JP5165207B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、放熱性が向上された半導体装置およびその製造方法に関する。

従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。これらの条件を満たすために、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる、内蔵される半導体素子と同等のサイズを有する半導体装置が開発されている。

これらのＣＳＰの中でも、特に小型化なものとしてＷＬＰ（Ｗｅｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）がある。このＷＬＰの製造方法の概略を、図６を参照して説明する（例えば下記特許文献１を参照。）。

図６（Ａ）を参照して、先ず、半導体ウェハ１００には、多数の半導体装置部１０２が形成されている。各半導体装置部１０２には、拡散工程によりトランジスタ等が形成されている。更に、半導体装置部１０２の上面は、基板内部の素子と接続された電極１０３が形成され、この電極１０３の上部を露出させた状態で絶縁層１０１が形成されている。絶縁層１０１の上面には配線１０４がパターニングされる。更に、配線１０４がカバーされるように絶縁層１０１の上面は被覆層１１０により被覆されている。また、外部電極１０５が形成される領域の被覆層１１０には開口部が設けられている。また、配線１０４の上面には、例えば半田等から成る外部電極１０５が溶着されている。このような構成の半導体ウェハ１００の裏面は、ダイシングシート１０６の上面に貼着される。

図６（Ｂ）を参照して、次に、高速で回転するブレード１０７を用いてウェハ１００を切断して各半導体装置部１０２を分離する。ブレード１０７により半導体ウェハ１００および絶縁層１０１が完全に切断される。分離された半導体装置部１０２が半導体装置と成る。

図６（Ｃ）に上記工程により製造される半導体装置部１０８の断面を示す。図から明白なように、半導体装置１０８の平面的なサイズは、半導体基板１０９と略同様である。半導体装置１０８の平面的なサイズは、例えば５ｍｍ×５ｍｍ程度であり極めて小型である。
特開２００４−１７２５４２号公報

しかしながら、最近の半導体装置では、高速に信号処理を行うために動作周波数が高くなっており、発熱量が増大している。一方、上述した半導体装置は、装置全体のサイズが小さいために、表面積が小さく放熱性が充分ではない。従って、半導体装置の動作に伴い、半導体装置の温度が急激に上昇して、特性劣化や破壊等の問題が生じていた。

この問題を解決する方法として、半導体装置が実装される実装基板側の導電パターンを部分的に広くして、この導電パターンを介して半導体装置の放熱を行う方法がある。しかしながら、この方法では、実装基板側の導電パターンを幅広にすることから、半導体装置を実装するために実質的に必要とされる実装基板の面積が大きくなり、実装密度が低下してしまう問題があった。

更に、上述した製造方法に於いては、ブレードを用いたダイシングの工程に於いてチッピングが発生し、各半導体装置部１０２の半導体基板１０９に欠けが発生する問題があった。この欠けが大きいと、半導体装置の特性が劣化して不良が発生する。また、この欠けが小さくても、性能的に不良とは成らないが、ＷＬＰである半導体装置１０８の場合は、半導体基板１０９の側面が剥き出しになる為、外観不良になる。

本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、放熱性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の半導体装置の製造方法は、回路素子と電気的に接続された電極が形成される第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを具備し、ダイシングラインにより区画される複数の半導体装置部が形成された半導体ウェハを用意する工程と、前記半導体ウェハの前記第２主面に、金属から成る放熱板を接着する工程と、前記放熱板の主面をダイシングシートに接触させることにより、前記放熱板を介して前記半導体ウェハを前記ダイシングシートに貼着する工程と、前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウェハおよび前記放熱板をダイシングすることで、分離された前記放熱板から成るヒートシンクが半導体基板に貼着された状態の前記半導体装置部を個別に分離する工程と、前記ヒートシンクが貼着された状態の前記半導体装置部を、前記ダイシングシートから剥離する工程と、を具備し、前記放熱板は、前記半導体ウェハに貼着される第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを具備し、前記放熱板の第２主面には、前記半導体ウェハのダイシングラインに対して並行に延在する溝を設け、前記溝の位置と前記ダイシングラインの位置とを重畳させることを特徴とする。

