JP6190254B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
荷電粒子ビームによるマルチビームのショット毎に、各ビームの1ショット分の照射を照射時間が異なる複数回の分割ショットに分割するように複数回の分割ショットのデータを生成する分割ショットデータ生成部と、
複数回の分割ショットのデータに沿って、マルチビームの各ビームを個別にブランキング制御する個別ブランキング機構と、
分割ショット毎に、マルチビームのONビーム数に応じてマルチビーム全体の像の伸縮率を補正する伸縮率補正値を取得する伸縮率補正値取得部と、
分割ショット毎に、伸縮率補正値を用いてマルチビーム全体の像の伸縮率を補正するレンズと、
を備えたことを特徴とする。
分割ショット毎に、中心位置補正値を用いてマルチビーム全体のビーム中心位置を補正する偏向器と、
をさらに備えると好適である。
分割ショット毎に、フォーカス位置補正値を用いてマルチビーム全体のフォーカス位置を補正する第2のレンズと、
をさらに備えると好適である。
荷電粒子ビームによるマルチビームのショット毎に、各ビームの1ショット分の照射を照射時間が異なる複数回の分割ショットに分割して、各分割ショットにそれぞれ対応する照射時間のビームを順に試料に照射する工程と、
分割ショット毎に、マルチビームのONビーム数に応じてマルチビーム全体の像の伸縮率を補正する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、アパーチャ部材203、ブランキングプレート204、縮小レンズ205、偏向器212、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、偏向器208、及び静電レンズ214,216が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングプレートの構成を示す上面概念図である。
ブランキングプレート204には、アパーチャ部材203の各穴22の配置位置に合わせて通過孔が形成され、各通過孔には、対となる2つの電極24,26の組(ブランカー:ブランキング偏向器)が、それぞれ配置される。各ビーム用の2つの電極24,26の一方(例えば、電極24)には、電圧を印加するアンプ46がそれぞれ配置される。そして、各ビーム用のアンプ46には、それぞれ独立にロジック回路41が配置される。各ビーム用の2つの電極24,26の他方(例えば、電極26)は、接地される。各通過孔を通過する電子ビーム20は、それぞれ独立にかかる対となる2つの電極24,26に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。このように、複数のブランカーが、アパーチャ部材203の複数の穴22(開口部)を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。
なお、補正係数を求める方法は、例えば、条件を変えてパターンを描画し、その測定結果から補正係数を求めることができる。また、ステージ上にマークを配置し、種々条件でそのマーク位置を測定する、あるいは、ビーム解像性を測定することでも補正係数を求めることもできる。また、補正量が比較的小さい場合には、電子光学系のシミュレーション等により設計値として求められた補正係数を設定することでも十分精度良く補正が可能になる。
実施の形態1では、マルチビーム全体でのONビーム数に応じて空間電荷効果に起因する種々の現象を補正したが、これに限るものではない。実施の形態2では、マルチビームを複数の領域に区分して、領域毎のONビーム数に応じて空間電荷効果に起因する種々の現象を補正する構成について説明する。
なお、補正係数を求める方法は、実施の形態1の場合と同様に、例えば、パターンを描画し、その測定結果から補正係数を求めることができる。また、ステージ上に配置したマークを測定する方法、また、シミュレーション等数値計算による方法などにより補正係数を求めることができる。
上述した実施の形態1,2では、n回の照射ステップ用のデータを1ビットずつ例えば大きい順にデータ転送する場合を説明したが、これに限るものでない。実施の形態3では、複数の照射ステップ用のデータを組み合わせて転送する場合について説明する。実施の形態3における装置構成は、図1と同様である。また、実施の形態3における描画方法の要部工程を示すフローチャート図は、図6と同様である。また、以下、特に説明する点以外が内容は、実施の形態1或いは実施の形態2と同様である。
