JP6823823B2

JP6823823B2 - 荷電粒子ビーム描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法

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Publication number: JP6823823B2
Application number: JP2016142756A
Authority: JP
Inventors: 村剛哉下; 川泰考森; 川忠彦滝; 澤英則小; 井信彰藤; 川洋平大; 辺智渡
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2015-07-23
Filing date: 2016-07-20
Publication date: 2021-02-03
Anticipated expiration: 2036-07-20
Also published as: JP2017028284A

Description

本発明は、露光段階において荷電粒子ビームを利用して被照射体の表面にパターンを形成するための荷電粒子描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法に関する。

マルチビームを利用するマルチビームリソグラフィは、従来から開発されてきた。マルチビームリソグラフィは、例えばシリコンウエハなどの被照射体上にパターンを形成するために利用される。

マルチビームリソグラフィを実現するため、マルチビームを用いた電子線描画装置が用いられている。この電子線描画装置は電子線を生成する電子線生成部と、電子線から複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するアパーチャ装置と、マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する偏向装置とを備え、アパーチャ装置と偏向装置との間にブランキング装置が設けられている。

このうちブランキング装置はアパーチャ装置で生成されたマルチビームのうち、所望の微小ビームを外方へ放出し、他の微小ビームを偏向装置へ導くものであり、このブランキング装置によってマルチビームのブランキング密度（微小ビームのオン/オフ密度）を０％〜１００％へ変化させることができる。外方へ放出されたビームは、ブランキング装置の下方に設けられた吸収プレートにより吸収される。

ところで、本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、各微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートにより吸収される微少ビームが起因となる電磁場の変動により吸収プレートを通過する微少ビームが歪んでしまうことを発見した。ここで、微少ビームの被照射物への照射量は、被照射物への描画パターンに応じて変動するため、微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートが起因となる電磁場もその都度変動する。そのため、微少ビームの歪みは、荷電粒子ビームの照射処理中においてマルチビームのブランキング密度が変わる度に変動することとなり、これによっても被照射物に対して適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビームを照射することができなくなる場合がある、ことが新たに分かった。

しかしながら従来より電子線描画装置の描画中にマルチビームのブランキング密度の変化してによりマルチビームの微小ビームが歪み、これによって被照射物への描画パターンが歪む問題を解決する技術は開発されていない。

特開２０１０−１２３９６６号公報

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、描画中にマルチビームのブランキング密度の変化によって、描画パターンが歪む問題を解決することができる荷電粒子ビーム描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法を提供することを目的とする。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対してその移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの多角形の移動量を計算し、描画データの多角形を多角形の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求め、前記描画データの各頂点にたいして前記補正係数を掛けて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、前記パターン面積密度マップは、描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置である。本発明は、前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、前記描画データの多角形と前記補正描画データの多角形の頂点数は同一であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、前記補正描画データの各辺は、前記描画データの対応する辺に対してＸ−Ｙ方向に関して傾斜していることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの多角形の移動量を計算し、描画データの多角形を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の運動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて前記ブランキング装置と、前記電子レンズを制御する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、前記パターン面積密度マップは、前記描画データを複数の描画フィールド毎に分割し、さらに各描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、前記描画データの多角形と前記補正描画データの多角形の頂点数は同一であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、前記補正描画データの各辺は、前記描画データの対応する辺に対してＸ−Ｙ方向に関して傾斜していることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法である。

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの多角形の移動量を計算し、描画データの多角形を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して、補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法である。

本発明は、前記パターン面積密度マップは、前記描画データを複数の描画フィールド毎に分割し、さらに各描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする補正描画データ作成方法である。

本発明は、前記パターン面積密度マップは、描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする補正描画データ作成方法である。

以上のように本発明によれば、複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、このパターン面積密度マップに基づいて描画データを補正するので、これによりマルチビームを用いて所望の荷電粒子ビーム描画を実現することができる。