本発明の半導体装置に依れば、半導体基板の主面に放熱体を搭載したので、装置全体の表面積を増大して放熱性を向上させることができる。更に、放熱体として半導体基板よりも熱伝導性に優れる材料を採用すると、半導体基板に形成された回路素子が動作することにより発生した熱は、放熱体を介して積極的に外部に放出される。従って、高速に処理を行う回路が半導体装置に内蔵されても、半導体装置の温度上昇を抑制することができる。

本発明の半導体装置の製造方法に依れば、放熱板を介して半導体ウェハをダイシングシートに貼着した後に、半導体ウェハに形成された各半導体装置部を個別に分離している。従って、放熱板により、ダイシングの工程における半導体ウェハに作用する曲げ応力が緩和されるので、半導体ウェハの割れが抑制される。

更に、本発明では、金属等から成る放熱板が貼着された状態で半導体装置部がダイシングウェハから剥離される。従って、剥離される半導体装置部が、隣接する他の半導体装置部に接触しても、下部の放熱板同士が接触するので、半導体装置部の半導体基板は互いに接触せずにチッピングの発生が防止されている。

以下、本実施の形態を図を参照して詳述する。

＜第１の実施の形態＞
先ず、図１を参照して本形態の半導体装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０の断面図であり、図１（Ｂ）はその斜視図である。

図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上面（第２主面）に搭載されたヒートシンク１７（放熱体）と、半導体基板１１の下面（第１主面）に形成された配線１４等を具備している。

半導体基板１１は、例えばシリコン等の半導体材料から成り、その内部には拡散工程により回路素子が形成されている。例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード、メモリ等が半導体基板１１に形成される。半導体基板１１の厚みは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度（例えば５０μｍ程度）である。本形態では、例えば銅等の金属から成るヒートシンク１７を半導体基板１１上に搭載して補強しているため、半導体基板１１の厚みを５０μｍ程度に薄くすることができる。半導体基板１１の平面的な大きさは、例えば０．５ｍｍ×０．５ｍｍ〜１０ｍｍ×１０ｍｍ程度である。

ヒートシンク１７は、半導体基板１１の上面に搭載されその平面的な大きさは半導体基板１１と略同一である。また、ヒートシンク１７の厚みは、５００μｍ〜２ｍｍであり、半導体基板１１よりも厚く形成されても良い。ヒートシンク１７で補強することにより半導体基板１１を例えば５０μｍ程度に薄くすることができるので、結果的に半導体装置１０全体を薄くすることができる。ヒートシンク１７は、絶縁性接着材等を用いて半導体基板１１の上面に固着されている。なお、溝１８が形成されたヒートシンク１７は、銅等の金属に対して押し出し成形を行うことにより製造することができる。

更に、ヒートシンク１７の材料としては、半導体基板１１よりも熱伝導性に優れる材料が好ましい。例えば、銅やアルミニウム等の金属はヒートシンク１７の材料として好適である。ここで、半導体基板１１の材料であるシリコンの熱伝導率は１６８〔Ｗ／ｍ／Ｋ〕であり、銅の熱伝導率は３９０〔Ｗ／ｍ／Ｋ〕であり、アルミニウムの熱伝導率は２３６〔Ｗ／ｍ／Ｋ〕である。このように熱伝導率の高い材料をヒートシンク１７として採用することにより、半導体基板１１の放熱性を向上させることができる。

更にまた、ヒートシンク１７の材料としては、樹脂を採用することもできる。一般的に樹脂は金属よりも熱伝導性に劣る材料ではあるが、樹脂から成るヒートシンク１７を採用すると、半導体装置１０全体の表面積が大きくなるので放熱性が向上される。更に、アルミナ等から成るフィラーが充填された樹脂からヒートシンク１７を形成すると、放熱性を更に向上させることができる。また、ヒートシンク１７として、半導体装置の製造工程で用いるダイシングシートを採用することもできる。この事項の詳細は後述する。

