KR20190112639A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 방법은, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지 공정과, 당해 기판의 중앙부를 통과하는, 연직의 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 공급 공정과, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획하는 통형의 제1 가드를 처리 높이 위치로 유지하는 처리 높이 유지 공정과, 상기 처리 높이 유지 공정 후, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 제1 가드를, 상기 처리 높이 위치보다 하방으로 설정된 세정 높이 위치로 유지하는 세정 높이 유지 공정을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 유기 EL(electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
미국특허출원공개 제2018/025922호 공보에는, 기판을 1장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 기판 처리 장치의 처리 유닛은, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면을 향하여 약액을 토출하는 약액 노즐과, 스핀 척을 둘러싸는 통형의 처리 컵을 포함한다. 처리 컵의 내부에는, 기판의 처리에 이용된 약액이 도출되는 유통 공간이 구획되어 있다.
또한, 미국특허출원공개 제2018/025922호 공보에 관한 처리 유닛은, 기판의 처리에 이용한 후의 약액을 회수하여, 그 회수한 약액을 이후의 처리에 재이용할 수 있도록 구성되어 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치는, 약액 노즐에 공급되는 약액을 저류하는 약액 탱크와, 유통 공간에서 약액 탱크로 약액을 도출하는 회수 배관을 더 포함한다. 처리 컵은, 기판의 주변으로부터 비산되는 처리액을 포획하기 위한 내벽을 갖는 가드를 포함한다.
또한, 미국특허출원공개 제2015/090301호 공보에는, 가드의 내벽을 세정액을 이용하여 세정하고, 그 내벽에 부착되어 있는 부착물을 제거하는 기술이 기재되어 있다. 보다 구체적으로는, 미국특허출원공개 제2015/090301호 공보에는, 린스 처리 중에 기판으로부터 비산되는 린스액의 비산 방향을 바꿈으로써, 린스액(세정액)을 이용하여 가드의 내벽으로부터 부착물을 제거하는 것이 기재되어 있다.
처리 유닛에서 행해지는 기판 처리는, 기판으로부터 파티클 등의 오염이나 레지스트 등의 제거 대상 물질(합하여, 「오염 물질」이라고 함)을 제거하는 세정 처리와, 기판으로부터 막을 제거하는 에칭 처리를 포함한다. 그 때문에, 기판으로부터 배출되는 약액에는, 이들 오염 물질이나 막 등의 이물이 포함될 우려가 있다. 이물을 포함하는 약액의 회수 억제 또는 방지가 요구된다.
그 때문에, 기판으로부터 배출되는 약액이 이물을 포함하는 기간에 가드에 의해 포획한 약액은 버리고, 또한 기판으로부터 배출되는 약액이 이물을 포함하지 않는 기간에 가드에 의해 포획한 약액을 회수하는 것도 생각할 수 있다.
그러나, 이물을 포함하는 약액과, 이물을 포함하지 않는 약액이, 공통의 가드에 의해 받아들여지므로, 가드의 내벽을 통해, 이물을 포함하지 않는 약액에 이물이 전사될 우려가 있다. 그 결과, 본래 이물을 포함하지 않는 약액에 이물이 혼입될 우려가 있다.
따라서, 처리 컵에 있어서, 이물을 포함하는 약액을 가드의 내벽으로부터 제거하는 것이 요구되고 있다.
또한, 미국특허출원공개 제2015/090301호 공보의 세정 처리는, 약액 처리(약액을 이용한 처리)의 종료 후에 실시되는 린스 처리에서 실행되는 처리이다. 그 때문에, 이번과 같은 약액 처리 중에서의 약액의 제거에는 적용할 수 없다.
즉, 약액 처리 중에서, 잔류되어 있는 이물을 가드의 내벽으로부터 제거하는 것이 요구되었다.
그래서, 본 발명의 목적은, 잔류되어 있는 이물을 가드의 내벽으로부터 양호하게 제거할 수 있는, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지 공정과, 당해 기판의 중앙부를 통과하는, 연직의 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 공급 공정과, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획하는 통형의 제1 가드를 처리 높이 위치로 유지하는 처리 높이 유지 공정과, 상기 처리 높이 유지 공정 후, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 제1 가드를, 상기 처리 높이 위치보다 하방으로 설정된 세정 높이 위치로 유지하는 세정 높이 유지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
약액 공급 공정의 개시 후 당분간은, 기판으로부터 배출되는 약액에 이물이 많이 포함된다. 즉, 이물을 포함하는 약액이 처리 컵에 도입된다. 약액 공급 공정의 개시로부터의 시간 경과에 따라, 기판에서의 약액 처리가 진행되고, 기판으로부터 배출되는 약액에 포함되는 이물의 양이 줄어든다. 그리고, 약액 공급 공정의 개시 후 소정 시간이 경과하면, 기판으로부터 배출되는 약액에 이물이 포함되지 않게 된다. 「약액에 이물이 포함되지 않는다」는 것은, 약액에 이물이 전혀 포함되지 않거나, 약액에 이물이 거의 포함되지 않거나, 혹은 약액에 포함되는 이물의 양이 적은 것을 포함하는 취지이다.
이 방법에 의하면, 약액 공급 공정 중에 있어서, 제1 가드가, 지금까지의 처리 높이 위치에서, 처리 높이 위치보다 하방으로 설정된 세정 높이 위치로 배치 변경되고, 그 후, 소정 기간 그 세정 높이 위치로 유지된다.
제1 가드가 처리 높이 위치에 위치하는 상태 및 세정 높이 위치에 위치하는 상태 모두에 있어서, 기판으로부터 배출되는 약액이 제1 가드의 내벽에 의해 포획된다. 제1 가드의 내벽에 의해 포획된 약액은, 자중에 의해 하방을 향하여 흐른다.
제1 가드의 내벽을 기준으로 생각하면, 내벽에서의 약액을 포획하는 영역은, 제1 가드가 세정 높이 위치에 위치하는 상태보다, 제1 가드가 처리 높이 위치에 위치하는 상태가 높은 위치에 있다. 그 때문에, 세정 높이 위치에 위치하는 제1 가드에 의해 포획되는 약액에 의해, 처리 높이 위치에 위치하였던 제1 가드에 의해 포획된 약액(즉, 이물을 포함하는 약액)을 양호하게 씻어 흘려보낼 수 있다. 이에 의해, 잔류되어 있는 이물을 제1 가드의 내벽으로부터 양호하게 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 제1 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치이다. 그리고, 상기 세정 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을, 상기 제1 영역에서 포획된 약액이 도달 가능한 도달 영역의 상단보다 상방으로 설정된 제2 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치이다.
이 방법에 의하면, 제2 영역이, 처리 높이 위치에 위치하는 제1 가드의 내벽이 포획하는 제1 영역에서 포획된 약액이 도달 가능한 도달 영역의 상단보다 상방으로 설정된다. 그 때문에, 제1 가드의 내벽에 부착되어 있는, 이물을 포함하는 약액의 거의 전부를, 세정 높이 위치에 위치하는 제1 가드에 의해 포획한 약액에 의해 양호하게 씻어 흘려보낼 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 제1 가드에서, 상기 제1 가드와는 따로 설치된 통형의 제2 가드로 전환하는 가드 전환 공정을 더 포함한다.
이 방법에 의하면, 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드의, 제1 가드에서 제2 가드로의 전환에 앞서서, 제1 가드가, 지금까지의 처리 높이 위치에서 세정 높이 위치로 배치 변경된다. 그 후, 제1 가드는 소정 기간 그 세정 높이 위치에 유지된다. 가드의 전환에 앞서서, 제1 가드를 세정 높이 위치에 배치하여 당해 제1 가드의 내벽을 세정하므로, 제1 가드의 사용 종료까지 제1 가드의 내벽으로부터 레지스트를 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 가드 전환 공정이, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 처리 높이 유지 공정을 다시 실행하지 않고, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 제1 가드에서 상기 제2 가드로 전환하는 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 제1 가드의 세정 후 바로 가드의 전환을 행할 수 있다. 이에 의해, 처리 시간의 단축화를 도모할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 같이, 상기 기판 처리 방법이, 상기 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판에, 상기 기판에 공급되는 약액과 종류가 상이한 다른 처리액을 공급하는 타액 공급 공정과, 상기 타액 공급 공정 중에, 상기 기판으로부터 배출되는 다른 처리액을 포획 가능한 위치에, 상기 제1 가드를 배치하는 공정을 더 포함해도 된다.
상기 기판의 상기 주면에는 레지스트가 형성되어 있어도 된다. 또한, 상기 약액 공급 공정에 있어서 상기 기판의 상기 주면에 공급되는 약액이 SPM을 포함해도 된다.
약액 공급 공정에 있어서, 기판에 형성되어 있던 레지스트가 SPM에 의해 제거된다. 약액 공급 공정의 개시 후에는, 기판으로부터 배출되는 SPM에 레지스트 잔사가 많이 포함된다. 그 때문에, 제1 가드의 내벽에 의해, 레지스트 잔사를 많이 포함하는 SPM이 포획됨으로써, 제1 가드의 내벽에 레지스트 잔사가 잔류될 우려가 있다.
이 방법에 의하면, 잔류되어 있는 레지스트 잔사를 제1 가드의 내벽으로부터 양호하게 제거할 수 있다.
