JP2009212333A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部に減圧されたプラズマが形成される処理室10を有した真空容器10、この処理室内に配置された試料台31とを有するプラズマ処理装置を用い、前記試料台上の試料を前記プラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、不活性ガスを用いてプラズマ放電を実施しこのプラズマ放電による発光を測定用ガス以外からの発光強度を用いて計測して処理性能の変動の原因となる装置状態の変動を逐次計測する。
【選択図】図1
Description
21:マイクロ波発生装置、
22:自動整合機、
23:方形導波管、
24:方形円形導波管変換機、
25:円形導波管、
26:空洞共振部、
27:マイクロ波導入窓、
31:下部電極、
32:RF電源、
33:RF整合機、
41:ガス源、
42:マスフローコントローラ、
43:ガスバルブ、
44:シャワープレート、
51:可動弁、
52:ターボ分子ポンプ、
61:ソレノイドコイル
71:ファイバー、
72:分光器、
73:コンピュータ、
A:炭素(C)を含むガスで処理をした後の処理室状態測定の生データ、
B:炭素(C)を含まないガスで処理をした後の処理室状態測定の生データ、
C:炭素(C)からの発光成分、
D:背景光成分、
E:炭素(C)を含むガスで処理をした後のC残留量、
F:炭素(C)を含まないガスで処理をした後のC残留量、
G:過去の残留量測定結果、
H:ウェハ処理枚数に対する微分、
I:あらかじめ決められた適切な基準値、
J:酸素添加量に対する炭素残留量の線、
K:酸素添加量を示す軸方向の位置、
L:JとKの交点、
M:炭素残留量1.11の目盛り、
N:炭素残留量の異なる2条件下でのエッチングレート、
O:インサイチュクリーニング処理後に測定される炭素の残留量。
Claims (5)
- 内部に減圧されたプラズマが形成される処理室を有した真空容器と、この処理室内に配置された試料台とを有するプラズマ処理装置を用い、前記試料台上の試料を前記プラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、
不活性ガスを用いてプラズマを発生しこのプラズマによるプラズマ発光を計測して処理性能の変動の原因となる装置状態の変動を逐次計測する
ことを特徴としたプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
上記の装置状態を、装置内に残留した元素の量によって定義する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法において、
上記の装置状態を、主として不活性ガスを測定用ガスとして用いてプラズマ放電を実施し、その際の発光に見られる測定用ガス以外からの発光の強度を用いて測定する
ことを特徴としたプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
上記の装置状態測定は製品処理中のあらかじめ決められた順序で実行される
ことを特徴としたプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において,
上記の装置状態測定結果を製品処理工程に反映させ、上記装置状態を一定に保つことで、処理性能の安定化を図る
ことを特徴としたプラズマ処理方法。
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