上述した各実施の形態では、個別ブランキング制御用のブランキングプレート204と共通ブランキング用の偏向器212とを用いて、ビーム毎に、1ショットを分割した複数回の分割ショットについてブランキング制御をおこなったが、これに限るものではない。実施の形態4では、共通ブランキング用の偏向器212を用いずに個別ブランキング制御用のブランキングプレート204を用いてビーム毎に、1ショットを分割した複数回の分割ショットについてブランキング制御をおこなう構成について説明する。
上述した各実施の形態では、照射ステップの分割の仕方を2進数の各桁に合わせるという例を示したが、分割の仕方はそれに限定されるものではなく、2進数の各桁とする以外にも、種々の異なる時間あるいは同じ時間の組み合わせで照射ステップの分割が可能である。実施の形態6では、種々の異なる時間あるいは同じ時間の組み合わせで照射ステップの分割を行う場合について説明する。装置構成は、図1或いは図21と同様である。
k桁目の分割照射時間をXk≦{Σ(Xi)}+1,(i=0〜k−1)とした分割照射時間で組み合わせることができる。ただし、Xkは1以上の整数とする。ここで、{Σ(Xi)},(i=0〜k−1)は、括弧内のXiをX0からXk−1までを加算したもの(X0+X1+...+Xk−2+Xk−1)を意味する。ここでは、以下、同様の表記で説明する。
T=Δ・{Σ(ai・Xi)},(i=0〜m−1)となる。
22 穴
24,26 電極
30 照射領域
31,36,37,38 ビーム
32 ONビーム
33 領域
40 シフトレジスタ
41 ロジック回路
42 レジスタ
44 加算演算器
46 アンプ
48 セレクタ
50 レジスタ
52 カウンタ
60 面積密度算出部
62 照射時間算出部
64 階調値算出部
66 ビット変換部
68 転送処理部
72 描画制御部
74 ONビーム数演算部
76,80,84 係数取得部
78,82,86 係数設定部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
132 ロジック回路
134,136,138 DACアンプ
139 ステージ位置測定部
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204 ブランキングプレート
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
210 ミラー
212 偏向器
214,216 静電レンズ
Claims (5)
- 荷電粒子ビームによるマルチビームのショット毎に、各ビームの1ショット分の照射を照射時間が異なる複数回の分割ショットに分割するように前記複数回の分割ショットのデータを生成する分割ショットデータ生成部と、
前記複数回の分割ショットのデータに沿って、マルチビームの各ビームを個別にブランキング制御する個別ブランキング機構と、
前記分割ショット毎に、マルチビームのONビーム数に応じてマルチビーム全体の像の伸縮率を補正する伸縮率補正値を取得する伸縮率補正値取得部と、
前記分割ショット毎に、前記伸縮率補正値を用いてマルチビーム全体の像の伸縮率を補正するレンズと、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記分割ショット毎に、マルチビーム全体のビーム中心位置を補正する中心位置補正値を取得する中心位置補正値取得部と、
前記分割ショット毎に、前記中心位置補正値を用いてマルチビーム全体のビーム中心位置を補正する偏向器と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記分割ショット毎に、マルチビーム全体のフォーカス位置を補正するフォーカス位置補正値を取得するフォーカス位置補正値取得部と、
前記分割ショット毎に、前記フォーカス位置補正値を用いてマルチビーム全体のフォーカス位置を補正する第2のレンズと、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記個別ブランキング機構によるビーム毎のビームのON/OFF切り替えとは別に、前記分割ショット毎に、マルチビーム全体に対して一括して、ビームのON/OFF制御を行う共通ブランキング機構をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
- 荷電粒子ビームによるマルチビームのショット毎に、各ビームの1ショット分の照射を照射時間が異なる複数回の分割ショットに分割して、各分割ショットにそれぞれ対応する照射時間のビームを順に試料に照射する工程と、
前記分割ショット毎に、マルチビームのONビーム数に応じてマルチビーム全体の像の伸縮率を補正する工程と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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