JPH029115A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH029115A JPH029115A JP63158062A JP15806288A JPH029115A JP H029115 A JPH029115 A JP H029115A JP 63158062 A JP63158062 A JP 63158062A JP 15806288 A JP15806288 A JP 15806288A JP H029115 A JPH029115 A JP H029115A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
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- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、気体放電を用いて半導体装置を製造する半
導体製造装置に関する。
導体製造装置に関する。
[従来の技術]
第5図は、気体放電を用いた従来の半導体製造SA置の
一例として、プラズマCVD装置の概略を示したもので
ある。この装置では、真空容器(1)内におかれた基板
(2)の上方に、高周波電源(3)に接続された高周波
電極(4)を配置し、を極(4)の外側をアースシール
ド(5)で覆っている。さらに、プラズマ(6)が生成
される放電空間の回りをリミタ電極(7)で囲んで放電
空間の外部に電界が漏れないようにし、プラズマが直接
に真空容器の内壁に触れることを防止している。尚、(
8)は基板(2)を所定の温度に加熱するためのヒータ
である。
一例として、プラズマCVD装置の概略を示したもので
ある。この装置では、真空容器(1)内におかれた基板
(2)の上方に、高周波電源(3)に接続された高周波
電極(4)を配置し、を極(4)の外側をアースシール
ド(5)で覆っている。さらに、プラズマ(6)が生成
される放電空間の回りをリミタ電極(7)で囲んで放電
空間の外部に電界が漏れないようにし、プラズマが直接
に真空容器の内壁に触れることを防止している。尚、(
8)は基板(2)を所定の温度に加熱するためのヒータ
である。
第5図の半導体製造装置の動作は次のとおりである。
真空容器(1)内におかれた基板(2)をヒータ(8)
で所定の温度まで加熱した後、ガス導入口(図示せず)
から膜の形成に用いる原料ガスと、必要に応じてキャリ
アガスを導入する0例えば、基板(2)上に非晶質シリ
コン膜を形成する場合、原料ガスにはSiH,、キャリ
アガスにはH2やArなどが一般的に用いられる。さら
に高周波電極(4)に高周波電源(3)から高周波電圧
を供給し、電極(4)と基板(2)の間に放電を起こし
て原料ガスおよびキャリアガスのプラズマ(6)を生成
させる。
で所定の温度まで加熱した後、ガス導入口(図示せず)
から膜の形成に用いる原料ガスと、必要に応じてキャリ
アガスを導入する0例えば、基板(2)上に非晶質シリ
コン膜を形成する場合、原料ガスにはSiH,、キャリ
アガスにはH2やArなどが一般的に用いられる。さら
に高周波電極(4)に高周波電源(3)から高周波電圧
を供給し、電極(4)と基板(2)の間に放電を起こし
て原料ガスおよびキャリアガスのプラズマ(6)を生成
させる。
プラズマ(6)内において原料ガス分子は電子衝撃によ
り分解され、種々の1ヒ学反応を経て基板(2)に所望
の膜を形成する。
り分解され、種々の1ヒ学反応を経て基板(2)に所望
の膜を形成する。
この際、アースシールド(5)及びリミタ電極(7)は
真空容器(1)に接続され、接地電位に維持される。こ
のため、放電空間は高周波電1(4)と基板(2)およ
びリミタ電極(7)で囲まれた領域に制限され、真空容
器(1)の内壁にプラズマが直接接触することが防止さ
れる。
真空容器(1)に接続され、接地電位に維持される。こ
のため、放電空間は高周波電1(4)と基板(2)およ
びリミタ電極(7)で囲まれた領域に制限され、真空容
器(1)の内壁にプラズマが直接接触することが防止さ
れる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしこのようにして放電空間を制限しても、プラズマ
(6)中で生成した原料ガスの分解生成物を基板(2)
、高周波電極(4)及びリミタ電極(7)によって完全
に封じ込めることはできず、この分解生成物は真空容器
(1)内金体に拡散してしまう。
(6)中で生成した原料ガスの分解生成物を基板(2)
、高周波電極(4)及びリミタ電極(7)によって完全
に封じ込めることはできず、この分解生成物は真空容器
(1)内金体に拡散してしまう。
その結果、プラズマ(6)が直接に接する面に比べれば
少量であるが、真空容器(1)内面などの放電空間外の
表面にも徐々に膜が堆積していく、このようにして堆積
され成長した膜は、やがて断片となって剥離し、処理中
の基板(2)の表面に付着することかある。このため、
基板(2)上に形成された膜に欠陥を生じる恐れがある
という問題点かあった。
少量であるが、真空容器(1)内面などの放電空間外の
表面にも徐々に膜が堆積していく、このようにして堆積
され成長した膜は、やがて断片となって剥離し、処理中
の基板(2)の表面に付着することかある。このため、
基板(2)上に形成された膜に欠陥を生じる恐れがある
という問題点かあった。
また、リミタ電極(7)で放電空間を制限することは、
真空容器(1)の全内容積に対しプラズマ(6)が占め
る体積の比率を小さくすることになる。
真空容器(1)の全内容積に対しプラズマ(6)が占め
る体積の比率を小さくすることになる。
これは真空容器(1)の有効体積に対する無効内表面積
が大きくなることを、意味し、このため真空容器(1)
内の残留不純物の低減には不利であるという問題点があ
った。
が大きくなることを、意味し、このため真空容器(1)
内の残留不純物の低減には不利であるという問題点があ
った。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、薄膜形成などのプロセスで真空容器内表面等に
堆積した膜を除去すると共にそれらの表面の残留不純物
を容易に低減することのできる半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。
もので、薄膜形成などのプロセスで真空容器内表面等に
堆積した膜を除去すると共にそれらの表面の残留不純物
を容易に低減することのできる半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る半導体製造装置は、真空容器内におかれ
た基板にガス放電分用いて薄膜形成などの処理を施す半
導体製造装置であって、前記真空容器内において、薄膜
形成などの処理のためのプラズマを形成する放電空間外
の空間を含む空間に電界を形成し、前記放電空間外の空
間を含む空間に放電ガスによりプラズマを生成する手段
を備えたものである。
