JPH11256340A - Ｄｌｃ膜の成膜方法及びそれにより製造された磁気記録媒体 - Google Patents
Ｄｌｃ膜の成膜方法及びそれにより製造された磁気記録媒体Info
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- JPH11256340A JPH11256340A JP10076684A JP7668498A JPH11256340A JP H11256340 A JPH11256340 A JP H11256340A JP 10076684 A JP10076684 A JP 10076684A JP 7668498 A JP7668498 A JP 7668498A JP H11256340 A JPH11256340 A JP H11256340A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空槽内で支持体上にＤＬＣ膜を成膜する場
合、真空槽内の各所にＤＬＣ膜が付着堆積し、剥がれ落
ちて欠陥が発生するため、たびたび槽内の真空を破って
付着物のクリーニングを行う必要があり、多大な手間と
時間を要しているが、真空槽内の各所に付着したＤＬＣ
膜を効率良く除去する方法を提供する。 【解決手段】 真空槽内を搬送される支持体１上に、保
護膜としてのＤＬＣ膜３を成膜する際に、ＤＬＣ膜の成
膜工程の所定期間毎に、酸素プラズマにより前記真空槽
内のＤＬＣ膜のみをエッチング除去する工程を含み、こ
の酸素プラズマを発生させる際の、酸素ガス圧を８００
ｍＴｏｒｒ以下とする。
合、真空槽内の各所にＤＬＣ膜が付着堆積し、剥がれ落
ちて欠陥が発生するため、たびたび槽内の真空を破って
付着物のクリーニングを行う必要があり、多大な手間と
時間を要しているが、真空槽内の各所に付着したＤＬＣ
膜を効率良く除去する方法を提供する。 【解決手段】 真空槽内を搬送される支持体１上に、保
護膜としてのＤＬＣ膜３を成膜する際に、ＤＬＣ膜の成
膜工程の所定期間毎に、酸素プラズマにより前記真空槽
内のＤＬＣ膜のみをエッチング除去する工程を含み、こ
の酸素プラズマを発生させる際の、酸素ガス圧を８００
ｍＴｏｒｒ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＤＬＣ膜の成膜方法
及びその方法により成膜されたＤＬＣ膜を保護膜として
有する磁気記録媒体に関する。
及びその方法により成膜されたＤＬＣ膜を保護膜として
有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体はその高密度化に伴
い、磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速度が大きくな
る傾向にある。磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速度
が大きくなると、必然的に摺動速度が大きくなることか
ら、磁気記録媒体の耐摩耗性が重要な問題となる。この
解決策として、保護膜の使用が提案、実用化され、特に
カーボン保護膜及びカーボンを主体とする保護膜が一般
的に使用されている。
い、磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速度が大きくな
る傾向にある。磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速度
が大きくなると、必然的に摺動速度が大きくなることか
ら、磁気記録媒体の耐摩耗性が重要な問題となる。この
解決策として、保護膜の使用が提案、実用化され、特に
カーボン保護膜及びカーボンを主体とする保護膜が一般
的に使用されている。
【０００３】ビデオデッキ用磁気テープの場合、例え
ば、Ｈｉ−８用蒸着テープにはカーボン保護膜は必要で
はなかったが、ＤＶフォーマット蒸着テープには、カー
ボン膜中に水素を混入させ、ダイヤモンド性を付与し
た、いわゆる、ダイヤモンド状カーボン（Ｄｉａｍｏｍ
ｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ、以下、ＤＬＣと称する）
膜が保護膜として使用されている。
ば、Ｈｉ−８用蒸着テープにはカーボン保護膜は必要で