図１（Ｂ）を参照して、ヒートシンク１７には、半導体基板１１に当接しない面（上面）から溝１８が形成されている。この溝１８の幅は２０μｍ〜１００μｍ程度であり、深さはヒートシンク１７を貫通しない範囲（例えば、４００μｍ〜２ｍｍ未満）である。更に、溝１８は、半導体基板１１の側辺に対して並行に延在し、半導体基板１１の前面端部から後面端部まで連続して直線的に形成されている。ここで、溝１８は格子状に設けても良く、この場合はヒートシンク１７の表面積を更に増大させて放熱効果を向上させることができる。

半導体基板１１の下面には、内部の素子（活性領域）と電気的に接続された電極１３が形成されている。この電極１３が形成される部分を除いて、半導体基板１１の下面は絶縁層１２により被覆されている。絶縁層１２は、例えば窒化膜や樹脂膜から成る。更に、電極１３の下面は絶縁層１２から下方に露出している。

絶縁層１２の下面には、電極１３とコンタクトした配線１４が形成されている。ここで、電極１３は半導体装置１０の周辺部に設けられ、配線１４は周辺部から内部に向かって延在している。配線１４の一部分はパッド状に形成され、このパッド状の部分に外部電極１５が溶着されている。外部電極１５は、半田等の導電性接着材から成る。上記のように配線１４を設けることにより、互いに接近して配置された電極１３を、互いに離間する外部電極１５として再配置することができる。更に、外部電極１５が形成される領域を除外して、樹脂等の絶縁性材料から成る被覆層１６により配線１４は被覆される。

＜第２の実施の形態＞
本形態では、図２から図４を参照して、第１の実施の形態にて構成を説明した半導体装置の製造方法を説明する。

図２（Ａ）を参照して、半導体ウェハ２２は、電極１３等が形成された上面（第１主面）と、平坦な下面（第２主面）とを具備する。更に、半導体ウェハ２２にはマトリックス状に多数個（例えば数百個）の半導体装置部２４が形成されている。半導体装置部２４は、格子状に規定されたダイシングライン２７により区画されている。ここで、半導体装置部２４とは、１つの半導体装置と成る部位である。各半導体装置部２４では、所定の回路素子（活性領域）が半導体ウェハ２２の内部に形成され、この素子とコンタクトした電極１３が周辺部に配置されている。シリコン等の半導体材料から成る半導体ウェハ２２の厚みは、例えば５０μｍ〜５００μｍ程度である。

図２（Ｂ）を参照して、放熱板１９は厚みが５００μｍ〜２ｍｍ程度の銅やアルミニウム等の金属から成り、その平面的な大きさは半導体ウェハ２２と同等である。放熱板１９の上面（第１主面）は半導体ウェハ２２の下面と当接する平滑面であり、下面（第２主面）には溝１８が形成されている。この溝１８の延在方向は、上述したダイシングライン２７と並行が好適である。このことにより、溝１８の延在方向と、半導体装置部２４の側辺とを並行にすることができ、装置の外観を良好にすることができる。更に、溝１８とダイシングライン２７とを重畳させることで、ダイシングの工程に於いて、溝１８が形成されていない厚み部分の放熱板１９を除去するのみで放熱板１９を切断できる。

半導体ウェハ２２と放熱板１９との接着は、絶縁性樹脂等の接着材を用いて行われる。即ち、放熱板１９の上面または半導体ウェハ２２の裏面に接着材を塗布した後に、両者を貼り合わせて接着させる。

図２（Ｃ）を参照して、各半導体装置部２４では、半導体ウェハ２２の内部に形成された素子と接続された電極１３が周辺部に形成される。半導体ウェハ２２の上面は、電極１３を露出させた状態で、樹脂等から成る絶縁層１２により被覆される。また、絶縁層１２の上面には、半導体装置部２４の周辺部から中心部に向かって延在する配線１４が形成される。更に、パッド状に形成された配線１４の上面には半田等から成る外部電極１５が溶着されている。また、絶縁層１２の上面は、外部電極１５が形成される箇所を除いて、全面的に被覆層１６により被覆されている。この被覆層１６により配線１４が被覆されている。

図３を参照して、次に、放熱板１９および半導体ウェハ２２をダイシングシート２１に貼着した後にダイシングする。図３（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図３（Ｂ）は斜視図であり、図３（Ｃ）はダイシングを行った後の断面図である。