본 발명은, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 통과하는 회전 축선 둘레로 회전시키기 위한 회전 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 약액을 공급하기 위한 약액 공급 유닛과, 상기 기판 유지 유닛의 주위를 둘러싸고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판으로부터 배출되는 액체를 포획하는 제1 가드와, 상기 제1 가드를 승강시키는 가드 승강 유닛과, 상기 회전 유닛, 상기 약액 공급 유닛 및 상기 가드 승강 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고, 상기 제어 장치가, 상기 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 공정과, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 통형의 제1 가드를 처리 높이 위치로 유지하는 처리 높이 유지 공정과, 상기 처리 높이 유지 공정 후, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 제1 가드를, 상기 처리 높이 위치보다 낮은 세정 높이 위치로 유지하는 세정 높이 유지 공정을 실행하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 약액 공급 공정 중에 있어서, 제1 가드가, 지금까지의 처리 높이 위치에서, 처리 높이 위치보다 하방으로 설정된 세정 높이 위치로 배치 변경되고, 그 후, 소정 기간 그 세정 높이 위치로 유지된다.
약액 공급 공정의 개시 후에는, 기판으로부터 배출되는 약액에 이물이 많이 포함된다. 약액 공급 공정의 개시로부터의 시간 경과에 따라, 기판에서의 약액 처리가 진행되고, 기판으로부터 배출되는 약액에 포함되는 이물의 양이 줄어든다. 그리고, 약액 공급 공정의 개시 후 소정 시간이 경과하면, 기판으로부터 배출되는 약액에 이물이 포함되지 않게 된다.
약액 공급 공정의 개시 후에는, 이물을 포함하는 약액이 제1 가드에 의해 포획된다. 또한, 소정 시간의 경과 후에는, 제1 가드가, 처리 높이 위치보다 낮은 세정 높이 위치로 배치 변경된다.
제1 가드가 세정 높이 위치에 위치하는 상태에서도, 기판으로부터 배출되는 약액은 제1 가드의 내벽에 의해 포획된다. 제1 가드의 내벽을 기준으로 생각하면, 제1 가드가 세정 높이 위치에 위치하는 경우보다, 제1 가드가 처리 높이 위치에 위치하는 경우가, 제1 가드의 내벽에서의 약액을 포획하는 영역이 상방에 위치한다. 그 때문에, 제1 가드가 세정 높이 위치에 위치하는 상태에서, 제1 가드의 내벽에 의해 포획된 약액은 하방을 향하여 흐른다. 그리고, 이 약액에 의해서는, 처리 높이 위치에 위치하였던 제1 가드의 내벽에 의해 포획된, 이물을 포함하는 약액을 씻어 흘려보낼 수 있다. 이에 의해, 잔류되어 있는 이물을 제1 가드의 내벽으로부터 양호하게 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 제1 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치이고, 상기 세정 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을, 상기 제1 영역에서 포획된 약액이 도달 가능한 도달 영역의 상단보다 상방으로 설정된 제2 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치이다.
이 구성에 의하면, 제2 영역이, 처리 높이 위치에 위치하는 제1 가드의 내벽이 포획하는 제1 영역에서 포획된 약액이 도달 가능한 도달 영역의 상단보다 상방으로 설정된다. 그 때문에, 제1 가드의 내벽에 부착되어 있는, 이물을 포함하는 약액의 거의 전부를, 세정 높이 위치에 위치하는 제1 가드에 의해 포획한 약액에 의해 양호하게 씻어 흘려보낼 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제1 가드와는 따로 설치되고, 상기 기판 유지 유닛의 주위를 둘러싸며, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판으로부터 배출되는 액체를 포획하는 제2 가드를 더 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 제1 가드에서 상기 제2 가드로 전환하는 가드 전환 공정을 더 실행한다.
이 구성에 의하면, 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드의, 제1 가드에서 제2 가드로의 전환에 앞서서, 제1 가드가, 지금까지의 처리 높이 위치에서 세정 높이 위치로 배치 변경된다. 그 후, 소정 기간 그 세정 높이 위치로 유지된다. 가드의 전환에 앞서서, 제1 가드를 세정 높이 위치에 배치하여 당해 제1 가드의 내벽을 세정하므로, 가드의 전환시에는, 제1 가드의 세정은 끝나 있고, 제1 가드의 내벽에, 이물을 포함하는 약액이 부착되어 있지 않다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제어 장치가, 상기 가드 전환 공정에 있어서, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 처리 높이 유지 공정을 다시 실행하지 않고, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 제1 가드에서 상기 제2 가드로 전환하는 공정을 실행한다.
이 구성에 의하면, 제1 가드의 세정 후 바로 가드의 전환을 행할 수 있다. 이에 의해, 처리 시간의 단축화를 도모할 수 있다.
상기 기판 처리 장치가, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에, 상기 기판에 공급되는 약액과 종류가 상이한 다른 처리액을 공급하는 타액 공급 유닛을 더 포함해도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치가, 상기 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판에 상기 다른 처리액을 공급하는 타액 공급 공정과, 상기 타액 공급 공정 중에, 상기 기판으로부터 배출되는 다른 처리액을 포획 가능한 위치에, 상기 제1 가드를 배치하는 공정을 더 실행시켜도 된다.
상기 기판의 상기 주면에는 레지스트가 형성되어 있어도 된다. 또한, 상기 약액 공급 공정에 있어서 상기 기판의 상기 주면에 공급되는 약액이 SPM을 포함해도 된다.
약액 공급 공정에 있어서, 기판에 형성되어 있던 레지스트가 SPM에 의해 제거된다. 약액 공급 공정의 개시 후에는, 기판으로부터 배출되는 SPM에 레지스트 잔사가 많이 포함된다. 그 때문에, 제1 가드의 내벽에 의해, 레지스트 잔사를 많이 포함하는 SPM이 포획됨으로써, 제1 가드의 내벽에 레지스트 잔사가 잔류될 우려가 있다.
이 구성에 의하면, 잔류되어 있는 레지스트 잔사를 제1 가드의 내벽으로부터 양호하게 제거할 수 있다.
본 발명에서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 명백해진다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3은, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는, 상기 처리 유닛에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는, SPM 공정에서의, 가드의 승강 타이밍을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 6a~도 6c는, SPM 공정을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 6d는, 건조 공정을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 원판형의 기판(W)을 1장씩 처리하는 매엽식 장치이다.
기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 수용하는 복수의 기판 수용기(C)를 유지하는 복수의 로드 포트(LP)와, 복수의 로드 포트(LP)로부터 반송된 기판(W)을 약액 등의 처리액으로 처리하는 복수(예를 들어 12대)의 처리 유닛(2)과, 복수의 로드 포트(LP)에서 복수의 처리 유닛(2)으로 기판(W)을 반송하는 반송 로봇과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다. 반송 로봇은, 로드 포트(LP)와 처리 유닛(2) 사이의 경로 상에서 기판(W)을 반송하는 인덱사 로봇(IR)과, 인덱사 로봇(IR)과 처리 유닛(2) 사이의 경로 상에서 기판(W)을 반송하는 기판 반송 로봇(CR)을 포함한다.
기판 처리 장치(1)는, 밸브 등을 수용하는 복수의 유체 박스(4)와, 황산을 저류하는 황산 탱크(27)(도 2 참조) 등을 수용하는 저류 박스(6)를 포함한다. 처리 유닛(2) 및 유체 박스(4)는, 기판 처리 장치(1)의 프레임(5) 중에 배치되어 있고, 기판 처리 장치(1)의 프레임(5)으로 덮여 있다. 저류 박스(6)는, 도 1의 예에서는, 기판 처리 장치(1)의 프레임(5) 밖에 배치되어 있지만, 프레임(5) 중에 수용되어 있어도 된다. 저류 박스(6)는, 복수의 유체 박스(4)에 대응하는 하나의 박스이어도 되고, 유체 박스(4)에 일대일 대응으로 설치된 복수의 박스이어도 된다.
12대의 처리 유닛(2)은, 평면에서 볼 때 기판 반송 로봇(CR)을 둘러싸도록 배치된 4개의 탑을 형성하고 있다. 각 탑은, 상하에 적층된 3대의 처리 유닛(2)을 포함한다. 4대의 저류 박스(6)는, 4개의 탑 각각에 대응한다. 마찬가지로, 4대의 유체 박스(4)는, 각각 4개의 탑에 대응한다. 각 저류 박스(6) 내의 황산 탱크(27)에 저류되어 있는 황산은, 그 저류 박스(6)에 대응하는 유체 박스(4)를 통해, 이 저류 박스(6)에 대응하는 3대의 처리 유닛(2)에 공급된다.
도 2는, 처리 유닛(2)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
처리 유닛(2)은, 내부 공간을 갖는 상자형의 챔버(7)와, 챔버(7) 내에서 1장의 기판(W)을 수평한 자세로 유지하여, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직의 회전 축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(기판 유지 유닛)(8)과, 스핀 척(8)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에, 약액의 일례로서의 SPM(황산 과산화수소수 혼합액(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture). H2SO4(황산) 및 H2O2(과산화수소수)를 포함하는 혼합액)을 공급하기 위한 SPM 공급 유닛(약액 공급 유닛)(9)과, 스핀 척(8)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 린스액을 공급하기 위한 린스액 공급 유닛(타액 공급 유닛)(10)과, 스핀 척(8)을 둘러싸는 통형의 처리 컵(11)을 포함한다.
챔버(7)는, 상자형의 격벽(12)과, 격벽(12)의 상부에서 격벽(12) 내(챔버(7) 내에 상당)로 청정 공기를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU(fan filter unit)(14)와, 격벽(12)의 하부로부터 챔버(7) 내의 기체를 배출하는 배기 장치(도시생략)를 포함한다.