はなかったが、ＤＶフォーマット蒸着テープには、カー
ボン膜中に水素を混入させ、ダイヤモンド性を付与し
た、いわゆる、ダイヤモンド状カーボン（Ｄｉａｍｏｍ
ｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ、以下、ＤＬＣと称する）
膜が保護膜として使用されている。
【０００４】ＤＬＣ膜の成膜方法には、スパッタ法、Ｃ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法などが使用されている。スパッタ法は真空槽
中にガスを導入し、電極間で放電させることによりプラ
ズマを発生させ、そのプラズマをターゲットに当てて、
スパッタ現象により飛散したターゲット粒子を被着させ
る方法である。このスパッタ法によりＤＬＣ膜を成膜す
る場合は、ターゲットとしてカーボン・ターゲットを使
用し、ガスとしてＡｒガスに水素ガスもしくは炭化水素
ガスを混合したガスを用いることが一般的である。
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法などが使用されている。スパッタ法は真空槽
中にガスを導入し、電極間で放電させることによりプラ
ズマを発生させ、そのプラズマをターゲットに当てて、
スパッタ現象により飛散したターゲット粒子を被着させ
る方法である。このスパッタ法によりＤＬＣ膜を成膜す
る場合は、ターゲットとしてカーボン・ターゲットを使
用し、ガスとしてＡｒガスに水素ガスもしくは炭化水素
ガスを混合したガスを用いることが一般的である。
【０００５】一方、ＣＶＤ法は、真空槽内にガスを導入
し、その真空槽内に様々な方法でプラズマを発生させ、
発生したプラズマのエネルギーにより真空槽内に導入し
たガスに化学反応を起こさせ、その化学反応により生じ
た生成物を被着させる方法である。このＣＶＤ法により
ＤＬＣ膜を成膜する場合は、導入ガスとして炭化水素ガ
スを用いる場合が多く、場合によっては、キャリヤーガ
スとしてＡｒガスを混合させることもある。プラズマを
発生させる方法は様々であり、例えば、電極間に直流あ
るいは高周波を印加してプラズマを発生させる方法や、
マイクロ波を用いてプラズマを発生させる方法などが主
として用いられている。
し、その真空槽内に様々な方法でプラズマを発生させ、
発生したプラズマのエネルギーにより真空槽内に導入し
たガスに化学反応を起こさせ、その化学反応により生じ
た生成物を被着させる方法である。このＣＶＤ法により
ＤＬＣ膜を成膜する場合は、導入ガスとして炭化水素ガ
スを用いる場合が多く、場合によっては、キャリヤーガ
スとしてＡｒガスを混合させることもある。プラズマを
発生させる方法は様々であり、例えば、電極間に直流あ
るいは高周波を印加してプラズマを発生させる方法や、
マイクロ波を用いてプラズマを発生させる方法などが主
として用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように真空槽内で
磁気記録媒体にＤＬＣ膜を成膜する場合、磁気記録媒体
以外の真空槽の各所にＤＬＣ膜が被着堆積し、その被着
堆積したＤＬＣ膜が剥離して真空槽内が汚染されるとい
う問題がある。具体的には、ＤＬＣ膜が粒子状に分離し
て、剥がれ落ちることも多く、その粒子が磁気記録媒体
に付着すると、磁気記録媒体の記録再生特性に悪影響を
及ぼす欠陥となる。
磁気記録媒体にＤＬＣ膜を成膜する場合、磁気記録媒体
以外の真空槽の各所にＤＬＣ膜が被着堆積し、その被着
堆積したＤＬＣ膜が剥離して真空槽内が汚染されるとい
う問題がある。具体的には、ＤＬＣ膜が粒子状に分離し
て、剥がれ落ちることも多く、その粒子が磁気記録媒体
に付着すると、磁気記録媒体の記録再生特性に悪影響を
及ぼす欠陥となる。
【０００７】前述のスパッタ法の場合は、カーボン・タ
ーゲットから飛散する粒子を磁気記録媒体に被着させ、
ＤＬＣ成膜を行うもので、やはり磁気記録媒体以外の部
分にもカーボン粒子が飛散する。しかし、その飛散粒子
には方向性があるため、磁気記録媒体以外の被着させた
くない部分に遮蔽板を設置することにより、上述したよ
うな問題をかなり防ぐことができる。そして、この遮蔽
板にも、ＤＬＣ膜が被着堆積し、剥がれ落ちることもあ
るが、遮蔽板と磁気記録媒体との位置関係や遮蔽板の形
状を工夫することにより、磁気記録媒体に悪影響を及ぼ
