CN106960807A - 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理装置的清洗方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的异物去除的基板处理装置和基板处理装置的清洗方法。实施方式的一技术方案的基板处理装置包括保持部、处理液供给部、第1杯状件、第2杯状件以及清洗液供给部。保持部用于保持基板。处理液供给部用于向基板供给第1处理液和第2处理液。第1杯状件具有周壁部，用于将第1处理液回收于由周壁部形成的回收部中。第2杯状件与第1杯状件相邻地配置，用于对第2处理液进行回收。清洗液供给部用于将清洗液向第1杯状件的回收部供给。在基板处理装置中，通过使由清洗液供给部供给来的清洗液从周壁部向第2杯状件侧溢流，来对周壁部进行清洗。

Description

基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
技术领域
公开的实施方式涉及基板处理装置和基板处理装置的清洗方法。
背景技术
以往，公知有向半导体晶圆、玻璃基板这样的基板供给预定的处理液而进行各种处理的基板处理装置(参照例如专利文献1)。
对于上述的基板处理装置，例如利用以包围基板的周围的方式设置的杯状件将从基板飞散的处理液接收而排出。该杯状件构成为，具有从例如底部竖立设置的周壁部，将由周壁部形成的空间作为回收部而将处理液回收并排出。
另外，在上述的基板处理装置中，在存在多种处理液的情况下，根据处理液的种类而具有多个杯状件。即、基板处理装置在向基板供给第1处理液、第2处理液的情况下具有用于回收第1处理液的第1杯状件和与第1杯状件相邻地配置并用于回收第2处理液的第2杯状件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013－089628号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述的基板处理装置中，在各种处理后将处理液排出之际，例如第1处理液的一部分有时残留于第1杯状件。同样地，第2处理液的一部分也有时残留于第2杯状件。在该情况下，在基板处理装置中，可知：残留的第1处理液和第2处理液反应而产生结晶等异物，异物附着于第1杯状件的周壁部。
实施方式的一技术方案的目的在于提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的异物去除的基板处理装置和基板处理装置的清洗方法。
用于解决问题的方案
实施方式的一技术方案的基板处理装置具有保持部、处理液供给部、第1杯状件、第2杯状件以及清洗液供给部。保持部用于保持基板。处理液供给部用于向所述基板供给第1处理液和第2处理液。第1杯状件具有周壁部，将第1处理液回收于由所述周壁部形成的回收部。第2杯状件与所述第1杯状件相邻地配置，用于回收第2处理液。清洗液供给部用于向所述第1杯状件的所述回收部供给清洗液。在基板处理装置中，通过使由所述清洗液供给部供给来的清洗液从所述周壁部向所述第2杯状件侧溢流，来对所述周壁部进行清洗。
发明的效果
根据实施方式的一技术方案，能够将附着到杯状件的周壁部的异物去除。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基板处理***的概略构成的图。
图2是表示处理单元的概略构成的图。
图3是表示处理单元的具体的构成例的示意剖视图。
图4A是用于说明清洗液供给部等的结构和清洗处理的图。
图4B是用于说明清洗处理的图。
图4C是用于说明清洗处理的图。
图5是表示第1实施方式的基板处理***所执行的处理的处理顺序的流程图。
图6是表示在基板处理***中所执行的第1周壁部等的清洗处理的处理顺序的一个例子的流程图。
图7是表示第1变形例～第3变形例中的处理单元的构成例的示意剖视图。
图8是表示第2实施方式中的清洗液供给部等的概略构成的示意图。
附图标记说明
1、基板处理***；4、控制装置；16、处理单元；18、控制部；30、基板保持机构；31、保持部；40、处理流体供给部；50、回收杯状件；50a、第1杯状件；50b、第2杯状件；50c、第3杯状件；54a、第1周壁部；54b、第2周壁部；55a、第1液体接收部；55b、第2液体接收部；56a、第1支承构件；57a、第2支承构件；59a、贯穿孔；59b、贯穿孔；70、处理流体供给源；80、清洗液供给部；111、循环管线；200、热交换部。
具体实施方式
以下，参照附图对本申请所公开的基板处理装置和基板处理装置的清洗方法的实施方式详细地进行说明。此外，本发明并不被以下所示的实施方式限定。
＜1.基板处理***的构成＞
(第1实施方式)
图1是表示本实施方式的基板处理***的概略构成的图。以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
如图1所示，基板处理***1具有输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2具有承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11载置多个承载件C，该多个承载件C以水平状态收容多张基板、在本实施方式中是半导体晶圆(以下称为晶圆W)。
输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在其内部设置有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够沿着水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心进行回转，使用晶圆保持机构而在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具有输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并列设置于输送部15的两侧。
输送部15在内部设置有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够沿着水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心进行回转，使用晶圆保持机构而在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行预定的基板处理。
另外，基板处理***1具有控制装置4。控制装置4是例如计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19储存对在基板处理***1中所执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读出并执行在存储部19中存储的程序而对基板处理***1的动作进行控制。
此外，该程序记录于可由计算机读取的存储介质，也可以从从该存储介质安装于控制装置4的存储部19。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理***1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置到承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，将取出来的晶圆W载置于交接部14。载置到交接部14的晶圆W利用处理站3的基板输送装置17从交接部14取出而向处理单元16输入。
输入到处理单元16的晶圆W被处理单元16处理之后，利用基板输送装置17从处理单元16输出而载置于交接部14。并且，载置到交接部14的处理完毕的晶圆W利用基板输送装置13返回承载件载置部11的承载件C。
接着，参照图2对基板处理***1的处理单元16的概略构成进行说明。图2是表示处理单元16的概略构成的图。
如图2所示，处理单元16具有腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯状件50。
腔室20用于收容基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯状件50。在腔室20的顶部设置FFU(Fan Filter Unit，风机过滤单元)21。FFU21用于在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具有保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31用于水平地保持晶圆W。支柱部32是沿着铅垂方向延伸的构件，基端部被驱动部33支承为能够旋转，在顶端部水平地支承保持部31。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴线旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33而使支柱部32旋转，使支承到支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持到保持部31的晶圆W旋转。