도 2에 도시된 바와 같이, FFU(14)는 격벽(12)의 상방에 배치되어 있고, 격벽(12)의 천정에 장착되어 있다. FFU(14)는, 격벽(12)의 천정에서 챔버(7) 내로 청정 공기를 보낸다. 배기 장치(도시생략)는, 처리 컵(11) 내에 접속된 배기 덕트(13)를 통해 처리 컵(11)의 바닥부에 접속되어 있고, 처리 컵(11)의 바닥부로부터 처리 컵(11)의 내부를 흡인한다. FFU(14) 및 배기 장치(도시생략)에 의해, 챔버(7) 내에 다운 플로우(하강류)가 형성된다.
스핀 척(8)으로서, 기판(W)을 수평 방향으로 끼워 기판(W)을 수평으로 유지하는 협지식의 척이 채용되어 있다. 구체적으로는, 스핀 척(8)은, 스핀 모터(회전 유닛)(M)와, 이 스핀 모터(M)의 구동축과 일체화된 스핀 축(15)과, 스핀 축(15)의 상단에 대략 수평으로 장착된 원판형의 스핀 베이스(16)를 포함한다.
스핀 베이스(16)는, 기판(W)의 외경보다 큰 외경을 갖는 수평한 원형의 상면(16a)을 포함한다. 상면(16a)에는, 그 주연부에 복수개(3개 이상. 예를 들어 6개)의 협지 부재(17)가 배치되어 있다. 복수개의 협지 부재(17)는, 스핀 베이스(16)의 상면 주연부에 있어서, 기판(W)의 외주 형상에 대응하는 원주 상에서 적당한 간격을 두고 예를 들어 등간격으로 배치되어 있다.
SPM 공급 유닛(9)은, SPM 노즐(18)과, SPM 노즐(18)이 선단부에 장착된 노즐 아암(19)과, 노즐 아암(19)을 이동시킴으로써, SPM 노즐(18)을 이동시키는 노즐 이동 유닛(20)을 포함한다.
SPM 노즐(18)은, 예를 들어, 연속류의 상태로 SPM을 토출하는 스트레이트 노즐이다. SPM 노즐(18)은, 예를 들어, 기판(W)의 상면에 수직인 방향으로 처리액을 토출하는 수직 자세로 노즐 아암(19)에 장착되어 있다. 노즐 아암(19)은 수평 방향으로 연장되어 있다.
노즐 이동 유닛(20)은, 요동 축선 둘레로 노즐 아암(19)을 수평 이동시킴으로써, SPM 노즐(18)을 수평으로 이동시킨다. 노즐 이동 유닛(20)은, SPM 노즐(18)로부터 토출된 SPM이 기판(W)의 상면에 착액하는 처리 위치와, SPM 노즐(18)이 평면에서 볼 때 스핀 척(8)의 주위로 설정된 퇴피 위치의 사이에서, SPM 노즐(18)을 수평으로 이동시킨다. 이 실시형태에서는, 처리 위치는, 예를 들어, SPM 노즐(18)로부터 토출된 SPM이 기판(W)의 상면 중앙부에 착액하는 중앙 위치이다.
SPM 공급 유닛(9)은, SPM 노즐(18)에 H2SO4를 공급하는 황산 공급 유닛(21)과, SPM 노즐(18)에 H2O2를 공급하는 과산화수소수 공급 유닛(22)을 더 포함한다.
황산 공급 유닛(21)은, SPM 노즐(18)에 일단이 접속된 황산 배관(23)과, 황산 배관(23)을 개폐하기 위한 황산 밸브(24)와, 황산 배관(23)의 개방도를 조정하여, 황산 배관(23)을 유통하는 H2SO4의 유량을 조정하는 황산 유량 조정 밸브(25)와, 황산 배관(23)의 타단이 접속된 황산 공급부(26)를 포함한다. 황산 밸브(24) 및 황산 유량 조정 밸브(25)는, 유체 박스(4)에 수용되어 있다. 황산 공급부(26)는 저류 박스(6)에 수용되어 있다.
황산 유량 조정 밸브(25)는, 밸브 받침이 내부에 설치된 밸브 보디와, 밸브 받침을 개폐하는 밸브체와, 개방 위치와 폐쇄 위치의 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 다른 유량 조정 밸브에 대해서도 동일하다.
황산 공급부(26)는, 황산 배관(23)에 공급해야 할 H2SO4를 저류하는 황산 탱크(27)와, H2SO4의 새로운 액체를 황산 탱크(27)에 보충하는 황산 보충 배관(28)과, 회수 탱크(29)와, 회수 탱크(29)에 저류되어 있는 H2SO4를 황산 탱크(27)로 보내기 위한 송액 배관(30)과, 회수 탱크(29) 내의 H2SO4를 송액 배관(30)으로 이동시키는 제1 송액 장치(31)와, 황산 탱크(27)와 황산 배관(23)을 접속하는 황산 공급 배관(32)과, 황산 공급 배관(32)을 유통하는 황산을 가열하여 온도 조정하는 온도 조정기(33)와, 황산 탱크(27) 내의 H2SO4를 황산 공급 배관(32)으로 이동시키는 제2 송액 장치(34)를 포함한다. 온도 조정기(33)는, 황산 탱크(27)의 H2SO4 내에 침지되어 있어도 되고, 도 2에 도시된 바와 같이 황산 공급 배관(32)의 도중부에 개재 장착되어 있어도 된다. 또한, 황산 공급부(26)는, 황산 공급 배관(32)을 흐르는 황산을 여과하는 필터, 및/또는 황산 공급 배관(32)을 흐르는 황산의 온도를 계측하는 온도계를 더 구비해도 된다. 또, 이 실시형태에서는, 황산 공급부(26)가 2개의 탱크를 가지고 있지만, 회수 탱크(29)의 구성이 생략되고, 처리 컵(11)으로부터 회수된 황산이 직접 황산 탱크(27)에 공급되는 구성이 채용되어도 된다. 제1 및 제2 송액 장치(31, 34)는, 예를 들어 펌프이다. 펌프는, 황산 탱크(27) 내의 H2SO4를 흡입하고, 그 흡입한 H2SO4를 토출한다.
과산화수소수 공급 유닛(22)은, SPM 노즐(18)에 접속된 과산화수소수 배관(35)과, 과산화수소수 배관(35)을 개폐하기 위한 과산화수소수 밸브(36)와, 과산화수소수 밸브(36)의 개방도를 조정하여, 과산화수소수 밸브(36)를 유통하는 H2O2의 유량을 조정하는 과산화수소수 유량 조정 밸브(37)를 포함한다. 과산화수소수 밸브(36) 및 과산화수소수 유량 조정 밸브(37)는, 유체 박스(4)에 수용되어 있다. 과산화수소수 배관(35)에는, 저류 박스(6)에 수용된 과산화수소수 공급원으로부터, 온도 조정되지 않은 상온(약 23℃) 정도의 H2O2가 공급된다.
황산 밸브(24) 및 과산화수소수 밸브(36)가 개방되면, 황산 배관(23)으로부터의 H2SO4 및 과산화수소수 배관(35)으로부터의 H2O2가, SPM 노즐(18)의 케이싱(도시생략) 내로 공급되고, 케이싱 내에서 충분히 혼합(교반)된다. 이 혼합에 의해, H2SO4와 H2O2가 균일하게 혼합되고, H2SO4와 H2O2의 반응에 의해 H2SO4 및 H2O2의 혼합액(SPM)이 생성된다. SPM은, 산화력이 강한 퍼옥소일황산(Peroxomonosulfuric acid: H2SO5)을 포함하고, 혼합 전의 H2SO4 및 H2O2의 온도보다 높은 온도(100℃ 이상. 예를 들어 160~220℃)까지 승온시킨다. 생성된 고온의 SPM은, SPM 노즐(18)의 케이싱의 선단(예를 들어 하단)에 개구된 토출구로부터 토출된다.
황산 유량 조정 밸브(25) 및 과산화수소수 유량 조정 밸브(37)에 의해, 황산 배관(23) 및 과산화수소수 배관(35)의 개방도를 조정함으로써, SPM 노즐(18)로부터 토출되는 SPM의 H2SO4 농도를 소정의 범위로 조정할 수 있다. SPM 노즐(18)로부터 토출되는 SPM의 H2SO4 농도(혼합비)는, 유량비로, H2SO4:H2O2=20:1(황산이 풍부한 고농도 상태)~2:1(과산화수소수가 풍부한 저농도 상태)의 범위 내, 보다 바람직하게는 H2SO4:H2O2=10:1~5:1의 범위 내에서 조정된다.
황산 공급부(26)는, 처리 컵(11)으로부터 회수된 SPM을 H2SO4로서 재이용한다. 처리 컵(11)으로부터 회수된 SPM은 회수 탱크(29)에 공급되고, 회수 탱크(29)에 쌓인다. 시간 경과에 따라, SPM에 포함되는 H2O2가 분해되고, 회수 탱크(29)에 쌓인 SPM은 황산으로 변화한다. 단, SPM으로부터 변화한 황산은 물을 많이 포함하고 있기 때문에, 농도를 조정할 필요가 있다. 황산 공급부(26)에서, 회수 탱크(29) 내의 H2SO4가 황산 탱크(27)로 이송되고, 황산 탱크(27)에서 농도 조정된다. 이에 의해, SPM이 H2SO4로서 재이용된다.