図３（Ａ）を参照して、上面に半導体ウェハ２２が貼着された放熱板１９の下面を、ダイシングシート２１に貼着する。ダイシングシート２１は、柔らかく且つ伸縮可能な樹脂材料から成りその厚さは例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。また、ダイシングシート２１は、少なくとも紫外線を良好に透過させる材料が好ましい。ダイシングシート２１が紫外線を透過させることにより、後の工程にて、ダイシングシート２１の下方から紫外線を照射して、接着層２５の接着力を低減させて、半導体装置部２４を容易に剥離させることができる。

接着層２５は、ダイシングシート２１の上面全域を被覆するように形成され、放熱板１９をダイシングシート２１に貼着させる機能を有する。接着層２５の厚さは、例えば２０μｍ〜４０μｍ程度である。また、接着層２５としては、外力が加わると硬化して粘着力が低減するものが好ましい。この外力としては、例えば熱や所定の波長の光線（例えば紫外線）がある。一例として、紫外線が照射されると硬化して粘着力が低減する樹脂材料は、接着層２５の材料として好適である。このようなタイプの接着層２５が表面に塗布されたダイシングシート２１は、一般的にＵＶシートと称されている。

図３（Ｂ）を参照して、次に、半導体ウェハ２２および放熱板１９を同時にダイシングして、半導体装置部２４を個別に分離する。ここでは、半導体ウェハ２２等が貼着されたダイシングシート２１の周辺部はウェハリング２３により機械的に支持されている。ここでウェハリング２３は、例えばステンレス等から成る金属板をリング状に加工したものであり、その内径は半導体ウェハ２２の直径よりも大きい。

半導体装置部２４はマトリックス状に配置されているので、ブレード２６を用いて一方向にダイシングライン２７に沿って多数回のダイシングを行った後に、ウェハリング２３を９０℃回転させて、再びダイシングライン２７に沿って多数回のダイシングを行う。

図３（Ｃ）を参照して、本工程では、少なくとも被覆層１６、絶縁層１２、半導体ウェハ２２、放熱板１９が切断されるように、ダイシングを行う。実際は、この切断を確実に行うために、接着層２５が切除され、更にダイシングシート２１が部分的に切除されるようにダイシングが行われても良い。

本形態では、半導体ウェハ２２とダイシングシート２１との間に放熱板１９を設けることにより、半導体ウェハ２２の破損が防止されている。具体的には、ダイシングシート２１は、柔らかい樹脂材料から成る。従って、ブレード２６による押圧力を上方から半導体ウェハ２２に加えると、ブレード２６が当接する部分の下方のダイシングシート２１が沈み込んで、半導体ウェハ２２に曲げ応力が作用し破損が生じる恐れがある。本形態では、ダイシングシート２１よりも硬く機械的強度に優れる放熱板１９を、半導体ウェハ２２の下面に設けている。従って、放熱板１９により上記した曲げ応力が低減されて、半導体ウェハ２２の割れが防止されている。

更に本形態では、各半導体装置部２４同士の間に位置するダイシングライン２７の下方に、放熱板１９の溝１８が位置している。このことにより、溝１８が設けられていない厚み部分の放熱板１９をダイシングにより除去するのみで、放熱板１９が分断される。銅等の金属から成る放熱板１９を、ダイシングブレード２６を用いてダイシングすると、ダイシングブレード２６の消耗しやすい。そこで、溝１８を設けた箇所によりダイシングを行うことで、切除する部分の放熱板１９が薄くなり、ブレード２６の摩耗を少なくできる利点がある。

本工程により、半導体ウェハ２２から個別の半導体装置部２４が得られる。個々の半導体装置部２４は電気的にも分離しているので、プローブを外部電極１５に当接させて個々の半導体装置部２４の電気的特性等をテストすることができる。

図４を参照して、次に、半導体装置部２４をダイシングシート２１から分離する。図４は本工程を示す断面図である。

図４を参照して、本工程では、ダイシングシート２１の下方から紫外線２９が照射されている。ダイシングシート２１は紫外線に対して透明性が高い樹脂材料から成るので、紫外線２９はダイシングシート２１を透過して接着層２５に到達する。紫外線２９が照射された接着層２５は硬化し接着力が低減する。このことにより、半導体装置部２４が剥離しやすい状況が作り出される。