た基板にガス放電分用いて薄膜形成などの処理を施す半
導体製造装置であって、前記真空容器内において、薄膜
形成などの処理のためのプラズマを形成する放電空間外
の空間を含む空間に電界を形成し、前記放電空間外の空
間を含む空間に放電ガスによりプラズマを生成する手段
を備えたものである。
[作用]
この発明では、基板の処理プロセスと処理プロセスの間
において反応性または無反応性のエツチングガス(例え
ば、CF、、CCl4、H2、A「等)を真空容器内に
導入し、基板の処理プロセスで容器に堆積した膜を除去
することができる。さらにこれに加えてF1□を容器内
に導入し、容器の内表面に吸着していた残留不純物を除
去することができる。
において反応性または無反応性のエツチングガス(例え
ば、CF、、CCl4、H2、A「等)を真空容器内に
導入し、基板の処理プロセスで容器に堆積した膜を除去
することができる。さらにこれに加えてF1□を容器内
に導入し、容器の内表面に吸着していた残留不純物を除
去することができる。
[実施例コ
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第1図および第2図は、この発明の第1の実施例に係る
半導体製造装置の概略を示したものである。この実施例
は、第5図の装置と同様のプラズマCVD装置である。
半導体製造装置の概略を示したものである。この実施例
は、第5図の装置と同様のプラズマCVD装置である。
第1図は、薄膜形成プロセス時における接続状態を示し
、第2図は、真空装置洗浄時の接続状層を示す、第1図
および第2図の装置の構成は次のとおりである。
、第2図は、真空装置洗浄時の接続状層を示す、第1図
および第2図の装置の構成は次のとおりである。
真空容器(1)は、例えばステンレス鋼よりなり、直径
300 +++ m、高さ300 +a iのほぼ円筒
形状を有している。この真空容器(1)の底部には、基
板(2)を搭載するための台(1a)が設けられている
0台(1a)の上方には、周波数13゜5CiMIlz
の高周波電源(3)に接続された高周波電極(4)が配
置されている。この高周波電極(4)の上面及び電源(
3)への配線を覆うようにアースシールド(5)が設け
られている。
300 +++ m、高さ300 +a iのほぼ円筒
形状を有している。この真空容器(1)の底部には、基
板(2)を搭載するための台(1a)が設けられている
0台(1a)の上方には、周波数13゜5CiMIlz
の高周波電源(3)に接続された高周波電極(4)が配
置されている。この高周波電極(4)の上面及び電源(
3)への配線を覆うようにアースシールド(5)が設け
られている。
また、台(1a)と高周波電極(4)との間には、基板
(2)の処理時における第1の放電空間S1が形成され
、この第1の放電空間S、の側部を囲むようにリミタ電
極(7)が設けられている。これらアースシールド(5
)及びリミタ電極(7)により、基板(2)の処理時に
第1の放電空間S1の外部に電界が漏れるのを防止する
。
(2)の処理時における第1の放電空間S1が形成され
、この第1の放電空間S、の側部を囲むようにリミタ電
極(7)が設けられている。これらアースシールド(5
)及びリミタ電極(7)により、基板(2)の処理時に
第1の放電空間S1の外部に電界が漏れるのを防止する
。
アースシールド(5)およびリミタ電極(7)は、それ
ぞれステンレス鋼よりなり、真空容器(1)からは絶縁
され、それぞれスイッチ(5a)、(7a)によって電
源(3)に接続される状態(第2図)と、接地された状
態(第1図)にスイッチされ得る。なお、台(1a)お
よび高周波電極(4)は、例えば直径120■の円盤状
であって、その間の距離は40mmである。
ぞれステンレス鋼よりなり、真空容器(1)からは絶縁
され、それぞれスイッチ(5a)、(7a)によって電
源(3)に接続される状態(第2図)と、接地された状
態(第1図)にスイッチされ得る。なお、台(1a)お
よび高周波電極(4)は、例えば直径120■の円盤状
であって、その間の距離は40mmである。
また、(8)は基板(2)を所定の温度に加熱するため
のヒータである。
のヒータである。
次に、この実施例の動作を述べる。
まず、基板(2)上に薄膜を形成する基板処理プロセス
時には、第1図に示すようにアースシールF(5)およ
びリミタ電1t(7)はそれぞれスイッチ(5a)、(
7a)を介して接地され、第5図の従来のプラズマCV
D装置と同様に動作する。これにより第1の放電空間S
1にプラズマ(6)が形成され、基板(2)上に薄膜が
形成されるか、このとき真空容器(1)の内面などにも
膜が堆積する。
時には、第1図に示すようにアースシールF(5)およ
びリミタ電1t(7)はそれぞれスイッチ(5a)、(
7a)を介して接地され、第5図の従来のプラズマCV
D装置と同様に動作する。これにより第1の放電空間S
1にプラズマ(6)が形成され、基板(2)上に薄膜が
形成されるか、このとき真空容器(1)の内面などにも
膜が堆積する。
そこで、処理プロセスの間の非成膜時においては第2図
に示すようにシールド(5)及びリミタ電極(7)をそ
れぞれスイッチ(5a)及び(7a) を介して高周波
電源(3)に接続する。この結果、既に接地されている
真空容器(1)と、電源(3)に接続された高周波電4
ili!(4)、アースシールド(5)及びリミタ電極
(7)との間に区画された第2の放電空間S2に高圧電
界が形成され、真空容器(1)への放電ガスの導入に伴
って真空容器(1)全体にプラズマ(6)が生成される
。
に示すようにシールド(5)及びリミタ電極(7)をそ
れぞれスイッチ(5a)及び(7a) を介して高周波
電源(3)に接続する。この結果、既に接地されている
真空容器(1)と、電源(3)に接続された高周波電4
ili!(4)、アースシールド(5)及びリミタ電極
(7)との間に区画された第2の放電空間S2に高圧電
界が形成され、真空容器(1)への放電ガスの導入に伴
って真空容器(1)全体にプラズマ(6)が生成される
。
この際の放電ガスとしては、まず第1図の基板処理プロ
セスで堆積した膜をエツチングすることができるガスを
用いる。エツチング方式は化学反応を用いた反応性のエ
ツチングでも無反応性のエツチングでもよいが、エツチ
ングに用いたガスが真空容器(1)内に残留不純物とし
て残った場合にも基板処理プロセスに悪影響を与えない
ものが望ましい、このエツチングガスを真空容器(1)
内に導入することにより、真空容器(1)全体にエツチ
ングガスのプラズマが生成され、真空容器(1)内に堆
積した有害な膜を、容器(1)自体を分解することなく
簡単に除去することができる。
セスで堆積した膜をエツチングすることができるガスを
用いる。エツチング方式は化学反応を用いた反応性のエ
ツチングでも無反応性のエツチングでもよいが、エツチ
ングに用いたガスが真空容器(1)内に残留不純物とし
て残った場合にも基板処理プロセスに悪影響を与えない
ものが望ましい、このエツチングガスを真空容器(1)
内に導入することにより、真空容器(1)全体にエツチ