处理流体供给部40用于向晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯状件50以包围保持部31的方式配置，对由于保持部31的旋转而从晶圆W飞散的处理液进行捕集。在回收杯状件50的底部形成有排液口51，由回收杯状件50捕集到的处理液从该排液口51向处理单元16的外部排出。另外，在回收杯状件50的底部形成有将从FFU21供给的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
＜2.处理单元的具体的构成＞
接着，参照图3对上述的处理单元16的构成更具体地进行说明。图3是表示处理单元16的具体的构成例的示意剖视图。
如图3所示，FFU21经由阀22与非活性气体供给源23连接。FFU21用于将从非活性气体供给源23供给的N2气体等非活性气体作为下降流气体而向腔室20内喷出。这样，通过使用非活性气体作为下降流气体，能够防止晶圆W氧化。
在基板保持机构30的保持部31的上表面设置有用于从侧面保持晶圆W的保持构件311。晶圆W被该保持构件311以与保持部31的上表面稍微分开的状态水平保持。
处理流体供给部40包括喷嘴41、用于水平地支承喷嘴41的臂42以及用于使臂42回转和升降的回转升降机构43。喷嘴41与未图示的配管的一端连接，该配管的另一端分支成多个。并且，所分支的配管的各端部分别与碱系处理液供给源70a、酸系处理液供给源70b、有机系处理液供给源70c以及DIW供给源70d连接。另外，在各供给源70a～70d与喷嘴41之间设有阀60a～60d。
处理流体供给部40将从上述的各供给源70a～70d供给的碱系处理液、酸系处理液、有机系处理液以及DIW(常温的纯水)从喷嘴41向晶圆W的表面供给，对晶圆W进行液处理。
此外，在上述内容中，对晶圆W的表面进行液处理，但并不限定于此，也可以构成为对例如晶圆W的背面、周缘部进行液处理。另外，在本实施方式中，碱系处理液、酸系处理液、有机系处理液以及DIW从1个喷嘴41供给，但处理流体供给部40也可以具有与各处理液相对应的多个喷嘴。
在保持部31的周缘部设有与保持部31一起一体地旋转的第1旋转杯状件101、第2旋转杯状件102。如图3所示，第2旋转杯状件102配置于比第1旋转杯状件101靠内侧的位置。
这些第1旋转杯状件101、第2旋转杯状件102整体上形成为环状。若第1旋转杯状件101、第2旋转杯状件102与保持部31一起旋转，则将从旋转的晶圆W飞散开的处理液向回收杯状件50引导。
回收杯状件50从靠近由保持部31保持、旋转的晶圆W的旋转中心的内侧起依次具有第1杯状件50a、第2杯状件50b以及第3杯状件50c。另外，回收杯状件50在第1杯状件50a的内周侧设置有以晶圆W的旋转中心为中心的圆筒状的内壁部54d。
第1杯状件50a～第3杯状件50c以及内壁部54d设于回收杯状件50的底部53之上。具体而言，第1杯状件50a具有第1周壁部54a和第1液体接收部55a。
第1周壁部54a从底部53竖立设置，并且形成为筒状(例如圆筒状)。在第1周壁部54a与内壁部54d之间形成有空间，该空间被设为用于对处理液等进行回收并排出的第1排液槽501a。第1液体接收部55a设于第1周壁部54a的上表面54a1的上方。
另外，第1杯状件50a具有第1升降机构56，构成为能够利用该第1升降机构56进行升降。详细而言，第1升降机构56具有第1支承构件56a和第1升降驱动部56b。
第1支承构件56a是多个(例如3根。在图3中仅图示1根)纵长状的构件。第1支承构件56a以能够移动的方式贯穿于形成在第1周壁部54a内的贯穿孔。此外，作为第1支承构件56a，能够使用例如圆柱状的杆，但并不限定于此。
第1支承构件56a以上端从第1周壁部54a的上表面54a1暴露的方式定位、并且与第1液体接收部55a的下表面连接而从下方支承第1液体接收部55a。另一方面，第1支承构件56a的下端与第1升降驱动部56b连接。
第1升降驱动部56b使第1支承构件56a沿着例如Z轴方向升降，由此，第1支承构件56a使第1液体接收部55a相对于第1周壁部54a升降。此外，作为第1升降驱动部56b，能够使用气缸。另外，第1升降驱动部56b由控制装置4控制。
由第1升降驱动部56b驱动的第1液体接收部55a在接收从旋转的晶圆W飞散开的处理液的处理位置和从处理位置退避到下方侧的退避位置之间移动。
详细而言，在第1液体接收部55a位于处理位置时，在第1液体接收部55a的上端的内侧形成开口，并形成从开口通向第1排液槽501a的流路。
另一方面，如图3所示，内壁部54d具有以朝向保持部31的周缘部倾斜的方式延伸设置的延伸设置部54d1。第1液体接收部55a在处于退避位置时，与内壁部54d的延伸设置部54d1抵接，上端内侧的开口关闭而通向第1排液槽501a的流路被封闭。
第2杯状件50b设为与第1杯状件50a同样的构成。具体而言，第2杯状件50b具有第2周壁部54b、第2液体接收部55b以及第2升降机构57，第2杯状件50b与第1杯状件50a相邻地配置于第1杯状件50a的第1周壁部54a侧。
第2周壁部54b竖立设置于底部53的靠第1周壁部54a的外周侧的位置，形成为筒状。并且，在第2周壁部54b与第1周壁部54a之间形成的空间设为用于对处理液等进行回收并排出的第2排液槽501b。
第2液体接收部55b位于第1液体接收部55a的外周侧、并且设于第2周壁部54b的上表面54b1的上方。
第2升降机构57具有第2支承构件57a和第2升降驱动部57b。第2支承构件57a是多个(例如3根。在图3中仅图示1根)纵长状的构件，以能够移动的方式贯穿于形成在第2周壁部54b内的贯穿孔。此外，作为第2支承构件57a，能够使用例如圆柱状的杆，但并不限于此。
第2支承构件57a以上端从第2周壁部54b的上表面54b1暴露的方式定位、并且与第2液体接收部55b的下表面连接而从下方支承第2液体接收部55b。此外，第2周壁部54b的上表面54b1以在铅垂方向上处于第1周壁部54a的上表面54a1的下方的方式定位。
第2支承构件57a的下端与第2升降驱动部57b连接。第2升降驱动部57b用于使第2支承构件57a沿着例如Z轴方向升降。由此，第2支承构件57a用于使第2液体接收部55b相对于第2周壁部54b升降。
此外，作为第2升降驱动部57b，能够使用气缸。另外，第2升降驱动部57b也由控制装置4控制。
并且，第2液体接收部55b也在处理位置与退避位置之间移动。详细而言，在第2液体接收部55b位于处理位置、且第1液体接收部55a位于退避位置时，在第2液体接收部55b的上端的内侧形成开口，形成从开口通向第2排液槽501b的流路。
另一方面，如图3所示，第2液体接收部55b在位于退避位置时与第1液体接收部55a抵接，上端内侧的开口关闭而通向第2排液槽501b的流路被封闭。此外，在上述内容中，退避位置的第2液体接收部55b与第1液体接收部55a抵接，但并不限于此，也可以与例如内壁部54d抵接而将上端内侧的开口关闭。
第3杯状件50c具有第3周壁部54c和第3液体接收部55c，第3杯状件50c与第2杯状件50b相邻地配置于与第1杯状件50a相反的一侧。第3周壁部54c竖立设置于底部53的靠第2周壁部54b的外周侧的位置，形成为筒状。并且，第3周壁部54c与第2周壁部54b之间的空间被设为用于对处理液等进行回收并排出的第3排液槽501c。
第3液体接收部55c以从第3周壁部54c的上端连续的方式形成。第3液体接收部55c形成为包围被保持部31保持的晶圆W的周围、并且延伸到第1液体接收部55a、第2液体接收部55b的上方。
如图3所示，第3液体接收部55c在第1液体接收部55a、第2液体接收部55b都位于退避位置时，在第3液体接收部55c的上端的内侧形成开口，形成从开口通向第3排液槽501c的流路。
另一方面，在第2液体接收部55b位于上升后的位置的情况下，或第1液体接收部55a和第2液体接收部55b这两者都位于上升后的位置的情况下，第3液体接收部55c与第2液体接收部55b抵接，上端内侧的开口关闭而通向第3排液槽501c的流路被封闭。
在底部53的与上述的第1杯状件50a～第3杯状件50c相对应的部分、准确地说在底部53的与第1排液槽501a～第3排液槽501c相对应的部分，沿着回收杯状件50的圆周方向隔开间隔且分别形成有排液口51a～51c。