린스액 공급 유닛(10)은, 린스액 노즐(47)을 포함한다. 린스액 노즐(47)은, 예를 들어, 연속류의 상태로 액을 토출하는 스트레이트 노즐이며, 스핀 척(8)의 상방에서, 그 토출구를 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 고정적으로 배치되어 있다. 린스액 노즐(47)에는, 린스액 공급원으로부터의 린스액이 공급되는 린스액 배관(48)이 접속되어 있다. 린스액 배관(48)의 도중부에는, 린스액 노즐(47)로부터의 린스액의 공급/공급 정지를 전환하기 위한 린스액 밸브(49)가 개재 장착되어 있다. 린스액 밸브(49)가 개방되면, 린스액 배관(48)에서 린스액 노즐(47)로 공급된 린스액이, 린스액 노즐(47)의 하단에 설정된 토출구로부터 토출된다. 또한, 린스액 밸브(49)가 폐쇄되면, 린스액 배관(48)에서 린스액 노즐(47)로의 린스액의 공급이 정지된다. 린스액은, 예를 들어 탈이온수(DIW)이지만, DIW에 한정하지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 암모니아수 및 희석 농도(예를 들어, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수 중 어느 것이어도 된다. 또한, 린스액은 상온에서 사용해도 되고, 가온하여 온수로 하여 사용해도 된다.
또한, 린스액 공급 유닛(10)은, 린스액 노즐(47)을 이동시킴으로써, 기판(W)의 상면에 대한 린스액의 착액 위치를 기판(W)의 면 내에서 주사시키는 린스액 노즐 이동 장치를 구비해도 된다.
처리 컵(11)은, 스핀 척(8)에 유지되어 있는 기판(W)보다 외방(회전 축선(A1)으로부터 떨어지는 방향)에 배치되어 있다. 처리 컵(11)은, 예를 들어, 절연 재료를 이용하여 형성되어 있다. 처리 컵(11)은, 스핀 베이스(16)의 측방을 둘러싸고 있다. 스핀 척(8)이 기판(W)을 회전시키고 있는 상태로, 처리액이 기판(W)에 공급되면, 기판(W)에 공급된 처리액이 기판(W)의 주위로 뿌려진다. 처리액이 기판(W)에 공급될 때, 상향으로 열린 처리 컵(11)의 상단부(11a)는, 스핀 베이스(16)보다 상방에 배치된다. 따라서, 기판(W)의 주위로 배출된 약액이나 물 등의 처리액은, 처리 컵(11)에 의해 받아들여진다. 그리고, 처리 컵(11)에 받아들여진 처리액은, 회수 탱크(29) 또는 도시하지 않은 폐액 장치로 이송된다.
처리 컵(11)은, 원통 부재(40)와, 원통 부재(40)의 내측에서 스핀 척(8)을 2중으로 둘러싸도록 고정적으로 배치된 복수의 컵(제1 및 제2 컵(41, 42))과, 기판(W)의 주위로 비산된 처리액(약액 또는 린스액)을 받아들이기 위한 복수의 가드(제1, 제2 및 제3 가드(43, 44, 45))와, 개개의 가드를 독립적으로 승강시키는 가드 승강 유닛(46)을 포함한다. 가드 승강 유닛(46)은, 예를 들어 볼 나사 기구를 포함하는 구성이다.
처리 컵(11)은 폴딩 가능하고, 가드 승강 유닛(46)이 3개의 가드 중 적어도 하나를 승강시킴으로써, 처리 컵(11)의 전개 및 폴딩이 행해진다.
제1 컵(41)은, 원환상을 이루고, 스핀 척(8)과 원통 부재(40)의 사이에서 스핀 척(8)의 주위를 둘러싸고 있다. 제1 컵(41)은, 기판(W)의 회전 축선(A1)에 대해 거의 회전 대칭적인 형상을 가지고 있다. 제1 컵(41)은, 단면 U자형을 이루고, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액을 모아 배액하기 위한 제1 홈(50)을 구획하고 있다. 제1 홈(50)의 바닥부의 가장 낮은 개소에는, 배액구(51)가 개구되어 있고, 배액구(51)에는 제1 배액 배관(52)이 접속되어 있다. 제1 배액 배관(52)에 도입되는 처리액은, 배액 장치(도시생략. 폐액 장치이어도 됨)로 이송되고, 당해 장치에서 처리된다.
제2 컵(42)은, 원환상을 이루고, 제1 컵(41)의 주위를 둘러싸고 있다. 제2 컵(42)은, 기판(W)의 회전 축선(A1)에 대해 거의 회전 대칭적인 형상을 가지고 있다. 제2 컵(42)은, 단면 U자형을 이루고, 기판(W)의 처리에 사용된 처리액을 모아 회수하기 위한 제2 홈(53)을 구획하고 있다. 제2 홈(53)의 바닥부의 가장 낮은 개소에는, 배액/회수구(54)가 개구되어 있고, 배액/회수구(54)에는 공용 배관(55)이 접속되어 있다. 공용 배관(55)에는, 회수 배관(56) 및 제2 배액 배관(57)이 각각 분기 접속되어 있다. 회수 배관(56)의 타단은, 황산 공급부(26)의 회수 탱크(29)에 접속되어 있다. 회수 배관(56)에는 회수 밸브(58)가 개재 장착되어 있고, 제2 배액 배관(57)에는 배액 밸브(59)가 개재 장착되어 있다. 배액 밸브(59)를 폐쇄하면서 회수 밸브(58)를 개방함으로써, 공용 배관(55)을 통과하는 액이 회수 배관(56)으로 도출된다. 또한, 회수 밸브(58)를 폐쇄하면서 배액 밸브(59)를 개방함으로써, 공용 배관(55)을 통과하는 액이 제2 배액 배관(57)으로 도출된다. 즉, 회수 밸브(58) 및 배액 밸브(59)는, 공용 배관(55)을 통과하는 액의 유통처를, 회수 배관(56)과 제2 배액 배관(57)의 사이에서 전환하는 전환 유닛으로서 기능한다. 제2 배액 배관(57)은, 제2 가드(44)의 내벽(44a), 제2 컵(42) 및 공용 배관(55)을 세정할 때에, 그 세정액을 버리기 위해 오로지 이용된다.
가장 내측의 제1 가드(43)는, 스핀 척(8)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(8)에 의한 기판(W)의 회전 축선(A1)에 대해 거의 회전 대칭적인 형상을 가지고 있다. 제1 가드(43)는, 스핀 척(8)의 주위를 둘러싸는 원통형의 하단부(63)와, 하단부(63)의 상단에서 외방(기판(W)의 회전 축선(A1)으로부터 멀어지는 방향)으로 연장되는 통형부(64)와, 통형부(64)의 상면 외주부에서 연직 상방으로 연장되는 원통형의 중단부(65)와, 중단부(65)의 상단에서 내방(기판(W)의 회전 축선(A1)에 가까워지는 방향)을 향하여 기울기 상방으로 연장되는 원환상의 상단부(66)를 포함한다. 하단부(63)는, 제1 홈(50) 상에 위치하고, 제1 가드(43)와 제1 컵(41)이 가장 근접한 상태로, 제1 홈(50)의 내부에 수용된다. 상단부(66)의 내주단은, 평면에서 볼 때, 스핀 척(8)에 유지되는 기판(W)보다 대직경의 원형을 이루고 있다. 또한, 상단부(66)는, 도 2에 도시된 바와 같이 그 단면 형상이 직선 형상이어도 되고, 또한, 예를 들어 매끄러운 원호를 그리면서 연장되어 있어도 된다.
내측으로부터 2번째의 제2 가드(44)는, 제1 가드(43)의 외측에 있어서 스핀 척(8)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(8)에 의한 기판(W)의 회전 축선(A1)에 대해 거의 회전 대칭적인 형상을 가지고 있다. 제2 가드(44)는, 제1 가드(43)와 동축의 원통부(67)와, 원통부(67)의 상단에서 중심측(기판(W)의 회전 축선(A1)에 가까워지는 방향) 기울기 상방으로 연장되는 상단부(68)를 가지고 있다. 상단부(68)의 내주단은, 평면에서 볼 때, 스핀 척(8)에 유지되는 기판(W)보다 대직경의 원형을 이루고 있다. 또, 상단부(68)는, 도 2에 도시된 바와 같이 그 단면 형상이 직선 형상이어도 되고, 또한, 예를 들어 매끄러운 원호를 그리면서 연장되어 있어도 된다. 상단부(68)의 선단은, 처리 컵(11)의 상단부(11a)의 개구를 구획하고 있다.
원통부(67)는, 제2 홈(53) 상에 위치하고 있다. 또한, 상단부(68)는, 제1 가드(43)의 상단부(66)와 상하 방향으로 겹치도록 설치되고, 제1 가드(43)와 제2 가드(44)가 가장 근접한 상태로 상단부(66)에 대해 미소한 간극을 유지하고 근접하도록 형성되어 있다.
가장 외측의 제3 가드(45)는, 제2 가드(44)의 외측에서 스핀 척(8)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(8)에 의한 기판(W)의 회전 축선(A1)에 대해 거의 회전 대칭적인 형상을 가지고 있다. 제3 가드(45)는, 제2 가드(44)와 동축의 원통부(70)와, 원통부(70)의 상단에서 중심측(기판(W)의 회전 축선(A1)에 가까워지는 방향) 기울기 상방으로 연장되는 상단부(71)를 가지고 있다. 상단부(71)의 내주단은, 평면에서 볼 때, 스핀 척(8)에 유지되는 기판(W)보다 대직경의 원형을 이루고 있다. 또, 상단부(71)는, 도 2에 도시된 바와 같이 그 단면 형상이 직선 형상이어도 되고, 또한, 예를 들어 매끄러운 원호를 그리면서 연장되어 있어도 된다.