す欠陥を少なくすることが可能である。このように、ス
パッタ法の場合、欠陥の少ない磁気記録媒体の作製には
有効であるが、その反面、スパッタ法は成膜レートが非
常に小さいため、磁気記録媒体を大量に製造する場合に
は、生産性の面で適当であるとは言い難い。
ーゲットから飛散する粒子を磁気記録媒体に被着させ、
ＤＬＣ成膜を行うもので、やはり磁気記録媒体以外の部
分にもカーボン粒子が飛散する。しかし、その飛散粒子
には方向性があるため、磁気記録媒体以外の被着させた
くない部分に遮蔽板を設置することにより、上述したよ
うな問題をかなり防ぐことができる。そして、この遮蔽
板にも、ＤＬＣ膜が被着堆積し、剥がれ落ちることもあ
るが、遮蔽板と磁気記録媒体との位置関係や遮蔽板の形
状を工夫することにより、磁気記録媒体に悪影響を及ぼ
す欠陥を少なくすることが可能である。このように、ス
パッタ法の場合、欠陥の少ない磁気記録媒体の作製には
有効であるが、その反面、スパッタ法は成膜レートが非
常に小さいため、磁気記録媒体を大量に製造する場合に
は、生産性の面で適当であるとは言い難い。
【０００８】それに対して、ＣＶＤ法は、スパッタ法に
比べて成膜レートが格段に大きく生産性の面では有利で
ある。しかしながら、ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜す
る場合は、原理上、反応ガスのプラズマに接した部分全
てにＤＬＣ膜が被着してしまう。プラズマはガス状で拡
散性があるため、遮蔽板を設置してもその効果は小さ
く、磁気記録媒体を除く真空槽内の各所にＤＬＣ膜が被
着してしまうことになる。したがって、ＣＶＤ法により
ＤＬＣ膜を成膜することにより磁気記録媒体を製造する
場合は、ＤＬＣ膜が被着堆積し、剥がれ落ちてそれが磁
気記録媒体に付着して磁気記録媒体の特性に悪影響を及
ぼす欠陥が生じる前に、真空槽内のクリーニングを行う
必要がある。このクリーニングは、長尺の磁気記録媒体
の成膜工程中、何度も行う必要があり、さらにクリーニ
ングを行う際には、真空槽内の真空を破ることが必要で
ある。したがって、クリーニング終了後に中断されてい
た成膜工程を再開するために、再び真空排気を行うこと
になり、その操作に長時間を要する。さらに、真空槽内
のクリーニング自体にも時間と手間が掛かるため、生産
性が低下するなどの問題となっている。
比べて成膜レートが格段に大きく生産性の面では有利で
ある。しかしながら、ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜す
る場合は、原理上、反応ガスのプラズマに接した部分全
てにＤＬＣ膜が被着してしまう。プラズマはガス状で拡
散性があるため、遮蔽板を設置してもその効果は小さ
く、磁気記録媒体を除く真空槽内の各所にＤＬＣ膜が被
着してしまうことになる。したがって、ＣＶＤ法により
ＤＬＣ膜を成膜することにより磁気記録媒体を製造する
場合は、ＤＬＣ膜が被着堆積し、剥がれ落ちてそれが磁
気記録媒体に付着して磁気記録媒体の特性に悪影響を及
ぼす欠陥が生じる前に、真空槽内のクリーニングを行う
必要がある。このクリーニングは、長尺の磁気記録媒体
の成膜工程中、何度も行う必要があり、さらにクリーニ
ングを行う際には、真空槽内の真空を破ることが必要で
ある。したがって、クリーニング終了後に中断されてい
た成膜工程を再開するために、再び真空排気を行うこと
になり、その操作に長時間を要する。さらに、真空槽内
のクリーニング自体にも時間と手間が掛かるため、生産
性が低下するなどの問題となっている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決すべく種々検討を重ねた結果、真空槽内の各所に付着
したＤＬＣ膜を効率良く除去するためには、槽内の真空
を破ることなく成膜工程とクリーニング工程とを連続し
て交互に行えばよいとの着想を得た。そして、クリーニ
ング工程として、所定の酸素ガス圧でプラズマを発生さ
せて行うプラズマエッチングが極めて効果的であること
を確認した。
決すべく種々検討を重ねた結果、真空槽内の各所に付着
したＤＬＣ膜を効率良く除去するためには、槽内の真空
を破ることなく成膜工程とクリーニング工程とを連続し
て交互に行えばよいとの着想を得た。そして、クリーニ