ングガスのプラズマが生成され、真空容器(1)内に堆
積した有害な膜を、容器(1)自体を分解することなく
簡単に除去することができる。
さらに、これに加えて放電ガスとしてH2を真空容器(
1)内に導入し、同様にして容器全体にプラズマを生成
させ、真空容器(1〉内面に吸着しているC1○等の残
留不純物をCO1炭化水素、H2C等の形で排出、除去
する。これにより真空容器(1)内の残留不純物が大幅
に低減され、基板(2)の薄膜形成時における膜中への
不純物混入による悪影響を回避することができる。なお
、この不純物除去における諸元は例えば次のとおりであ
る。
1)内に導入し、同様にして容器全体にプラズマを生成
させ、真空容器(1〉内面に吸着しているC1○等の残
留不純物をCO1炭化水素、H2C等の形で排出、除去
する。これにより真空容器(1)内の残留不純物が大幅
に低減され、基板(2)の薄膜形成時における膜中への
不純物混入による悪影響を回避することができる。なお
、この不純物除去における諸元は例えば次のとおりであ
る。
H2圧力 : 0.ITorr
H2流量:0,1リットル/秒
放電電カニ 100W
なお第2図に示した接続状態ではアースシールド(5)
と高周波電極(4)はともに電源(3)に接続されて同
電位にあるので、これらの間隙にはプラズマは生成しな
い、しかしアースシールド(5)を接地し、高周波電極
(4)を電源(3)に接続すると共に放電ガスの圧力を
高くするなどにより、この間隙にもプラズマを生成する
こともできる。またこの実施例では無線周波数域の高周
波電源(3)を用いているが、電源(3)の周波数は特
に限定されるものではなく、利用するガス放電は直流放
電でもよい、また、放電は連続放電でもパルス状の放電
でもよい。
と高周波電極(4)はともに電源(3)に接続されて同
電位にあるので、これらの間隙にはプラズマは生成しな
い、しかしアースシールド(5)を接地し、高周波電極
(4)を電源(3)に接続すると共に放電ガスの圧力を
高くするなどにより、この間隙にもプラズマを生成する
こともできる。またこの実施例では無線周波数域の高周
波電源(3)を用いているが、電源(3)の周波数は特
に限定されるものではなく、利用するガス放電は直流放
電でもよい、また、放電は連続放電でもパルス状の放電
でもよい。
第1図および第2図の第1の実施例では、非成膜時に高
周波電極(4)のみならずリミタ電極(7)及びアース
シールド(5)にも電圧を印加し、これにより第2の放
電空間S2にも電界を形成してプラズマを生成している
。これに対し第3図および第4図に示す第2の実施例に
係るプラズマCVD装置では、アースシールド(5)及
びリミタ電極(7)が真空容器(1)に電気的に接続さ
れると共に第2の放電空間S2内に補助電極(9)が設
けられている。
周波電極(4)のみならずリミタ電極(7)及びアース
シールド(5)にも電圧を印加し、これにより第2の放
電空間S2にも電界を形成してプラズマを生成している
。これに対し第3図および第4図に示す第2の実施例に
係るプラズマCVD装置では、アースシールド(5)及
びリミタ電極(7)が真空容器(1)に電気的に接続さ
れると共に第2の放電空間S2内に補助電極(9)が設
けられている。
そして、基板(2)への薄膜形成時には、補助電極(9
)は第3図に示すようにスイッチ(9a)を介して接地
され、第5図の従来の装置と同様の動作が行なわれる。
)は第3図に示すようにスイッチ(9a)を介して接地
され、第5図の従来の装置と同様の動作が行なわれる。
一方、基板処理プロセスの間の非成膜時においては、第
4図に示すように補助電極(9)がスイッチ(9a)を
介して高周波電源(3)に接続される。ところがこの実
施例ではアースシールド(5)およびリミタ電極(7)
は、接地された真空容器(1)に接続されている。従っ
て、このとき高周波電極(4)と台(1a)との間の第
1の放電空間Slのみならず、その外の第2の放電空間
S2においても、補助電極(9)と真空容器(1)、ア
ースシールド(5)及びリミタ電極(7)との間に電界
が形成され、放電ガスの導入によりプラズマ(6)を生
成することができる。
4図に示すように補助電極(9)がスイッチ(9a)を
介して高周波電源(3)に接続される。ところがこの実
施例ではアースシールド(5)およびリミタ電極(7)
は、接地された真空容器(1)に接続されている。従っ
て、このとき高周波電極(4)と台(1a)との間の第
1の放電空間Slのみならず、その外の第2の放電空間
S2においても、補助電極(9)と真空容器(1)、ア
ースシールド(5)及びリミタ電極(7)との間に電界
が形成され、放電ガスの導入によりプラズマ(6)を生
成することができる。
なお、真空容器(1)内に電界を形成しプラズマを生成
する手段としてマイクロ波発生源を用いてもよい。
する手段としてマイクロ波発生源を用いてもよい。
さらに、上記第1及び第2の実施例は、いずれもプラズ
マCVD装置にこの発明の思想を適用した場合であった
が、この発明は、エツチング装置やスパッタリング装置
など、気体放電を用いた他の半導体製造装置に対しても
適用できる。
マCVD装置にこの発明の思想を適用した場合であった
が、この発明は、エツチング装置やスパッタリング装置
など、気体放電を用いた他の半導体製造装置に対しても
適用できる。
[発明の効果]
この発明は、真空容器内において、薄膜形成などの処理
のためのプラズマを形成する放電空間外の空間含3む空
間に電界を形成し、前記放電空間外の空間を含む空間に
放電ガスによりプラズマを生成する毛段を備えているの
で、基板処理プロセス時の放−S空間外の空間を含む空
間に水素ガスなどを放電ガスとするプラズマを生成する
ことができる。従って、装置の容器内面に基板処理プロ
セス時に堆積した膜や残留不純物を容器を分解したりす
ることなく容易に除去することができ、これらの処理プ
ロセスに対する悪影響が効果的に防止できる。
のためのプラズマを形成する放電空間外の空間含3む空
間に電界を形成し、前記放電空間外の空間を含む空間に
放電ガスによりプラズマを生成する毛段を備えているの
で、基板処理プロセス時の放−S空間外の空間を含む空
間に水素ガスなどを放電ガスとするプラズマを生成する
ことができる。従って、装置の容器内面に基板処理プロ
セス時に堆積した膜や残留不純物を容器を分解したりす
ることなく容易に除去することができ、これらの処理プ
ロセスに対する悪影響が効果的に防止できる。
第1図はこの発明の第1実施例である半導体製造装置の
概略を示す断面図であって基板処理時の接続状!ぶを示
す図、第2図は第1図の装置の洗浄時の接続状態を示す
図、第3I21はこの発明の第2実施例である半導体製
造装置の概略を示す断面図であって基板処理時の接続状
態を示す図、第11図は第3図の実施例の洗浄時におけ
る接続状態を示す図、第5図は従来の半導体製造装置の
概略を示す断面図である。 図において、(1)は真空容器、(2)は基板、(3)
は高周波電源、(4)は高周波電極、(5)はアースシ
ールド、(6)はプラズマ、(7)はリミタ電極、(9