次に、不図示の吸着コレットを用いて、半導体装置部２４をダイシングシート２１から分離する。上述した紫外線照射により接着層２５の接着力は低減されているので、半導体装置部２４は容易に剥離できる。

本工程では、半導体装置部２４の半導体基板１１の下面に放熱板１９が貼着されているので、剥離の工程に於ける半導体基板１１の割れや欠けが防止できる。具体的には、不図示の吸着コレットを用いて、中央に位置する半導体装置部２４を上方に持ち上げると、ダイシングシート２１が僅かに同伴して上方に持ち上げられる。ダイシングシート２１が持ち上げられる理由は、接着層２５の接着力が僅かながら残存しているからである。

このような状態で、中央の半導体装置部２４を更に上方に持ち上げると、持ち上げられた中央部の半導体装置部２４が、両側の半導体装置部２４に接触してしまう恐れがある。従来では、半導体基板１１が直にダイシングシート２１に貼着されていたので、脆い半導体基板１１同士が接触して欠けや割れの発生を招いていた。本形態では、半導体基板１１の下面に、金属から成る放熱板１９が貼着されている。従って、ピックアップに伴い隣接する半導体装置部２４同士が接触しても、金属である放熱板１９同士が接触する。このことから、半導体基板１１にはキズが発生しない。また、放熱板１９は延性に優れた金属から成るので、接触に伴うキズは付きにくい。仮に、放熱板１９にキズが付いても外観上殆ど問題はない。

上記の工程により、図１に示す半導体装置１０が製造される。また、ダイシングシート２１から剥離された半導体装置部２４は搬送されて、外部電極を溶融させるリフローの工程等により実装基板等に実装される。

＜第３の実施の形態＞
図５を参照して、他の形態の半導体装置の製造方法を説明する。本形態の製造方法は、ダイシングシートの一部分を、放熱体として半導体装置に残存する事項が第２の実施の形態と異なる。他の方法は、上述した第２の実施の形態と同様である。

図５（Ａ）を参照して、先ず、拡散工程等により多数の半導体装置部２４が形成された半導体ウェハ２２を、第２接着層２０を介してダイシングシート２１に貼着する。

ダイシングシート２１は、第１接着層２８を介して接着された第１シート３１および第２シート３２から成る。第１シート３１と第２シート３２との境界面は凹凸面となっておりここでは、矩形の形状の凹凸が設けられた断面となっている。従って、両者の境界面では、第１シート３１が凸状に成っている部分では第２シート３２が凹状に成っており、第１シート３１が凹状に成っている部分では第２シート３２が凸状に成っている。ダイシングシート２１の厚みは、例えば１００μｍ〜２００μｍ程度である。

第１シート３１と第２シート３２との接着面が凹凸形状を呈していることにより、両者の接着力が向上されて、製造途中に於ける両者の乖離が防止できる。更に、放熱体として装置の一部を構成する第１シート３１の裏面が凹凸形状となるので、表面積が増大されて放熱効果が向上される。

第１シート３１は、ダイシングシート２１の上層であり、上面が第２接着層２０を介して半導体ウェハ２２の裏面に貼着される。第１シート３１は、半導体装置の放熱体として用いられるので、熱伝導性の向上のためにシリカ等の無機フィラーが混入された樹脂から構成されても良い。第１シート３１の厚みはダイシングシート２１の半分程度で良く、例えば、５０μｍ〜１００μｍ程度である。

第２シート３２は、ダイシングシート２１の下層を構成している。第２シート３２の材料としては、第１接着層２８の接着力を低減させるために照射される光線（例えば紫外線）を良好に透過させる樹脂材料が好適である。このようにすることで、ダイシングシート２１の下方から照射される光線を容易に第１接着層２８まで到達させることができる。第２シート３２の厚みは第１シート３１と同様に、５０μｍ〜１００μｍ程度で良い。

第２接着層２０は、放熱体として半導体装置の一部を構成する第１シート３１を半導体ウェハ２２に接着させる機能を有する。第２接着層２０としては通常の絶縁性接着樹脂が採用できる。紫外線を照射する次工程以降も接着力を維持させるために、第２接着層２０は、紫外線照射により接着力が低減しないものである必要がある。