이 실시형태에서는, 제1 컵(41)의 제1 홈(50), 제1 가드(43)의 내벽(43a) 및 스핀 척(8)의 케이싱의 외주에 의해, 기판(W)의 처리에 이용된 약액이 도출되는 제1 유통 공간(바꾸어 말하면, 배액 공간)(101)이 구획되어 있다.
또한, 제2 컵(42)의 제2 홈(53), 제1 가드(43)의 외벽(43b) 및 제2 가드(44)의 내벽(44a)에 의해, 기판(W)의 처리에 이용된 약액이 도출되는 제2 유통 공간(바꾸어 말하면, 회수 공간)(102)이 구획되어 있다. 제1 유통 공간(101)과 제2 유통 공간(102)은 서로 격리되어 있다.
가드 승강 유닛(46)은, 가드의 상단부가 기판(W)보다 상방에 위치하는 상부 위치와, 가드의 상단부가 기판(W)보다 하방에 위치하는 하부 위치의 사이에서, 제1~제3 가드(43~45)를 각각 승강시킨다. 가드 승강 유닛(46)은, 상부 위치와 하부 위치 사이의 임의의 위치에서 각 가드를 유지 가능하다. 기판(W)으로의 처리액의 공급이나 기판(W)의 건조는, 어느 하나의 가드(제1, 제2 또는 제3 가드(43, 44, 45))가 기판(W)의 둘레단면에 대향되어 있는 상태로 행해진다.
가장 내측의 제1 가드(43)를 기판(W)의 둘레단면에 대향시키는, 처리 컵(11)의 제1 가드 대향 상태(도 6a 참조)에서는, 제1~제3 가드(43~45) 전부가 상부 위치(처리 높이 위치)에 배치된다. 내측으로부터 2번째의 제2 가드(44)를 기판(W)의 둘레단면에 대향시키는, 처리 컵(11)의 제2 가드 대향 상태(도 6c 참조)에서는, 제2 및 제3 가드(44, 45)가 상부 위치에 배치되고, 또한 제1 가드(43)가 하부 위치에 배치된다. 가장 외측의 제3 가드(45)를 기판(W)의 둘레단면에 대향시키는, 처리 컵(11)의 제3 가드 대향 상태(도 6d 참조)에서는, 제3 가드(45)가 상부 위치에 배치되고, 또한 제1 및 제2 가드(43, 44)가 하부 위치에 배치된다. 모든 가드를 기판(W)의 둘레단면으로부터 퇴피시키는 퇴피 상태(도 2 참조)에서는, 제1~제3 가드(43~45) 전부가 하부 위치에 배치된다.
또한, 후술하는 바와 같이, 이 실시형태에서는, 제1 가드(43)가 기판(W)의 둘레단면에 대향하는 상태로 하고, 제1 가드 대향 상태 외에, 제2 및 제3 가드(44, 45)를 모두 상부 위치에 배치하면서, 제1 가드(43)를 상부 위치(처리 높이 위치)(PP)(도 6a 참조)보다 하방으로 설정된 세정 높이 위치(WP)(도 6b 참조)에 배치하는 제1 가드 세정 상태가 준비되어 있다.
도 3은, 기판 처리 장치(1)의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
제어 장치(3)는, 예를 들어 마이크로컴퓨터를 이용하여 구성되어 있다. 제어 장치(3)는 CPU 등의 연산 유닛, 고정 메모리 디바이스, 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛, 및 입출력 유닛을 가지고 있다. 기억 유닛은, 연산 유닛이 실행하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 포함한다. 기록 매체에는, 제어 장치(3)에 후술하는 레지스트 제거 처리를 실행시키도록 스텝군이 조립되어 있다.
제어 장치(3)는, 미리 정해진 프로그램에 따라, 스핀 모터(M), 노즐 이동 유닛(20), 가드 승강 유닛(46), 제1 및 제2 송액 장치(31, 34), 온도 조정기(33) 등의 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치(3)는, 미리 정해진 프로그램에 따라, 황산 밸브(24), 과산화수소수 밸브(36), 린스액 밸브(49) 등의 개폐 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치(3)는, 미리 정해진 프로그램에 따라, 황산 유량 조정 밸브(25), 과산화수소수 유량 조정 밸브(37)의 개방도를 조정한다.
도 4는, 처리 유닛(2)에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 1~도 4를 참조하면서 기판 처리예에 대해 설명한다.
이 기판 처리예는, 기판(W)의 상면(주면)으로부터 레지스트를 제거하는 레지스트 제거 처리이다. 레지스트는, 예를 들어 수지(폴리머) 등의 유기물, 감광제, 첨가제, 용제를 주성분으로 하고 있다. 처리 유닛(2)에 의해 기판(W)에 기판 처리예가 실시될 때에는, 챔버(7)의 내부에, 높은 도스로의 이온 주입 처리 후의 기판(W)이 반입된다(도 4의 S1). 기판(W)은, 레지스트를 애싱하기 위한 처리를 받지 않은 것으로 한다.
제어 장치(3)는, 노즐 등이 모두 스핀 척(8)의 상방으로부터 퇴피되어 있는 상태로, 기판(W)을 유지하고 있는 기판 반송 로봇(CR)(도 1 참조)의 핸드를 챔버(7)의 내부에 진입시킴으로써, 기판(W)이 그 표면(디바이스 형성면)을 상방을 향한 상태로 스핀 척(8)에 건네지고, 스핀 척(8)에 유지된다(기판 유지 공정).
제어 장치(3)는, 스핀 모터(M)에 의해 기판(W)의 회전을 개시시킨다(도 4의 S2. 기판 회전 공정). 기판(W)의 회전속도는 미리 정한 액처리 속도(300~1500rpm의 범위 내에서, 예를 들어 500rpm)까지 상승시키고, 그 액처리 속도로 유지된다.
기판(W)의 회전 속도가 액처리 속도에 도달하면, 제어 장치(3)는, SPM 공정(약액 공급 공정)(S3)을 실행한다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 노즐 이동 유닛(20)을 제어하여, SPM 노즐(18)을 퇴피 위치에서 처리 위치로 이동시킨다. 또한, 제어 장치(3)는, 황산 밸브(24) 및 과산화수소수 밸브(36)를 동시에 개방한다. 이에 의해, 황산 배관(23)을 통과하여 H2SO4가 SPM 노즐(18)에 공급됨과 더불어, 과산화수소수 배관(35)을 통과하여 H2O2가 SPM 노즐(18)에 공급된다. SPM 노즐(18)의 내부에서 H2SO4와 H2O2가 혼합되어, 고온(예를 들어, 160~220℃)의 SPM이 생성된다. 그 SPM이, SPM 노즐(18)의 토출구로부터 토출되어 기판(W)의 상면 중앙부에 착액한다. 이 실시형태에서는, SPM 공정(S3)의 전기간에 걸쳐 SPM의 농도가 일정하게 유지되어 있다.
SPM 노즐(18)로부터 토출된 SPM은, 기판(W)의 상면에 착액한 후, 원심력에 의해 기판(W)의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 그 때문에, SPM이 기판(W)의 상면 전역에 공급되고, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 SPM의 액막이 기판(W) 상에 형성된다. 이에 의해, 레지스트와 SPM이 화학 반응하여, 기판(W) 상의 레지스트가 SPM에 의해 기판(W)으로부터 제거된다. 기판(W)의 주연부로 이동한 SPM은, 기판(W)의 주연부로부터 기판(W)의 측방을 향하여 비산된다.
또한, SPM 공정(S3)에 있어서, 제어 장치(3)가, 노즐 이동 유닛(20)을 제어하여, SPM 노즐(18)을, 기판(W)의 상면의 주연부에 대향하는 주연 위치와, 기판(W)의 상면의 중앙부에 대향하는 중앙 위치의 사이에서 이동하도록 해도 된다. 이 경우, 기판(W)의 상면에서의 SPM의 착액 위치가, 기판(W)의 상면의 전역을 주사시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전역을 균일하게 처리할 수 있다.
SPM의 토출 개시로부터 미리 정한 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 황산 밸브(24) 및 과산화수소수 밸브(36)를 폐쇄하고, SPM 노즐(18)로부터의 SPM의 토출을 정지한다. 이에 의해, SPM 공정(S3)이 종료된다. 그 후, 제어 장치(3)가 노즐 이동 유닛(20)(도 2 참조)을 제어하여, SPM 노즐(18)을 퇴피 위치로 되돌리게 한다.
다음에, 린스액을 기판(W)에 공급하는 린스 공정(타액 공급 공정)(도 4의 S4)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(49)를 개방하고, 기판(W)의 상면 중앙부를 향하여 린스액 노즐(47)로부터 린스액을 토출시킨다. 린스액 노즐(47)로부터 토출된 린스액은, SPM에 의해 덮여 있는 기판(W)의 상면 중앙부에 착액한다. 기판(W)의 상면 중앙부에 착액한 린스액은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 상면 상을 기판(W)의 주연부를 향하여 흐른다. 이에 의해, 기판(W) 상의 SPM이, 린스액에 의해 외방으로 떠내려가 기판(W)의 주위로 배출된다. 이에 의해, 기판(W)의 상면 전역에서 SPM 및 레지스트(즉, 레지스트 잔사)가 씻겨 흐른다. 레지스트 잔사는, 예를 들어 탄화물이다. 린스 공정(S4)의 개시로부터 미리 정한 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(49)를 폐쇄하고, 린스액 노즐(47)로부터의 린스액의 토출을 정지시킨다.
다음에, 기판(W)을 건조시키는 건조 공정(도 4의 S5)이 행해진다.