)は補助電極、(5a)、(7a)及び(9a)はスイ
ッチ、(Sl)は第1の放電空間、(S2)は第2の放
電空間である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 亮1図 5 アースシールド 5a、7a又イ・7チ 渭2図 形3図 形4図 箒5図 と
概略を示す断面図であって基板処理時の接続状!ぶを示
す図、第2図は第1図の装置の洗浄時の接続状態を示す
図、第3I21はこの発明の第2実施例である半導体製
造装置の概略を示す断面図であって基板処理時の接続状
態を示す図、第11図は第3図の実施例の洗浄時におけ
る接続状態を示す図、第5図は従来の半導体製造装置の
概略を示す断面図である。 図において、(1)は真空容器、(2)は基板、(3)
は高周波電源、(4)は高周波電極、(5)はアースシ
ールド、(6)はプラズマ、(7)はリミタ電極、(9
)は補助電極、(5a)、(7a)及び(9a)はスイ
ッチ、(Sl)は第1の放電空間、(S2)は第2の放
電空間である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 亮1図 5 アースシールド 5a、7a又イ・7チ 渭2図 形3図 形4図 箒5図 と
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器内におかれた基板にガス放電を用いて薄膜形成
などの処理を施す半導体製造装置であって、 前記真空容器内において、薄膜形成などの処理のための
プラズマを生成する放電空間外の空間を含む空間に電界
を形成し前記放電空間外の空間を含む空間にガス放電に
よりプラズマを生成する手段を備えることを特徴とする
半導体製造装置。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
JP63158062A JPH029115A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体製造装置 |
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122502A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nec Corp | プラズマ加工装置 |
KR100415435B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2004-01-31 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
JP2006511059A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体チャンバ、及びプラズマ処理チャンバ内のプラズマの制御方法 |
Families Citing this family (192)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
NL9002176A (nl) * | 1990-10-08 | 1992-05-06 | Philips Nv | Werkwijze voor het verminderen van deeltjescontaminatie tijdens sputteren en een sputterinrichting voor gebruik van een dergelijke werkwijze. |
US5578130A (en) * | 1990-12-12 | 1996-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for depositing a film |
US5304405A (en) * | 1991-01-11 | 1994-04-19 | Anelva Corporation | Thin film deposition method and apparatus |
US5260236A (en) * | 1991-06-07 | 1993-11-09 | Intel Corporation | UV transparent oxynitride deposition in single wafer PECVD system |
US5273588A (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-28 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing CVD reactor apparatus comprising contoured electrode gas directing means |
US5266153A (en) * | 1992-06-16 | 1993-11-30 | National Semiconductor Corp. | Gas distribution head for plasma deposition and etch systems |
US5252178A (en) * | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
US5286297A (en) * | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
JP3227522B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2001-11-12 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
US5271963A (en) * | 1992-11-16 | 1993-12-21 | Materials Research Corporation | Elimination of low temperature ammonia salt in TiCl4 NH3 CVD reaction |
DE4301188C2 (de) * | 1993-01-19 | 2001-05-31 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten |
US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
JPH07142444A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法 |
US5591268A (en) * | 1994-10-14 | 1997-01-07 | Fujitsu Limited | Plasma process with radicals |
US5585012A (en) * | 1994-12-15 | 1996-12-17 | Applied Materials Inc. | Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation |
JP3585606B2 (ja) * | 1995-09-19 | 2004-11-04 | アネルバ株式会社 | Cvd装置の電極装置 |
KR100197649B1 (ko) * | 1995-09-29 | 1999-06-15 | 김영환 | 박막 증착장치 |
US5817534A (en) * | 1995-12-04 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers |
US5647953A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-15 | Lam Research Corporation | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber |
US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US5735960A (en) * | 1996-04-02 | 1998-04-07 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor |
US6626185B2 (en) | 1996-06-28 | 2003-09-30 | Lam Research Corporation | Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate |
US5897753A (en) | 1997-05-28 | 1999-04-27 | Advanced Energy Industries, Inc. | Continuous deposition of insulating material using multiple anodes alternated between positive and negative voltages |
JPH111770A (ja) * | 1997-06-06 | 1999-01-06 | Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
JP3398027B2 (ja) * | 1997-10-15 | 2003-04-21 | 株式会社荏原製作所 | 気相成長装置及びその洗浄方法 |
US6071573A (en) * | 1997-12-30 | 2000-06-06 | Lam Research Corporation | Process for precoating plasma CVD reactors |
US6461970B1 (en) | 1998-06-10 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby |
JP2000026975A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Komatsu Ltd | 表面処理装置 |
US6178919B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
US7554829B2 (en) | 1999-07-30 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Transmission lines for CMOS integrated circuits |
US6818103B1 (en) | 1999-10-15 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems |
US6350697B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber |
AU2001224729A1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | Segmented electrode assembly and method for plasma processing |
AU2001251216A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-15 | Tokyo Electron Limited | Optical monitoring and control system and method for plasma reactors |
JP4557400B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-10-06 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
US6872281B1 (en) * | 2000-09-28 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | Chamber configuration for confining a plasma |
US6852167B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions |
US6770214B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor |
US6602381B1 (en) | 2001-04-30 | 2003-08-05 | Lam Research Corporation | Plasma confinement by use of preferred RF return path |
DE60106577T8 (de) * | 2001-05-31 | 2006-04-27 | Alcatel | Abnehmbare Schirmvorrichtung für Plasmareaktoren |
US8026161B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2 |
US6844203B2 (en) * | 2001-08-30 | 2005-01-18 | Micron Technology, Inc. | Gate oxides, and methods of forming |
US20030092278A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-15 | Fink Steven T. | Plasma baffle assembly |
US6953730B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-10-11 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics |
US6767795B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY |
US6812100B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics |
US7589029B2 (en) | 2002-05-02 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition and conversion |
US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
US7135421B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide |
US7205218B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers |
US6804136B2 (en) | 2002-06-21 | 2004-10-12 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory employing charge trapping in insulators |
US7193893B2 (en) * | 2002-06-21 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory employing floating gates |
US7154140B2 (en) * | 2002-06-21 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory with large work function floating gates |
US7221586B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
US7221017B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates |
US6921702B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
US6884739B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-04-26 | Micron Technology Inc. | Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation |
US20040036129A1 (en) * | 2002-08-22 | 2004-02-26 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions |
US6967154B2 (en) * | 2002-08-26 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Enhanced atomic layer deposition |
US7199023B2 (en) | 2002-08-28 | 2007-04-03 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed |
JP3671966B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2005-07-13 | 日新電機株式会社 | 薄膜形成装置及び方法 |
US7101813B2 (en) * | 2002-12-04 | 2006-09-05 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films |
US6958302B2 (en) | 2002-12-04 | 2005-10-25 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4 |
KR20050004995A (ko) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 이용하는 기판 가공 장치 |
US7220665B2 (en) * | 2003-08-05 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | H2 plasma treatment |
US20050233477A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
US7687409B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited titanium silicon oxide films |
US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
US7709402B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
US7879184B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-02-01 | Lam Research Corporation | Apparatuses, systems and methods for rapid cleaning of plasma confinement rings with minimal erosion of other chamber parts |
US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
KR100849929B1 (ko) * | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
US8052799B2 (en) * | 2006-10-12 | 2011-11-08 | International Business Machines Corporation | By-product collecting processes for cleaning processes |
US8137501B2 (en) * | 2007-02-08 | 2012-03-20 | Lam Research Corporation | Bevel clean device |
KR20080105617A (ko) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 화학기상증착장치 및 플라즈마강화 화학기상증착장치 |
CN101939466B (zh) * | 2008-02-06 | 2012-07-18 | 友技科株式会社 | 等离子体cvd装置、等离子体cvd方法 |