図１は本発明による荷電粒子ビーム描画装置を示す概略図。図２はアパーチャ装置とブランキング装置を示す断面図。図３はアパーチャ装置を示す平面図。図４は荷電粒子ビーム描画装置の制御方法を示すフローチャート。図５（ａ）は描画データのパターン面積密度マップを示す図、図５（ｂ）はブランキング密度を示す図。図６（ａ）（ｂ）はマルチビームの位置ずれ量を示す図。図７は基準描画データの位置ずれマップを示す図。図８は線形補正関数を示す図。図９（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は補正描画データの作成方法を示す図。図１０はパターン面積密度マップと、これに対応した補正係数をもつパターン面積密度マップのリストを示す図。図１１（ａ）は補正前の描画データを示す図であり、図１１（ｂ）は描画データを複数の描画フィールドに分割した状態を示す図。図１２は基準となる描画データを示す図。図１３は本発明の変形例を示す図。図１４は本発明の変形例を示す図。図１５は本発明の変形例を示す図。図１６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は本発明の更なる変形例を示す図。図１７（ａ）（ｂ）は本発明の更なる変形例を示す図。

＜本発明の実施の形態＞
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１に示すように、本発明による荷電粒子ビーム描画装置１は、シリコンウエハ等の被照射体を露光してパターンを形成するために用いられるものであり、照明系２と、ＰＤ（Pattern Definition、パターン決定）系３と、投影系４と、基板（被照射体）１３を保持する基板ステージ１４を含む基板ステーション５とを備えている。そして荷電粒子ビーム描画装置１の全体は、ビーム１a、１ｂ、１ｃが、装置の光学軸ｃｘに沿って妨げられずに確実に伝播するように、高真空に保持された真空筐体（図示せず）の中に収容される。

荷電粒子ビーム描画装置１のうち、照明系２は、例えば電子線等の荷電粒子ビーム１aを生成する電子銃（荷電粒子ビーム生成部）７と、抽出系８と、集光レンズ系９とを含む。荷電粒子ビーム描画装置１は一般的なブランキング偏光器９ａを含んでいてもよい。しかしながら、荷電粒子ビームとして、電子線の代わりに、一般に、他の電荷を帯びた粒子を同様に使用することができる。例えば電子線以外に、これらは、例えば水素イオンまたは重イオン、荷電原子クラスタ、または荷電分子を用いてもよく、「重イオン」とは、Ｏ、ＮなどＣより重いイオン要素、またはＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスを称する。

集光レンズ系９により照明系２から放出された荷電粒子ビーム１ｂは、幅広の、実質的にテレセントリックな粒子ビームとなっている。この荷電粒子ビーム１ｂは、次いで、ＰＤ系３内に入る。

図２は、ＰＤ系３の断面の詳細をより詳細に記載する。これは、パターン形成ビームに構造化されるビーム１ｂを示すが、簡素化のために、複数のビームの代わりに、２つのビーム２０のみが記載される。ビームがその経路から外れて偏向される可能な場合に関して、偏向されたビーム２１は、点線で示される。

図２のＰＤ系３は、連続して配置されたアパーチャプレート１６を含むアパーチャ装置３０と、ブランキングプレート１７を含むブランキング装置１７Ａとを備える。

アパーチャプレート１６は、衝突するエネルギー粒子からプレートを保護する任意選択の保護層１５と、複数の開口２２、２３とを有する（図３参照）。

ブランキングプレート１７も同様に、アパーチャプレート１６の開口２２，２３に対応するいくつかの開口部１７ａを有する。各開口部１７ａは、領域を超えるビームレットに作用する１セットのブランキング手段を備える。図２において、これらのブランキング手段は、一組の電極、すなわち接地電極１８および偏向電極１９を含む。これらの電極１８，１９を通電させることによって、開口部１７ａを「スイッチオフさせる」ことができ、これにより、ビームが偏向され（点線の矢印２１によって示される経路）、その結果、基板１３に達することはない。電極が通電されないとき、開口部１７ａは「スイッチオンされ」、ビームは、その経路から偏向されない（矢印２０）。通電は、非通電状態におけるデフォルト電圧と十分に異なる電圧を電極１８、１９の間に付加することによって行われ、通常、デフォルト電圧は、ゼロであり、すなわち電極は、同一の電位にある（通電電圧と比較して小さい公差内）。通電電圧は典型的には、数ボルトの範囲内となっている。

