ：水平部
１３１ ：切替弁
１４１ ：第１配管
１４２ ：第２配管
１４３ ：第３配管
１４４ ：第４配管
ＣＰ１ ：接続箇所
ＣＰ２ａ ：第１接続箇所
ＣＰ２ｂ ：第２接続箇所
ＣＰ２ｃ ：第３接続箇所
ＣＰ２ｄ ：第４接続箇所
Ｐ１ ：第１ポート
Ｐ２ ：第２ポート
Ｐ３ ：第３ポート
Ｐ４ ：第４ポート
ＲＬ ：排液
ＶＡ１ ：第１開閉弁
ＶＡ２ ：第２開閉弁
Ｗ ：基板

Claims (8)

1. 複数種類の処理液を用いて、基板に対して基板処理を実行する処理部と、
   前記処理部から排出される前記処理液である排液が流入する第１排液配管と、
   複数の第２排液配管と、
   前記第１排液配管を流通する前記排液の流通先を前記複数の第２排液配管の間で切り替える切替ユニットと、
   前記切替ユニットを制御する制御部と
   を備え、
   前記複数種類の処理液は、第１薬液と、リンス液と、前記第１薬液とは異なる第２薬液とを含み、
   前記基板処理は、前記第１薬液を用いる第１薬液処理と、前記リンス液を用いるリンス処理と、前記第２薬液を用いる第２薬液処理とを含み、
   前記処理部は、前記第１薬液処理と、前記リンス処理と、前記第２薬液処理とをこの順に実行し、
   前記複数の第２排液配管は、前記第１薬液用の第１配管と、前記第１薬液用の第２配管と、前記第２薬液用の第３配管とを含み、
   前記制御部は、前記切替ユニットを制御して、前記第１薬液処理中の前記排液の流通先を前記第１配管とし、前記第１薬液処理後の前記リンス処理中に前記排液の流通先を前記第１配管から前記第２配管に切り替え、前記リンス処理後に前記排液の流通先を前記第２配管から前記第３配管に切り替える、基板処理装置。
2. 前記リンス処理は、第１リンス処理であり、
   前記基板処理は、前記リンス液を用いる第２リンス処理を更に含み、
   前記処理部は、前記第１薬液処理と、前記第１リンス処理と、前記第２薬液処理と、前記第２リンス処理とをこの順に実行し、
   前記複数の第２排液配管は、前記リンス液用の第４配管を更に含み、
   前記制御部は、前記切替ユニットを制御して、前記第１薬液処理中の前記排液の流通先を前記第１配管とし、前記第１薬液処理後の前記第１リンス処理中に前記排液の流通先を前記第１配管から前記第２配管に切り替え、前記第１リンス処理後に前記排液の流通先を前記第２配管から前記第３配管に切り替え、前記第２薬液処理後に前記排液の流通先を前記第３配管から前記第４配管に切り替える、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記切替ユニットは、切替弁を含み、
   前記切替弁は、前記第１排液配管、前記第１配管、前記第２配管、前記第３配管及び前記第４配管と接続し、
   前記第１配管、前記第２配管、前記第３配管、及び前記第４配管の各々と前記切替弁との接続箇所のうち、前記第１配管と前記切替弁との接続箇所が、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所に最も近い、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記第２配管と前記切替弁との接続箇所は、前記第１配管及び前記第３配管の各々と前記切替弁との接続箇所よりも、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所から遠い、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記切替ユニットは、切替弁と、前記第２配管に介装される開閉弁と、前記第４配管に介装される開閉弁とを含み、
   前記切替弁は、前記第１排液配管、前記第１配管及び前記第３配管と接続するとともに、前記第２配管又は前記第４配管と接続し、
   前記第４配管又は前記第２配管は、前記第２配管又は前記第４配管から分岐し、
   前記第１配管と前記切替弁との接続箇所、前記第３配管と前記切替弁との接続箇所、及び前記第２配管又は前記第４配管と前記切替弁との接続箇所のうち、前記第１配管と前記切替弁との接続箇所が、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所に最も近い、請求項２に記載の基板処理装置。
6. 前記第２配管又は前記第４配管と前記切替弁との接続箇所は、前記第１配管及び前記第３配管の各々と前記切替弁との接続箇所よりも、前記切替弁と前記第１排液配管との接続箇所から遠い、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記切替弁は、略水平な姿勢で直線状に延びる、請求項３から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記第１排液配管は、前記排液が略水平方向に流通する水平部を含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。

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