在此，以从排液口51a排出的处理液是酸系处理液、从排液口51b排出的处理液是碱系处理液、从排液口51c排出的处理液是有机系处理液的情况为例进行说明。此外，从上述的各排液口51a～51c排出的处理液的种类只不过是例示，并没有限定。
排液口51a与排液管91a连接。排液管91a在中途设置有阀62a，在该阀62a的位置处分支成第1排液管91a1和第2排液管91a2。此外，作为阀62a，能够使用可在例如闭阀位置、使排出路径向第1排液管91a1侧打开的位置、向第2排液管91a2侧打开的位置之间进行切换的三通阀。
在上述的酸系处理液能够再利用的情况下，第1排液管91a1与酸系处理液供给源70b(例如储存酸系处理液的罐)连接，使排液返回酸系处理液供给源70b。即、第1排液管91a1作为循环管线发挥功能。此外，随后论述第2排液管91a2。
排液口51b与排液管91b连接。在排液管91b的中途设置有阀62b。另外，排液口51c与排液管91c连接。在排液管91c的中途设置有阀62c。此外，阀62b，62c由控制装置4控制。
并且，处理单元16在进行基板处理时，根据基板处理中的各处理所使用的处理液的种类等使第1杯状件50a的第1液体接收部55a、第2杯状件50b的第2液体接收部55b升降，执行排液口51a～51c的切换。
在将例如酸系处理液向晶圆W喷出而对晶圆W进行处理的情况下，控制装置4在对基板保持机构30的驱动部33进行控制而使保持部31以预定旋转速度旋转着的状态下打开阀60b。
此时，控制装置4预先使第1杯状件50a上升。即、控制装置4借助第1升降驱动部56b、第2升降驱动部57b使第1支承构件56a、第2支承构件57a上升，使第1液体接收部55a上升到处理位置，从而预先形成从第1液体接收部55a的上端内侧的开口通向第1排液槽501a的流路。由此，供给到晶圆W的酸系处理液向下方流动而流入第1排液槽501a。
另外，控制装置4预先对阀62a进行控制而使排出路径向第1排液管91a1侧打开。由此，流入到第1排液槽501a的酸系处理液经由排液管91a和第1排液管91a1返回酸系处理液供给源70b。并且，返回到酸系处理液供给源70b的酸系处理液再次供给到晶圆W。这样，第1杯状件50a与使所回收的酸系处理液循环而向晶圆W再次供给的循环管线连接。
另外，在将例如碱系处理液向晶圆W喷出而对晶圆W进行处理的情况下，控制装置4在对驱动部33进行相同地控制而使保持部31以预定旋转速度旋转的状态下打开阀60a。
此时，控制装置4预先仅使第2杯状件50b上升。即、控制装置4借助第2升降驱动部57b使第2支承构件57a上升，使第2液体接收部55b上升到处理位置，从而预先形成从第2液体接收部55b的上端内侧的开口通向第2排液槽501b的流路。此外，在此第1杯状件50a下降了。由此，供给到晶圆W的碱系处理液向下方流动而流入第2排液槽501b。
另外，控制装置4预先打开阀62b。由此，第2排液槽501b的碱系处理液经由排液管91b向处理单元16的外部排出。这样，排液管91b作为将回收到的第2处理液向处理单元16外部排出的排液管线发挥功能。即、第2杯状件50b与排液管线连接。
另外，在将例如有机系处理液向晶圆W喷出而对晶圆W进行处理的情况下，控制装置4在对驱动部33进行相同地控制而使保持部31以预定旋转速度旋转的状态下打开阀60c。
此时，控制装置4预先使第1杯状件50a、第2杯状件50b下降(参照图3)。即、控制装置4借助第1升降驱动部56b、第2升降驱动部57b使第1支承构件56a、第2支承构件57a下降，使第1液体接收部55a、第2液体接收部55b下降到退避位置。这样一来，预先形成从第3液体接收部55c的上端内侧的开口通向第3排液槽501c的流路。由此，供给到晶圆W的有机系处理液向下方流动而流入第3排液槽501c。
另外，控制装置4预先打开阀62c，因而，第3排液槽501c的有机系处理液经由排液管91c向处理单元16的外部排出。这样，第3杯状件50c也与将所回收到的第3处理液向处理单元16外部排出的排液管线(例如排液管91c)连接。
此外，上述的酸系处理液、碱系处理液、有机系处理液和清洗液的排出路径是例示的，而不是限定性的。即、也可以是，例如各排液口51a～51c与1根排液管连接，在1根排液管设有与酸性、碱性这样的处理液的性质相应的多个阀，从该阀的位置使排出路径分支。
另外，排液管91b与连通于在第1周壁部54a中贯穿有第1支承构件56a的贯穿孔的排液管92a连接。排液管92a将进入到第1周壁部54a的贯穿孔的清洗液(随后论述)等排出，该清洗液经由排液管91b向处理单元16的外部排出。
另外，排液管91c也与连通于在第2周壁部54b中贯穿有第2支承构件57的贯穿孔的排液管92b连接。排液管92b将进入到第2周壁部54b的贯穿孔的清洗液等排出，该清洗液经由排液管91c向处理单元16的外部排出。
在回收杯状件50的底部53、第1周壁部54a以及第2周壁部54b分别形成有排气口52a、52b、52c。另外，排气口52a、52b、52c与1根排气管连接，该排气管在排气的下游侧被分支成第1排气管93a～第3排气管93c。另外，在第1排气管93a设有阀64a，在第2排气管93b设有阀64b，在第3排气管93c设有阀64c。
第1排气管93a是酸性的排气用的排气管，第2排气管93b是碱性的排气用的排气管，第3排气管93c是有机系排气用的排气管。这些根据基板处理的各处理而由控制装置4切换。
在执行产生例如酸性的排气的处理之际，由控制装置4进行向第1排气管93a的切换，酸性的排气经由阀64a被排出。同样地，在产生碱性的排气的处理的情况下，由控制装置4进行向第2排气管93b的切换，碱性的排气经由阀64b被排出。另外，在产生有机系排气的处理的情况下，由控制装置4进行向第3排气管93c的切换，有机系排气经由阀64c被排出。
以下，在本实施方式中，使用SPM(硫酸和过氧化氢水的混合液)作为酸系处理液。另外，使用SC1(氨、过氧化氢以及水的混合液)作为碱系处理液，使用IPA(异丙醇)作为有机系处理液。
此外，SPM是第1处理液的一个例子，另外，SC1是第2处理液的一个例子，IPA是第3处理液的一个例子。此外，酸系处理液、碱系处理液以及有机系处理液的种类并不限定于这些。
不过，如上所述，可知：若在处理单元16中使用SPM和SC1，则结晶等异物附着于例如第1杯状件50a的第1周壁部54a等。
详细而言，在晶圆W被例如SC1处理的情况下，在供给到晶圆W的SC1被第2杯状件50b回收之后，经由排液管91b被排出。另外，若由SPM进行处理，则在供给到晶圆W的SPM被第1杯状件50a回收之后，经由排液管91a被排出。
然而，存在由于各处理液的排出环境等而SC1的一部分、SPM的一部分残留于第1杯状件50a、第2杯状件50b内的情况。在该情况下，有时残留下的SC1与SPM反应而产生结晶。
具体而言，可知：有时SC1的氨成分与SPM的硫酸成分反应，产生硫酸铵的结晶，该结晶作为异物附着于第1杯状件50a的第1周壁部54a等。此外，上述那样的结晶并不限于SC1和SPM的组合，即使是其他种类的处理液的组合也能够产生。
因此，在本实施方式的处理单元16中，设为具有向第1杯状件50a的第1周壁部54a等供给清洗液的清洗液供给部的结构。由此，能够将附着到第1周壁部54a等的结晶等异物去除。
＜3.清洗液供给部的具体的结构＞
以下，参照图4A及其以后的附图详细地说明向第1周壁部54a等供给清洗液的清洗液供给部80。图4A是用于说明清洗液供给部80和第1～第3杯状件50a～50c的结构的示意放大剖视图。
如图4A所示，处理单元16的清洗液供给部80具有清洗液供给管81a和阀82a。清洗液供给管81a的一端与清洗液供给源83连接，而另一端与第1杯状件50a的排液管91a连接。详细而言，阀62a是用于对排液管91a中的SPM的排出进行控制的阀，上述的清洗液供给管81a的另一端与排液管91a的比该阀62a靠排液的流动方向上的上游侧的位置连接。
阀82a设于清洗液供给管81a，由控制装置4控制。此外，作为清洗液供给部80所供给的清洗液，能够使用DIW，但并不限定于此。
在此，对作为清洗液供给管81a的连接对象的排液管91a进行说明。在排液管91a中流动的SPM(酸系处理液)能够如上述那样再利用，因此，返回酸系处理液供给源70b，从酸系处理液供给源70b向晶圆W再次供给。
具体而言，如图4A所示，处理流体供给部40的酸系处理液供给源70b具有用于储存SPM的罐110和将罐110和喷嘴41连接的循环管线111。
罐110与位于上述的排液管91a的下游侧的第1排液管91a1的端部连接，在第1排液管91a1中流动的SPM向罐110内流入并储存于罐110内。另外，罐110与用于补充SPM的补充部114连接，并且也与用于将罐110内的SPM废弃的废液部115连接。