そしてＰＤ系３を通過した荷電粒子ビーム１ｂは、このＰＤ系３のアパーチャ装置３０により複数の微小ビームを含むマルチビーム１ｃとなり、かつブランキング装置１７Ａにより所定の微小ビームが外方へ除去され、他の微小ビームのみを含むマルチビーム１ｃが投影系４へ照射される。ここでブランキング装置１７Ａによりオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）されることにより、マルチビーム１ｃは所望のブランキング密度を有することになる。このマルチビームのブランキング密度については、後述する。

図１に示される実施の形態において、投影系４は、静電気または電子レンズ、あるいは他の偏向手段から成る複数の連続する粒体−光学投影装置の段で構成される。これらのレンズおよび手段は、その用途が従来技術からよく知られているため象徴的な形態でのみ示される。投影系４は、クロスオーバｃ１、ｃ２による縮小結像を形成する。両段に関する縮小率は、全体の縮小が数百、例えば２００ｘとなるように選択される（図１は、縮尺されていない）。

投影系４全体において、レンズおよび／または偏向手段を色および幾何学的収差に対して広範に補償するための措置が施される。像を全体的に横方向に、すなわち光学軸ｃｘに対して直角の方向に沿ってシフトさせるための手段として、投影系４はいずれも電子レンズからなる第１偏向手段１１および第２偏向手段１２を含む。第１偏向手段１１および第２偏向手段１２は、例えば第１の偏向手段１１で図１に示されるようにクロスオーバ付近に、または図１に示す第２段偏向手段１２の場合のように、投影装置の最終レンズの後のいずれかに配置される多極電極系として実現することができる。この装置において、多極電極は、段の動きに関連して像をシフトさせる。さらにアライメント系と共に結像系を補正する２つの目的の偏向手段として使用される。また投影系４は第１の偏向手段１１と第２の偏向手段１２との間に設けられた吸収プレート１０とを有する。

また投影系４は、ＰＤ系３と偏向手段１１との間、第１の偏向手段１１と吸収プレート１０との間、および吸収プレート１０と第２の偏光手段１２との間に各々設けられた集光レンズ６を含む。さらに基板１３を保持する基板ステージ１４は図１において、左右方向（水平方向）へ移動可能となっている。

なお、上記の荷電粒子ビーム描画装置１を構成する各構成要素、例えば電子銃７、ブランキング装置１７Ａ、第１の偏向手段１１、第２の偏向手段１２および基板ステージ１４はいずれも制御装置３５により駆動制御される。

ところで、制御装置３５に対して基板１３上に描画すべき描画データ４０Ａが入力されるが、この描画データ４０Ａは基板１３上に照射されるマルチビーム１ｃの領域毎のパターン面積密度を含むパターン面積密度マップ情報を含む。

ここでマルチビームのブランキング密度とパターン面積密度との関係について以下、簡単に説明する。ブランキング密度とは、例えば図５（ｂ）に示すように、マルチビーム１ｃのうちアパーチャプレート１６に対応する領域を左上部、右上部、左下部および右下部の４つの領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４に区画した場合に、各領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４毎に存在する微細ビームの密度を言う。このようなマルチビーム１ｃのブランキング密度は、アパーチャ装置３０によって生成された複数の微小ビームを含むマルチビーム１ｃのうち、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを照明系４へ導くブランキング装置１７Ａにより生成することができる。一方、パターン面積密度とは、例えば図５（ａ）に示すようにマルチビーム１ｃのうちアパーチャプレート１６に対応する領域を左上部、右上部、左下部および右下部の４つの領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４に区画した場合に、各領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４毎に存在するパターンの密度を言う。パターン面積密度は、電子線を照射させる領域の密度であり、パターン面積密度が変化すると、それに応じてブランキング密度が変化する。この際、パターン面積密度が変わると、描画パターンが歪むことがある。

図５（ａ）において、マルチビーム１ｃの左上の領域Ａ１、右上の領域Ａ２はそのパターン面積密度が１００％となっており、ほとんどの微小ビームが照明系４へ導かれる。

一方、マルチビーム１ｃの左下の領域Ａ３はそのパターン面積密度が２０％となっており、多数の微小ビームが外方へ除去され、右下の領域Ａ４はそのパターン面積密度が６０％となっている。

ところで、本願発明者は、鋭意研究を重ねた結果、複数の微小ビームを含むマルチビーム１ｃは、各微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートにより吸収される微少ビームが起因となる電磁場の変動によりストッパープレートを通過する微少ビームが歪んでしまうことを発見した。各微少ビーム間に生じるクーロン力や、吸収プレートにより吸収される微少ビームの量は、荷電粒子ビームの照射処理中においてマルチビームのブランキング密度が変わる度に変化するため、パターン面積密度に対応して各微小ビームの歪み量が変化することがある。

例えば図６（ａ）に示すように、マルチビーム１ｃの全域において微小ビーム１ｄが略格子状に欠けることなく配置される場合、すなわちパターン面積密度が１００％でマルチビーム１ｃがその全域において配置される場合、第１の偏向手段１１内において、各微小ビーム１ｄは各々格子状に沿って配置される。

図６（ａ）において、第１の偏向手段１１は８つの極１１ａをもつ電子レンズ１１Ａからなっている。

一方、図６（ｂ）に示すように、マルチビーム１ｃの左上の領域において微小ビーム１ｄが欠けている場合、左上の領域においてパターン面積密度０％となり、他の領域ではパターン面積密度は１００％となる。

この場合、８つの極１１ａをもつ電子レンズ１１Ａ内において微小ビーム１ｄ相互間に働くクーロン力等の力にアンバランスが生じ、このため、例えば中央の上方から下方へ向って配置された微小ビーム１ｄを結ぶ線Ｌ１は直線状とならず、歪んだ線となる。

このような場合、後述のように描画データ４０Ａを補正して補正描画データ４０Ｃを求め、この補正描画データ４０Ｃを描画データ４０Ａの代わりに用いる。このことによりマルチビーム１ｃの歪みを補間することができ、適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビームを照射して、歪みのない描画パターンを生成することが出来る。

次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
図４に示すように、制御装置３５に補正前の描画パターンを含む描画データ４０Ａが入力される（図９（ａ）参照）。

次に制御装置３５は図１１（ａ）（ｂ）に示すように、入力された描画データ４０Ａをアパーチャプレート１６に対応する描画フィールド毎の描画データに分割する。ここで、図１１（ａ）は制御部３５に入力された描画データ４０Ａを示し、図１１（ｂ）はアパーチャプレート１６に対応する描画フィールド毎に分割された描画データを示す。次に各々の描画フィールド毎に分割された描画データ４０Ａを、例えば４領域に区画し、各々の領域のパターン面積密度を求め、領域毎のパターン面積密度を含むパターン面積密度マップを求める。

他方、制御装置３５には、図１２に示すように予め求められた基準となるパターン面積密度マップを用いて描画した場合における、描画パターンの位置ずれの値が求められて入力されている。そして制御装置３５は、予め入力されたパターン面積密度マップと、描画パターンの位置ずれとの関係に基づいて、各頂点の位置ずれを修正する補正係数を求める。このような基準となるパターン面積密度マップと、補正係数との関係はリストの形で制御装置３５内に保存させている（図１０参照）。

図１２には、アパーチャプレート１６に対応する描画フィールド上で示された基準となる描画パターンを含む描画データ５０が示されている。

図１２に示す基準となる描画データ５０は、予め描画フィールド毎に分割されたものであり、この基準となる描画データは更に４つの業域に区画され、左上の領域および右下の領域は調整パターン５０ｂにより６０％のパターン面積密度をもつ。また左下の領域は調整パターン５０ｂにより１００％のパターン面積密度をもち、右上の領域は調整パターンを有しておらず、０％のパターン面積密度をもつ。

また左上の領域、左下の領域、右上の領域および右下の領域には、いずれも位置測定用のクロスパターン５０ａが設けられ、このクロスパターン５０ａにより、描画パターンの位置ずれの値を求めることができる。そして上述のように基準となるパターン面積密度マップと描画パターンの位置ずれとの関係に基づいて、各頂点の位置ずれを修正する補正係数を求めることができる。

このような基準となるパターン面積密度マップと、描画データの各頂点の位置ずれを修正するための補正係数としては、例えば図８に示すような線形補正係数が考えられる。図８では補正係数ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｔｘ，ｔｙを用いており、ａ，ｂ，ｃ，ｄは拡大縮小、せん断、回転の成分を、ｔｘ，ｔｙは平行移動の成分を表す。

次に図８により具体的に線形補正係数を求める手法について説明する。アパーチャプレート１６の領域と一致するフィールドサイズに図１２のようなクロスパターン５０ａと面積密度を調整する調整パターン５０ｂを含む基準となる描画パターン５０を含む描画データを用いて描画パターンを描画する。ここでは左上部、左下部、右上部および右下部の４つの領域に分けられており、それぞれのパターン面積密度は６０％、０％、１００％、６０％となる。その後、クロスパターン５０ａの位置を位置計測装置により測定することで、図７のような位置ずれマップを得る。この位置ずれ量を最小二乗法で理想格子に近づけるように計算することで、補正係数ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｔｘ，ｔｙを求める。

次に制御装置３５は、補正前の描画データ４０Ａに対応するパターン面積密度と、補正係数を選択する。次に制御部３５は、入力された補正前の描画データ４０Ａの多角形の各頂点を求める。その後制御装置３５は、このようにして求めた多角形の各頂点に対して上述した補正係数を掛けて、各頂点の移動量δ（デルタ）を求める。上記線形補正係数を用いた場合の移動量δは、δｘ＝ｘ−ｘ‘、 δｙ＝ｙ−ｙ’と計算される。ここでｘ、ｙは各頂点の座標を示し、ｘ’，ｙ’は図８に示すようにｘ，ｙ座標に補正係数を掛けた値を示す。

次に多角形の各頂点を移動量δだけ移動させるとともに、描画データの各辺を頂点とともに移動させる。このようにして補正描画データを得る。

次に図９（ａ）〜（ｆ）により、描画データ４０Ａの各頂点を移動量δだけ移動させ、これにともなって各辺を移動させることにより得られる補正描画データの作成方法について詳述する。まず図９（ａ）に８個の頂点をもつ多角形を含む補正前の描画データ４０Ａを示す。

図９（ａ）の矢印は、上記方法により求めた補正係数を用いて計算された描画データ４０Ａの各頂点の位置ずれ量とその方向を示す。この位置ずれを補正するため、描画データ４０Ａの各頂点を上記方法により求めた移動量δで移動する。すなわち、描画データの頂点１について予め左上方へ移動させて、中間描画データ４０Ｂを得る（図９（ｂ））。次に中間描画データ４０Ｂの頂点２を移動させて（図９（ｃ））、同様に中間描画データ４０Ｂの頂点３を移動させる。このようにして中間描画データ４０Ｂの頂点４、５、６、７、８を順次移動させることにより、補正描画データ４０Ｃを得る（図９（ｄ）（ｅ）（ｆ）参照）。ここで補正前の描画データ４０Ａの多角形の頂点の数は、補正後の補正描画データ４０Ｃの多角形の頂点の数と同一となっている。また、補正描画データ４０ｃの多角形の各辺は、補正前の描画データ４０Ａの対応する辺に対してＸ−Ｙ方向に対して傾斜している。図９（ａ）〜（ｆ）において、垂直方向はＸ方向となっており、水平方向はＹ方向となっている。

その後、制御装置３５は、基準描画データの各頂点に対して補正することで得られた補正描画データを用いて実際の描画作用を実行する。具体的には電子銃７から荷電粒子ビーム１ａが生成され、この荷電粒子ビーム１ａは照明系２を通ってビーム１ｂとなってＰＤ系３に入る。次にビーム１ｂは、ＰＤ系３のアパーチャ装置３０により複数の微小ビーム１ｄを含むマルチビーム１ｃとなり、ブランキング装置１７Ａによりマルチビーム１ｃは所望のブランキング密度をもつ。

その後、マルチビーム１ｃはＰＤ系３から投影系４に入り、その後基板ステーション５の基板ステージ１４に保持された基板１３上に照射される。

この間、制御装置３５は上述のように荷電粒子ビーム描画装置１を上記の補正描画データ４０Ｃを用いて制御する。このため、基板１３上において、適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビーム１ｃを照射することが出来る。

以上のように本実施の形態によれば、制御装置３５は入力された多角形の基準描画データに対し、その各頂点に対して補正係数を掛けて補正描画データを得る。次にこの補正描画データを用いてブランキング装置１７Ａ、第１の偏向手段１１および第２の偏向手段１２を制御することができる。このため基板１３上において適正な位置に、適正なドーズ量のマルチビーム１ｃを照射することが出来る。また補正前の描画データの多角形の頂点の数と、補正後の描画データの多角形の頂点の数は同一となっている。例えば図９（ａ）〜（ｆ）において、補正前の描画データ４０Ａの多角形は、８個の頂点をもち、補正後の描画データ４０Ｃの多角形は８個の頂点をもつ。このため、補正後の描画データについてデータ量を過度に大きくする必要はなく、適切な制御を実施できる。

＜本発明の変形例＞
次に本発明の変形例について図１３乃至図１５について説明する。図１４に示すように、制御装置３５に補正前の描画パターンを含む描画データ４０Ａが入力される（図９（ａ）参照）。

次に制御装置３５は図１１（ａ）（ｂ）に示すように、入力された描画データ４０Ａをアパーチャプレート１６に対応する描画フィールド毎の描画データ４０Ａに分割する。ここで、図１１（ａ）は制御部３５に入力された描画データ４０Ａを示し、図１１（ｂ）はアパーチャプレート１６に対応する描画フィールド毎に分割された描画データ４０Ａを示す。

次に各々の描画フィールド毎に分割された描画データ４０Ａを、例えば４領域に区画し、各々の領域のパターン面積密度を求め、領域毎のパターン面積密度を含むパターン面積密度のマップを求める。

他方、制御装置３５には、図１２に示すように予め求められた基準となるパターン面積密度マップを用いて描画した場合における、描画パターンの位置ずれの値が求められて入力されている。そして制御装置３５は、予め入力されたパターン面積密度マップと、描画パターンの位置ずれとの関係に基づいて、各頂点の位置ずれを修正する位置ずれマップを求める。このような基準となるパターン面積密度マップと、位置ずれマップとの関係はリストの形で制御装置３５内に保存させている（図１３参照）。

次に具体的に位置ずれマップを求める手法について説明する。アパーチャプレート１６の領域と一致するフィールドサイズに図１２のようなクロスパターン５０ａと面積密度を調整する調整パターン５０ｂを含む基準となる描画パターン５０を含む描画データを用いて描画パターンを描画する。ここでは左上部、左下部、右上部および右下部の４つの領域に分けられており、それぞれのパターン面積密度は６０％、０％、１００％、６０％となる。その後、クロスパターン５０ａの位置を位置計測装置により測定することで図７のような位置ずれマップを得る。

次に制御装置３５は、補正前の描画データ４０Ａに対応するパターン面積密度と、位置ずれマップを選択する。次に制御部３５は入力された補正前の描画データ４０Ａの多角形の各頂点を求める。その後制御装置３５は、このようにして求めた多角形の各頂点の座標を計算し、その座標における位置ずれ量を上記で得られた位置ずれマップから図１５に示すようなバイリニア補間により求める。各頂点の移動量δ（デルタ）は上記で得られた位置ずれ量の反対ベクトルで求められる。

次に図９（ａ）〜（ｆ）により、基準描画データ４０Ａの各頂点を移動量δだけ移動させ、これにともなって各辺を移動させることにより得られる補正描画データの作成方法について詳述する。