건조 공정(S5)에서는, 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(M)를 제어함으로써, SPM 공정(S3) 및 린스 공정(S4)까지의 회전 속도보다 큰 건조 회전 속도(예를 들어 수천rpm)까지 기판(W)을 가속시키고, 건조 회전 속도로 기판(W)을 회전시킨다. 이에 의해, 큰 원심력이 기판(W) 상의 액에 가해지고, 기판(W)에 부착되어 있는 액이 기판(W)의 주위로 뿌려진다. 이와 같이 하여, 기판(W)으로부터 액이 제거되고, 기판(W)이 건조된다.
그리고, 기판(W)의 고속 회전이 개시되고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(M)를 제어함으로써, 스핀 척(8)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다(도 4의 S6).
다음에, 챔버(7) 내로부터 기판(W)이 반출된다(도 4의 S7). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 기판 반송 로봇(CR)의 핸드를 챔버(7)의 내부에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 기판 반송 로봇(CR)의 핸드에 스핀 척(8) 상의 기판(W)을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 기판 반송 로봇(CR)의 핸드를 챔버(7) 내로부터 퇴피시킨다. 이에 의해, 표면(디바이스 형성면)으로부터 레지스트가 제거된 기판(W)이 챔버(7)로부터 반출된다.
도 5는, SPM 공정(S3)에서의, 제1 및 제2 가드(43, 44)의 승강 타이밍을 설명하기 위한 타이밍 차트이다. 도 6a~도 6c는, SPM 공정(S3)을 설명하기 위한 도해적인 도면이다. 도 6d는, 건조 공정(S5)을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 2~도 5를 참조하면서, 도 4에 도시된 기판 처리예에서의, 제1 및 제2 가드(43, 44)의 승강(즉, 기판(W)의 둘레단면에 대향하는 가드(기판(W)으로부터 배출되는 처리액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드)의 전환(가드 전환 공정))에 대해 설명한다. 도 6a~도 6d는, 적절히 참조한다.
SPM 공정(S3)은, 처리 컵(11)이 제1 가드 대향 상태인 제1 공정(T1)과, 처리 컵(11)이 제1 가드 세정 상태인 제2 공정(T2)과, 처리 컵(11)이 제2 가드 대향 상태인 제3 공정(T3)을 포함한다.
SPM 공정(S3)의 개시 후 당분간, 기판(W)의 표면에 많은 레지스트 잔사(이물)가 존재하기 때문에, 이 기간에 기판(W)으로부터 비산되는(배출되는) SPM에는 다량의 레지스트 잔사가 포함되어 있다. 다량의 레지스트 잔사를 포함하는 SPM은 재이용에 적합하지 않기 때문에, 회수하지 않고 폐기되는 것이 바람직하다. 그 반면, 환경에 대한 배려의 관점에서 SPM의 폐기는 최소한으로 멈추는 것이 바람직하고, 기판(W)으로부터 배출되는 SPM이 레지스트 잔사를 포함하지 않게 되면, 그 SPM은 회수하여 재이용하는 것이 바람직하다. 이 명세서에서, 「레지스트 잔사를 포함하지 않는다」는 것은, 「레지스트 잔사를 전혀 포함하지 않는」 경우, 「레지스트 잔사를 거의 포함하지 않는」 경우, 및 「레지스트 잔사를 소량밖에 포함하지 않는 경우」를 포함하는 취지이다.
도 4에 도시된 기판 처리예에 있어서, 기판 반입(S1) 전에는, 처리 컵(11)이 퇴피 상태에 있다. SPM 공정(S3)에 있어서, SPM 노즐(18)이 처리 위치에 배치된 후, 제어 장치(3)는, 가드 승강 유닛(46)을 제어하여, 제1~제3 가드(43~45)를 상부 위치로 상승시킴으로써, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제1 가드(43)를 기판(W)의 둘레단면에 대향시킨다(제1 가드 대향 상태를 실현). 이에 의해, 제1 공정(T1)이 개시된다. 제1 공정(T1)에서 이 상태가 유지된다(처리 높이 유지 공정).
SPM 공정(S3)(제1 공정(T1))에 있어서, 기판(W)의 주연부로부터 비산되는 SPM이, 제1 가드(43)의 내벽(43a)의 환상의 제1 영역(R1)에 착액한다. 내벽(43a)에 포획된 SPM은, 제1 가드(43)의 내벽(43a)을 따라 흘러내려 제1 컵(41)에 받아지고, 제1 배액 배관(52)으로 이송된다. 제1 배액 배관(52)으로 이송된 SPM은, 기외의 폐기 처리 설비로 이송된다.
전술한 바와 같이, SPM 공정(S3)의 개시 후 당분간, 기판(W)으로부터 비산되는(배출되는) SPM에는 다량의 레지스트 잔사가 포함되어 있다. 제1 공정(T1)에서는, 기판(W)으로부터 배출되는, 레지스트 잔사를 포함하는 SPM이, 제1 유통 공간(101)을 통과하여 배액된다. 즉, 회수하여 재이용되는 일은 없다.
또한, 도 6a, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제1 공정(T1)에서는, 내벽(43a)의 제1 영역(R1)에 착액한 SPM은, 상하 방향으로 확산되면서 제1 가드(43)의 내벽(43a)에 부착된다. 제1 영역(R1)에 착액한 SPM이 도달하는 영역의 상단을, 도달 영역 상단(도달 영역의 상단)(UR)으로 한다. 기판(W)으로부터 비산되는 SPM에는 레지스트 잔사(RR)(도 6a, 도 6b 참조)가 포함되므로, 제1 가드(43)의 내벽(43a)에 있어서, 환상의 도달 영역 상단(UR)보다 하방의 영역에는, 레지스트 잔사(RR)가 부착되어 있을 우려가 있다.
SPM의 토출 개시로부터 소정의 청정 기간이 경과하면, 제1 공정(T1)이 종료되고, 다음에 제2 공정(T2)이 개시된다. 청정 기간은, SPM의 토출 개시로부터, 기판(W)으로부터 배출되는 SPM이 레지스트 잔사를 포함하지 않게 된 후의 소정의 기간을 말한다. 청정 기간은, 사전 실험 등에 의해 구해지고, 제어 장치(3)의 기억 유닛에 기억되어 있다. 청정 기간은, 여러 가지 조건(기판 처리의 대상이 되는 기판(W)의 이온 주입 처리의 조건(도스량), 기판(W)에 형성되어 있는 레지스트의 종류, 제1 공정(T1)에서의 SPM의 공급 유량, 및 제1 공정(T1)에서의 SPM의 공급 농도 중 적어도 하나)에 의거하여 다르게 해도 된다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 가드 승강 유닛(46)을 제어하여, 제1 가드(43)를, 도 6b에 도시된 바와 같이, 지금까지의 상부 위치(PP)(도 6a 참조)로부터 세정 높이 위치(WP)(도 6b 참조)까지 하강시킨다(제1 가드 세정 상태를 실현). 제어 장치(3)는, 그 후, 제1 가드(43)를 그 세정 높이 위치(WP)로 유지시킨다(세정 높이 유지 공정).
제2 공정(T2)에 있어서, SPM 노즐(18)로부터 토출되는 SPM의 농도, SPM의 유량, 기판(W)의 회전 속도는, 제1 공정(T1)의 경우와 동등하다. 제2 공정(T2)에 있어서, 기판(W)의 주연부로부터 비산되는 SPM이, 제1 가드(43)의 내벽(43a)의 환상의 제2 영역(R2)(세정 높이 위치(WP)에 위치하는 제1 가드(43)의 내벽(43a)이 포획하는 위치)에 착액한다. 제1 가드(43)의 내벽(43a)에 있어서, 제2 영역(R2)은, 제1 영역(R1)보다 상방에 위치한다. 보다 구체적으로는, 제2 영역(R2)이, 도달 영역 상단(UR)보다 상방으로 설정된다. 그 때문에, 내벽(43a)의 환상의 도달 영역 상단(UR)보다 하방의 영역에 부착되어 있는, 레지스트 잔사를 포함하는 SPM의 거의 전부를, 세정 높이 위치(WP)에 위치하는 제1 가드(43)에 의해 포획한 SPM에 의해 양호하게 씻어 흘려보낼 수 있다. 이 세정은, 내벽(43a)으로부터 레지스트 잔사를 씻어 흘려보낼 수 있으면 충분하다. 그 때문에, 약액인 SPM을 이용하여 내벽(43a)을 세정하고 있다.
제1 가드(43)의 내벽(43a)을 흘러내리는 SPM은, 제1 컵(41) 및 제1 배액 배관(52)을 통과하여 기외의 폐기 처리 설비로 이송된다. 즉, 제2 공정(T2)에 있어서, 기판(W)의 주연부로부터 비산되는 SPM도, 제1 유통 공간(101)을 통과하여 배액된다. 즉, 회수하여 재이용되는 일은 없다.
세정 높이 위치(WP)에 제1 가드(43)의 배치로부터 소정의 세정 기간이 경과하면, 제2 공정(T2)이 종료되고, 다음에 제3 공정(T3)이 개시된다.
즉, 기판(W)의 둘레단면에 대향하는 가드가, 제1 가드(43)에서 제2 가드(44)로 전환된다(가드 전환 공정). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 가드 승강 유닛(46)을 제어하여, 제1 가드(43)를, 도 6c에 도시된 바와 같이, 지금까지의 세정 높이 위치(WP)(도 6b 참조)로부터 하부 위치까지 하강시킨다(제2 가드 대향 상태를 실현). 이 가드 전환시에 있어서, SPM 노즐(18)로부터 토출되는 SPM의 유량, 기판(W)의 회전 속도에 변함은 없다.