ング工程として、所定の酸素ガス圧でプラズマを発生さ
せて行うプラズマエッチングが極めて効果的であること
を確認した。
【００１０】すなわち、本発明によれば、真空槽内を搬
送される支持体上にＤＬＣ膜を成膜する際に、ＤＬＣ膜
の成膜工程の所定期間毎に、酸素プラズマにより真空槽
内のＤＬＣ膜のみをエッチング除去する工程を含み、そ
の酸素プラズマを発生させる際の、酸素ガス圧が８００
ｍＴｏｒｒ以下であるＤＬＣ膜の成膜方法が提供され
る。さらに、本発明によれば、上記の成膜方法を使用し
て成膜されたＤＬＣ膜を保護膜として有する、磁気記録
媒体も提供される。
送される支持体上にＤＬＣ膜を成膜する際に、ＤＬＣ膜
の成膜工程の所定期間毎に、酸素プラズマにより真空槽
内のＤＬＣ膜のみをエッチング除去する工程を含み、そ
の酸素プラズマを発生させる際の、酸素ガス圧が８００
ｍＴｏｒｒ以下であるＤＬＣ膜の成膜方法が提供され
る。さらに、本発明によれば、上記の成膜方法を使用し
て成膜されたＤＬＣ膜を保護膜として有する、磁気記録
媒体も提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＤＬＣ膜の成膜方
法を詳細に説明する。本発明はＤＬＣ膜の成膜方法であ
り、具体的には、ＤＬＣ膜の成膜工程において真空槽内
の不要箇所に付着したＤＬＣ膜の除去方法である。本発
明において、このＤＬＣ膜の成膜工程自体は、真空槽内
で行われる、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法などいずれ
の方法でもよいが、前述したように、スパッタ法は飛散
粒子に方向性があるため、遮蔽板などを使用して不要部
分への付着を防止しやすいので、どちらかと言えば、不
要部分への付着を防止することが困難なＣＶＤ法に適用
するとより有利である。
法を詳細に説明する。本発明はＤＬＣ膜の成膜方法であ
り、具体的には、ＤＬＣ膜の成膜工程において真空槽内
の不要箇所に付着したＤＬＣ膜の除去方法である。本発
明において、このＤＬＣ膜の成膜工程自体は、真空槽内
で行われる、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法などいずれ
の方法でもよいが、前述したように、スパッタ法は飛散
粒子に方向性があるため、遮蔽板などを使用して不要部
分への付着を防止しやすいので、どちらかと言えば、不
要部分への付着を防止することが困難なＣＶＤ法に適用
するとより有利である。
【００１２】例えば、真空槽内を搬送される支持体上
に、ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜する工程において、
所定期間毎、具体的には、成膜の所定処理長毎に一旦成
膜を停止し、真空槽内に酸素プラズマを発生させて真空
槽内のＤＬＣ膜をエッチング除去する。このとき、酸素
プラズマを発生させる際の酸素ガス圧を８００ｍＴｏｒ
ｒ以下とすることが必要である。酸素ガス圧が８００ｍ
Ｔｏｒｒを超えると、ＤＬＣ膜のエッチングレートが著
しく減少し、エッチング時間を長くしてもＤＬＣ膜を除
去することがほとんど不可能になってしまう。
に、ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜する工程において、
所定期間毎、具体的には、成膜の所定処理長毎に一旦成
膜を停止し、真空槽内に酸素プラズマを発生させて真空
槽内のＤＬＣ膜をエッチング除去する。このとき、酸素
プラズマを発生させる際の酸素ガス圧を８００ｍＴｏｒ
ｒ以下とすることが必要である。酸素ガス圧が８００ｍ
Ｔｏｒｒを超えると、ＤＬＣ膜のエッチングレートが著
しく減少し、エッチング時間を長くしてもＤＬＣ膜を除
去することがほとんど不可能になってしまう。
【００１３】また、上記の工程において、真空槽内のク
リーニングを実施する間隔は、例えば、磁気記録媒体の
保護膜としてのＤＬＣ膜を成膜する場合について言え
ば、製造後の磁気記録媒体に所望の特性が得られるよう
に、あらかじめ、クリーニングを行う処理長、すなわ
ち、ＤＬＣ成膜長を決定し、その成膜長毎にクリーニン
グ工程を実施することが望ましい。以上の成膜方法より
成膜されたＤＬＣ膜を保護膜として有する磁気記録媒体
は、全長にわたって欠陥のない高品質なものとなる。