在循环管线111上设有泵112。泵112将从罐110出来的SPM朝向喷嘴41加压输送。另外，在循环管线111的靠泵112的下游侧的位置设有用于将SPM所含有的微粒等污染物质去除的过滤器113。也可以根据需要在循环管线111上进一步设置辅助设备类(例如加热器等)。
接着，进一步对第1杯状件50a和第2杯状件50b的结构进行说明。如图4A所示，在第1杯状件50a的第1周壁部54a内如上述那样形成有供第1支承构件56a贯穿的贯穿孔59a。该贯穿孔59a具有在第1周壁部54a的上表面54a1形成的开口部59a1。
另外，在第1杯状件50a中，在第1周壁部54a与第1液体接收部55a之间，详细而言在第1周壁部54a的上表面54a1同作为与上表面54a1相对的部位的第1液体接收部55a的下表面55a1之间形成有空间。清洗液可在该空间中流通，对此随后论述。此外，第1周壁部54a是周壁部的一个例子，第1液体接收部55a是液体接收部的一个例子。
在第2杯状件50b的第2周壁部54b内也形成有供第2支承构件57a贯穿的贯穿孔59b。第2周壁部54b的贯穿孔59b具有在第2周壁部54b的上表面54b1形成的开口部59b1。
另外，在第2杯状件50b中，在第2周壁部54b与第2液体接收部55b之间，详细而言在第2周壁部54b的上表面54b1同作为与上表面54b1相对的部位的第2液体接收部55b的下表面55b1之间也形成有清洗液能够流通的空间。
并且，可对如上述那样构成的第1周壁部54a等进行清洗处理。此外，图4A和图4B、4C是用于说明本实施方式中的清洗处理的图。
详细地说明，控制装置4在进行第1周壁部54a等的清洗处理时使阀82a打开。此外，此时控制装置4使阀62a、阀62b以及阀62c闭阀。
由此，如图4A所示，清洗液供给源83的清洗液L经由清洗液供给管81a、阀82a、排液管91a从排液口51a向第1排液槽501a喷出。这样，清洗液供给部80在使阀62a等闭阀着时从排液管91a向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给清洗液L。此外，第1排液槽501a是回收部的一个例子。
并且，由清洗液供给部80供给来的清洗液L被储存于第1排液槽501a，水位逐渐上升。进一步利用清洗液供给部80供给清洗液L，若清洗液L的水位到达第1周壁部54a的上表面54a1，则如图4B所示，清洗液L越过第1周壁部54a的上表面54a1而从第1周壁部54a向第2杯状件50b侧溢流。此外，溢流出来的清洗液L被储存于第2杯状件50b的第2排液槽501b，水位逐渐上升。
由此，第1周壁部54a的上表面54a1、侧面被清洗液L清洗，因而，能够将附着到第1周壁部54a的结晶等异物去除。此外，硫酸铵的结晶具有比较高的水溶性，因此，一边溶解于清洗液L一边被去除。
另外，如上述那样，在第1周壁部54a与第1液体接收部55a之间形成有空间，因此，清洗液L一边在第1周壁部54a与第1液体接收部55a之间流通，一边从第1周壁部54a向第2杯状件50b侧溢流。这样，在本实施方式中，使由清洗液供给部80供给来的清洗液L从第1周壁部54a与第1液体接收部55a之间向第2杯状件50b侧溢流。由此，也能够将存在于第1周壁部54a与第1液体接收部55a之间的异物去除。
另外，第1液体接收部55a也可以下降到在使清洗液L从第1周壁部54a溢流之际第1液体接收部55a中的与第1周壁部54a的上表面54a1相对的部位可被清洗液L清洗的程度。即、如图4B所示，在例如第1液体接收部55a位于下降后的退避位置的情况下，从第1周壁部54a溢流的清洗液L向第1液体接收部55a中的与第1周壁部54a的上表面54a1相对的部位、即下表面55a1供给。由此，能够对第1液体接收部55a的下表面55a1进行清洗，将所附着的异物去除。
此外，上述的“第1液体接收部55a下降到其与第1周壁部54a的上表面54a1相对的部位可被清洗液L清洗的程度”是指使第1液体接收部55a下降到第1周壁部54a的上表面54a1与第1液体接收部55a的下表面55a1之间的分开距离是清洗液L触及下表面55a1那样的距离，但并不限定于此。
另外，上述的第1周壁部54a的上表面54a1、第1液体接收部55a的下表面55a1、第1周壁部54a与第1液体接收部55a之间等各部位是残留于第1杯状件50a的SPM和残留于第2杯状件50b的SC1的混合液易于附着的部位。在本实施方式中，向那样的SPM和SC1的混合液有可能附着、产生结晶的部位供给清洗液L而进行清洗。
即、在本实施方式中，第1周壁部54a中的要被清洗液供给部80清洗的部位包括SPM(第1处理液)和SC1(第2处理液)的混合液附着的部位。由此，能够对第1周壁部54a等中的结晶等异物易于附着的部位进行清洗，能够将异物有效地去除。
另外，上述的结晶等异物有时也附着于例如第1支承构件56a等除了第1周壁部54a以外的部分。因此，本实施方式的清洗液供给部80也向第1支承构件56a供给清洗液L而进行清洗。
详细而言，本实施方式的贯穿孔59a如上述那样开口部59a1形成于第1周壁部54a的上表面54a1。因而，如图4B所示，在第1周壁部54a的上表面54a1流动而向第2杯状件50b溢流的清洗液L从上表面54a1经由开口部59a1向贯穿孔59a流入，蓄积于贯穿孔59a内。由此，能够对第1支承构件56a的外周和贯穿孔59a进行清洗，能够将附着到第1支承构件56a的外周、贯穿孔59a的异物去除。
此外，在上述内容中，列举在使第1液体接收部55a下降后的状态下进行清洗处理的情况为例进行了说明，但并不限于此，也可以在使第1液体接收部55a上升后的状态下进行清洗处理。
另外，控制装置4也可以对第1升降驱动部56b进行控制而使第1支承构件56a升降，一边使第1液体接收部55a上下运动一边进行清洗处理。由此，第1支承构件56a在充满清洗液L的贯穿孔59a内移动，因而，能够效率良好地将附着到第1支承构件56a的外周的异物去除。
若进一步从清洗液供给部80供给清洗液L，则第2排液槽501b中的清洗液L的水位到达第2周壁部54b的上表面54b1。此外，第2排液槽501b是第2回收部的一个例子。
由此，如图4C所示，清洗液L越过第2周壁部54b的上表面54b1，从第2周壁部54b向第3杯状件50c侧溢流。此外，溢流出来的清洗液L被储存于第3杯状件50c的第3排液槽501c。
这样，在本实施方式中，从第1液体接收部55a溢流到第2杯状件50b侧的清洗液L被第2杯状件50b的第2排液槽501b回收。并且，使所回收的清洗液L的一部分从第2周壁部54b向第3杯状件50c侧溢流。
由此，第2周壁部54b的上表面54b1、侧面被清洗液L清洗，因而，能够将附着到第2周壁部54b的异物去除。另外，清洗液L与第1周壁部54a同样地在第2周壁部54b与第2液体接收部55b之间流通，因此，也能够将存在于第2周壁部54b与第2液体接收部55b之间的异物去除。
另外，第2液体接收部55b也可以下降到在使清洗液L从第2周壁部54b溢流之际使第2液体接收部55b中的与第2周壁部54b的上表面54b1相对的部位(下表面55b1)可被清洗液L清洗的程度。即、如图4C所示，在例如第2液体接收部55b位于下降后的退避位置的情况下，从第2周壁部54b溢流的清洗液L向第2液体接收部55b的下表面55b1供给。由此，也能够将附着到第2液体接收部55b的下表面55b1的异物去除。
另外，如图4C所示，在第2周壁部54b的上表面54b1流动而向第3杯状件50c溢流的清洗液L从上表面54b1经由开口部59b1向贯穿孔59b流入，蓄积于贯穿孔59b内。由此，能够对第2支承构件57a的外周和贯穿孔59b进行清洗，能够将附着到第2支承构件57a的外周、贯穿孔59b的异物去除。
此外，对于第2液体接收部55b，也与第1液体接收部55a同样地既可以在上升后的状态下进行清洗处理，另外，也可以一边上下运动一边进行清洗处理。
另外，对于本实施方式的处理单元16，通过如上述那样构成，能够防止含有SC1、IPA的清洗后的清洗液L向作为SPM的供给源的酸系处理液供给源70b流入。
详细而言，清洗液供给部80向作为SPM的循环管线而发挥功能的排液管91a所连接的第1杯状件50a的第1排液槽501a供给清洗液L。并且，供给到第1杯状件50a的清洗液L依次向作为排液管线发而挥功能的排液管91b、91c所连接的第2杯状件50b、第3杯状件50c溢流。
因此，蓄积到例如第2排液槽501b的含有SC1的清洗后的清洗液L从第2杯状件50b向第3杯状件50c流动，但不向第1杯状件50a流入。同样地，蓄积到第3排液槽501c的含有IPA的清洗后的清洗液L滞留于第3杯状件50c，不从第3杯状件50c向第2杯状件50b、第1杯状件50a流入。