또한, 세정 기간은, 제1 가드(43)의 내벽(43a)으로부터 레지스트 잔사가 제거되는 데에 충분한 기간을 말한다. 청정 기간은, 사전 실험 등에 의해 구해지고, 제어 장치(3)의 기억 유닛에 기억되어 있다.
제3 공정(T3)에 있어서, SPM 노즐(18)로부터 토출되는 SPM의 농도, SPM의 유량, 기판(W)의 회전 속도는, 제1 공정(T1)의 경우와 동등하다. 제3 공정(T3)에 있어서, 기판(W)의 주연부로부터 비산되는 SPM이, 제2 가드(44)의 내벽(44a)에 포획된다. 그리고, 제2 가드(44)의 내벽(44a)을 흘러내리는 SPM은, 제2 컵(42), 공용 배관(55) 및 회수 배관(56)을 통과하여, 황산 공급부(26)의 회수 탱크(29)로 이송된다. 즉, 제3 공정(T3)에 있어서, 기판(W)의 주연부로부터 비산되는 SPM은, 제2 유통 공간(102)을 통과하여 회수되고, 재이용에 제공된다.
그 후, SPM 공정(S3)의 종료 타이밍이 되면, 제3 공정(T3)도 종료된다.
또한, SPM 공정(S3) 다음에 실행되는 린스 공정(S4)에 있어서, 처리 컵(11)은, 제1 가드 대향 상태이다. 그 때문에, 제3 공정(T3)의 종료 후, 제어 장치(3)는, 가드 승강 유닛(46)을 제어하여, 제1 가드(43)를 상부 위치까지 상승시킨다(제1 가드 대향 상태를 실현).
또한, 건조 공정(S5)에 있어서, 처리 컵(11)은, 제3 가드 대향 상태를 이루고 있다. 그 때문에, 린스 공정(S4)의 종료 후, 제어 장치(3)는, 가드 승강 유닛(46)을 제어하여, 제1 및 제2 가드(43, 44)를 하부 위치까지 하강시킨다(제3 가드 대향 상태를 실현).
또한, 기판(W)의 반출시(도 4의 S7)에 앞서서, 제어 장치(3)는, 가드 승강 유닛(46)을 제어하여, 제3 가드(45)를 하부 위치까지 하강시킨다. 이에 의해, 제1~제3 가드(43~45) 전부가 하부 위치에 배치된다(퇴피 상태를 실현).
이상에 의해, 이 실시형태에 의하면, SPM 공정(S3) 중에, 기판(W)으로부터 배출되는 SPM의 유통처가, 처리 컵(11)의 제1 유통 공간(101)에서 제2 유통 공간(102)으로 전환된다. 이에 의해, 레지스트 잔사를 포함하는 SPM과, 레지스트 잔사를 포함하지 않는 SPM을, 처리 컵(11)의 서로 다른 제1 및 제2 유통 공간(101, 102)에 유통시킬 수 있다. 이에 의해, 레지스트 잔사를 포함하는 SPM과, 레지스트 잔사를 포함하지 않는 SPM을, 처리 컵(11)의 내부에서 분리하여 유통시킬 수 있다.
또한, 제1 유통 공간(101)을 유통하는 SPM이 제1 배액 배관(52)으로 도출되고, 제2 유통 공간(102)을 유통하는 SPM이 회수 배관(56)으로 도출된다. 그 때문에, 레지스트 잔사를 포함하는 SPM이, 제1 유통 공간(101)을 유통하여 제1 배액 배관(52)으로 도출되고, 레지스트 잔사를 포함하지 않는 SPM이, 제2 유통 공간(102)을 유통하여 회수 배관(56)으로 도출된다. 이에 의해, 레지스트 잔사를 포함하지 않는 SPM만을 회수하는 것이 가능하다. 따라서, 회수 SPM으로의 레지스트 잔사의 혼입을 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있다.
또한, 기판(W)의 둘레단면에 대향하는 가드를, 제1 가드(43)와 제2 가드(44)의 사이에서 전환함으로써, 기판(W)으로부터 배출되는 SPM의 유통처를 제1 유통 공간(101)과 제2 유통 공간(102)의 사이에서 전환할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)으로부터 배출되는 SPM의 유통처의 전환을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 제1 가드(43)와 제2 가드(44)가 서로 인접하는 가드이므로, 제1 가드(43)를 하강시키는 것만으로, 제2 가드(44)를 기판(W)의 둘레단면에 대향시킬 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 둘레단면에 대향하는 가드의 전환을 원활하게 행할 수 있다.
또한, 가드 전환시에 있어서, 제1 가드(43)의 승강 동작의 전기간에 걸쳐 기판(W)으로의 SPM의 공급을 속행하고 있다. 이 경우, 제1 가드(43)의 승강 동작에서 기판(W)으로의 SPM의 공급을 중단하는 경우에 비해, SPM 공정(S3)에 필요로 하는 기간을 짧게 할 수 있고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 이 실시형태에 의하면, SPM 공정(S3) 중에 있어서, 제1 가드(43)가, 지금까지의 상부 위치(PP)에서, 상부 위치(PP)보다 하방으로 설정된 세정 높이 위치(WP)로 배치 변경되고, 그 후, 소정 기간 그 세정 높이 위치(WP)로 유지된다.
제1 가드(43)가 상부 위치(PP)에 위치하는 상태 및 세정 높이 위치(WP)에 위치하는 상태 모두에 있어서, 기판(W)으로부터 배출되는 SPM이 제1 가드(43)의 내벽(43a)에 의해 포획된다. 제1 가드(43)의 내벽(43a)에 의해 포획된 SPM은, 자중에 의해 하방을 향하여 흐른다.
또한, 제1 가드(43)의 내벽(43a)에 있어서, 제2 영역(R2)이, 도달 영역 상단(UR)보다 상방으로 설정된다. 그 때문에, 내벽(43a)의 환상의 도달 영역 상단(UR)보다 하방의 영역에 부착되어 있는, 레지스트 잔사를 포함하는 SPM의 거의 전부를, 세정 높이 위치(WP)에 위치하는 제1 가드(43)에 의해 포획한 SPM에 의해 양호하게 씻어 흘려보낼 수 있다.
또한, 기판(W)의 둘레단면에 대향하는 가드의, 제1 가드(43)에서 제2 가드(44)로의 전환에 앞서서, 제1 가드(43)가, 지금까지의 상부 위치(PP)에서 세정 높이 위치(WP)로 배치 변경되고, 그 후, 소정 기간 그 세정 높이 위치(WP)로 유지된다. 제1 및 제2 가드(43, 44)의 전환에 앞서서, 제1 가드(43)를 세정 높이 위치(WP)에 배치하여 제1 가드(43)의 내벽(43a)을 세정하므로, 제1 가드(43)의 사용 종료까지 제1 가드(43)의 내벽(43a)으로부터 레지스트 잔사를 제거할 수 있다.
또한, 제1 가드(43)가 세정 높이 위치에 배치된 후, 제1 가드(43)가 다시 처리 높이 위치에 배치되지 않고, 기판(W)의 둘레단면에 대향하는 가드가, 제1 가드(43)에서 제2 가드(44)로 전환된다. 이에 의해, 제1 가드(43)의 세정 후 바로 제1 및 제2 가드(43, 44)의 전환을 행하는 것이 가능하다. 이에 의해, SPM 공정(S3)의 처리 시간의 단축화를 도모하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명의 일 실시형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 또 다른 형태로 실시할 수도 있다.
예를 들어, 제1 가드(43)의 세정(제2 공정(T2))은, SPM 공정(S3)에 있어서 1회만 행한다고 하여 설명하였지만, 제1 가드(43)의 세정(제2 공정(T2))을 SPM 공정(S3)에 있어서 복수회 반복해도 된다.
또한, 제1 가드(43)의 세정(제2 공정(T2)) 후, 바로 가드 전환(제3 공정(T3)으로의 이행)을 행한다고 하여 설명하였지만, 제1 가드(43)의 세정(제2 공정(T2)) 후, 제1 공정(T1)을 실행(즉, 처리 컵(11)의 제1 대향 상태를 실현)한 후에, 바로 가드 전환(제3 공정(T3)으로의 이행)을 행하도록 해도 된다.
또한, 제3 공정(T3)을 생략해도 된다. 이 경우, SPM 공정(S3)이, 제1 공정(T1)과 제2 공정(T2)을 포함한다.
또한, 가드의 세정을 제1 가드(43)에서 실행하였지만, 가드의 세정을, 다른 가드(즉, 제2 가드(44) 및/또는 제3 가드(45))에서 행하도록 해도 된다.
또한, 전술한 실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)에서는, 회수한 SPM을 황산으로서 재이용하는 구성을 예로 들어 설명하였지만, 회수한 SPM을 그 기판 처리 장치(1)에서는 재이용하지 않고 다른 장치 등에서 이용하도록 해도 된다.
또한, 회수 배관(56)이, 공용 배관(55)을 통하지 않고, 제2 컵(42)의 바닥부에 직접 접속되어 있어도 된다. 제2 컵(42)에 쌓인 SPM은, 공용 배관(55)을 통해 황산 공급부(26)에 회수된다. 이 경우, 제2 배액 배관(57) 및 전환 유닛(회수 밸브(58) 및 배액 밸브(59))은 폐지된다.