リーニングを実施する間隔は、例えば、磁気記録媒体の
保護膜としてのＤＬＣ膜を成膜する場合について言え
ば、製造後の磁気記録媒体に所望の特性が得られるよう
に、あらかじめ、クリーニングを行う処理長、すなわ
ち、ＤＬＣ成膜長を決定し、その成膜長毎にクリーニン
グ工程を実施することが望ましい。以上の成膜方法より
成膜されたＤＬＣ膜を保護膜として有する磁気記録媒体
は、全長にわたって欠陥のない高品質なものとなる。
【００１４】＜実施例＞ （実施例１） ［磁気記録媒体の製造］図１に示したような構成の磁気
記録媒体、つまり、蒸着磁気テープを製造した。すなわ
ち、厚さ６．４μｍ、幅３００ｍｍ、長さ９０００ｍの
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）よりなるベース
フィルム１上に、厚さ１５０ｎｍのＣｏＯ磁性層２を蒸
着し、その上に厚さ１０ｎｍのＤＬＣ保護膜３をＣＶＤ
法により成膜した。つづいて、ベースフィルム１の裏面
に厚さ０．５μｍのバックコート層５を形成した後、Ｄ
ＬＣ保護膜３の上に液体潤滑膜４を塗布した。しかるの
ち、これを所定の幅及び長さにスリット分割し、目的と
する磁気テープを得た。
記録媒体、つまり、蒸着磁気テープを製造した。すなわ
ち、厚さ６．４μｍ、幅３００ｍｍ、長さ９０００ｍの
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）よりなるベース
フィルム１上に、厚さ１５０ｎｍのＣｏＯ磁性層２を蒸
着し、その上に厚さ１０ｎｍのＤＬＣ保護膜３をＣＶＤ
法により成膜した。つづいて、ベースフィルム１の裏面
に厚さ０．５μｍのバックコート層５を形成した後、Ｄ
ＬＣ保護膜３の上に液体潤滑膜４を塗布した。しかるの
ち、これを所定の幅及び長さにスリット分割し、目的と
する磁気テープを得た。
【００１５】上記の工程において、ＤＬＣ保護膜３を成
膜するには、真空槽内に配設された一対の電極間をベー
スフィルム１を走行させながら、真空槽内にエチレンガ
スを導入し、電極に高周波を印加するプラズマＣＶＤ法
により成膜した。そして、全長９０００ｍのベースフィ
ルム１にＤＬＣ膜を３０００ｍ成膜する毎に、ベースフ
ィルムの走行、及び、ＤＬＣ膜の成膜を一端停止し、こ
の状態で真空槽内に酸素ガスを導入し、電極間の酸素ガ
ス圧を２００ｍＴｏｒｒとして、酸素プラズマを発生さ
せ、真空槽内に被着堆積したＤＬＣ膜を１０分間エッチ
ングし、真空槽内をクリーニングした。このクリーニン
グ操作を２回、すなわち、３０００ｍ、及び、６０００
ｍ成膜した時点でそれぞれ実施し、最終的に９０００ｍ
までＤＬＣ成膜を行って、蒸着磁気テープを完成した。
膜するには、真空槽内に配設された一対の電極間をベー
スフィルム１を走行させながら、真空槽内にエチレンガ
スを導入し、電極に高周波を印加するプラズマＣＶＤ法
により成膜した。そして、全長９０００ｍのベースフィ
ルム１にＤＬＣ膜を３０００ｍ成膜する毎に、ベースフ
ィルムの走行、及び、ＤＬＣ膜の成膜を一端停止し、こ
の状態で真空槽内に酸素ガスを導入し、電極間の酸素ガ
ス圧を２００ｍＴｏｒｒとして、酸素プラズマを発生さ
せ、真空槽内に被着堆積したＤＬＣ膜を１０分間エッチ
ングし、真空槽内をクリーニングした。このクリーニン
グ操作を２回、すなわち、３０００ｍ、及び、６０００
ｍ成膜した時点でそれぞれ実施し、最終的に９０００ｍ
までＤＬＣ成膜を行って、蒸着磁気テープを完成した。
【００１６】［評価試験］上記により製造された磁気テ
ープについて、デジタル記録再生を行い、エラーレート
を測定した。エラーレートは磁気テープに欠陥があると
増加する。具体的には、ＰＥＴベースフィルム１の最初
からの成膜長が１００ｍ、２９００ｍ、３１００ｍ、５
９００ｍ、６１００ｍ及び８９００ｍの部分を抜き取
り、それらの各部分についてエラーレートを測定した。
ープについて、デジタル記録再生を行い、エラーレート
を測定した。エラーレートは磁気テープに欠陥があると
増加する。具体的には、ＰＥＴベースフィルム１の最初
からの成膜長が１００ｍ、２９００ｍ、３１００ｍ、５
９００ｍ、６１００ｍ及び８９００ｍの部分を抜き取
り、それらの各部分についてエラーレートを測定した。
【００１７】（実施例２）真空槽内のクリーニング操作
において、電極間の酸素ガス圧を８００ｍＴｏｒｒと