第１接着層２８は、加熱や光線照射により接着力が低減する樹脂材料が好ましい。このようにすることで、半導体装置の一部を構成する第１シート３１と、ダイシングのための支持部材として機能する第２シート３２との分離が容易になる。

図５（Ｂ）を参照して、各半導体装置部２４が分離されるように、半導体ウェハ２２をダイシングにより分割する。本工程のダイシングの詳細は、上述した第２の実施の形態と同様である。ここでは、少なくとも被覆層１６、絶縁層１２、半導体ウェハ２２、第２接着層２０、第１シート３１が分断されるようにダイシングが行われる。更に、このダイシングを確実に行うために、第１接着層２８および第２シート３２の一部が分断されるまでダイシングが行われても良い。

図５（Ｃ）を参照して、次に、各半導体装置部２４をダイシングシート２１から分離する。先ず、ダイシングシート２１の下方から紫外線２９を照射する。このことにより、照射された紫外線２９は、第２シート３２を透過して第１接着層２８に到達し、第１接着層２８は硬化して接着力が低減される。また、第１接着層２８が加熱により接着力が低減する性質を有している場合は、加熱処理を行い第１接着層２８の接着力を低減させる。また、紫外線２９が第２接着層２０に到達しても、第２接着層２０の接着力は変化しない。

次に、不図示の吸着コレット等を用いて、半導体装置部２４をダイシングシート２１から分離する（ピックアップする）。ここでは、第２接着層２０を介して半導体基板１１の下面に接着された第１シート３１も、半導体装置部２４の一部としてダイシングシート２１から剥離される。

また、上記したピックアップの工程にて隣接する半導体装置部２４同士が接触しても、樹脂材料から成る下部の第１シート３１同士が接触し、半導体基板１１同士は接触しない。従って、本工程に於ける半導体基板１１の割れやキズの発生等は抑制されている。

上述した工程により、樹脂材料から成る放熱体を有する半導体装置が製造される。

本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は斜視図である。 本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。 従来の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。

符号の説明

１０ 半導体装置
１１ 半導体基板
１２ 絶縁層
１３ 電極
１４ 配線
１５ 外部電極
１６ 被覆層
１７ ヒートシンク
１８ 溝
１９ 放熱板
２０ 第２接着層
２１ ダイシングシート
２２ 半導体ウェハ
２３ ウェハリング
２４ 半導体装置部
２５ 接着層
２６ ブレード
２７ ダイシングライン
２８ 第１接着層
２９ 紫外線
３１ 第１シート
３２ 第２シート

Claims (4)

1. 回路素子と電気的に接続された電極が形成される第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを具備し、ダイシングラインにより区画される複数の半導体装置部が形成された半導体ウェハを用意する工程と、
   前記半導体ウェハの前記第２主面に、金属から成る放熱板を接着する工程と、
   前記放熱板の主面をダイシングシートに接触させることにより、前記放熱板を介して前記半導体ウェハを前記ダイシングシートに貼着する工程と、
   前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウェハおよび前記放熱板をダイシングすることで、分離された前記放熱板から成るヒートシンクが半導体基板に貼着された状態の前記半導体装置部を個別に分離する工程と、
   前記ヒートシンクが貼着された状態の前記半導体装置部を、前記ダイシングシートから剥離する工程と、を具備し、
   前記放熱板は、前記半導体ウェハに貼着される第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを具備し、
   前記放熱板の第２主面には、前記半導体ウェハのダイシングラインに対して並行に延在する溝を設け、
   前記溝の位置と前記ダイシングラインの位置とを重畳させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記放熱板の平面視での大きさは、前記半導体ウェハと同等であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記ダイシングシートの表面には、紫外線が照射されると硬化して接着力が低下する接着層が設けられ、
   前記剥離する工程は、前記ダイシングシートを透過して前記接着層に紫外線を照射することで、前記接着層の接着力を低下させた後に行われることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記剥離する工程では、
   前記半導体装置部をコレットで吸引して前記ダイシングシートから剥離することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
   

Images