또한, 전술한 기판 처리예에 있어서, SPM 공정(S3)에 앞서서, 기판(W)의 상면을 제1 세정 약액을 이용하여 세정하는 제1 세정 공정이 실행되어도 된다. 이러한 제1 세정 약액으로서, 예를 들어 불산(HF)을 예시할 수 있다. 이 제1 세정 공정은, 처리 컵(11)이 제1 가드 대향 상태에 있는 상태로 실행된다. 제1 세정 공정이 실행되는 경우, 그 후, 제1 세정 약액을 린스액으로 씻어 흘려보내는 제2 린스 공정이 실행된다. 이 제2 린스 공정은, 처리 컵(11)이 제1 가드 대향 상태에 있는 상태로 실행된다.
또한, 전술한 기판 처리예에 있어서, SPM 공정(S3) 후 린스 공정(S4)에 앞서서, H2O2를 기판(W)의 상면(표면)에 공급하는 과산화수소수 공급 공정이 실행되어도 된다. 이 경우, 제어 장치(3)는, 과산화수소수 밸브(36)를 개방한 상태로 유지하면서 황산 밸브(24)만을 폐쇄한다. 이에 의해, SPM 노즐(18)에 H2O2만이 공급되고, SPM 노즐(18)의 토출구로부터 H2O2가 토출된다. 이 과산화수소수 공급 공정에 있어서, 처리 컵(11)이 제1 가드 대향 상태이다.
또한, 전술한 기판 처리예에 있어서, 린스 공정(S4) 후에, 기판(W)의 상면을 제2 세정 약액을 이용하여 세정하는 제2 세정 공정이 실행되어도 된다. 이러한 제2 세정 약액으로서, 예를 들어 SC1(NH4OH와 H2O2를 포함하는 혼합액)을 예시할 수 있다. 이 제2 세정 공정은, 처리 컵(11)이 제1 가드 대향 상태에 있는 상태로 실행된다. 제2 세정 공정이 실행되는 경우, 그 후, 제2 세정 약액을 린스액으로 씻어 흘려보내는 제3 린스 공정이 실행된다. 이 제3 린스 공정은, 처리 컵(11)이 제1 가드 대향 상태에 있는 상태로 실행된다.
또한, 건조 공정(S5)에 앞서서, 저표면장력을 갖는 유기용제(건조액)를 공급하여, 기판(W)의 상면 상의 린스액을 유기용제에 의해 치환하는 유기용제 치환 공정이 실행되어도 된다. 이 유기용제 치환 공정은, 처리 컵(11)이 제3 가드 대향 상태에 있는 상태로 실행된다.
또한, 제1 및 제2 실시형태에서는, SPM 공급 유닛(9)으로서, H2SO4 및 H2O2의 혼합을 SPM 노즐(18)의 내부에서 행하는 노즐 혼합 타입의 것을 예로 들어 설명하였지만, SPM 노즐(18)의 상류측에 배관을 통해 접속된 혼합부를 설치하고, 이 혼합부에서 H2SO4와 H2O2의 혼합이 행해지는 배관 혼합 타입의 것을 채용할 수도 있다.
또한, 도 4의 기판 처리예에서는, 레지스트 제거 처리를 예로 들었지만, 레지스트에 한정되지 않고, SPM을 이용하여 다른 유기물의 제거를 하는 처리이어도 된다.
또한, 기판(W)에 공급되는 약액은 SPM에 한정되지 않고, 다른 약액이어도 된다. 예를 들어, BHF, DHF(희불산), SC1(암모니아 과산화수소수 혼합액), SC2(염산 과산화수소수 혼합액), 유기용제(예를 들어 NMP나 아세톤), 질산, 인산암모늄, 구연산, 황산, 희황산, 불질산, 원액 HF, 왕수, TMAH(수산화 테트라메틸암모늄 수용액) 등의 유기산 및 이들 유기산의 혼합액을 예시할 수 있다. 그 밖에 O3수이어도 된다. 이 경우, 약액에 포함되는 이물로서는 금속, Si, 유기물이 있다.
또한, 처리 컵(11)이 3단의 것을 예로 들어 설명하였지만, 처리 컵(11)은, 1단(단일 컵)이나 2단이어도 되고, 4단 이상의 다단 컵이어도 된다.
또한, 전술한 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치(1)가 반도체 웨이퍼로 이루어지는 기판(W)의 표면을 처리하는 장치인 경우에 대해 설명하였지만, 기판 처리 장치가, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL(electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판을 처리하는 장치이어도 된다.
본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명확히 하기 위해 이용된 구체예에 불과하며, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니고, 본 발명의 범위는 첨부한 청구범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2018년 3월 26일에 일본특허청에 제출된 특원 2018-057502호에 대응하고, 이 출원의 모든 개시는 여기에 인용에 의해 도입되는 것으로 한다.

Claims (12)

  1. 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지 공정과,
    당해 기판의 중앙부를 통과하는, 연직의 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 공급 공정과,
    상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획하는 통형의 제1 가드를 처리 높이 위치로 유지하는 처리 높이 유지 공정과,
    상기 처리 높이 유지 공정 후, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 제1 가드를, 상기 처리 높이 위치보다 하방으로 설정된 세정 높이 위치로 유지하는 세정 높이 유지 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 제1 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치이고,
    상기 세정 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을, 상기 제1 영역에서 포획된 약액이 도달 가능한 도달 영역의 상단보다 상방으로 설정된 제2 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치인, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 제1 가드에서, 상기 제1 가드와는 따로 설치된 통형의 제2 가드로 전환하는 가드 전환 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 가드 전환 공정이, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 처리 높이 유지 공정을 다시 실행하지 않고, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 제1 가드에서 상기 제2 가드로 전환하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판에, 상기 기판에 공급되는 약액과 종류가 상이한 다른 처리액을 공급하는 타액 공급 공정과,
    상기 타액 공급 공정 중에, 상기 기판으로부터 배출되는 다른 처리액을 포획 가능한 위치에, 상기 제1 가드를 배치하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판의 상기 주면에는 레지스트가 형성되어 있고,
    상기 약액 공급 공정에 있어서 상기 기판의 상기 주면에 공급되는 약액이 SPM을 포함하는, 기판 처리 방법.
  7. 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 통과하는 회전 축선 둘레로 회전시키기 위한 회전 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에 약액을 공급하기 위한 약액 공급 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛의 주위를 둘러싸고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판으로부터 배출되는 액체를 포획하는 제1 가드와,
    상기 제1 가드를 승강시키는 가드 승강 유닛과,
    상기 회전 유닛, 상기 약액 공급 유닛 및 상기 가드 승강 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
    상기 제어 장치가, 상기 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 공정과, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 통형의 제1 가드를 처리 높이 위치로 유지하는 처리 높이 유지 공정과, 상기 처리 높이 유지 공정 후, 상기 약액 공급 공정에 병행하여, 상기 제1 가드를, 상기 처리 높이 위치보다 낮은 세정 높이 위치로 유지하는 세정 높이 유지 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 처리 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 제1 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치이고,
    상기 세정 높이 위치가, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을, 상기 제1 영역에서 포획된 약액이 도달 가능한 도달 영역의 상단보다 상방으로 설정된 제2 영역에서 포획할 수 있는 높이 위치인, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 가드와는 따로 설치되고, 상기 기판 유지 유닛의 주위를 둘러싸며, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판으로부터 배출되는 액체를 포획하는 제2 가드를 더 포함하고,
    상기 제어 장치가, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 제1 가드에서 상기 제2 가드로 전환하는 가드 전환 공정을 더 실행하는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제어 장치가, 상기 가드 전환 공정에 있어서, 상기 세정 높이 유지 공정 후에, 상기 처리 높이 유지 공정을 다시 실행하지 않고, 상기 기판으로부터 배출되는 약액을 포획 가능한 위치에 배치되는 가드를, 상기 제1 가드에서 상기 제2 가드로 전환하는 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판에, 상기 기판에 공급되는 약액과 종류가 상이한 다른 처리액을 공급하는 타액 공급 유닛을 더 포함하고,
    상기 제어 장치가, 상기 회전 축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판에 상기 다른 처리액을 공급하는 타액 공급 공정과, 상기 타액 공급 공정 중에, 상기 기판으로부터 배출되는 다른 처리액을 포획 가능한 위치에 상기 제1 가드를 배치하는 공정을 더 실행시키는, 기판 처리 장치.
  12. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 기판의 상기 주면에는 레지스트가 형성되어 있고,
    상기 약액 공급 공정에 있어서 상기 기판의 상기 주면에 공급되는 약액이 SPM을 포함하는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN113474875A (zh) * 2019-04-23 2021-10-01 杰宜斯科技有限公司 蚀刻装置及其蚀刻方法
KR102649167B1 (ko) * 2020-09-09 2024-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023127833A (ja) * 2022-03-02 2023-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN116013844B (zh) * 2023-03-27 2023-06-16 四川上特科技有限公司 一种晶圆覆硼夹具及覆硼装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010555A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置
KR20160113020A (ko) * 2015-03-18 2016-09-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1133468A (ja) * 1997-07-23 1999-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置およびカップの洗浄方法
JP4172781B2 (ja) * 2003-08-26 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
WO2014127200A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Immunomedics, Inc. Chimeric and humanized anti-histone antibodies
JP6250973B2 (ja) 2013-08-08 2017-12-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6229933B2 (ja) 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
JP6502037B2 (ja) * 2014-08-15 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20160147163A (ko) * 2015-06-12 2016-12-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 세정 방법
JP6722532B2 (ja) * 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法
JP6708508B2 (ja) 2016-07-26 2020-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6817748B2 (ja) * 2016-08-24 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6722551B2 (ja) * 2016-08-31 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6725384B2 (ja) * 2016-09-26 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010555A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置
KR20160113020A (ko) * 2015-03-18 2016-09-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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