し、また、エッチング時間を２００分とした以外は、実
施例１と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の評
価試験を行った。
において、電極間の酸素ガス圧を８００ｍＴｏｒｒと
し、また、エッチング時間を２００分とした以外は、実
施例１と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の評
価試験を行った。
【００１８】（実施例３） （比較例１）酸素プラズマによるクリーニングを全く行
わず、連続して９０００ｍのＤＬＣ成膜を行った以外は
実施例１と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の
評価試験を行った。
わず、連続して９０００ｍのＤＬＣ成膜を行った以外は
実施例１と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の
評価試験を行った。
【００１９】真空槽内のクリーニング操作において、電
極間の酸素ガス圧を１００ｍＴｏｒｒとした以外は、実
施例１と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の評
価試験を行った。
極間の酸素ガス圧を１００ｍＴｏｒｒとした以外は、実
施例１と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の評
価試験を行った。
【００２０】（比較例２）真空槽内のクリーニング操作
において、電極間の酸素ガス圧を１Ｔｏｒｒとし、ま
た、エッチング時間を４００分とした以外は、実施例１
と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の評価試験
を行った。以上の評価結果を表１に示した。
において、電極間の酸素ガス圧を１Ｔｏｒｒとし、ま
た、エッチング時間を４００分とした以外は、実施例１
と同様にして蒸着磁気テープを製造し、同様の評価試験
を行った。以上の評価結果を表１に示した。
【００２１】
【表１】 測定部分 100m 2900m 3100m 5900m 6100m 8900m 実施例１ 6.6E-10 2.8E-9 8.8E-10 5.3E-9 4.7E-10 1.3E-9 実施例２ 4.1E-10 5.8E-9 7.7E-10 8.8E-9 9.8E-10 1.6E-8 実施例３ 5.9E-10 4.8E-9 3.6E-10 4.0E-9 9.9E-11 3.5E-9 比較例１ 2.2E-10 3.9E-9 1.8E-9 6.8E-7 9.3E-7 2.0E-4 比較例２ 8.5E-11 9.3E-10 2.5E-9 8.2E-6 2.8E-7 4.4E-4
【００２２】表１の結果からも明らかなように、酸素プ
ラズマによる真空槽内のクリーニングを行っていない比
較例１により得られた磁気テープは、ＤＬＣ成膜長が長
くなるに従ってエラーレートが増大しており、磁気テー
プの欠陥が増加していることが確認された。それに対し
て、実施例１〜３は、ＤＬＣ成膜の所定期間毎に酸素プ
ラズマにより真空槽内をクリーニングしているため、全
長にわたりエラーレートの増加はほとんど見られず、欠
陥の少ない磁気テープが得られたことが判る。また、実
施例１〜３を比較すると、酸素ガス圧の低い実施例１お
よび３の方が短時間のクリーニング処理で高い効果が得
られている。これは、酸素ガス圧が上昇するにつれて酸
素プラズマによるＤＬＣ膜のエッチングレートが低くな
り、エッチング時間を長くしても十分な効果が得られに
くいことを示している。
ラズマによる真空槽内のクリーニングを行っていない比
較例１により得られた磁気テープは、ＤＬＣ成膜長が長
くなるに従ってエラーレートが増大しており、磁気テー
プの欠陥が増加していることが確認された。それに対し
て、実施例１〜３は、ＤＬＣ成膜の所定期間毎に酸素プ
ラズマにより真空槽内をクリーニングしているため、全
長にわたりエラーレートの増加はほとんど見られず、欠
陥の少ない磁気テープが得られたことが判る。また、実
施例１〜３を比較すると、酸素ガス圧の低い実施例１お
よび３の方が短時間のクリーニング処理で高い効果が得
られている。これは、酸素ガス圧が上昇するにつれて酸
素プラズマによるＤＬＣ膜のエッチングレートが低くな