JP2010034415A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
US8540844B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma confinement structures in plasma processing systems |
JP5431901B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-03-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | インライン真空処理装置、インライン真空処理装置の制御方法、情報記録媒体の製造方法 |
JP5606063B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
JP5603433B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-10-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | カーボン膜の製造方法及びプラズマcvd方法 |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
JP2013008770A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Iwatani Internatl Corp | 成膜装置での堆積物クリーニング方法 |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
EP3285278A1 (en) * | 2016-08-16 | 2018-02-21 | FEI Company | Magnet used with a plasma cleaner |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
WO2018121896A1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | Evatec Ag | Rf capacitive coupled dual frequency etch reactor |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP2023043720A (ja) * | 2021-09-16 | 2023-03-29 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2376904A1 (fr) * | 1977-01-11 | 1978-08-04 | Alsthom Atlantique | Procede d'attaque d'une couche mince par decomposition d'un gaz dans un plasma |
JPS5687672A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-16 | Anelva Corp | Dry etching apparatus |
DD153497A3 (de) * | 1980-02-08 | 1982-01-13 | Georg Rudakoff | Verfahren und vorrichtung zum plasmaaetzen oder zur plasma cvd |
US4512283A (en) * | 1982-02-01 | 1985-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Plasma reactor sidewall shield |
US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
US4585516A (en) * | 1985-03-04 | 1986-04-29 | Tegal Corporation | Variable duty cycle, multiple frequency, plasma reactor |
JPS622619A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ反応装置 |
JPS6218030A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Canon Inc | イオンビ−ムエツチング装置 |
DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
JPH0831442B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1996-03-27 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及び装置 |
US4786392A (en) * | 1987-04-23 | 1988-11-22 | Unisys Corporation | Fixture for cleaning a plasma etcher |
JPS6411872A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Heat transfer printing ribbon |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63158062A patent/JPH029115A/ja active Pending
- 1988-11-21 US US07/273,556 patent/US5006192A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122502A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nec Corp | プラズマ加工装置 |
KR100415435B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2004-01-31 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
JP2006511059A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体チャンバ、及びプラズマ処理チャンバ内のプラズマの制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5006192A (en) | 1991-04-09 |
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