JP5431901B2 - インライン真空処理装置、インライン真空処理装置の制御方法、情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室の内部に基板を搬送する基板搬送装置と、を備えたインライン真空処理装置であって、
前記基板をCVD処理する成膜室として前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室からいずれか一方を選択するとともに、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のそれぞれで行う処理を選択する制御手段を備え、
前記制御手段は、
CVD処理を行う成膜室として前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうちいずれか一方の成膜室を所定数の基板を連続して処理するために選択し、
前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうちいずれか一方の成膜室においてCVD処理が前記所定数の基板に対して連続して行われる間、他方の成膜室で行われる処理として、前記他方の成膜室内に基板を搬入せずに、アッシング処理及び該アッシング処理に続くプリ堆積処理を選択することを特徴とする。
前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室の内部に基板を搬送する基板搬送装置と、を備えたインライン真空処理装置の制御方法であって、
前記基板搬送装置によって連続して搬送される所定数の基板を、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうち一方の成膜室のみに成膜処理を実行させる成膜工程と、
前記一方の成膜室において前記所定数の基板の成膜処理を実行している間に、他方の成膜室内に基板を搬入せずに、成膜処理を行っていない他方の成膜室に、アッシング処理及び該アッシング処理に続くプリ堆積処理を実行させる処理実行工程と、
前記一方の成膜室で処理された前記基板の枚数を計測し、前記所定数の基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程の判定結果に基づき、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室で行う処理の切替えを行う制御工程と、を有することを特徴とする。
Claims (11)
- CVD処理、アッシング処理、プリ堆積処理をいずれも行うことができる第1の成膜室及び第2の成膜室と、
前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室の内部に基板を搬送する基板搬送装置と、を備えたインライン真空処理装置であって、
前記基板をCVD処理する成膜室として前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室からいずれか一方を選択するとともに、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のそれぞれで行う処理を選択する制御手段を備え、
前記制御手段は、
CVD処理を行う成膜室として前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうちいずれか一方の成膜室を所定数の基板を連続して処理するために選択し、
前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうちいずれか一方の成膜室においてCVD処理が前記所定数の基板に対して連続して行われる間、他方の成膜室で行われる処理として、前記他方の成膜室内に基板を搬入せずに、アッシング処理及び該アッシング処理に続くプリ堆積処理を選択する
ことを特徴とするインライン真空処理装置。 - 前記制御手段は、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうちいずれか一方の成膜室においてCVD処理が前記所定数の基板に対して連続して行われる間、他方の成膜室で行われる処理として、アッシング処理及びプリ堆積処理を合せて所定数の処理を選択し、
前記所定数の処理のうち、最初の処理はアッシング処理を選択し、最後の処理はプリ堆積処理を選択する
ことを特徴とする請求項1に記載のインライン真空処理装置。 - 前記インライン真空処理装置は、前記基板を搭載した状態で前記インライン真空処理装置内に搬入若しくは搬出される基板カセットをさらに備え、
前記所定数は、前記基板カセットに搭載できる基板の枚数に等しく、
前記制御手段は、
一つの前記基板カセットに搭載される前記所定数の基板をCVD処理する成膜室として、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうち一方の成膜室のみを選択する
ことを特徴とする請求項1に記載のインライン真空処理装置。 - 前記アッシング処理の実行中に、前記アッシング処理を行っている成膜室内の放電電圧を測定するための放電電圧測定手段を更に備え、
前記制御手段は、前記放電電圧測定手段の測定結果に基づき、前記アッシング処理が完了したか否かを判定する
ことを特徴とする請求項1に記載のインライン真空処理装置。 - 前記プリ堆積処理の実行中に、前記プリ堆積処理を行っている成膜室内の酸素濃度を測定する酸素濃度測定手段を更に備え、
前記制御手段は、前記酸素濃度測定手段の測定結果に基づき、前記プリ堆積処理が完了したか否かを判定する
ことを特徴とする請求項4に記載のインライン真空処理装置。 - CVD処理、アッシング処理、プリ堆積処理をいずれも行うことができる第1の成膜室及び第2の成膜室と、
前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室の内部に基板を搬送する基板搬送装置と、を備えたインライン真空処理装置の制御方法であって、
前記基板搬送装置によって連続して搬送される所定数の基板を、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室のうち一方の成膜室のみに成膜処理を実行させる成膜工程と、
前記一方の成膜室において前記所定数の基板の成膜処理を実行している間に、他方の成膜室内に基板を搬入せずに、成膜処理を行っていない他方の成膜室に、アッシング処理及び該アッシング処理に続くプリ堆積処理を実行させる処理実行工程と、
前記一方の成膜室で処理された前記基板の枚数を計測し、前記所定数の基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程の判定結果に基づき、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室で行う処理の切替えを行う制御工程と、
を有することを特徴とするインライン真空処理装置の制御方法。 - 前記処理実行工程は、
前記他方の成膜室において、アッシング処理及びプリ堆積処理を合せて所定数の処理を実行させ、前記所定数の処理のうち、最初の処理はアッシング処理を実行し、最後の処理はプリ堆積処理を実行させる
ことを特徴とする請求項6に記載のインライン真空処理装置の制御方法。 - 前記インライン真空処理装置は、前記基板を搭載した状態で前記インライン真空処理装置内に搬入若しくは搬出される基板カセットをさらに備え、
前記所定数は、前記基板カセットに搭載できる基板の枚数に等しいことを特徴とする請求項6に記載のインライン真空処理装置の制御方法。 - 前記アッシング処理の実行中に、前記アッシング処理を行っている成膜室内の放電電圧を測定するための放電電圧測定工程を更に有し、
前記制御工程は、前記放電電圧測定工程での測定結果に基づき、前記アッシング処理が完了したか否かを判定する
ことを特徴とする請求項6に記載のインライン真空処理装置の制御方法。 - 前記プリ堆積処理の実行中に、前記プリ堆積処理を行っている成膜室内の酸素濃度を測定する酸素濃度測定工程を更に有し、
前記制御工程は、前記酸素濃度測定工程での測定結果に基づき、前記プリ堆積処理が完了したか否かを判定する
ことを特徴とする請求項9に記載のインライン真空処理装置の制御方法。 - 請求項1に記載のインライン真空処理装置を用いて、前記第1の成膜室又は前記第2の成膜室でのCVD処理により基板に成膜する工程を有することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
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