り、エッチング時間を長くしても十分な効果が得られに
くいことを示している。
【００２３】一方で、酸素ガス圧が１００ｍＴｏｒｒと
低い実施例３により得られた磁気テープは、酸素プラズ
マによるＤＬＣ膜のエッチングレートが大きいため、ク
リーニング効果が大きく、エラーレートの増加もほとん
ど見られない。しかしながら、クリーニング処理後の真
空槽内を調べてみると、真空槽を構成している材料であ
るステンレスやアルミ、クロムメッキが酸素プラズマに
よりエッチングされ、著しい損傷を受けていることが判
明した。したがって、実施例３のような処理を続けると
真空槽に重大な損傷が発生し、使用が困難となる可能性
が高い。したがって、真空槽の構成部材の損傷を防止す
るために、各部材の構成材料を勘案する必要がある。さ
らに、酸素ガス圧が１Ｔｏｒｒと高い比較例２により得
られた磁気テープは、酸素プラズマによるＤＬＣ膜のエ
ッチングレートが著しく低いため、処理時間を長くして
もエッチングがほとんど困難であり、クリーニング処理
の効果が無いに等しいことが確認された。
低い実施例３により得られた磁気テープは、酸素プラズ
マによるＤＬＣ膜のエッチングレートが大きいため、ク
リーニング効果が大きく、エラーレートの増加もほとん
ど見られない。しかしながら、クリーニング処理後の真
空槽内を調べてみると、真空槽を構成している材料であ
るステンレスやアルミ、クロムメッキが酸素プラズマに
よりエッチングされ、著しい損傷を受けていることが判
明した。したがって、実施例３のような処理を続けると
真空槽に重大な損傷が発生し、使用が困難となる可能性
が高い。したがって、真空槽の構成部材の損傷を防止す
るために、各部材の構成材料を勘案する必要がある。さ
らに、酸素ガス圧が１Ｔｏｒｒと高い比較例２により得
られた磁気テープは、酸素プラズマによるＤＬＣ膜のエ
ッチングレートが著しく低いため、処理時間を長くして
もエッチングがほとんど困難であり、クリーニング処理
の効果が無いに等しいことが確認された。
【００２４】このように、本発明では、従来のように、
真空槽内の真空を破ることなく、酸素ガスを導入するの
みで簡単に真空槽内に付着堆積したＤＬＣ膜のクリーニ
ングを行うことが可能であり、欠陥の少ない長尺の磁気
テープを効率的に製造することが可能となる。なお、上
記のクリーニング工程において、真空槽内ではベースフ
ィルムの搬送は停止しているため、クリーニングの際に
ベースフィルム上に形成されたＤＬＣ膜もエッチングさ
れてしまうが、真空槽内のベースフィルム長は高々数十
ｍであり、ベースフィルムの全長からみればほとんど問
題にならない長さである。
真空槽内の真空を破ることなく、酸素ガスを導入するの
みで簡単に真空槽内に付着堆積したＤＬＣ膜のクリーニ
ングを行うことが可能であり、欠陥の少ない長尺の磁気
テープを効率的に製造することが可能となる。なお、上
記のクリーニング工程において、真空槽内ではベースフ
ィルムの搬送は停止しているため、クリーニングの際に
ベースフィルム上に形成されたＤＬＣ膜もエッチングさ
れてしまうが、真空槽内のベースフィルム長は高々数十
ｍであり、ベースフィルムの全長からみればほとんど問
題にならない長さである。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したとおり、本発明のＤ
ＬＣ膜の成膜方法によれば、所定処理長毎に酸素プラズ
マエッチングによる真空槽内のクリーニングを実施した
ので、真空を破ることなく、効率的に成膜を行うことが
可能となる。また、このような成膜法により成膜された
ＤＬＣ膜を保護膜として有する磁気記録媒体は、欠陥の
少ない高品質なものとなる。
ＬＣ膜の成膜方法によれば、所定処理長毎に酸素プラズ
マエッチングによる真空槽内のクリーニングを実施した
ので、真空を破ることなく、効率的に成膜を行うことが
可能となる。また、このような成膜法により成膜された
ＤＬＣ膜を保護膜として有する磁気記録媒体は、欠陥の
少ない高品質なものとなる。
【図１】 本発明の実施例で製造された磁気テープの構
成を示す概念的縦断面図である。
成を示す概念的縦断面図である。
１ 支持体（ＰＥＴベースフィルム） ２ 磁性層（ＣｏＯ） ３ 保護膜（ＤＬＣ膜） ４ 液体潤滑膜 ５ バックコート層