由此，能够防止含有SC1、IPA的清洗后的清洗液L向作为SPM的供给源的酸系处理液供给源70b流入。这样，能够防止SC1、IPA混入作为SPM的供给源的酸系处理液供给源70b，因此，能够再利用所回收的SPM而向晶圆W再次供给。
另外，如上述那样，第2周壁部54b的上表面54b1相对于第1周壁部54a的上表面54a1在铅垂方向上位于下方。因此，蓄积于第2杯状件50b的第2排液槽501b的清洗后的清洗液L能够向第3杯状件50c侧可靠地溢流，防止向第1杯状件50a侧流入。由此，能够更加防止含有SC1等的清洗后的清洗液L向作为SPM的供给源的酸系处理液供给源70b流入。
＜4.基板处理***的具体的动作＞
接着，参照图5对本实施方式的基板处理***1所执行的基板处理的内容进行说明。
图5是表示本实施方式的基板处理***1所执行的处理的处理顺序的流程图。此外，图5所示的各处理顺序可按照控制装置4的控制部18的控制执行。
如图5所示，在处理单元16中，首先，进行晶圆W的输入处理(步骤S1)。在该输入处理中，在利用基板输送装置17(图1参照)将晶圆W载置到保持部31上之后，晶圆W由保持部31保持。
接下来，在处理单元16中，进行第1化学溶液处理(步骤S2)。在第1化学溶液处理中，控制部18首先利用驱动部33使保持部31旋转而使晶圆W旋转。接下来，控制部18使阀60a打开预定时间，将SC1从喷嘴41向晶圆W的表面供给。由此，晶圆W的表面被SC1处理。
接下来，在处理单元16中，进行第1冲洗处理(步骤S3)。在该第1冲洗处理中，控制部18使阀60d打开预定时间，将DIW从喷嘴41向晶圆W供给。由此，残存于晶圆W的SC1被DIW冲洗掉。
接着，在处理单元16中，进行第2化学溶液处理(步骤S4)。在该第2化学溶液处理中，控制部18使阀60b打开预定时间，将SPM从喷嘴41向晶圆W的表面供给。由此，晶圆W的表面被SPM处理。
接下来，在处理单元16中，进行第2冲洗处理(步骤S5)。在第2冲洗处理中，控制部18使阀60d打开预定时间，将DIW从喷嘴41向晶圆W的表面供给。由此，残存于晶圆W的SPM被DIW冲洗掉。
接着，在处理单元16中，进行干燥处理(步骤S6)。在该干燥处理中，控制部18使阀60c打开预定时间，将IPA从喷嘴41向晶圆W的表面供给。由此，残存于晶圆W的表面的DIW被置换成挥发性比DIW的挥发性高的IPA。之后，将晶圆W上的IPA甩开而使晶圆W干燥。
接下来，在处理单元16中，进行输出处理(步骤S7)。在该输出处理中，控制部18在使由驱动部33进行的晶圆W的旋转停止之后，晶圆W被基板输送装置17(参照图1)从处理单元16输出。若该输出处理完成，则对于1张晶圆W的一系列的基板处理完成。
接着，在处理单元16中，进行清洗第1周壁部54a等的清洗处理(步骤S8)。此外，该清洗处理不需要在每次输出1张晶圆W时执行。即、执行清洗处理的时刻能够任意地设定，也可以是，例如在对多张晶圆W进行了基板处理之后进行1次清洗处理。另外，也可以在步骤S8的处理时进行随后论述的基板保持机构30的清洗。
参照图6对第1周壁部54a等的清洗处理进行说明。图6是表示在基板处理***1中所执行的第1周壁部54a等的清洗处理的处理顺序的一个例子的流程图。
如图6所示，控制装置4的控制部18使阀62a、62b、62c闭阀(步骤S10)。接下来，控制部18使清洗液供给部80的阀82a开阀，将清洗液L向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给(步骤S11)。由此，清洗液L蓄积于第1杯状件50a的第1排液槽501a，蓄积到第1排液槽501a的清洗液L随着时间的经过向第2杯状件50b、第3杯状件50c溢流，可对第1周壁部54a、第2周壁部54b等进行清洗。
接着，控制部18利用第1升降驱动部56b、第2升降驱动部57b对第1支承构件56a、第2支承构件57a进行驱动，使第1液体接收部55a、第2液体接收部55b升降(步骤S12)。这样，通过使第1液体接收部55a、第2液体接收部55b升降，第1支承构件56a、第2支承构件57a在充满清洗液L的贯穿孔59a、59b内移动，可效率良好地被清洗。
此外，上述的步骤S12的处理未必一定是需要的，也可以不进行例如步骤S12的处理，在使第1液体接收部55a、第2液体接收部55b下降后的状态、或、上升后的状态下直接进行第1周壁部54a等的清洗。
接下来，若经过预定时间而第1周壁部54a等的清洗完成，则控制部18使清洗液供给部80的阀82a闭阀，使清洗液L向第1排液槽501a的供给停止(步骤S13)。
接着，控制部18使阀62a、62b、62c开阀(步骤S14)。此外，在步骤S14中，阀62a以使排出路径向第2排液管91a2侧打开的方式开阀。
由此，第1排液槽501a的清洗后的清洗液L经由排液管91a、阀62a、第2排液管91a2向处理单元16的外部排出。另外，第2排液槽501b和贯穿孔59a的清洗后的清洗液L经由排液管91b、排液管92a向阀62b流动，并向处理单元16的外部排出。同样地，第3排液槽501c和贯穿孔59b的清洗后的清洗液L经由排液管91c、排液管92b向阀62c流动，向处理单元16的外部排出。这样一来，第1周壁部54a等的清洗处理完成。
此外，在上述内容中，在步骤S10中使阀62a、62b、62c闭阀之后，在步骤S11中开始清洗液L的供给，但并不限定于此。即、也可以例如同时进行步骤S10和步骤S11的处理、或在步骤S11的处理之后进行步骤S10的处理。
另外，在步骤S13中使清洗液L的供给停止之后，在步骤S14中使阀62a、62b、62c开阀，但并不限于此，既可以同时进行步骤S13、S14的处理，也可以以步骤S14、S13的顺序进行处理。
另外，在上述内容中，使阀62c闭阀而进行清洗处理，但并不限于此，也可以例如使阀62c开阀，一边将流入第3杯状件50c、贯穿孔59b的清洗后的清洗液L依次排出一边进行清洗处理。
而且，也可以设定成从清洗液供给部80向第1排液槽501a供给的清洗液L的供给量比从排液管91a、91b、91c排出的清洗液L的排出量大。若如此设定清洗液L的供给量，则即使是在使阀62a、62b、62c保持开阀的状态下，清洗液L也能够从第1杯状件50a向第2杯状件50b、第3杯状件50c溢流，对第1周壁部54a等进行清洗。
如上述那样，第1实施方式的处理单元16(相当于“基板处理装置”的一个例子)包括保持部31、处理流体供给部40(相当于“处理液供给部”的一个例子)、第1杯状件50a、第2杯状件50b以及清洗液供给部80。保持部31用于保持晶圆W。处理流体供给部40用于向晶圆W供给SPM(第1处理液)和SC1(第2处理液)。
第1杯状件50a具有第1周壁部54a，将SPM回收于由第1周壁部54a形成的第1排液槽501a中。第2杯状件50b与第1杯状件50a相邻地配置，用于回收SC1。清洗液供给部80向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给清洗液L。在处理单元16中，通过使由清洗液供给部80供给来的清洗液L从第1周壁部54a向第2杯状件50b侧溢流，来对第1周壁部54a进行清洗。由此，能够将附着到第1杯状件50a的第1周壁部54a的异物去除。
另外，清洗液供给部80在阀62a闭阀着时从排液管91a向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给清洗液L。由此，能够以例如排液管91a与清洗液供给管81a连接这样简易的结构向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给清洗液L。
此外，在上述内容中，从排液管91a向第1排液槽501a供给清洗液L，但并不限于此。即、省略图示，但也可以例如在面对第1排液槽501a的位置配置喷嘴，从该喷嘴向第1排液槽501a直接供给清洗液L。
＜5.变形例＞
接着，对第1实施方式的处理单元16的第1变形例～第3变形例进行说明。在第1变形例～第3变形例中的处理单元16中，对到第1排液槽501a为止的清洗液L的供给路径进行了变更。
图7是表示第1变形例～第3变形例中的处理单元16的构成例的示意剖视图。此外，在第1变形例～第3变形例中，去除了第1实施方式中的清洗液供给管81a、阀82a等。
如图7所示，在第1变形例中，将用于对晶圆W进行清洗的基板用清洗液作为对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L而向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给。
具体而言，第1变形例中的清洗液供给部80构成为包括用于喷出基板用清洗液的喷嘴41。此外，喷嘴41是基板用喷嘴的一个例子。并且，在清洗处理时，控制装置4的控制部18使第1杯状件50a、第2杯状件50b上升，使第1液体接收部55a处于处理位置，从而形成从第1液体接收部55a的上端内侧的开口通向第1排液槽501a的流路。
并且，控制部18使阀60d开阀，将从DIW供给源70d供给的基板用清洗液(DIW)从喷嘴41向保持部31供给。此时，控制部18预先利用驱动部33(参照图3)使保持部31旋转。
由此，如图7中以虚线的箭头所示，从喷嘴41向保持部31供给的基板用清洗液由于保持部31的旋转而产生的离心力被朝向保持部31的外周外方甩开，第1液体接收部55a接收从保持部31飞散开的基板用清洗液。由第1液体接收部55a接收到的基板用清洗液向下方流动而流入第1排液槽501a，流入的基板用清洗液被用作对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L。
这样，在第1变形例中，处理流体供给部40作为清洗液供给部80而发挥功能，清洗液供给部80的喷嘴41将基板用清洗液作为对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L而向第1排液槽501a供给。由此，在第1变形例中，能够使用现有的DIW供给源70d、喷嘴41等，向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给清洗液L。
接着，对第2变形例和第3变形例进行说明。在第2变形例、第3变形例中，将用于对包括保持部31在内的基板保持机构30进行清洗的保持机构用清洗液作为对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L而向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给。
具体而言，在第2变形例、第3变形例的处理单元16中，清洗液供给部80在例如不进行上述的基板处理的各处理的时刻向基板保持机构30等供给保持机构用清洗液，进行基板保持机构30等的清洗。
详细而言，清洗液供给部80包括喷嘴84、85、清洗液供给管81b、81c以及阀82b、82c。喷嘴84配置于面对支柱部32的位置。喷嘴84经由清洗液供给管81b、阀82b与清洗液供给源83连接。
喷嘴85是用于对保持部31的背面进行清洗的喷嘴，配置于例如内壁部54d的上端附近。另外，喷嘴85包括第1喷嘴85a～第3喷嘴85c。
第1喷嘴85a配置于面对例如保持部31的背面的中心部附近的位置。另外，第2喷嘴85b配置于面对保持部31的背面的比中心部附近靠外周侧的部分的位置，第3喷嘴85c配置于面对保持部31的背面的周缘部附近的位置。即、将保持部31的背面从中心部朝向周缘部侧分成3个区域，第1喷嘴85a～第3喷嘴85c朝向各区域。
另外，第1喷嘴85a～第3喷嘴85c经由清洗液供给管81c和阀82c与清洗液供给源83连接。此外，在图3所示的例子中，第1喷嘴85a～第3喷嘴85c与在中途分支的清洗液供给管81c连接，但并不限定于此，第1喷嘴85a～第3喷嘴85c也可以分别与独立的清洗液供给管连接。另外，在上述内容中，喷嘴85构成为包括3个喷嘴85a～85c，但喷嘴的个数并不限于此。此外，上述的喷嘴84、85是用于喷出保持机构用清洗液的保持机构用喷嘴的一个例子。
并且，控制装置4在进行清洗支柱部32的处理时使阀82b打开，从喷嘴84向支柱部32等供给保持机构用清洗液。另外，控制装置4在进行清洗保持部31的背面的处理时使阀82c打开，从喷嘴85向保持部31的背面供给保持机构用清洗液。
并且，对基板保持机构30进行了清洗之后的保持机构用清洗液落入在内壁部54d的内周侧的中央附近形成的中央排液槽501d等，从中央排液槽501d经由在回收杯状件50的底部53形成的排液口51d、51e排出。具体而言，排液口51d的例如开口设于底部53的比内壁部54d靠内周侧的位置，供流下到中央排液槽501d的保持机构用清洗液流入。
另外，排液口51e的开口设于内壁部54d的延伸设置部54d1的基端附近，供从延伸设置部54d1流动来的保持机构用清洗液流入。排液口51d与排液管91d连接，而排液口51e与排液管91e连接。这些排液管91d、91e与上述的排液管91a中的靠阀62a的排液的流动方向上的上游侧的位置连接。
控制装置4在基板保持机构30的清洗处理时预先对阀62a进行控制而使排出路径向第2排液管91a2侧打开。由此，对基板保持机构30进行了清洗之后的保持机构用清洗液从排液口51d经由排液管91d向排液管91a流动、或、从排液口51e经由排液管91e向排液管91a流动，之后经由阀62a、第2排液管91a2向处理单元16的外部排出。
由此，能够防止保持机构用清洗液向酸系处理液供给源70b流入。另外，通过使酸系处理液的排出路径和保持机构用清洗液的排出路径一部分共用化，也能够谋求处理单元16的小型化。
在第2变形例、第3变形例中，在如上述那样构成的处理单元16中，进行第1周壁部54a等的清洗处理。具体而言，第2变形例中的控制部18使阀82b开阀，将保持机构用清洗液(DIW)从喷嘴84向支柱部32等供给。
由此，如图7中以双点划线的箭头所示，供给到支柱部32等的保持机构用清洗液落入中央排液槽501d而从排液口51d向排液管91d流出。此外，在第1周壁部54a等的清洗处理中，如上述那样使阀62a闭阀。因而，从中央排液槽501d流出到排液管91d的保持机构用清洗液经由排液管91a从排液口51a向第1排液槽501a流入，流入的保持机构用清洗液被用作对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L。
这样，在第2变形例中，对支柱部32等进行清洗的喷嘴84将保持机构用清洗液作为对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L而向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给。由此，能够使对支柱部32进行清洗的结构和对第1周壁部54a等进行清洗的结构共用化，因此，能够谋求处理单元16的小型化、低成本化。
接着，对第3变形例中的处理单元16的动作进行说明。第3变形例中的控制部18使第1杯状件50a、第2杯状件50b上升，使第1液体接收部55a处于处理位置，从而形成从第1液体接收部55a的上端内侧的开口通向第1排液槽501a的流路。
并且，控制部18使阀82c开阀，将从清洗液供给源83供给的保持机构用清洗液(DIW)从喷嘴85向保持部31的背面供给。此时，控制部18预先利用驱动部33使保持部31旋转。
由此，如图7中以单点划线的箭头所示，供给到保持部31的背面的保持机构用清洗液落入中央排液槽501d，从排液口51d向排液管91d流出。另外，供给到保持部31的背面的保持机构用清洗液也落入延伸设置部54d1，从延伸设置部54d1经由排液口51e向排液管91e流出。并且，因为阀62a闭阀着，所有流出到排液管91d、91e的保持机构用清洗液经由排液管91a从排液口51a向第1排液槽501a流入。
而且，供给到保持部31的背面的保持机构用清洗液由于保持部31的旋转所产生的离心力而朝向保持部31的外周外方甩开，第1液体接收部55a接收从保持部31的背面飞散开的保持机构用清洗液。由第1液体接收部55a接收到的保持机构用清洗液向下方流动而流入第1排液槽501a。如上述那样流入到第1排液槽501a的保持机构用清洗液被用作对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L。
这样，在第3变形例中，用于对保持部31的背面进行清洗的喷嘴85将保持机构用清洗液作为对第1周壁部54a进行清洗的清洗液L向第1杯状件50a的第1排液槽501a供给。由此，能够使用于对保持部31的背面进行清洗的结构和用于对第1周壁部54a等进行清洗的结构共用化，因此，能够谋求处理单元16的小型化、低成本化。
此外，上述的第1实施方式和第1变形例～第3变形例中的、到第1排液槽501a为止的清洗液L的供给路径也可以适当组合。即、也可以将例如第1实施方式和第1变形例组合，从清洗液供给管81a和喷嘴41这两者向第1排液槽501a供给清洗液L。
另外，在上述的实施方式和各变形例中，为了将进入到第1周壁部54a的贯穿孔59a和第2周壁部54b的贯穿孔59b的清洗液L排出，设置了排液管92a、92b，但并不限于此。
例如也可以不设置排液管92a、92b，使进入到第1周壁部54a的贯穿孔59a和第2周壁部54b的贯穿孔59b的清洗液L从底部53的下部漏出，利用腔室20的底部接收清洗液L。在该情况下，如图7中以想像线所示，在腔室20的底部设置共用的排液管201而将从第1周壁部54a的贯穿孔59a和第2周壁部54b的贯穿孔59b接收到的清洗液L一并排出。通过设为这样的结构，与设置排液管92a、92b的情况相比较，能够使装置构造简单且能够设为低成本。
(第2实施方式)
接下来，说明第2实施方式的基板处理***1。此外，在以下的说明中，对与已说明的部分同样的部分，标注与已说明的部分相同的附图标记，省略重复的说明。
在第2实施方式中，设为通过对清洗液L进行加热而使其温度上升，从而能够进一步将附着到第1周壁部54a等的异物去除那样的结构。图8是表示第2实施方式中的清洗液供给部80等的概略构成的示意图。
如图8所示，SPM储存于罐110。该SPM由于硫酸和过氧化氢水混合时的化学反应的反应热而成为比较高温的混合液。
在第2实施方式中，在罐110设置有用于在SPM(混合液)与清洗液L之间进行热交换的热交换部200。热交换部200构成为设置于罐100内，并且清洗液供给管81a在其内部通过。
由此，在热交换部200中，清洗液供给管81a的清洗液L被比较高温的SPM加热而被升温。升温后的清洗液L与升温前相比，硫酸铵的结晶变得易于溶解，因此，通过将升温后的清洗液L用于清洗处理，能够进一步将附着到第1周壁部54a等的结晶等异物去除。
此外，在上述内容中，在罐110设置热交换部200，但并不限定于此。即、省略图示，但也可以是如下结构：例如水等冷却介质所流动的制冷剂管配置于罐110内，该制冷剂管和清洗液供给管81a与设置于罐110外的热交换部连接。即使是上述的结构，也能够在SPM与清洗液L之间进行热交换，对清洗液L进行加热而使其升温。
另外，在第2实施方式中，对在清洗液供给管81a中流动的清洗液L进行了加热，但并不限定于此，在例如第1变形例～第3变形例中，也可以构成为对被用作清洗液L的基板用清洗液、保持机构用清洗液进行加热。
此外，在上述的实施方式中，使清洗液L从第1杯状件50a的第1排液槽501a向第2杯状件50b、第3杯状件50c溢流，但并不限定于此。
即、也可以使清洗液L从第2杯状件50b的第2排液槽501b向第1杯状件50a、第3杯状件50c溢流，或使清洗液L从第3杯状件50c的第3排液槽501c向第2杯状件50b、第1杯状件50a溢流。另外，也可以是如下结构：使清洗液L从第1杯状件50a的第1排液槽501a向第2杯状件50b溢流，而使阀62b开阀等，使清洗液L不向第3杯状件50c溢流。
另外，在上述的处理单元16中，将酸系处理液经由第1排液管91a1进行回收再利用，但并不限定于此，也可以是不将酸系处理液再利用的结构。另外，在上述内容中，第1升降驱动部56b和第2升降驱动部57b设为独立的，但并不限于此，也可以使例如第1升降驱动部56b、第2升降驱动部57b共用化。
进一步的效果、变形例能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更大范围的技术方案并不限定于以上那样表述且记述的特定的详细和代表性的实施方式。因而，不脱离由权利要求书及其等效物定义的概括性的发明的概念的精神或范围，就能够进行各种变更。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
保持部，其用于保持基板；
处理液供给部，其用于向所述基板供给第1处理液和第2处理液；
第1杯状件，其具有周壁部，用于将第1处理液回收于由所述周壁部形成的回收部中；
第2杯状件，其与所述第1杯状件相邻地配置，用于回收第2处理液；
清洗液供给部，其用于向所述第1杯状件的所述回收部供给清洗液，
通过使由所述清洗液供给部供给来的清洗液从所述周壁部向所述第2杯状件侧溢流，来对所述周壁部进行清洗。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1杯状件具有液体接收部，该液体接收部以包围被所述保持部保持的所述基板的周围的方式设于所述周壁部的上方，用于接收从所述基板飞散开的第1处理液，
使由所述清洗液供给部供给来的清洗液从所述周壁部与所述液体接收部之间向所述第2杯状件侧溢流。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液体接收部能够相对于所述周壁部升降，
使所述液体接收部下降到在使清洗液从所述周壁部溢流之际所述液体接收部中的与所述周壁部的上表面相对的部位能够由清洗液清洗的程度。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1杯状件还包括：
支承构件，其用于支承所述液体接收部，用于使所述液体接收部相对于所述周壁部升降；
贯穿孔，其形成于所述周壁部内，供所述支承构件贯穿，
所述清洗液供给部使从所述周壁部溢流的清洗液向所述贯穿孔流入，从而对所述支承构件进行清洗。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1杯状件与使回收到的第1处理液循环而向所述基板再次供给的循环管线连接，
所述第2杯状件与使回收到的第2处理液向装置外部排出的循环管线连接。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有第3杯状件，该第3杯状件与所述第2杯状件相邻地配置于与所述第1杯状件相反的一侧，用于对从所述处理液供给部供给来的第3处理液进行回收，
所述第2杯状件具有：第2周壁部以及由所述第2周壁部和所述周壁部形成的第2回收部，
从所述周壁部溢流到所述第2杯状件侧的清洗液被所述第2杯状件的所述第2回收部回收，
通过使回收到的清洗液的一部分从所述第2周壁部向所述第3杯状件侧溢流，来对所述第2周壁部进行清洗。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
排液管，其与所述回收部连接，用于将回收到所述回收部中的第1处理液排出；
阀，其用于对所述排液管中的第1处理液的排出进行控制，
所述清洗液供给部与所述排液管的比所述阀靠流动方向上的上游侧的位置连接，在所述阀闭阀着时，从所述排液管向所述第1杯状件的所述回收部供给清洗液。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洗液供给部包括喷出用于对所述基板进行清洗的基板用清洗液的基板用喷嘴，
所述基板用喷嘴将基板用清洗液作为对所述周壁部进行清洗的清洗液向所述第1杯状件的所述回收部供给。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述清洗液供给部包括喷出用于对包括所述保持部在内的保持机构进行清洗的保持机构用清洗液的保持机构用喷嘴，
所述保持机构用喷嘴将保持机构用清洗液作为对所述周壁部进行清洗的清洗液向所述第1杯状件的所述回收部供给。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1处理液包括硫酸和过氧化氢水的混合液，
该基板处理装置还包括在混合液与清洗液之间进行热交换的热交换部。
11.一种基板处理装置的清洗方法，该基板处理装置包括：保持部，其用于对基板进行保持；处理液供给部，其用于向所述基板供给第1处理液和第2处理液；第1杯状件，其具有周壁部，用于将第1处理液回收于由所述周壁部形成的回收部中；第2杯状件，其与所述第1杯状件相邻地配置，用于回收第2处理液，该基板处理装置的清洗方法的特征在于，
该基板处理装置的清洗方法包括如下工序：通过向所述第1杯状件的所述回收部供给清洗液，使供给来的清洗液从所述周壁部向所述第2杯状件侧溢流，来对所述周壁部进行清洗。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，
所述第1杯状件具备液体接收部，该液体接收部以包围被所述保持部保持的所述基板的周围的方式设于所述周壁部的上方，用于接收从所述基板飞散开的第1处理液，
使供给来的所述清洗液从所述周壁部与所述液体接收部之间向所述第2杯状件侧溢流。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，
所述第1杯状件还包括：
支承构件，其用于支承所述液体接收部，用于使所述液体接收部相对于所述周壁部升降；
贯穿孔，其形成于所述周壁部内，供所述支承构件贯穿，
使从所述周壁部溢流的清洗液向所述贯穿孔流入，从而对所述支承构件进行清洗。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108436683A (zh) * 2018-04-03 2018-08-24 韩赛 片状晶圆加工用的载具
CN108436682A (zh) * 2018-04-03 2018-08-24 韩赛 片状晶圆加工用的磨盘及专用磨床
CN109860086A (zh) * 2019-04-11 2019-06-07 德淮半导体有限公司 一种利用spm废液对溶液进行加热的装置
CN111052314A (zh) * 2017-09-19 2020-04-21 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
TWI694485B (zh) * 2017-08-31 2020-05-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置
CN112185882A (zh) * 2019-07-05 2021-01-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板的交接方法
CN112997277A (zh) * 2018-11-16 2021-06-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10832902B2 (en) * 2015-12-28 2020-11-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2019009054A1 (ja) * 2017-07-03 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2024033966A1 (ja) * 2022-08-08 2024-02-15 株式会社荏原製作所 プリウェットモジュール
JP2024030355A (ja) 2022-08-24 2024-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102582532B1 (ko) * 2023-01-31 2023-09-26 주식회사 위드텍 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 시스템과 이를 이용하는 웨이퍼 샘플링 회수 및 세정 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010003067A1 (en) * 1999-12-06 2001-06-07 Yuji Kamikawa Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20030010671A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Takehiko Orii Substrate processing apparatus
JP2003282417A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および飛散防止部材の洗浄方法
JP2006024793A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
CN102629563A (zh) * 2011-02-01 2012-08-08 东京毅力科创株式会社 液处理装置及液处理方法
US20120260946A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Nobuhiro Ogata Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3164048B2 (ja) * 1997-12-16 2001-05-08 日本電気株式会社 半導体製造装置
ES2431051T5 (es) * 2006-10-12 2018-03-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Método para proporcionar una selección de modo de acceso a un terminal multimodo y sistema y aparato correspondientes
JP4929144B2 (ja) * 2007-12-10 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5885989B2 (ja) 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5913167B2 (ja) * 2012-07-26 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および洗浄方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010003067A1 (en) * 1999-12-06 2001-06-07 Yuji Kamikawa Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20030010671A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Takehiko Orii Substrate processing apparatus
JP2003282417A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および飛散防止部材の洗浄方法
JP2006024793A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薬液回収方法および基板処理装置
CN102629563A (zh) * 2011-02-01 2012-08-08 东京毅力科创株式会社 液处理装置及液处理方法
US20120260946A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Nobuhiro Ogata Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium having program stored therein

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10672627B2 (en) 2017-08-31 2020-06-02 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI694485B (zh) * 2017-08-31 2020-05-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置
CN111052314A (zh) * 2017-09-19 2020-04-21 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
CN111052314B (zh) * 2017-09-19 2023-10-03 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
CN108436683B (zh) * 2018-04-03 2019-12-06 抚州市东乡区东红光学科技有限公司 片状晶圆加工用的载具
CN108436683A (zh) * 2018-04-03 2018-08-24 韩赛 片状晶圆加工用的载具
CN108436682B (zh) * 2018-04-03 2020-06-19 李德良 片状晶圆加工用的磨盘及专用磨床
CN108436682A (zh) * 2018-04-03 2018-08-24 韩赛 片状晶圆加工用的磨盘及专用磨床
CN112997277A (zh) * 2018-11-16 2021-06-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
CN112997277B (zh) * 2018-11-16 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
CN109860086A (zh) * 2019-04-11 2019-06-07 德淮半导体有限公司 一种利用spm废液对溶液进行加热的装置
CN112185882A (zh) * 2019-07-05 2021-01-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板的交接方法
CN112185882B (zh) * 2019-07-05 2024-05-03 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板的交接方法

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