まず図９（ａ）に８個の頂点をもつ多角形を含む補正前の描画データ４０Ａを示す。

図９（ａ）の矢印は、上記方法により求めた描画データ４０Ａの各頂点の位置ずれ量とその方向を示す。この位置ずれを補正するため、描画データ４０Ａの各頂点を上記方法により求めた移動量δで移動する。すなわち、描画データの頂点１について予め左上方へ移動させて、中間描画データ４０Ｂを得る（図９（ｂ））。次に中間描画データ４０Ｂの頂点２を移動させて（図９（ｃ））、同様に中間描画データ４０Ｂの頂点３を移動させる。このようにして中間描画データ４０Ｂの頂点４、５、６、７、８を順次移動させることにより、補正描画データ４０Ｃを得る（図９（ｄ）（ｅ）（ｆ）参照）。ここで補正前の描画データ４０Ａの多角形の頂点の数は、補正後の補正描画データ４０Ｃの多角形の頂点の数と同一となっている。また補正描画データ４０Ｃの多角形の各辺は補正前の描画データ４０Ａの対応する辺に対してＸ−Ｙ方向に対して傾斜している。

次に本発明の他の変形例について述べる。上述した実施の形態および変形例において、描画データの多角形の頂点を移動させることにより補正描画データを得る例を示したが、これに限らず描画データの多角形の各辺毎に上述した移動量を求め、各辺をこの移動量だけ移動させて補正描画データ４０Ｃを求めてもよい（図１６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）参照）。また描画データの多角形の移動量を求め、多角形をこの移動量だけ移動させて補正描画データ４０Ｃを求めてもよい（図１７（ａ）（ｂ）参照）。

１荷電粒子ビーム描画装置
１ａビーム
１ｂビーム
１ｃマルチビーム
１ｄ微小ビーム
２照明系
３ＰＤ系
４投影系
５基板ステーション
６集光レンズ
７電子銃
９集光レンズ系
１０吸収プレート
１１第１の偏向手段
１２第２の偏向手段
１３基板
１４基板ステージ
１６アパーチャプレート
１７ブランキングプレート
１７Ａブランキング装置
１７ａ開口部
２２、２３開口
３０アパーチャ装置
３５制御装置
４０Ａ描画データ
４０Ｂ中間描画データ
４０Ｃ補正描画データ
５０基準描画データ
５０ａクロスパターン
５０ｂ調整パターン

Claims

荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対してその移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求め、前記描画データの各頂点に対して前記補正係数を掛けて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は複数の頂点をもつ多角形を含む描画データからパターン面積密度マップを求め、予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成し、この補正描画データに基づいて描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
前記パターン面積密度マップは、描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
前記描画データの多角形と前記補正描画データの多角形の頂点数は同一であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
前記補正描画データの各辺は、前記描画データの対応する辺に対してＸ−Ｙ方向に関して傾斜していることを特徴とする請求項１、２、３乃至７のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと多角形の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、
前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて前記ブランキング装置と、前記電子レンズを制御する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む基準描画データを取得する工程と、
描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、
この補正描画データに基づいて描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
前記パターン面積密度マップは、前記描画データを複数の描画フィールド毎に分割し、さらに各描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含むことを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
前記描画データの多角形と前記補正描画データの多角形の頂点数は同一であることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
前記補正描画データの各辺は、前記描画データの対応する辺に対してＸ−Ｙ方向に関して傾斜していることを特徴とする請求項９、１０、１１乃至１５のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各頂点に対して、頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。
荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各辺の位置ずれとの関係に基づいて、前記描画データの各辺に対して、その移動量を計算し、描画データの各辺を移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。
荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと各頂点の位置ずれとの関係に基づいて、補正係数を求める工程と、
前記描画データの各頂点に対して、前記補正係数を掛けて頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。
荷電粒子ビーム描画装置における補正データ作成方法において、
複数の頂点をもつ多角形を含む描画データを取得する工程と、
前記描画データからパターン面積密度マップを求める工程と、
予め求められたパターン面積密度マップと位置ずれマップとの関係に基づいて、
前記描画データの各頂点に対して、前記位置ずれマップを用いて各頂点の移動量を計算し、描画データの各辺を頂点の移動量で移動して、補正描画データを作成する工程と、を備えたことを特徴とする補正描画データ作成方法。
前記パターン面積密度マップは、前記描画データを複数の描画フィールド毎に分割し、さらに各描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか記載の補正描画データ作成方法。
前記パターン面積密度マップは、描画フィールドを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたパターン面積密度をもつことを特徴とする請求項１７乃至２１のいずれか記載の補正描画データ作成方法。