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽内を搬送される支持体上にＤＬＣ
膜を成膜する方法において、前記ＤＬＣ膜の成膜工程の
所定期間毎に、酸素プラズマにより前記真空槽内のＤＬ
Ｃ膜のみをエッチング除去する工程を含み、この酸素プ
ラズマを発生させる際の、酸素ガス圧が８００ｍＴｏｒ
ｒ以下であることを特徴とするＤＬＣ膜の成膜方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の成膜方法を使用して成膜
されたＤＬＣ膜を保護膜として有する、磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10076684A JPH11256340A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | Ｄｌｃ膜の成膜方法及びそれにより製造された磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10076684A JPH11256340A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | Ｄｌｃ膜の成膜方法及びそれにより製造された磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11256340A true JPH11256340A (ja) | 1999-09-21 |
Family
ID=13612280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10076684A Withdrawn JPH11256340A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | Ｄｌｃ膜の成膜方法及びそれにより製造された磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11256340A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001155325A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよびその製造方法 |
| EP1189184A2 (en) | 2000-08-25 | 2002-03-20 | Fujitsu Limited | Authentication method, authentication system, payment system, user apparatus and recording medium containing program for conducting authentication |
| WO2023286673A1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及びプラズマ処理装置 |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP10076684A patent/JPH11256340A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001155325A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置、磁気ディスクおよびその製造方法 |
| EP1189184A2 (en) | 2000-08-25 | 2002-03-20 | Fujitsu Limited | Authentication method, authentication system, payment system, user apparatus and recording medium containing program for conducting authentication |
| WO2023286673A1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及びプラズマ処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |